CN116949429A - 一种提高ald膜厚均匀性的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于气相沉积技术领域，尤其涉及一种提高ALD膜厚均匀性的方法。本发明膜制备过程包括如下步骤：将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理；通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理；通入铝前驱体，沉积于硅片表面；通入惰性保护气吹扫；通入水前驱体，用于与铝前驱体反应；通入惰性保护气，用于吹扫掉多余的水前驱体；重复上述步骤数次。在通入铝前驱体或者水前驱体的同时，通入一定量的惰性保护气，如氮气，这样氮气和铝前驱体或者水前驱体进入后混合，能够把反应气体均匀分散开来，就能够解决大产能反应腔室中部分位置量少的现象。
Description
技术领域
本发明属于气相沉积技术领域，尤其涉及一种提高ALD膜厚均匀性的方法。
背景技术
太阳能发电当前主要包括两个大方面：光热发电（thermal power plants）和光伏（photovoltaic，PV）发电。其中光伏发电利是用半导体界面中产生的光生伏特效应，将太阳辐射的能量直接转变为电能的一种技术，这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池是将太阳辐射的能量直接转化成电能的半导体器件。
迄今为止，与集成电路一样，在光伏市场上占绝对主导地位的太阳电池是以硅材料为主的。而产业化晶体硅太阳能电池一直在向薄片化发展，从70 年代的400μm-450μm 降低到现在的180μm 左右。薄片化的晶体硅太阳能电池具有提高光电转换效率、降低成本以及提高柔性和可弯曲性等等优势，其中对于工厂来说，硅片厚度降低的一个直接好处就是节约了生产成本。
当然对于晶体硅太阳能电池而言，硅片厚度不能无限减薄，根据Willeke的研究表明，“在保证电池具有足够优良的钝化和减反射处理的前提下,晶体硅太阳电池片的最优厚度在50μm左右"。所以硅片厚度减薄的一个重要前提就是优良的表面钝化，能否成功减薄硅片厚度，降低生产成本，钝化技术将成为关键。
当今高效晶体硅太阳电池通常采用良好的表面钝化技术，来降低晶体硅的表面活性，使表面的复合速度降低。其主要方式有饱和晶体硅表面处的悬挂键，降低表面活性，或者增加表面的清洁程序，避免由于表面层引入杂质而形成复合中心，从而降低少数载流子的在晶体硅表面的复合速率。但无论采取哪种钝化方法，其目的简而言之是为了降低表面缺陷态，防止少数载流子在缺陷处的复合，从而增大短路电流，提高电池的效率。
原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，ALD）作为一种化学气相沉积的方法在半导体领域并不鲜见，但在晶硅太阳能电池制造中它却是一种新的制造工艺。由于ALD沉积参数的高度可控性（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其成膜质量高，缺陷少，该工艺用于对表面质量要求较高的高效太阳能电池非常适用。
氧化铝（Al2O3）作为一种新的晶硅太阳能电池钝化材料，受到了人们的的广泛关注。它具备以下优点：第一，它的制备温度很低，只有200℃左右。相对于热氧化法在1000℃左右制备SiO2膜，以及产业化PECVD 在400℃左右制备SiNx而言，它的制备温度能够满足低能耗的要求。第二，它具有高的固定负电荷密度(Qf)和较低的界面缺陷密度(Dit)，能够达到场效应钝化和化学钝化的双重功效。第三，它的适用范围广，目前无论是在轻掺还是重掺，p型还是n型晶体硅表面都得到了不错的钝化效果。第四，它对可见光完全透明，并且紫外光的稳定性和热稳定性好，特别适用于作为太阳能电池光照面的覆盖层。
ALD制备的氧化铝薄膜被业界公认为是薄膜质量最好的制备方法，该方法以三甲基铝（TMA）和水（H2O）为反应源，在晶体硅表面沉积一层致密的氧化铝薄膜，从而达到钝化晶体硅表面的目的。然而目前市场对太阳能电池的需求日益增加，致使ALD设备的产能竞争需求也越来越大，在扩大产能后，反应腔室也越来越大，腔体长度也随之更长。在这种制备环境下，导致沉积的Al2O3膜均匀性越来越差，特别是从进气口到出气口，沿着这个方向的Al2O3膜厚呈递减趋势，致使片内和片间的不均匀性越来越大。
