CN116972214A - 车用电磁阀驱动电路 - Google Patents

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吴海锋
马天宇
李鸠斌
洪灵渊
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Abstract

本发明公开了一种车用电磁阀驱动电路。车载电池VBAT依次经防反模块、高边电磁阀供电模块后和电磁阀续流模块连接，电磁阀线圈连接到磁阀续流模块，防反模块和高边电磁阀供电模块之间引出和低边接地开关模块连接，高边电磁阀供电模块连接到MCU的驱动端口，电磁阀续流模块经低边接地开关模块连接到MCU的PWM驱动信号端口，电磁阀续流模块经电磁阀电流采集模块连接到MCU的模数转换端口，电磁阀续流模块经电磁阀故障诊断模块连接到MCU的测试端口。本发明电路能对电磁阀线圈进行电流型控制，并且集成诊断及保护，不在需要专用的集成芯片来进行电磁阀线圈的驱动，降低对专用芯片的依赖度，提高了使用的安全性。

Description

车用电磁阀驱动电路
技术领域
本发明公开了一种电磁控制电路，尤其是涉及了一种驱动乘用车电磁阀的应用电路。
背景技术
乘用车的防抱死系统ABS制动力控制，通常都采用控制电磁阀的开启与阻断油路来实现轮缸的压力调节。目前电磁阀线圈的控制方式有开关型与电流型两种方式。电流型控制油压波动小，精度高，故在多数情况下是首选的控制方式。但此控制方式的实现都使用定制的集成芯片，若芯片出现短缺或不在售卖，对产品的量产有较大的影响。
发明内容
为了解决背景技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种电磁阀驱动电路，在驱动的同时也能够实现电磁阀线圈的通断控制、过流保护、故障诊断和电流调节。
本发明的采用分立器件构建硬件电流，通过采样电阻来得出电磁阀线圈回路中的电流，并软件通过相应的控制算法，输出对应的驱动信号，使得回路电流值符合所设定的电流大小。并且此电磁阀驱动电路，能够对电磁阀线圈的故障进行诊断及保护，例如线圈的开路故障，对地短路故障，对电源短路故障，过流保护。
本发明的技术方案如下：
本发明主要由防反模块、高边电磁阀供电模块、电磁阀续流模块、低边接地开关模块、电磁阀电流采集模块和电磁阀故障诊断模块的六个部分组成。
车载电池VBAT依次经防反模块、高边电磁阀供电模块后和电磁阀续流模块连接，电磁阀线圈连接到磁阀续流模块，防反模块和高边电磁阀供电模块之间引出和低边接地开关模块连接，高边电磁阀供电模块连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV，电磁阀续流模块经低边接地开关模块连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，电磁阀续流模块经电磁阀电流采集模块连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，电磁阀续流模块经电磁阀故障诊断模块连接到MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
所述的防反模块主要由MOS管Q2组成，MOS管Q2的栅极和源极均与车载电池VBAT都相连，MOS管Q2的漏极同时连接低边接地开关模块中一端、高边电磁阀供电模块中一端连接；
所述的高边电磁阀供电模块主要由三极管Q8与PMOS管Q1组成，PMOS管Q1的源极用于和防反模块连接，PMOS管Q1的源极和电阻R122的一端连接，PMOS管Q1的栅极和电阻R122的另一端均连接到三极管Q8的集电极相连，PMOS管Q1的漏极连接到电磁阀续流模块，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV。
所述的电磁阀续流模块主要由二极管D15、采样电阻R105、两个电磁阀线圈连接点U36与U38构成，二极管D15、采样电阻R105、电磁阀线圈串联构成一个续流回路；二极管D15的正极用于和低边接地开关模块连接，二极管D15的负极和采样电阻R105的一端连接且用于连接到高边电磁阀供电模块和电磁阀故障诊断模块，采样电阻R105的两端用于和电磁阀电流采集模块的两端连接。
