CN116913823B - 基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 - Google Patents
基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116913823B CN116913823B CN202311140888.4A CN202311140888A CN116913823B CN 116913823 B CN116913823 B CN 116913823B CN 202311140888 A CN202311140888 A CN 202311140888A CN 116913823 B CN116913823 B CN 116913823B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- surface roughness
- dust removal
- preset adjustment
- adjustment factor
- factor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000428 dust Substances 0.000 title claims abstract description 339
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 title claims abstract description 257
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000011217 control strategy Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 88
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 7
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000003066 decision tree Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
本发明实施例提供了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法和装置,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域(包含多个待激光切割点)的表面粗糙度集合分布数据,根据这些数据,确定每个待激光切割点的表面粗糙度值,根据这些表面粗糙度值,确定出对应的除尘参数控制策略,根据这些策略,控制除尘参数,进而使得除尘执行模块能根据这些除尘参数对待切割的钙钛矿电池层进行精准的除尘,解决了现有技术中在除尘过程中并未考虑钙钛矿电池层表面粗糙度的影响,或者未对各待激光切割点的表面粗糙度进行精确判断和处理,导致除尘效果不理想的问题,实现了精确识别和处理钙钛矿电池层各个区域的除尘需求的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及钙钛矿电池领域,具体而言,涉及基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置。
背景技术
钙钛矿材料因其良好的光电性能,尤其是其高效的光吸收和电荷传输性能,成为了新一代光电器件的理想材料,例如太阳能电池。在制备这些器件过程中,钙钛矿电池层表面的除尘工作显得尤为重要,因为任何尘埃或污染物都可能影响设备的性能。
钙钛矿电池层表面除尘领域中出现了除尘设备跟随激光切割设备进行跟随除尘的装置,发现以上技术至少存在如下技术问题:
由于钙钛矿电池层表面的粗糙度在一定程度上决定了除尘的效果,且不同的待切割钙钛矿电池层、激光切割区域、激光切割点,其表面粗糙度的分布情况会有不同,因此,对于表面粗糙度集合的分析与处理成为优化除尘效果的重要环节。然而,现有的跟随除尘方法在除尘过程中并未考虑钙钛矿电池层表面粗糙度的影响,或者未能对于各个待激光切割点的表面粗糙度进行精确判断和处理,导致除尘效果不理想。
发明内容
本发明实施例提供了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法和装置,解决了现有技术中跟随除尘方法在除尘过程中并未考虑钙钛矿电池层表面粗糙度的影响,或者未能对于各个待激光切割点的表面粗糙度进行精确判断和处理,导致除尘效果不理想的问题,实现了精确识别和处理钙钛矿电池层各个区域的除尘需求的技术效果。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法,包括:通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,该激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据该表面粗糙度集合分布数据确定该表面粗糙度集合中该待激光切割点的表面粗糙度值;根据该表面粗糙度集合中该待激光切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略;根据该除尘参数的控制策略控制该除尘参数,以使得除尘执行模块根据该除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘,其中,该待切割钙钛矿电池层是以下其中之一层或其多种组合层:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置,包括:数据获取单元,用于通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,该激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据该表面粗糙度集合分布数据确定该表面粗糙度集合中该待激光切割点的表面粗糙度值;策略确定单元,用于根据该表面粗糙度集合中该待激光切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略;控制单元,用于根据该除尘参数的控制策略控制该除尘参数,以使得除尘执行模块根据该除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘,其中,该待切割钙钛矿电池层是以下其中之一层或其多种组合层:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。
本发明实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或有点:
由于提出了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法和装置,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域(包含多个待激光切割点)的表面粗糙度集合分布数据。根据这些数据,确定每个待激光切割点的表面粗糙度值。根据这些表面粗糙度值,确定出对应的除尘参数控制策略。根据这些策略,控制除尘参数,进而使得除尘执行模块能根据这些除尘参数对待切割的钙钛矿电池层进行精准的除尘。其中,这个待切割的钙钛矿电池层可以是以下的任何一层或其组合:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。因此,通过获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,并根据这些数据确定待激光切割点的表面粗糙度值,这种方法能够更精确地识别和处理钙钛矿电池层各个区域的除尘需求。根据不同区域的粗糙度值,设定相应的除尘参数,可以更有效地去除表面的尘埃或污染物,从而提高除尘效果。因为任何尘埃或污染物都可能影响钙钛矿电池的性能,因此,提高除尘效果可以直接提升钙钛矿电池的性能。采用本技术方案,能够精确地控制除尘参数,从而降低尘埃或污染物对电池性能的影响。由于本技术方案能够根据具体的表面粗糙度集合分布数据动态调整除尘参数,所以可以减少不必要的除尘过程,节省生产时间,提高生产效率。本技术方案适用于钙钛矿电池的各种组合层,包括透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。这使得本技术方案能够广泛应用于各种类型的钙钛矿电池的生产和维护过程中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明一实施例提供的钙钛矿电池除尘系统的示意图;