综上，目前需要一种工艺方法，能够提高在ALD大产能反应腔室中制备的Al2O3膜，其厚度的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高ALD膜厚均匀性的方法。该工艺方法的特点在于，在通入铝前驱体或者水前驱体的同时，通入一定量的惰性保护气，如氮气，这样氮气和铝前驱体或者水前驱体进入后混合，能够把反应气体均匀分散开来，就能够解决大产能反应腔室中部分位置量少的现象。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种提高ALD膜厚均匀性的方法，应用于大型反应腔的膜制备过程，其中，所述膜制备过程包括如下步骤：
S01.将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理，压力为0.05-0.5torr，温度为200-350℃；
S02.通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理，压力为20-70torr，通气时间为30-120s；
S03.通入铝前驱体，沉积于硅片表面，压力为20-70torr，通气时间为3-7s；
S04.通入惰性保护气，流量为10-30L/min，通气时间为3-15s；
S05.通入水前驱体，用于与步骤S03的铝前驱体反应；
S06. 通入惰性保护气，用于吹扫掉步骤S05多余的水前驱体，流量为10-30L/min，时间3-15s
S07：重复步骤S02-S06，重复15-40次；
其中，步骤S03中，还通入惰性保护气，流量为2-6L/min；
步骤S05中，还通入惰性保护气，流量为2-6L/min。
由于气体分子的运动性质和反应腔室的尺寸相互作用，在一个相对较小的反应腔室中，气体分子的运动受到限制，它们的自由扩散路径较短。这可以保持反应气体的局部浓度较高，并确保它们在基底表面上的吸附位置相对均匀。因此，为了保持反应气体在基底表面上的均匀分布和吸附，反应腔室的尺寸应适中，以限制反应气体分子的扩散和混合。这有助于确保反应气体分子能够在基底表面上均匀地吸附并进行反应，从而产生均匀的沉积薄膜。
然而，由于一些工厂扩大产能的需求，反应腔室往往会高于适中的条件，而变得相当大，这样当反应腔室变大时，气体分子的扩散路径变长，它们有更多的自由空间来移动和扩散。这就意味着在基底表面上，反应气体分子的吸附位置会变得不够均匀或者浓度不够高，从而导致沉积的薄膜不均匀。
所以为了提高反应气体的局部浓度，可在步骤S03和S05中，通过通入惰性保护气，提高反应腔室整体的气压，并增加了反应腔室内的气体流动性，这样铝前驱体或者水前驱体分子在基底表面上的吸附位置会更加均匀，并且浓度也会一定程度上升。
此外，氮气的注入还有助于改善反应气体的混合情况。它可以增加反应腔室中气体分子之间的碰撞频率，促进反应气体的混合和均匀分布。这有助于确保反应气体在基底表面上的吸附位置均匀，从而实现更加均匀的沉积薄膜。
然而，氮气作为稀释剂，过多的注入会导致铝前驱体或者水前驱体分子浓度过低，使得反应失效。并且当氮气过多时，稀释效果过于显著，会导致反应气体的浓度变得非常低。这可能导致薄膜的质量下降，因为反应气体与基底表面反应的机会减少。薄膜可能会变得非均匀、孔隙率增加或薄膜质量不稳定。因此，为了确保ALD过程中的薄膜质量和均匀性，需要在注入氮气时控制好氮气的量，避免注入过多。
特别的，步骤S03和S05中，通过通入惰性保护气，能够在很短的通气时间内，将铝前驱体或者水前驱体及时的扩散到腔室的所有位置，提高了生产速度。
进一步优选的技术方案在于：所述基底为p型晶体硅片或n型晶体硅片中的其中一种。
其中，p型晶体硅片或n型晶体硅片都属于晶体硅片的一种，对于基底指代的晶体硅片的制备流程，具体包括如下步骤：
S11.对原始硅片进行硅片检测，合格后进行清洗制绒以制备绒面；
S12.通过硼扩散的扩散制结过程，制备PN结；