所述的低边接地开关模块主要由复合三极管U68、双包MOS管Q7、电阻R116和电阻R121构成，复合三极管U68的1号引脚接地，2号引脚连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，复合三极管U68的6号引脚与5号引脚之间相连，复合三极管U68的4号引脚用于连接到防反模块和高边电磁阀供电模块之间，复合三极管U68的3号引脚经电阻R121和双包MOS管Q7的栅极相连，双包MOS管Q7的栅极经电阻R116接地，双包MOS管Q7的漏极同时与电磁阀续流模块中电磁阀线圈的连接点U36、二极管D15的正极相连，双包MOS管Q7的源极接地。
所述的电磁阀电流采集模块主要由芯片U61、电阻R110、电容C98和电容C101构成，芯片U61的IN+脚连接到电磁阀续流模块中电阻R105的一端，芯片U61的IN-脚分别和电磁阀续流模块中电阻R105的另一端、电磁阀线圈的另一连接点U38连接，芯片U61的OUT脚连接电阻R110的一端，电阻R110的另一端经电容接地，同时电阻R110的另一端连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，芯片U61的VS脚接电源电压，芯片U61的VS脚经电容C101接地。
所述的电磁阀故障诊断模块主要由二极管D16、电阻R123～电阻R125构成，二极管D16的正极和电源电压连接，二极管D16的负极经电阻R123和电磁阀续流模块的二极管D15负极连接，电阻R124和电阻R125串联在电磁阀续流模块的二极管D15负极和地之间，且电阻R124和电阻R125之间引出连接MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
所述的防反模块中的MOS管Q2采用NMOS管，主要是利用其体二极管进行防反。
本发明中，车载电源VBAT经过防反模块后，微控制器MCU控制高边电磁阀供电模块打开，电磁阀线圈一端加载供电电源。此时启动电磁阀故障诊断模块，检测驱动电路是否存在故障，若无故障，则控制器MCU控制低边接地开关模块开启，此时线圈通电产生电磁吸力。并且，微控制器MCU通过软件算法并结合电磁阀续流模块与电磁阀电流采集模块的电路，来控制线圈回路的电流大小。
本发明的有益效果是：
本发明利用一些常用的分立元件构建了对电磁阀电流型控制，不在需要专用的集成芯片来进行信号处理，降低对专用芯片的依赖度，提高了使用的安全性。
附图说明
图1为一种电磁阀驱动电路原理图。
图中：防反模块(1)、高边电磁阀供电模块(2)、电磁阀续流模块(3)、低边接地开关模块(4)、电磁阀电流采集模块(5)，电磁阀故障诊断模块(6)。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。
如图1所示，本发明主要由防反模块1、高边电磁阀供电模块2、电磁阀续流模块3、低边接地开关模块4、电磁阀电流采集模块5和电磁阀故障诊断模块6的六个部分组成；
车载电池VBAT依次经防反模块1、高边电磁阀供电模块2后和电磁阀续流模块3连接，所需驱动的电磁阀线圈连接到磁阀续流模块3，防反模块1和高边电磁阀供电模块2之间引出和低边接地开关模块4连接，高边电磁阀供电模块2连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV，电磁阀续流模块3经低边接地开关模块4连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，电磁阀续流模块3经电磁阀电流采集模块5连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，电磁阀续流模块3经电磁阀故障诊断模块6连接到MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
防反模块1主要由MOS管Q2组成，MOS管Q2的栅极和源极均与车载电池VBAT都相连，MOS管Q2的漏极同时连接低边接地开关模块4中复合三极管U68的发射极一端、高边电磁阀供电模块2中PMOS管Q1的源极一端连接；
高边电磁阀供电模块2主要由三极管Q8与PMOS管Q1组成，PMOS管Q1的源极用于和防反模块1MOS管Q2的漏极连接，PMOS管Q1的源极和电阻R122的一端连接，PMOS管Q1的栅极和电阻R122的另一端均连接到三极管Q8的集电极相连，PMOS管Q1的漏极连接到电磁阀续流模块3，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV。
其中，MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出高低电平的占空比信号。
高边电磁阀供电模块2中：
当MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV输出低电平时，高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1不导通，车载电池VBAT无法经高边电磁阀供电模块2的PMOS管给电磁阀线圈供电，即不给电磁阀线圈供电；
当MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV输出高电平时，高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1导通，车载电池VBAT经高边电磁阀供电模块2的PMOS管给电磁阀线圈供电，即给电磁阀线圈供电。
具体实施中，PMOS管Q1的漏极分别连接到电磁阀续流模块3中的二极管D15的负极和采样电阻R105的一端、电磁阀故障诊断模块6中电阻R123的一端、电阻R124的一端、电磁阀电流采集模块5中电流采集芯片U61的IN+引脚。
电磁阀续流模块3主要由二极管D15、采样电阻R105、两个电磁阀线圈连接点U36与U38构成，二极管D15、采样电阻R105、电磁阀线圈串联构成一个续流回路；二极管D15的正极用于和低边接地开关模块4连接，二极管D15的负极和采样电阻R105的一端连接且用于连接到高边电磁阀供电模块2和电磁阀故障诊断模块6，采样电阻R105的两端用于和电磁阀电流采集模块5的两端连接。
电磁阀续流模块3作用是当感性负载的电磁阀线圈断电时，提供一条电流泄放的通道，一是有利于防止损坏MOS管Q1因漏源之间的压差大被击穿损坏，二是在线圈断电时，电感中存储的能力通过此回路，依旧能给负载提供一部分能量，在整个PWM型的电流控制过程中，能够提高能量的转化效率。
低边接地开关模块4主要由复合三极管U68、双包MOS管Q7、电阻R116和电阻R121构成，复合三极管U68的1号引脚接地，2号引脚连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，复合三极管U68的6号引脚与5号引脚之间相连，复合三极管U68的4号引脚用于连接到防反模块1和高边电磁阀供电模块2之间的引出端，作为电位VBAT1，复合三极管U68的3号引脚经电阻R121和双包MOS管Q7的栅极相连，双包MOS管Q7的栅极经电阻R116接地，双包MOS管Q7的漏极同时与电磁阀续流模块3中电磁阀线圈的连接点U36、二极管D15的正极相连，双包MOS管Q7的源极接地。
复合三极管U68主要由两个三极管连接构成，以一个三极管的发射极作为1号引脚，以一个三极管的基极作为2号引脚，以一个三极管的集电极作为6号引脚，以另一个三极管的集电极作为3号引脚，以另一个三极管的发射极作为4号引脚，以另一个三极管的基极作为5号引脚。
双包MOS管Q7主要由多个MOS管构成，多个MOS管分别用于连接不同的电磁阀线圈。本发明的附图中，包含两个MOS管，其中仅一个MOS管连接一个电磁阀线圈。
低边接地开关模块4中：
当MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出高电平时，使得复合三极管U68的6号引脚接地，进而使得复合三极管U68的4号引脚与3号引脚导通，使得电位VBAT1加载到电阻R121，经电阻R116与电阻R121的分压后的电压驱动双包MOS管Q7打开，使得电磁阀线圈连接点U36接地；
当MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输入低电平时，使得复合三极管U68的6号引脚不接地，进而使得复合三极管U68的4号引脚与3号引脚断开，电位VBAT1无法加载到电阻R121，经电阻R116与电阻R121的分压后的电压为0V，使得双包MOS管Q7不打开，使得电磁阀线圈连接点U36断开、不接地。
其中同电阻R116提供双包MOS管Q7的栅极一条电荷泄放的回路，使得双包MOS管Q7能够快速的关断，以便于提升驱动信号的开关频率。
电磁阀电流采集模块5主要由芯片U61、电阻R110、电容C98和电容C101构成，芯片U61的IN+脚连接到电磁阀续流模块3中电阻R105的一端，芯片U61的IN-脚分别和电磁阀续流模块3中电阻R105的另一端、电磁阀线圈的另一连接点U38连接，芯片U61的OUT脚连接电阻R110的一端，电阻R110的另一端经电容接地，同时电阻R110的另一端连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，芯片U61的VS脚接5V电源电压，芯片U61的VS脚经电容C101接地。