图2为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图;
图3为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图;
图4为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图;
图5为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置的示意图;
图6为本发明一实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行描述。在本发明的描述中,诸如“第一”、“第二”、“第三”等术语仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性或先后顺序。
本发明实施例通过提供了一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法和装置,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域(包含多个待激光切割点)的表面粗糙度集合分布数据,根据这些数据,确定每个待激光切割点的表面粗糙度值,根据这些表面粗糙度值,确定出对应的除尘参数控制策略,根据这些策略,控制除尘参数,进而使得除尘执行模块能根据这些除尘参数对待切割的钙钛矿电池层进行精准的除尘,解决了现有技术中在除尘过程中并未考虑钙钛矿电池层表面粗糙度的影响,或者未对各待激光切割点的表面粗糙度进行精确判断和处理,导致除尘效果不理想的问题,实现了精确识别和处理钙钛矿电池层各个区域的除尘需求的技术效果。
本发明实施例中的技术方案为解决上述现有技术中在除尘过程中并未考虑钙钛矿电池层表面粗糙度的影响,或者未对各待激光切割点的表面粗糙度进行精确判断和处理,导致除尘效果不理想的问题,总体思路如下:
首先,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,该区域包含多个待切割点。根据这些数据确定待切割点的表面粗糙度值。接着,根据待切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略。这涉及获取预设的表面粗糙度下阈值和上阈值,并将表面粗糙度值与这些阈值进行比较以得出比较结果。这个结果用于确定除尘参数的控制策略。根据比较结果的不同,将采取不同的控制策略。如果表面粗糙度值在下阈值和上阈值之间,即满足第一比较结果范围,则执行第一控制策略,不需调整除尘参数。如果表面粗糙度值超过上阈值或低于下阈值,即满足第二比较结果范围,则执行第二控制策略,需要调整除尘参数。在执行第二控制策略时,将根据表面粗糙度值的大小调整除尘参数中的除尘功率和跟随激光距离。如果表面粗糙度值超过上阈值,将调高除尘功率并减小跟随激光距离。如果表面粗糙度值低于下阈值,将降低除尘功率并增大跟随激光距离。在调整除尘参数时,引入了系统响应因子,这是预设调整因子的比值。第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子,而第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子,第一系统响应因子大于第二系统响应因子。同样,第二控制策略还引入了第三系统响应因子和第四系统响应因子,它们分别等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子和第二预设调整因子除以第四预设调整因子,第三系统响应因子大于第四系统响应因子。通过上述技术手段,能够更精确地识别和处理钙钛矿电池层各个区域的除尘需求。根据不同区域的粗糙度值,设定相应的除尘参数,可以更有效地去除表面的尘埃或污染物,从而提高除尘效果。因为任何尘埃或污染物都可能影响钙钛矿电池的性能,因此,提高除尘效果可以直接提升钙钛矿电池的性能。采用本技术方案,能够精确地控制除尘参数,从而降低尘埃或污染物对电池性能的影响。由于本技术方案能够根据具体的表面粗糙度集合分布数据动态调整除尘参数,所以可以减少不必要的除尘过程,节省生产时间,提高生产效率。本技术方案适用于钙钛矿电池的各种组合层,包括透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。这使得本技术方案能够广泛应用于各种类型的钙钛矿电池的生产和维护过程中。
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方
本发明的一实施例如下,图1为本发明一实施例提供的钙钛矿电池除尘系统的示意图,如图1所示,钙钛矿电池除尘系统包括除尘设备110、激光切割设备130、激光切割区域120、钙钛矿电池层140、多个待激光切割点121、以及表面形貌分析系统,其中激光切割设备130根据需求对钙钛矿电池层140进行激光刻蚀,包括激光划线以及激光清边,钙钛矿电池的各种组合层,包括透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层,除尘设备110对激光切割设备130进行自动跟随,并对多个待激光切割点121进行自动跟随除尘。
具体的,透明导电层:这一层是钙钛矿电池的最外层,通常由透明导电氧化物(如氧化锡或氧化铟锡)制成。空穴传输层:空穴传输层位于透明导电层和钙钛矿层之间,通常由有机材料或氧化物制成。其主要功能是提供空穴的传输路径并阻止电子传输。钙钛矿层:钙钛矿层是电池的主体层,其中发生光电转换过程。它由钙钛矿材料制成,是钙钛矿电池的核心部分。电子传输层:电子传输层位于钙钛矿层和电极层之间,主要提供电子的传输路径并阻止空穴传输。电极层:电极层通常由金属材料(如银或金)制成,负责收集电子和空穴并导出电流。而由于制造各层的工艺不同,导致了各层的表面粗糙度之间存在差异,而每层的不同区域的不同待激光切割点的表面粗糙度值也不同,而对于不同表面粗糙度值的点采取相同的除尘参数进行相同的除尘策略的话带来了以下问题:首先,除尘效果差:对于表面粗糙度值较高的地方,会有更多的尘埃藏在凹凸不平的地方,如果使用的是一种对所有地方都一样的除尘策略,那么无法完全清除这些粗糙表面上的尘埃。其次,资源浪费:对于表面粗糙度值较低的地方,其实并不需要那么强的除尘效果,如果使用相同的除尘策略,会导致电力和除尘设备的使用效率不高,增加了成本。引发潜在问题:在除尘过程中,过强的吸力或冲击对某些表面粗糙度较低的材料造成损伤,甚至影响设备的性能和寿命。
当然对于不同表面粗糙度值的点进行相同的除尘策略,还会带来其他问题,比如:影响产品性能,不同的除尘策略对钙钛矿电池的性能有影响。例如,如果表面较粗糙的区域未得到充分清洁,会影响电池的光学特性和电导性,从而降低其性能。设备损耗问题:过度的或不足的除尘会导致设备损耗问题。比如,对于表面较为平滑的区域,过度的除尘可能会导致设备过度磨损;而对于粗糙表面,不足的除尘会导致更快的设备磨损。影响生产效率:如果对所有地方都采取最高级别的除尘,那么将需要更多的时间,这会影响生产效率。反之,如果采取的是最低级别的除尘,那么会因为需要重复除尘而降低生产效率。环境问题:不恰当的除尘策略会造成过多的粉尘污染,对工作环境和设备产生不利影响。