S13.清洗硅片，去除硼硅玻璃；
S14.通过低压化学气相沉积法制备隧穿氧化层和非晶硅薄层，得到基底。
其中，步骤S11中，硅片检测为人工检测。人工检测需要操作员带一次性手套，这样可以防止手印对硅片造成污染。将一叠硅片捻开成扇形，逐一观察是否有破片，油污，尺寸不合格，裂纹等，然后将破片挑出单独放置，做好标示。
此外，步骤S11中，清洗制绒使用化学腐蚀方法。化学腐蚀方法使用氢氧化钠作为腐蚀剂。清洗制绒目的是将未经处理的原始硅片表面存在的机械切痕和损伤腐蚀掉，同时在硅片表面形成凹凸不平的结构，光在绒面内经过多次反射可防止光能损失，从而提高电池的短路电流和电池效率，从而增加太阳能电池表面的陷光效果。其化学反应式如下：
Si+NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2
进一步优选的技术方案在于：在氢氧化钠溶液中加入异丙醇（IPA）溶液。IPA用于协助氢气泡的释放，及时将杂质脱离硅片表面。
步骤S12中，扩散制结具体为，使一块完整的硅片一部分是p型区域，另一部分是n型区域，也就是在晶体硅内部实现p型和n型硅的接触。
步骤S13中，去除硼硅玻璃步骤包括，使用氢氟酸进行去除。在硅片扩散过程中，产生磷原子的同时会在硅片表面附着一层SiO2，这层含磷的二氧化硅薄膜称为磷硅玻璃（Phosphorous-Silicate Glass, PSG），PSG中杂质含量高，容易造成光生载流子的复合，又不利于电极与p-n结接触，影响电池的整体性能，所以必须去除。氢氟酸去除PSG的化学反应式如下：
SiO2+ 6HF → H2(SiF6) + 2H2O
步骤S14中，低压化学气相沉积（LPCVD）制备隧穿氧化层和非晶硅薄层具体过程包括：将硅片暴露在氧气或水蒸气的环境中。在此过程中，氧气分解并与硅表面发生反应，形成一层极薄的氧化硅（SiO2）薄层，即隧穿氧化层。该层通常只有几纳米厚。然后在适当的温度和气体条件下，引入硅源气体（如硅烷）和稀释剂气体（如氢气），在硅片表面沉积非晶硅。这种沉积过程是在低压和化学反应的条件下进行的。
此外，在Al2O3钝化膜制备完成后，还需要对硅片进行丝网印刷电极、烧结及测试。具体为：
1.丝网印刷电极：光生伏特效应产生电流，为了将电流导出，必须在p-n两侧分别制作电极，丝网印刷法通过特殊的印刷机和网板将银浆印制在太阳电池的正、背面，以形成正、负电极引线和铝背场。
2.烧结：为了使印刷后的电极能够与硅片形成良好的欧姆接触，并使Al与硅片形成Al-Si合金背表面场，因此必须在印刷电极后进行快速烧结。随着烧结温度的升高，浆料的有机粘合剂成分将被耗尽，当烧结温度达到银Ag和Si的共晶温度时，晶体硅原子会以一定比例进入到熔融的银电极材料中去，使上下电极形成良好的欧姆接触电极，因而提高了电池片的两个关键参数，分别为填充因子和开路电压，从而提高了电池转换效率。
3.测试：电极印刷后到高温烧结结束，整个太阳电池制造过程也就完成了，在太阳光下将太阳电池正、负极用导线接上，就有会有电流通过。为了保证产品质量的一致性，通常要对每个电池片进行测试，并按照电流和功率的大小进行分类，可以根据电池效率，每0.4 或0.5 个百分点分级包装。
进一步优选的技术方案在于：所述铝前驱体为三甲基铝。
三甲基铝（TMA）作为铝前驱体的优势在于：
1. 反应活性高：TMA分子中的甲基基团使其具有较高的反应活性。这意味着TMA在ALD过程中可以更容易地与基底表面反应，形成铝氧化物薄膜。相比之下，其他的铝前驱体可能需要更高的温度或更长的反应时间才能实现类似的反应。
2. 低温反应：TMA可以在相对较低的温度下进行反应，通常在200℃以下。这种低温反应条件有助于避免基底材料的热膨胀或热分解，并有利于在温度敏感的材料上进行薄膜沉积。
3. 选择性：TMA在ALD过程中具有较高的选择性。它可以在不同的基底表面上选择性地吸附和反应，形成铝氧化物薄膜，而不会与其他材料发生副反应。这种选择性可以实现对复杂结构的薄膜生长，从而扩展了应用的范围。
4. 良好的挥发性：TMA具有较高的挥发性，可以轻松地从液体或固体源中蒸发或气化。这种良好的挥发性使得TMA易于处理和输送，从而方便了工艺的控制和操作。