具体实施中，电磁阀电流采集模块5也可包括采样电阻R105，电磁阀续流模块3的采样电阻R105和电磁阀电流采集模块5的采样电阻R105是同一个电阻。
电磁阀电流采集模块5中，通过芯片U61检测流过采样电阻R105两端的电压，转化后输出给MCU，MCU通过读取的电压，换算出采样电阻R105的当前回路中的电流值，进而按照以下方式进行故障诊断和保护控制：
当检测到的电流值超过所设定的电流门限值，则MCU控制高边电磁阀供电模块2断开供电或低边接地开关模块4断开接地，使得电磁阀线圈被过流保护，从而达到过流保护功能。
当高边电磁阀供电模块2以及低边接地开关模块4都开启且检测到的电流值为零或者接近零时，检测到的电流值为零，即采集到电路中无电流，则当前回路的电磁阀线圈存在开路故障。
电磁阀故障诊断模块6主要由二极管D16、电阻R123～电阻R125构成，二极管D16的正极和5V电源电压连接，二极管D16的负极经电阻R123和电磁阀续流模块3的二极管D15负极连接，电阻R124和电阻R125串联在电磁阀续流模块3的二极管D15负极和地之间，且电阻R124和电阻R125之间引出连接MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
电磁阀故障诊断模块6中，
当高边电磁阀供电模块2不开启时，即高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1不导通时，高边驱动不开启，采集此时的MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV的电压值并进行判断：
若电压值为介于VABT和零之间的一个值，则高边电磁阀供电模块2发生对电源短路；
若电压值为零，则高边电磁阀供电模块2发生对地短路。
当高边电磁阀供电模块2开启时，即高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1不导通时，高边驱动开启，
采集此时的MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV的电压值并进行判断：
若电压值为介于VABT和零之间的一个值，则高边电磁阀供电模块2无故障，正常开启。
具体实施中，各个元件的规格和型号可以设置为：
Q2的型号：NCEAP6090AGU
Q1的型号：NCEAP40P80G
R122型号：MCR03EZPFX3002
Q8的型号：BC847BDW1T1G
R123型号：MCR03EZPFX5101
R124型号：MCR03EZPFX3003
R125型号：MCR03EZPFX5902
D16型号：BAS21VMFHTE-17
D15型号：RB058LAM-40TF
R105型号：PE1206FRF470R05L
U61型号：INA180A1IDBVR
R110型号：MCR01MZPF1001
C98型号：AC0603KRX7R9BB104
C101型号：AC0603KRX7R9BB104
Q7型号：NCEAP60ND30AG
R116型号：MCR10EZPF1001
R121型号：MCR10EZPF1001
U68型号：PUMD16。
本发明的具体实施的驱动、通断控制、过流保护、故障诊断和电流调节等工作过程如下：
在事先未正常工作前，通过电磁阀故障诊断模块6检测高边电磁阀供电模块2是否短路和故障：
先控制高边电磁阀供电模块2不开启，采集此时的MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV的电压值并进行判断：
若电压值为介于VABT和零之间的一个值，则高边电磁阀供电模块2发生对电源短路；具体实施中，VABT＝12V，电压值为1.97V。
若电压值为零，则高边电磁阀供电模块2发生对地短路。
然后控制高边电磁阀供电模块2开启，再采集此时的MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV的电压值并进行判断：
若电压值为介于VABT和零之间的一个值，则高边电磁阀供电模块2无故障，正常开启；具体实施中，VABT＝12V，电压值为1.97V。
然后进入正常工作，由MCU控制高边电磁阀供电模块2连接供电或低边接地开关模块4连接接地，即高边电磁阀供电模块2和低边接地开关模块4都开启，正常情况使得电磁阀续流模块3中电磁阀线圈连接点U36和电磁阀线圈连接点U38均接通导通，使得电磁阀线圈流经电流。
在高边电磁阀供电模块2和低边接地开关模块4都开启的实时工作中，通过电磁阀电流采集模块5检测开路故障并进行过流保护：