因此有必要提供一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法和装置,可采用如图1所示的钙钛矿电池除尘系统其中除尘设备110,这是钙钛矿电池生产过程中的关键设备之一。它负责吸取和清理在切割过程中产生的尘埃和杂质。除尘设备可以调整吸尘功率和跟随激光的距离,以确保最有效的除尘效果。激光切割设备130,激光切割设备130是在制造钙钛矿电池时用于精确切割电池层的设备。通过激光切割,可以达到高精度和高效率的切割效果,包括激光划线和激光清边,从而提高产品的整体质量。激光切割区域120,这是在钙钛矿电池层上进行激光切割的特定区域。每一个待切割点都会在这个区域内。多个待激光切割点121,这些是预计进行激光切割的具体位置。它们被精确地定位在激光切割区域内,并通过表面形貌分析系统来进行表面粗糙度的测量和分析。表面形貌分析系统,这是一个专门用于测量和分析待切割点表面粗糙度的系统。根据分析结果,系统将确定最适合的除尘参数,并根据这些参数控制除尘设备的操作。
对于表面形貌分析系统,可选的,结合了光学散斑法和激光扫描法,形成了一种多模式的形貌分析系统,能够以更准确的方式获取到激光切割区域表面粗糙度的分布数据。其中,光学散斑法:这是一种基于光学原理的测量方式,可以快速、无损地测量物体表面的粗糙度。其原理是,当激光照射到物体表面时,由于表面粗糙度的不同,反射回来的激光形成的散斑图案也会有所不同。通过分析这些散斑图案,可以推断出物体表面的粗糙度。激光扫描法:这是一种基于激光技术的测量方式,可以对物体表面进行扫描,获取到物体表面的高度信息,从而计算出物体表面的粗糙度。激光扫描法的优点是测量精度高,不受环境影响大。可选的方案,光学散斑法和激光扫描法被集成到了一起,可以同时获取到物体表面的粗糙度信息。这两种方法各有优点,光学散斑法可以快速地获取到粗糙度信息,而激光扫描法的测量精度高。通过结合这两种方法,可以取得更准确的测量结果。可选的方案,两种方法获取的粗糙度数据会取平均值,这样可以抑制由于单一测量方法的不稳定性带来的误差,从而提高测量结果的可靠性,该方案能够更为准确地获取激光切割区域表面的粗糙度分布数据,从而为控制除尘参数提供了更为精确的数据支持。
另外,如图1所示的除尘设备110和激光切割设备130,除尘设备110可自动跟随激光切割设备130进行除尘,具体的激光切割设备130的位置和动态数据与除尘设备110同步。可选的方法有,首先,数据收集和传输:激光切割设备130通常会有一个内置的传感器系统,用于实时收集设备的位置和运动状态等信息。这些信息会被实时传输给除尘设备110。其次,数据解析和处理:除尘设备110的控制系统会接收到这些数据,并进行解析和处理。根据控制系统的算法模型,可以预测激光切割设备的移动轨迹和速度,以便实时调整除尘设备的位置和运动状态。设备操作:根据处理后的数据,除尘设备110的驱动系统(如电机、伺服器等)会接收到相应的控制信号,并按照这些信号来调整设备的位置和速度,以确保除尘设备能够紧密跟随激光切割设备。本发明的自动跟随除尘设备不仅能够自动跟随激光切割设备130进行除尘,还考虑到了不同区域的不同的粗糙度值,设定相应的除尘参数,在自动跟随激光切割设备130的同时可以更有效地去除表面的尘埃或污染物,从而提高除尘效果。
图2为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图,如图2所示,包括以下步骤:
步骤200,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,上述激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据上述表面粗糙度集合分布数据确定上述表面粗糙度集合中上述待激光切割点的表面粗糙度值;
具体的,获取表面粗糙度集合分布数据:首先,通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据。可选的采用如前述介绍的表面形貌分析系统。然后,根据收集到的表面粗糙度集合分布数据,确定待激光切割点的表面粗糙度值。可以根据预设的算法或模型,计算出每一个待切割点的粗糙度值。这个值可以被用来预测切割过程中可能产生的尘埃数量和分布,从而为下一步的除尘操作提供依据。在这个步骤中,表面粗糙度集合分布数据是关键的输入。它包含了切割区域所有待切割点的粗糙度信息,可以反映出切割区域的整体特性。而待激光切割点的表面粗糙度值,则是切割和除尘操作的重要参数。根据这个值,可以调整切割设备和除尘设备的操作参数,以实现最优的切割效果和除尘效果。
步骤210,根据上述表面粗糙度集合中上述待激光切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略;
具体的,可选的,除尘参数可包括除尘功率以及跟随激光距离,跟随激光距离是除尘口吸风口中心点与待激光切割点间的距离,除尘功率的值由除尘设备的驱动功率、风机转速、除尘口风口面积等因素决定,可通过提高或降低驱动功率、风机转速、除尘口风口面积等因素来提高或者降低除尘功率。
步骤220,根据上述除尘参数的控制策略控制上述除尘参数,以使得除尘执行模块根据上述除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘。
通过这三个步骤,可以实现精准的除尘控制,有效地提高除尘效率,延长设备的使用寿命,优化钙钛矿电池的质量,并降低能源消耗。具体来说,通过获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,可以精确地确定每个待激光切割点的表面粗糙度值。根据这些值,可以制定出对应的除尘参数控制策略,从而确保每个切割点的除尘效果达到最优。这个过程不仅可以有效地提高除尘效果,还可以防止设备长时间工作在高功率状态,从而节约能源并延长设备寿命,同时保障了钙钛矿电池的高质量制造。
图3为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图,如图3所示,包括如下步骤:
步骤300,获取预先设定的表面粗糙度下阈值及预先设定的表面粗糙度上阈值;
具体的,可选的,通过以下步骤预先设定的表面粗糙度下阈值及预先设定的表面粗糙度上阈值:初始设定:首先,可以使用理论计算和模型预测来进行初始设定。这些理论和模型可以根据表面粗糙度值与尘埃生成的已知关系,以及尘埃对设备和工艺流程的已知影响来建立。实验测试:然后,可以通过实验测试来验证和调整这些初始设定。在这个过程中,可以改变待激光切割点的表面粗糙度值,并观察尘埃的生成量和分布,以及设备和工艺流程的变化。这些实验数据可以用来更新和优化理论和模型。
数据分析:根据实验测试的结果,可以通过数据分析方法来确定最优的表面粗糙度下阈值和上阈值。这可涉及到一些统计和机器学习技术,例如回归分析、决策树、神经网络等。验证和更新:最后,可以通过更多的实验测试和实际应用来验证和更新这些阈值。如果新的测试或应用结果显示当前的阈值不再适用,就可以根据新的数据来更新它们。
步骤310,比较上述表面粗糙度值与上述表面粗糙度下阈值及上述表面粗糙度上阈值的大小,得到比较结果;
步骤320,根据比较结果确定除尘参数的控制策略。
图4为本发明一实施例提供的一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法的流程图,如图4所示,包括如下步骤:
步骤400,测量表面粗糙度值;
具体的,可选的采用前述介绍的表面形貌分析系统来测量表面粗糙度值;
步骤410,比较表面粗糙度值是否在下阈值和上阈值之间;
具体的,比较上述表面粗糙度值与上述表面粗糙度下阈值及上述表面粗糙度上阈值的大小,得到比较结果,根据比较结果确定除尘参数的控制策略。
步骤420,执行第一控制策略及步骤421无需调整除尘参数;
具体的,根据比较结果确定除尘参数的控制策略还包括:若比较结果满足第一比较结果范围,则执行第一控制策略,上述第一比较结果范围是表面粗糙度值在表面粗糙度下阈值和表面粗糙度上阈值之间的范围,包括上述表面粗糙度下阈值和上述表面粗糙度上阈值,上述第一控制策略是无需调整上述除尘参数。当表面粗糙度值处于预先设定的表面粗糙度下阈值和表面粗糙度上阈值之间时,当前的除尘参数是最优的或者说足够的,因此无需进行调整。
步骤430,执行第二控制策略;