5. 安全性：相对于其他一些铝前驱体，TMA在室温下相对稳定，不易分解或产生不稳定的副产物。这使得TMA在工业和实验室应用中更加安全和可靠。
进一步优选的技术方案在于：所述水前驱体为水蒸气。
水蒸气（H2O）作为铝前驱体的优势在于：
1. 丰富的氧源：水蒸气（H2O）是一种广泛且易得的氧源。它在大气中普遍存在，并且可以通过简单的方法（如加热）从水或湿度较高的环境中获得。这使得水蒸气成为一种经济、易获取和可持续的水前驱体。
2. 低温反应：水蒸气可以在相对较低的温度下进行反应，通常在100-300℃之间。这种低温反应条件有助于避免材料的热膨胀或热分解，并使其适用于温度敏感的基底材料。
3. 可控氧含量：水蒸气作为水前驱体具有可调控的氧含量。通过控制水蒸气的流量和反应时间，可以精确地调节氧化物薄膜中的氧含量。这对于调控薄膜的结构、性质和功能具有重要意义。
4. 反应速率可调：水蒸气的反应速率可以通过调节反应温度和水蒸气的浓度进行控制。这种可调性使得水蒸气可以适应不同材料和薄膜的生长需求，从而实现更灵活和可定制的ALD工艺。
5.环境友好：相对于其他一些有机水前驱体，水蒸气作为无机氧源对薄膜的碳污染更低。这对于一些应用中要求低碳含量的薄膜非常重要，如电子器件制造等。
进一步优选的技术方案在于：所述惰性保护气为氮气、氦气、氩气的其中一种或几种混合气体。
进一步优选的技术方案在于：所述惰性保护气为氮气。
氮气（N2）作为惰性保护气的优势在于：
1.相对惰性性质：氮气在整个ALD过程中，不会与反应物或基底表面发生化学反应。这使得氮气可以过程中起到保护作用，防止与环境中的氧气或其他杂质发生反应，从而保持反应物的纯度。
2.经济：氮气是地球大气中最常见的成分之一，因此它是一种相对便宜且易得的气体。在工业和实验室中，氮气通常是通过空分装置从大气中提取和制备的。与其他气体相比，如氩气或氦气，氮气的成本更低，使其成为一种经济实惠的选择。
3. 安全性：相对于其他气体，氮气在一般环境条件下是相对安全的。它不易燃烧或爆炸，并且不会对人体造成直接危害。因此，在工业和实验室应用中，氮气被广泛用作惰性保护气体。
进一步优选的技术方案在于：步骤S03中，惰性保护气流量为4-5L/min。
进一步优选的技术方案在于：步骤S05中，惰性保护气流量为4-5L/min。
进一步优选的技术方案在于：步骤S05中，水前驱体压力为20-70torr。
进一步优选的技术方案在于：水前驱体通气时间为3-10s。
综上所述，本发明具有如下有益效果：
第一，在膜制备过程中的铝前驱体或者水前驱体通入过程中，同时通入一定量的惰性保护气，能够确保反应物质在反应腔室中保持稳定的浓度，并将其引导到基底表面，从而提高反应的均匀性；
第二，同时在铝前驱体或者水前驱体通入过程中通入一定量的惰性保护气，能够进一步提高硅片覆膜后的均匀性；
第三，当惰性保护气通入流量维持在4-5 L/min时，还能够进一步提高硅片覆膜后的均匀性；
第四，同时在铝前驱体或者水前驱体通入过程中通入一定量的惰性保护气，也能够起到辅助后续惰性保护气的吹扫作用，即使得反应与吹扫同时进行，有助于提高硅片覆膜后的均匀性；
附图说明
图1为本发明中膜制备过程的流程示意图。
图2为1槽至7槽在反应腔室位置排布的示意图。
图3为硅片上测试膜厚的各个点位排布的示意图。
具体实施方式
以下对本发明作进一步详细说明。
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
下列实施例以及对比例中，铝前驱体均为TMA，水前驱体均为H2O，惰性保护气均为N2。
实施例一：
提高ALD膜厚均匀性的方法，应用于大型反应腔的膜制备过程，其中，所述膜制备过程包括如下步骤：
S01.将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理，压力为0.5torr，温度为350℃；
S02.通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理，压力为70torr，通气时间为120s；
S03.通入铝前驱体，沉积于硅片表面，压力为70torr，通气时间为7s，同时通入N2，N2流量为6 L/min；