通过芯片U61检测流过采样电阻R105两端的电压传输给MCU，MCU通过读取的电压，换算出采样电阻R105的当前回路中的电流值，进而按照以下方式进行故障诊断和保护控制：
当检测到的电流值超过所设定的电流门限值，则MCU控制高边电磁阀供电模块2断开供电或低边接地开关模块4断开接地，使得电磁阀线圈被过流保护。
当检测到的电流值为零时，则电磁阀线圈存在开路故障，MCU产生报警控制信号发出到外部报警器进行报警。
MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出占空比的PWM信号，进而使得电磁阀线圈经过高频交变电流，且所述的电磁阀线圈的电流控制是实时通过采集电阻R105两端的电流进行电磁阀线圈的电流控制：
当采集电阻R105两端的电流比目标电流值偏小时，则MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出更大占空比的PWM信号，控制复合三极管U68加大占空比，使得双包MOS管Q7的导通时间变长，从而增大流经电阻R105的电流，进而增大电磁阀线圈的电流；
当采集电阻R105两端的电流比目标电流值偏大时，则MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出更小占空比的PWM信号，控制复合三极管U68减小占空比，使得双包MOS管Q7的导通时间变短，从而减小流经电阻R105的电流，进而增大电磁阀线圈的电流。
重复以上过程，使得电磁阀线圈的电流稳定在预先设定值。
上述MCU控制高边电磁阀供电模块2连接供电和断开供电是通过驱动端口MCU_DRV_HSV输出信号来控制：
当MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV输出低电平时，高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1不导通，车载电池VBAT不经高边电磁阀供电模块2给电磁阀线圈供电；
当MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV输出高电平时，高边电磁阀供电模块2的PMOS管Q1导通，车载电池VBAT经高边电磁阀供电模块2给电磁阀线圈供电。
上述MCU控制低边接地开关模块4连接接地和断开接地是通过PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出信号来控制：
当MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输出高电平时，使得复合三极管U68的6号引脚接地，进而使得复合三极管U68的4号引脚与3号引脚导通，使得电位VBAT1加载到电阻R121，经电阻R116与电阻R121的分压后的电压驱动双包MOS管Q7打开，使得电磁阀线圈连接点U36接地；
当MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV输入低电平时，使得复合三极管U68的6号引脚不接地，进而使得复合三极管U68的4号引脚与3号引脚断开，经电阻R116与电阻R121的分压后的电压为0V，使得双包MOS管Q7不打开，使得电磁阀线圈连接点U36断开、不接地。
所述低边接地开关模块4工作时，双包MOS管Q7受PWM信号的高低电平控制在导通状态和断开状态之间进行快速切换；且其中，当低边接地开关模块4的双包MOS管Q7受PWM信号的低电平控制在断开状态下，则电磁阀续流模块3中电磁阀线圈连接点U36的电量经二极管D15和电阻R105流到电磁阀线圈连接点U38处，进而使得线圈在MOS断开不供电的情况下，线圈利用自生的电感特性，将存储的能量进行释放，保证回路电流不能突变到0，将逐步减小，在不供电的情况下，依旧会存在一定的电流，减少了电源的损耗，实现了能量回收。
由此，本发明的电路对电磁阀线圈进行电流型控制，并且集成诊断及保护，不在需要专用的集成芯片来进行电磁阀线圈的驱动，降低对专用芯片的依赖度，提高了使用的安全性。

Claims (7)

1.一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
主要由防反模块(1)、高边电磁阀供电模块(2)、电磁阀续流模块(3)、低边接地开关模块(4)、电磁阀电流采集模块(5)和电磁阀故障诊断模块(6)的六个部分组成；