具体的,若比较结果满足第二比较结果范围,则执行第二控制策略,上述第二比较结果范围是表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值,上述第二控制策略是调整上述除尘参数。当表面粗糙度值超过了预先设定的表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值时,表示激光切割区域的表面状况发生了显著变化,会影响到切割过程中产生的尘埃的数量和分布,因此需要调整除尘参数以适应这种变化。如果表面粗糙度值超过了上阈值,表示待切割区域的表面比预期的更加粗糙,这导致切割过程中产生更多的尘埃。为了确保切割过程的顺利进行,需进行除尘参数调整。如果表面粗糙度值低于下阈值,表示待切割区域的表面比预期的更加平滑,切割过程中产生的尘埃较少。这种情况下,如果维持原来的除尘参数不变,会导致除尘设备的过度运行,浪费能源并加快设备的磨损。因此,也需要调整除尘参数以适应这种变化。本发明实施例提供了一种动态调整除尘参数的方式,可以根据实际的表面粗糙度值来优化切割和除尘操作,提高效率,保证产品质量,并减少设备的磨损和能源消耗。
步骤431,若表面粗糙度值超过上阈值,则将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率以及将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离;
具体的,当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时或者当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,调整控制策略为调整除尘参数中的除尘功率以及跟随激光距离,上述跟随激光距离是除尘口吸风口中心点与待激光切割点间的距离;当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率,上述第一校正除尘功率等于当前除尘功率与第一预设调整因子的乘积,且第一校正除尘功率大于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离,上述第一校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第二预设调整因子的乘积,且第一校正跟随激光距离小于当前跟随激光距离,其中所述第一预设调整因子和所述第四预设调整因子的范围是:大于1,所述第二预设调整因子和所述第三预设调整因子的范围是:大于0,小于1。
当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,表示待切割区域的表面比预期的更加粗糙,这导致切割过程中产生更多的尘埃。因此,需要通过调整除尘参数(例如提高除尘功率和缩小除尘口与激光切割点的距离)来增加除尘效果。
具体来说,将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率,这个第一校正除尘功率等于当前除尘功率与第一预设调整因子的乘积。这样做的目的是为了提高除尘设备的吸尘力度,以有效地吸走更多的切割尘埃。例如,如果当前的除尘功率为100W,而第一预设调整因子为1.2,则调整后的除尘功率为120W,这将提高20%的吸尘能力。同时,将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离,这个第一校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第二预设调整因子的乘积。这样做的目的是为了使除尘口离切割点更近,从而更有效地吸走尘埃。例如,如果当前的跟随激光距离为10cm,而第二预设调整因子为0.8,则调整后的跟随激光距离为8cm,这将使除尘口离切割点更近,更有利于吸走尘埃。综上,通过这种方式调整除尘参数,可以有效地应对因表面粗糙度过高而产生的尘埃过多的问题,从而保证切割质量和设备的正常运行。
步骤432,若表面粗糙度值低于下阈值,则将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率以及将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离。
具体的,当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时或者当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,调整控制策略为调整除尘参数中的除尘功率以及跟随激光距离,上述跟随激光距离是除尘口吸风口中心点与待激光切割点间的距离;当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率,第二校正除尘功率等于当前除尘功率与第三预设调整因子的乘积,且第三校正除尘功率小于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离,上述第二校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第四预设调整因子的乘积,且第二校正跟随激光距离大于当前跟随激光距离。
当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,说明待切割区域的表面比预期更为光滑,这可能会导致切割过程中产生的尘埃较少。因此,这种情况下,为了提高设备效率并减少能耗,可以通过调整除尘参数(例如降低除尘功率和增加除尘口与激光切割点的距离)来降低除尘效果。
具体来说,将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率,这个第二校正除尘功率等于当前除尘功率与第三预设调整因子的乘积。这样做的目的是为了降低除尘设备的吸尘力度,以减少不必要的能耗。例如,如果当前的除尘功率为100W,而第三预设调整因子为0.8,则调整后的除尘功率为80W,这将降低20%的吸尘能力。同时,将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离,这个第二校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第四预设调整因子的乘积。这样做的目的是为了使除尘口离切割点更远,从而减少在尘埃较少的情况下,过于密切的除尘可能对切割质量造成的影响。例如,如果当前的跟随激光距离为10cm,而第四预设调整因子为1.2,则调整后的跟随激光距离为12cm,这将使除尘口离切割点更远,更适应表面较光滑产生尘埃较少的情况。综上,通过这种方式调整除尘参数,可以有效地应对因表面粗糙度过低而产生的尘埃较少的问题,从而保证切割质量、提高设备效率,减少能耗。
可选的,本发明实施例还包括以下步骤:第二控制策略还包括:第一系统响应因子,上述第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子的值;第二系统响应因子,上述第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子的值;其中,上述第一系统响应因子大于上述第二系统响应因子。
具体的,第一系统响应因子和第二系统响应因子的定义表示了除尘参数调整策略对吸尘功率和激光跟随距离的关注程度或响应敏感性。
第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子的值。这意味着,当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,我们更加关注对除尘功率的调整。这是因为在这种情况下,我们期望增加吸尘能力以移除更多的尘埃,因此吸尘功率的调整因子(即第一预设调整因子)相对于激光跟随距离的调整因子(即第二预设调整因子)应有更大的权重,可选的,第一系统响应因子的值应大于1。
第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子的值。这意味着,当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,我们更加关注对激光跟随距离的调整。这是因为在这种情况下,我们期望减小吸尘能力以避免影响切割质量,因此激光跟随距离的调整因子(即第四预设调整因子)相对于吸尘功率的调整因子(即第三预设调整因子)应有更大的权重,可选的,第二系统响应因子的值应小于1。