S04.通入惰性保护气，流量为30L/min，通气时间为15s；
S05.通入水前驱体，用于与步骤S03的铝前驱体反应；同时通入N2，N2流量为6 L/min；
S06. 通入惰性保护气，用于吹扫掉步骤S05多余的水前驱体，流量为30L/min，时间15s
S07：重复步骤S02-S06，重复40次。
实施例二：
提高ALD膜厚均匀性的方法，应用于大型反应腔的膜制备过程，其中，所述膜制备过程包括如下步骤：
S01.将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理，压力为0.05torr，温度为200℃；
S02.通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理，压力为20torr，通气时间为30s；
S03.通入铝前驱体，沉积于硅片表面，压力为20torr，通气时间为3s，同时通入N2，N2流量为2 L/min；
S04.通入惰性保护气，流量为10L/min，通气时间为3s；
S05.通入水前驱体，用于与步骤S03的铝前驱体反应；同时通入N2，N2流量为2 L/min；
S06. 通入惰性保护气，用于吹扫掉步骤S05多余的水前驱体，流量为10L/min，时间3s；
S07：重复步骤S02-S06，重复15次。
实施例三：
提高ALD膜厚均匀性的方法，应用于大型反应腔的膜制备过程，其中，所述膜制备过程包括如下步骤：
S01.将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理，压力为0.3torr，温度为300℃；
S02.通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理，压力为50torr，通气时间为80s；
S03.通入铝前驱体，沉积于硅片表面，压力为50torr，通气时间为5s，同时通入N2，N2流量为4 L/min；
S04.通入惰性保护气，流量为15L/min，通气时间为8s；
S05.通入水前驱体，用于与步骤S03的铝前驱体反应；同时通入N2，N2流量为4 L/min；
S06. 通入惰性保护气，用于吹扫掉步骤S05多余的水前驱体，流量为15L/min，时间8s；
S07：重复步骤S02-S06，重复25次。
实施例四：
在本实施例中，膜制备过程与实施例一步骤基本相同，不同之处在于：
步骤S03中， N2流量为4 L/min。
步骤S05中，N2流量为4 L/min。
实施例五：
在本实施例中，膜制备过程与实施例一步骤基本相同，不同之处在于：
步骤S03中， N2流量为3 L/min。
步骤S05中，N2流量为5 L/min。
对比例一
在本对比例中，膜制备过程与实施例一步骤基本相同，不同之处在于：
步骤S03中不同时通入N2。
步骤S05中不同时通入N2。
对比例二
在本对比例中，膜制备过程与实施例一步骤基本相同，不同之处在于：
步骤S03中不同时通入N2。
对比例三
在本对比例中，膜制备过程与实施例一步骤基本相同，不同之处在于：
步骤S05中不同时通入N2。
对实施例一至实施例五，以及对比例一至对比例三制得的膜进行检测，结果如表所示：
表1 实施例一的检测结果
表2 实施例二的检测结果
表3 实施例三的检测结果
表4 实施例四的检测结果
表5 实施例五的检测结果
表6 对比例一的检测结果
表7 对比例二的检测结果
表8 对比例三的检测结果
其中，表中的各个参数的意义如下：
1.参考图2，气体沿AA’方向流动，图中标号1-7分别表示了1槽至7槽在反应腔室中所在的位置。
2.参考图3，气体沿AA’方向流动，图中的矩形代表已覆膜的硅片，其中11、12、M、13、14点分别代表了表中点1、点2、中心点、点3、点4数据的测量位置。
3.膜厚均值代表了一个硅片中所选取的五个点平均值，片内平均性代表了一个硅片中所选取的五个点的方差大小，片间均匀性代表了反应腔室内各个硅片膜厚的方差大小。
对上述检验数据分析可得：
1.对比表1-3的数据，可得上述工艺在一定参数范围内，所获得的覆膜硅片的膜均匀性相差不大，即片间均匀性均在3%左右。
2.对比表1与表4-5的数据，可得当N2流量在4-5 L/min时，能够获得更好的膜均匀度，即片间均匀性从3%左右提升至2%左右。