车载电池VBAT依次经防反模块(1)、高边电磁阀供电模块(2)后和电磁阀续流模块(3)连接，电磁阀线圈连接到磁阀续流模块(3)，防反模块(1)和高边电磁阀供电模块(2)之间引出和低边接地开关模块(4)连接，高边电磁阀供电模块(2)连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV，电磁阀续流模块(3)经低边接地开关模块(4)连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，电磁阀续流模块(3)经电磁阀电流采集模块(5)连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，电磁阀续流模块(3)经电磁阀故障诊断模块(6)连接到MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
2.根据权利要求1所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的防反模块(1)主要由MOS管Q2组成，MOS管Q2的栅极和源极均与车载电池VBAT都相连，MOS管Q2的漏极同时连接低边接地开关模块(4)中一端、高边电磁阀供电模块(2)中一端连接；
所述的高边电磁阀供电模块(2)主要由三极管Q8与PMOS管Q1组成，PMOS管Q1的源极用于和防反模块(1)连接，PMOS管Q1的源极和电阻R122的一端连接，PMOS管Q1的栅极和电阻R122的另一端均连接到三极管Q8的集电极相连，PMOS管Q1的漏极连接到电磁阀续流模块(3)，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极连接到MCU的驱动端口MCU_DRV_HSV。
3.根据权利要求1所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的电磁阀续流模块(3)主要由二极管D15、采样电阻R105、两个电磁阀线圈连接点U36与U38构成，二极管D15、采样电阻R105、电磁阀线圈串联构成一个续流回路；二极管D15的正极用于和低边接地开关模块(4)连接，二极管D15的负极和采样电阻R105的一端连接且用于连接到高边电磁阀供电模块(2)和电磁阀故障诊断模块(6)，采样电阻R105的两端用于和电磁阀电流采集模块(5)的两端连接。
4.根据权利要求3所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的低边接地开关模块(4)主要由复合三极管U68、双包MOS管Q7、电阻R116和电阻R121构成，复合三极管U68的1号引脚接地，2号引脚连接到MCU的PWM驱动信号端口MCU_PWM_HSV，复合三极管U68的6号引脚与5号引脚之间相连，复合三极管U68的4号引脚用于连接到防反模块(1)和高边电磁阀供电模块(2)之间，复合三极管U68的3号引脚经电阻R121和双包MOS管Q7的栅极相连，双包MOS管Q7的栅极经电阻R116接地，双包MOS管Q7的漏极同时与电磁阀续流模块(3)中电磁阀线圈的连接点U36、二极管D15的正极相连，双包MOS管Q7的源极接地。
5.根据权利要求3所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的电磁阀电流采集模块(5)主要由芯片U61、电阻R110、电容C98和电容C101构成，芯片U61的IN+脚连接到电磁阀续流模块(3)中电阻R105的一端，芯片U61的IN-脚分别和电磁阀续流模块(3)中电阻R105的另一端、电磁阀线圈的另一连接点U38连接，芯片U61的OUT脚连接电阻R110的一端，电阻R110的另一端经电容接地，同时电阻R110的另一端连接到MCU的模数转换端口MCU_AD_HSV，芯片U61的VS脚接电源电压，芯片U61的VS脚经电容C101接地。
6.根据权利要求3所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的电磁阀故障诊断模块(6)主要由二极管D16、电阻R123～电阻R125构成，二极管D16的正极和电源电压连接，二极管D16的负极经电阻R123和电磁阀续流模块(3)的二极管D15负极连接，电阻R124和电阻R125串联在电磁阀续流模块(3)的二极管D15负极和地之间，且电阻R124和电阻R125之间引出连接MCU的测试端口MCU_AD_TEST_HSV。
7.根据权利要求3所述的一种车用电磁阀驱动电路，其特征在于：
所述的防反模块(1)中的MOS管Q2采用NMOS管。
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