上述的“第一系统响应因子大于上述第二系统响应因子”的设定,实际上反映了在调整除尘参数时,对于尘埃较多(表面粗糙度值较大)的情况,我们更愿意增加吸尘功率;而对于尘埃较少(表面粗糙度值较小)的情况,我们更愿意增加激光跟随距离。这种设定是为了更有效地保证激光切割的质量,同时尽可能地降低能耗。
可选的,本发明实施例还包括以下步骤:第二控制策略还包括:第三系统响应因子,上述第三系统响应因子等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子的值;第四系统响应因子,上述第四系统响应因子等于第二预设调整因子除以第四预设调整因子的值;其中,上述第三系统响应因子大于上述第四系统响应因子。
具体的,第三系统响应因子和第四系统响应因子的定义都是表达对除尘参数(吸尘功率和激光跟随距离)的调整策略,从而确保最佳的切割质量和除尘效果。第三系统响应因子等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子的值。这个因子实际上表达了当表面粗糙度较大和较小时,对吸尘功率调整的关注程度。可选的,第三系统响应因子的值大于1,那么就意味着当表面粗糙度较大时(需要更高的吸尘能力)我们对吸尘功率的调整更加关注。同样,第四系统响应因子等于第二预设调整因子除以第四预设调整因子的值。这个因子实际上表达了当表面粗糙度较大和较小时,对激光跟随距离的调整关注程度。可选的第四系统响应因子的值小于1,那么就意味着当表面粗糙度较小时(需要更小的吸尘能力避免影响切割质量)我们对激光跟随距离的调整更加关注。上述的“第三系统响应因子大于上述第四系统响应因子”的设定,实际上反映了对于调整吸尘功率和激光跟随距离的不同关注程度。在实际应用中,这种设定能够根据实际的表面粗糙度值灵活地调整除尘参数,从而保证激光切割的质量和除尘效果。
可选的,本发明一实施例,第一预设调整因子、第四预设调整因子的范围是大于1且小于2;第二预设调整因子、第三预设调整因子的范围是大于0,小于1;可选的,第一预设调整因子是1.5;第二预设调整因子是0.4,第三预设调整因子是0.3,第四预设调整因子是1.8;在这种情况下,第一系统响应因子 = 1.5 / 0.4 = 3.75,第二系统响应因子 = 0.3 /1.8 = 0.167,第三系统响应因子 = 1.5 / 0.3 = 5,第四系统响应因子 = 0.4 / 1.8 =0.222;在这种情况下第一系统响应因子(第一预设调整因子/第二预设调整因子)大于第二系统响应因子(第三预设调整因子/第四预设调整因子),并且第三系统响应因子(第一预设调整因子/第三预设调整因子)大于第四系统响应因子(第二预设调整因子/第四预设调整因子)。
还可以有以下实例,第一预设调整因子是1.8;第二预设调整因子是0.2;第三预设调整因子是0.1;第四预设调整因子是1.5;在这种情况下,第一系统响应因子 = 1.8 / 0.2= 9,第二系统响应因子 = 0.1 / 1.5 = 0.067,第三系统响应因子 = 1.8 / 0.1 = 18,第四系统响应因子 = 0.2 / 1.5 = 0.133,在这种情况下第一系统响应因子(第一预设调整因子/第二预设调整因子)大于第二系统响应因子(第三预设调整因子/第四预设调整因子),并且第三系统响应因子(第一预设调整因子/第三预设调整因子)大于第四系统响应因子(第二预设调整因子/第四预设调整因子)。
可选的,在获取到激光切割区域表面粗糙度的分布数据后,根据数据的波动性信息和数据在除尘控制模块至除尘执行模块传递的延迟信息,确认激光切割区域表面粗糙度分布数据的标准最大差异边界;将超越该标准最大差异边界的激光切割区域表面粗糙度分布数据进行淘汰,并获取处于该标准最大差异边界内的激光切割区域的表面粗糙度分布数据。
具体的,这一步的目的是为了清理并获取更精确的激光切割区域的表面粗糙度数据,从而能够提供准确的参考信息,以制定更合理的除尘控制策略。"获取到激光切割区域表面粗糙度的分布数据后,根据数据的波动性信息和数据在除尘控制模块至除尘执行模块传递的延迟信息,确认激光切割区域表面粗糙度分布数据的标准最大差异边界"。这个过程是为了根据数据的统计特性和系统的延迟特性,确定一个合理的表面粗糙度数据接受范围,也就是“标准最大差异边界”。这种方法有利于过滤掉可能由于设备延迟、测量误差或其他原因产生的异常数据,只保留在一定标准内的数据,这有助于提高数据的准确性。
举一个具体的例子:比如在连续10个测量周期内得到了表面粗糙度的数据序列,这个数据序列存在一定的波动。然后,根据这个数据序列的波动情况和数据传输的延迟情况,确定了一个标准最大差异边界。假设这个边界是±5%。这意味着,只保留那些与平均值偏差在±5%范围内的数据,而淘汰那些偏差超过±5%的数据。这样,得到的新的数据序列就是更加准确的表面粗糙度数据,可以为的除尘控制提供更可靠的参考。
可选的,通过以下公式确定该激光切割区域表面粗糙度分布数据的该标准最大差异边界:
ζi= (ωci+ η) / (1 + μ|ψi|φ)
其中,ζi表示第 i 个待激光切割点的表面粗糙度值的标准最大差异边界;ωci表示第 i 个待激光切割点的前一次测量表面粗糙度值;η 是一个常数项,用于调整基线表面粗糙度值;μ 是一个衰减因子,用于调整延迟信息对表面粗糙度值边界的影响;ψi表示第 i个待激光切割点的数据在除尘控制模块至除尘执行模块传递的延迟信息;φ 是一个幂指数,用于调整延迟信息的权重。
具体的,ζi是第i个待激光切割点的表面粗糙度值的标准最大差异边界,这是要确定的量。ωci是第i个待激光切割点的前一次测量表面粗糙度值,这是基准数据,新的测量值不应该与它相差太大。η 是一个常数项,用于调整基线表面粗糙度值。这可以对基线粗糙度值进行一定的偏移,以适应实际操作中的需要。μ 是一个衰减因子,用于调整延迟信息对表面粗糙度值边界的影响。延迟信息可以表示为系统响应的速度或者是测量设备的性能,通过调整这个因子,可以根据系统的实际情况来决定它对粗糙度值边界的影响程度。ψi是第i个待激光切割点的数据在除尘控制模块至除尘执行模块传递的延迟信息,这是一个重要的因素,因为如果系统响应太慢,那么我就需要设置一个较大的粗糙度值边界,以避免由于系统延迟导致的误判。φ 是一个幂指数,用于调整延迟信息的权重。通过调整这个指数,可以更精细地控制延迟信息对粗糙度值边界的影响。
具体的例子:假设在测量第10个待激光切割点的表面粗糙度值时,前一次测量的表面粗糙度值ωc10是0.2,常数项η是0.1,衰减因子μ是0.5,延迟信息ψ10是1,幂指数φ是2。根据公式,可以计算得到标准最大差异边界ζ10为(0.2+0.1)/(1+0.5*1^2)=0.2。这意味着,只要第10个点的新的测量值与0.2的差值在±0.2的范围内,就认为这个新的测量值是合理的,否则,就将这个新的测量值视为异常数据,不予采用。
下面对本发明提供的基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置进行描述,
基于上述任一实施例,图5是本发明提供的基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置的结构示意图,其中该基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置位于图1的除尘设备110中,如图5所示,该装置包括:
数据获取单元500,用于通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,上述激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据上述表面粗糙度集合分布数据确定上述表面粗糙度集合中上述待激光切割点的表面粗糙度值;
策略确定单元510,用于根据上述表面粗糙度集合中上述待激光切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略;