3.对比表1与表6的数据，可得相比于现有技术中单纯的通入铝前驱体或者水前驱体，通入一定量的惰性保护气，会使得膜均匀性有大幅度提升，即片间均匀性从15%左右提升至3%左右。
4.对比表6与表7或表8的数据，可得相比于现有技术中单纯的通入铝前驱体或者水前驱体，在任意一步通入一定量的惰性保护气，均能使得膜均匀性有一定提升，即片间均匀性从15%左右提升至8%左右。
5. 对比表1与表7或表8的数据，可得同时在铝前驱体和水前驱体通入步骤，同时通入一定量的惰性保护气，相对于单纯的在某一步骤通入惰性保护气，对膜均匀性能够有进一步的提升，即片间均匀性从8%左右提升至3%左右。
此外，附图和描述中尽可能使用相同或类似的元件符号来指代相同或相似部分或步骤。附图是以简化形式呈现并且没有按精确比例绘制。仅为了方便和清楚起见，可以对附图使用诸如顶部、底部、左侧、右侧、向上、上方、上面、下面、下方、后面和前面的方向术语。这些和类似方向术语不应被解释为以任何方式限制本公开的范围。
Claims (10)
1.一种提高ALD膜厚均匀性的方法，应用于大型反应腔的膜制备过程，其中，所述膜制备过程包括如下步骤：
S01.将基底放置于所述反应腔内，并对所述反应腔进行抽真空和升温处理，压力为0.05-0.5torr，温度为200-350℃；
S02.通入水前驱体到反应腔，对硅片进行预处理，压力为20-70torr，通气时间为30-120s；
S03.通入铝前驱体，沉积于硅片表面，压力为20-70torr，通气时间为3-7s；
S04.通入惰性保护气，流量为10-30L/min，通气时间为3-15s；
S05.通入水前驱体，用于与步骤S03的铝前驱体反应；
S06. 通入惰性保护气，用于吹扫掉步骤S05多余的水前驱体，流量为10-30L/min，时间3-15s；
S07：重复步骤S02-S06，重复15-40次；
其特征在于，步骤S03中，还通入惰性保护气，流量为2-6L/min；
步骤S05中，还通入惰性保护气，流量为2-6L/min。
2.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述基底为p型晶体硅片或n型晶体硅片中的其中一种。
3.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述铝前驱体为三甲基铝。
4.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述水前驱体为水蒸气。
5.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述惰性保护气为氮气、氦气、氩气的其中一种或几种混合气体。
6.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述惰性保护气为氮气。
7.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，步骤S03中，惰性保护气流量为4-5L/min。
8.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，步骤S05中，惰性保护气流量为4-5L/min。
9.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，步骤S05中，水前驱体压力为20-70torr。
10.根据权利要求1所述的一种提高ALD膜厚均匀性的方法，其特征在于，步骤S05中，水前驱体通气时间为3-10s。
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| CN118380510A (zh) * | 2024-06-21 | 2024-07-23 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种基于ald工艺制备叠层氧化铝膜层的方法 |
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