控制单元520,用于根据上述除尘参数的控制策略控制上述除尘参数,以使得除尘执行模块根据上述除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘,其中,上述待切割钙钛矿电池层是以下其中之一层或其多种组合层:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。
策略确定单元510包括:阈值获取子单元511,用于获取预先设定的表面粗糙度下阈值及预先设定的表面粗糙度上阈值;比较子单元512,用于比较上述表面粗糙度值与上述表面粗糙度下阈值及上述表面粗糙度上阈值的大小,得到比较结果;控制策略确定子单元513,用于根据比较结果确定除尘参数的控制策略。
控制策略确定子单元513包括:第一控制策略执行模块514,用于在比较结果满足第一比较结果范围时,执行第一控制策略,上述第一比较结果范围是表面粗糙度值在表面粗糙度下阈值和表面粗糙度上阈值之间的范围,包括上述表面粗糙度下阈值和上述表面粗糙度上阈值,上述第一控制策略是无需调整上述除尘参数;第二控制策略执行模块515,用于在比较结果满足第二比较结果范围时,执行第二控制策略,上述第二比较结果范围是表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值,上述第二控制策略是调整上述除尘参数。
第二控制策略执行模块515包括:参数调整子模块516,用于在表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值时,调整除尘参数中的除尘功率以及跟随激光距离;上述参数调整子模块所述参数调整子模块表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率,所述第一校正除尘功率等于当前除尘功率与第一预设调整因子的乘积,且第一校正除尘功率大于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离,所述第一校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第二预设调整因子的乘积,且第一校正跟随激光距离小于当前跟随激光距离;参数调整子模块516表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率,所述第二校正除尘功率等于当前除尘功率与第三预设调整因子的乘积,且第三校正除尘功率小于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离,所述第二校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第四预设调整因子的乘积,且第二校正跟随激光距离大于当前跟随激光距离,其中第一预设调整因子和所述第四预设调整因子的范围是:大于1,第二预设调整因子和所述第三预设调整因子的范围是:大于0,小于1。
第二控制策略执行模块515还包括:系统响应因子计算子模块517,用于计算第一系统响应因子和第二系统响应因子,其中,上述第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子的值,上述第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子的值,其中,上述第一系统响应因子大于上述第二系统响应因子。系统响应因子计算子模块517还用于计算第三系统响应因子和第四系统响应因子,其中,上述第三系统响应因子等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子的值,上述第四系统响应因子等于第二预设调整因子除以第四预设调整因子的值,其中,上述第三系统响应因子大于上述第四系统响应因子。
图6示例了一种电子设备的实体结构示意图,如图6所示,该电子设备可以包括:处理器(processor)601、通信接口(Communications Interface)602、存储器(memory)603和通信总线604,其中,处理器601,通信接口602,存储器603通过通信总线604完成相互间的通信。处理器601可以调用存储器603中的逻辑指令,以执行上述各方法所提供的基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法。
此外,上述的存储器603中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面,本发明还提供一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机程序,计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上,所述计算机程序被处理器执行时,计算机能够执行上述各方法所提供基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法,其特征在于,包括:
通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,所述激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据所述表面粗糙度集合分布数据确定所述表面粗糙度集合中所述待激光切割点的表面粗糙度值;
获取预先设定的表面粗糙度下阈值及预先设定的表面粗糙度上阈值;
比较所述表面粗糙度值与所述表面粗糙度下阈值及所述表面粗糙度上阈值的大小,得到比较结果;
若比较结果满足第一比较结果范围,则执行第一控制策略;所述第一比较结果范围是表面粗糙度值在表面粗糙度下阈值和表面粗糙度上阈值之间的范围,所述第一比较结果范围包括所述表面粗糙度下阈值和所述表面粗糙度上阈值;所述第一控制策略是无需调整所述除尘参数;
若比较结果满足第二比较结果范围,则执行第二控制策略;所述第二比较结果范围是表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值;所述第二控制策略包括:当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时或者当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,调整除尘参数中的除尘功率以及跟随激光距离,所述跟随激光距离是除尘口吸风口中心点与待激光切割点间的距离;
根据所述第一控制策略或者所述第二控制策略控制所述除尘参数,以使得除尘执行模块根据所述除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘,其中,所述待切割钙钛矿电池层是以下其中之一层或其多种组合层:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二控制策略还包括:
当表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率,所述第一校正除尘功率等于当前除尘功率与第一预设调整因子的乘积,且第一校正除尘功率大于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离,所述第一校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第二预设调整因子的乘积,且第一校正跟随激光距离小于当前跟随激光距离;
当表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率,所述第二校正除尘功率等于当前除尘功率与第三预设调整因子的乘积,且第三校正除尘功率小于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离,所述第二校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第四预设调整因子的乘积,且第二校正跟随激光距离大于当前跟随激光距离;
其中所述第一预设调整因子和所述第四预设调整因子的范围是:大于1,所述第二预设调整因子和所述第三预设调整因子的范围是:大于0,小于1。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,第二控制策略还包括:
第一系统响应因子,所述第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子的值;
第二系统响应因子,所述第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子的值;
其中,所述第一系统响应因子大于所述第二系统响应因子。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,第二控制策略还包括:
第三系统响应因子,所述第三系统响应因子等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子的值;
第四系统响应因子,所述第四系统响应因子等于第二预设调整因子除以第四预设调整因子的值;
其中,所述第三系统响应因子大于所述第四系统响应因子。
5.一种基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制装置,其特征在于,包括:
数据获取单元,用于通过表面形貌分析系统获取激光切割区域表面粗糙度集合分布数据,所述激光切割区域包括多个待激光切割点,并根据所述表面粗糙度集合分布数据确定所述表面粗糙度集合中所述待激光切割点的表面粗糙度值;
策略确定单元,用于根据所述表面粗糙度集合中所述待激光切割点的表面粗糙度值确定除尘参数的控制策略,其中,所述策略确定单元包括:阈值获取子单元,用于获取预先设定的表面粗糙度下阈值及预先设定的表面粗糙度上阈值;比较子单元,用于比较所述表面粗糙度值与所述表面粗糙度下阈值及所述表面粗糙度上阈值的大小,得到比较结果;
所述策略确定单元还包括控制策略确定子单元,其中,所述控制策略确定子单元包括第一控制策略执行模块和第二控制策略执行模块;所述第一控制策略执行模块用于在比较结果满足第一比较结果范围时,执行第一控制策略;所述第一比较结果范围是表面粗糙度值在表面粗糙度下阈值和表面粗糙度上阈值之间的范围,所述第一比较结果范围包括所述表面粗糙度下阈值和所述表面粗糙度上阈值;所述第一控制策略是无需调整所述除尘参数;所述第二控制策略执行模块用于在比较结果满足第二比较结果范围时,执行第二控制策略;所述第二比较结果范围是表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值;所述第二控制策略包括参数调整子模块,所述参数调整子模块用于在表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值或低于表面粗糙度下阈值时,调整除尘参数中的除尘功率以及跟随激光距离,所述跟随激光距离是除尘口吸风口中心点与待激光切割点间的距离;
控制单元,用于根据所述第一控制策略或者所述第二控制策略控制所述除尘参数,以使得除尘执行模块根据所述除尘参数对待切割钙钛矿电池层进行除尘,其中,所述待切割钙钛矿电池层是以下其中之一层或其多种组合层:透明导电层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层或者电极层。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第二控制策略执行模块包括:
所述参数调整子模块用于在表面粗糙度值超过表面粗糙度上阈值时,将当前除尘功率调整为第一校正除尘功率,所述第一校正除尘功率等于当前除尘功率与第一预设调整因子的乘积,且第一校正除尘功率大于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第一校正跟随激光距离,所述第一校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第二预设调整因子的乘积,且第一校正跟随激光距离小于当前跟随激光距离;
所述参数调整子模块用于在表面粗糙度值低于表面粗糙度下阈值时,将当前除尘功率调整为第二校正除尘功率,所述第二校正除尘功率等于当前除尘功率与第三预设调整因子的乘积,且第三校正除尘功率小于当前除尘功率;以及将当前跟随激光距离调整为第二校正跟随激光距离,所述第二校正跟随激光距离等于当前跟随激光距离与第四预设调整因子的乘积,且第二校正跟随激光距离大于当前跟随激光距离;
其中,其中所述第一预设调整因子和所述第四预设调整因子的范围是:大于1,所述第二预设调整因子和所述第三预设调整因子的范围是:大于0,小于1。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第二控制策略执行模块还包括:
系统响应因子计算子模块,用于计算第一系统响应因子和第二系统响应因子,其中,所述第一系统响应因子等于第一预设调整因子除以第二预设调整因子的值,所述第二系统响应因子等于第三预设调整因子除以第四预设调整因子的值,其中,所述第一系统响应因子大于所述第二系统响应因子。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述系统响应因子计算子模块还用于计算第三系统响应因子和第四系统响应因子,其中,所述第三系统响应因子等于第一预设调整因子除以第三预设调整因子的值,所述第四系统响应因子等于第二预设调整因子除以第四预设调整因子的值,其中,所述第三系统响应因子大于所述第四系统响应因子。
9.一种计算机可读的存储介质,其特征在于,
所述计算机可读的存储介质包括存储的程序,其中,所述程序可被终端设备或计算机运行时执行权利要求1至4任一项中所述的方法。
10.一种电子设备,包括存储器和处理器,其特征在于,
所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器被设置为通过所述计算机程序执行权利要求1至4任一项中所述的方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311140888.4A CN116913823B (zh) | 2023-09-06 | 2023-09-06 | 基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311140888.4A CN116913823B (zh) | 2023-09-06 | 2023-09-06 | 基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116913823A CN116913823A (zh) | 2023-10-20 |
CN116913823B true CN116913823B (zh) | 2023-12-12 |
Family
ID=88363271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311140888.4A Active CN116913823B (zh) | 2023-09-06 | 2023-09-06 | 基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116913823B (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11300490A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Yaskawa Electric Corp | レーザマーキング装置およびマーキング方法 |
CN102107334A (zh) * | 2010-12-20 | 2011-06-29 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 同步除尘装置 |
CN106102986A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-11-09 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 用于切割蓝宝石的方法及装置 |
CN208528330U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-22 | 安徽高山智能装备有限公司 | 一种激光切割机用除尘装置 |
CN109990841A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-09 | 惠州市品川智能科技有限公司 | 一种灰尘检测清洁装置 |
CN209380099U (zh) * | 2019-01-01 | 2019-09-13 | 青岛海朋激光科技有限公司 | 一种适用于激光切割机的分区除尘装置 |
WO2020105957A1 (ko) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 비아 홀 가공을 위한 지그, 비아 홀 가공 장치 및 이를 이용한 비아 홀 가공방법 |
CN112809170A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-18 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 硅晶圆切割装置及方法 |
CN112935535A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-11 | 苏州市宏石激光技术有限公司 | 一种带移动除尘装置的平面激光切割机 |
CN216758611U (zh) * | 2021-12-17 | 2022-06-17 | 海宁聚力金属制品有限公司 | 一种钣金件旋转气流控制激光切割机 |
CN114799507A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-07-29 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | 一种激光并行加工设备 |
-
2023
- 2023-09-06 CN CN202311140888.4A patent/CN116913823B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11300490A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-02 | Yaskawa Electric Corp | レーザマーキング装置およびマーキング方法 |
CN102107334A (zh) * | 2010-12-20 | 2011-06-29 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 同步除尘装置 |
CN106102986A (zh) * | 2016-06-08 | 2016-11-09 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 用于切割蓝宝石的方法及装置 |
CN208528330U (zh) * | 2018-08-07 | 2019-02-22 | 安徽高山智能装备有限公司 | 一种激光切割机用除尘装置 |
WO2020105957A1 (ko) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 비아 홀 가공을 위한 지그, 비아 홀 가공 장치 및 이를 이용한 비아 홀 가공방법 |
CN209380099U (zh) * | 2019-01-01 | 2019-09-13 | 青岛海朋激光科技有限公司 | 一种适用于激光切割机的分区除尘装置 |
CN109990841A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-09 | 惠州市品川智能科技有限公司 | 一种灰尘检测清洁装置 |
CN112809170A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-18 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 硅晶圆切割装置及方法 |
CN112935535A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-11 | 苏州市宏石激光技术有限公司 | 一种带移动除尘装置的平面激光切割机 |
CN216758611U (zh) * | 2021-12-17 | 2022-06-17 | 海宁聚力金属制品有限公司 | 一种钣金件旋转气流控制激光切割机 |
CN114799507A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-07-29 | 南京萃智激光应用技术研究院有限公司 | 一种激光并行加工设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116913823A (zh) | 2023-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20170139014A1 (en) | Energy storage battery, energy storage-battery monitoring method and monitoring controller | |
CN109861206B (zh) | 一种基于支持向量机的暂态功角稳定故障筛选系统及方法 | |
CN116887569B (zh) | 一种数据中心能耗预测和节能调节方法、系统及存储介质 | |
CN116913823B (zh) | 基于钙钛矿电池层表面粗糙度的除尘参数控制方法及装置 | |
CN115201616A (zh) | 一种基于大数据的充电机运行在线监测方法 | |
CN110927609A (zh) | 梯次利用电池储能系统的衰退评估方法及装置 | |
CN110647086B (zh) | 一种基于运行大数据分析的智能运维监控系统 | |
CN111935761B (zh) | 一种移动通信网的质差根因自动定位方法及系统 | |
CN116879763A (zh) | 一种基于卡尔曼滤波算法的电池故障预警方法 | |
CN114819391B (zh) | 基于历史数据集时间跨度优化的光伏发电功率预测方法及系统 | |
CN111914000A (zh) | 一种基于功耗预测模型的服务器功率封顶方法、系统 | |
CN116736166A (zh) | 电池包的电芯异常检测方法、装置及电池包 | |
CN113867905A (zh) | 一种应用服务器集群实时能耗优化方法 | |
TWI416148B (zh) | 電力診斷系統及電力預測維修系統 | |
CN114646891B (zh) | 一种结合lstm网络和维纳过程的剩余寿命预测方法 | |
CN115856682B (zh) | 一种基于临界点转变的锂电池容量跳水点个性化预警方法 | |
CN115213735B (zh) | 一种铣削加工过程刀具状态监测系统及方法 | |
TWI783796B (zh) | 跨製程精度監控系統以及跨製程精度監控方法 | |
CN117171590B (zh) | 一种电机智能驱动优化方法及系统 | |
CN116299038B (zh) | 电芯微短路的检测方法、系统、设备及存储介质 | |
CN117728421B (zh) | 微电网集群协调调度方法、系统、计算机设备和存储介质 | |
CN115223884B (zh) | 一种反馈式mosfet沟槽的清洗干燥方法、装置及介质 | |
CN115621107B (zh) | 一种离子注入机束流状态侦测方法、装置、设备及介质 | |
CN115481761A (zh) | 光伏系统iv扫描诊断方法、装置、设备及介质 | |
CN116610186A (zh) | 一种新能源光伏发电储能方法及相关设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |