CN116826660A - 一种浪涌保护电路及系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及浪涌保护技术领域，公开了一种浪涌保护电路及系统，浪涌保护电路包括第一电路和熔断器组；熔断器组和第一电路串联；第一电路包括瞬态抑制二极管组、压敏电阻和可控硅；瞬态抑制二极管组的一端连接第一电路的输入端；瞬态抑制二极管组的另一端连接可控硅的门极；压敏电阻的一端连接第一电路的输入端，压敏电阻的另一端连接可控硅的阳极；可控硅的阴极连接第一电路的输出端；浪涌保护电路用于在输入端产生正极浪涌或者在输出端产生负极浪涌时，瞬态抑制二极管组被击穿后向可控硅的门极提供触发信号，使可控硅导通并与压敏电阻形成泄流通道。由此，本申请可以有效实现浪涌保护且安全性高。

Description

一种浪涌保护电路及系统

技术领域

本申请涉及浪涌保护技术领域，尤其涉及一种浪涌保护电路及系统。

背景技术

在电子设计中，浪涌包括电源(只是主要指电源)启停过程产生的开关过电压脉冲和雷电感应产生的脉冲，它有可能使信息设备的电路元件在浪涌侵入的一瞬间烧坏，如PN结、电容击穿、电阻烧断等等。而浪涌保护就是利用电压敏感元件对浪涌的高电压敏感特性设计的保护电路，简单而常用的也有并联电容和串联电感的滤波方式。

电源防护电路中，通常采用单一的MOV压敏电阻或者MOV压敏电阻与GDT放电管串联来防护，但是单一的MOV压敏电阻随着时间的增长会加速劣化降低使用寿命，MOV压敏电阻与GDT放电管串联虽然解决了MOV持续加压会加速老化与GDT在电源电路上续流的问题，但是这两种方案都有固有的残压值，而且该残压值比较高，随着电子技术的发展这种方案固有的残压值越来越不能满足现有产品的保护需求(残压值越低越好)。

另一方面，现有技术中也有采用包含瞬态电压抑制二极管和可控硅的保护电流来实现浪涌防护功能的，但是当浪涌触发后可控硅往往无法关断，会形成短路状态，不能自动关断可控硅。

总之，现有浪涌保护电路中由于存在残压高以及短路现象导致浪涌保护电路安全性低。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种浪涌保护电路及系统，可以有效解决现有浪涌保护电路中由于存在残压高以及短路现象导致浪涌保护电路安全性低的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种浪涌保护电路，所述浪涌保护电路包括第一电路和熔断器组；所述熔断器组和所述第一电路串联；所述第一电路包括瞬态抑制二极管组、压敏电阻和可控硅；

所述瞬态抑制二极管组的一端连接所述第一电路的输入端；所述瞬态抑制二极管组的另一端连接所述可控硅的门极；

所述压敏电阻的一端连接所述第一电路的输入端，所述压敏电阻的另一端连接所述可控硅的阳极；所述可控硅的阴极连接所述第一电路的输出端；

所述浪涌保护电路用于在输入端产生正极浪涌或者在输出端产生负极浪涌时，所述瞬态抑制二极管组被击穿后向所述可控硅的门极提供触发信号，使所述可控硅导通并与所述压敏电阻形成泄流通道。

在一些实施例中，所述浪涌保护电路还包括与所述第一电路并联连接的第二电路；所述第二电路与所述第一电路的结构相同；其中，所述第二电路中所述可控硅的阴极连接所述第一电路的输入端；所述可控硅的阳极通过所述压敏电阻连接所述第一电路的输出端；所述可控硅的门极通过所述瞬态抑制二极管组连接所述第一电路的输出端；

所述浪涌保护电路用于在输入浪涌时，使所述第一电路中的可控硅处于截止状态，所述第二电路中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道；

或者，使所述第二电路中的可控硅处于截止状态，所述第一电路中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道。

在一些实施例中，所述第一电路还包括分流电阻；所述瞬态抑制二极管组的另一端还连接所述分流电阻，所述分流电阻的另一端连接所述第一电路的输出端。

在一些实施例中，所述浪涌保护电路还包括限流电阻；所述瞬态抑制二极管组的另一端通过所述限流电阻连接所述可控硅的门极。

在一些实施例中，所述瞬态抑制二极管组包括N个串联设置的瞬态抑制二极管，N＞0；

其中，N的数量依据以下条件设定：N个所述瞬态抑制二极管的导通击穿电压之和大于电路工作电压峰值电压，且导通后满足所述可控硅的触发电流信号。

在一些实施例中，所述瞬态抑制二极管采用双向瞬态抑制二极管。

在一些实施例中，所述熔断器组包括第一熔断器和第二熔断器；所述第一熔断器和第二熔断器分别串设在所述浪涌保护电路的两端。

在一些实施例中，所述压敏电阻的压敏电压低于工频工作电压，所述压敏电阻在工频工作电压下的电流小于所述可控硅的维持电流。

第二方面，本申请实施例提供一种浪涌保护系统，包括：至少一个如本申请的一种浪涌保护电路；

当接入单相两线制电路时，第一浪涌保护电路用于连接在火线和零线之间；

当接入单相三线制电路时，第一浪涌保护电路用于连接在火线连接端和零线连接端之间；第二浪涌保护电路用于连接在火线连接端和地线连接端之间，第三浪涌保护电路用于连接在地线连接端和零线连接端之间。

本申请的实施例具有如下有益效果：

所述浪涌保护电路一端传导入浪涌信号时，所述瞬态抑制二极管组被击穿，然后给所述可控硅的门极提供触发信号，所述可控硅处于正向导通状态，所述压敏电阻和所述可控硅的导通成为正向泄流主通道，从而钳位所述浪涌保护电路两端的电压，形成较好的保护效果，浪涌信号过后压敏电阻在工频下电流低于所述可控硅的维持电流，从而自动关断所述可控硅,所述可控硅截止，所述压敏电阻恢复高阻状态。由此，本发明浪涌防护效果好残压低且安全性高。

本申请中采用压敏电阻与可控硅串联可以利用压敏电阻在一定电压下电流小于可控硅的维持电流自动关断可控硅，不仅可以避免可控硅在电路中导通后的短路状态提高安全性，而且所述可控硅的自动关断功能可应用在工作电流大于维持电流的电路上，不再受电路工作电流大小的影响，提高了本申请浪涌保护电路的适用性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例一种浪涌保护电路的第一电路示意图；

图2示出了本申请实施例一种浪涌保护电路的第二电路示意图；

图3示出了本申请实施例一种浪涌保护电路的第三电路示意图；

图4示出了本申请实施例一种浪涌保护电路在浪涌冲击时的残压波形示意图；

图5示出了本申请实施例中压敏电阻在不同工作电压下对应的残压值的对比示意图；

图6示出了本申请实施例一种浪涌保护系统的一种电路图。

主要元件符号说明：

110-第一电路；120-熔断器组；130-第二电路。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下文中，可在本申请的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本申请的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本申请的各种实施例中被清楚地限定。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

由于现有技术中浪涌保护电路中存在残压高以及短路现象导致浪涌保护电路安全性低，由此本申请提出一种浪涌保护电路，本申请的浪涌保护电路采用瞬态抑制二极管做单向可控硅的触发导通，采用压敏电阻串联单向可控硅做主浪涌通流回路，利用压敏电阻在工频电压下的电流小于单向可控硅维持电流关断单向可控硅。由此，可以解决现有技术中浪涌保护电路残压高和安全性低的问题等。

下面结合一些具体的实施例来对该浪涌保护电路进行说明。

图1示出了本申请实施例的浪涌保护电路的一种结构图。示范性地，该浪涌保护电路包括：第一电路110和熔断器组120；所述熔断器组120和所述第一电路110串联。

所述熔断器组120包括第一熔断器F1和第二熔断器F2，所述第一熔断器F1和第二熔断器F2分别串设在所述浪涌保护电路的两端，例如图1中，所述第一熔断器F1串设在与所述可控硅阳极连接的一端，记该端为所述浪涌保护电路的第一浪涌输入端。所述第二熔断器F2串设在与所述可控硅的阴极连接的一端，该端记为所述浪涌保护电路的第二浪涌输入端。优选地，所述第一熔断器F1和第二熔断器F2采用温度保险丝，也可以采用其他熔断设备此处不做限制。

所述第一电路110包括瞬态抑制二极管组、压敏电阻MOV1和可控硅VT1。优选地，所述可控硅VT1采用单向可控硅等。

所述第一浪涌输入端连接所述第一电路110的输入端，所述瞬态抑制二极管组的一端连接所述第一电路110的输入端；所述瞬态抑制二极管组的另一端连接所述可控硅的门极；所述压敏电阻的一端连接所述第一电路110的输入端，所述压敏电阻的另一端连接所述可控硅的阳极；所述可控硅的阴极连接所述第一电路110的输出端，所述第一电路110的输出端连接所述第二浪涌输入端。

所述浪涌保护电路用于在输入端产生正极浪涌或者在输出端产生负极浪涌时，所述瞬态抑制二极管组被击穿后向所述可控硅的门极提供触发信号，使所述可控硅导通并与所述压敏电阻形成泄流通道。其中，所述压敏电阻的压敏电压低于工频工作电压，所述压敏电阻在选型时可选用压敏电压低于工频工作电压的压敏电阻，所述压敏电阻在工频工作电压下的电流小于所述可控硅的维持电流。

进一步地，所述瞬态抑制二极管组包括N个串联设置的瞬态抑制二极管。其中，N的数量依据以下条件设定：N个所述瞬态抑制二极管的导通击穿电压之和大于电路工作电压，且导通后满足所述可控硅的触发电流信号，故本实施例对所述瞬态抑制二极管数量不做限制。例如，N＝2，采用两个所述瞬态抑制二极管，如图1中瞬态抑制二极管D1和瞬态抑制二极管D2，瞬态抑制二极管D1和瞬态抑制二极管D2的导通击穿电压之和大于电路工作电压峰值电压，且导通后瞬态抑制二极管D1和瞬态抑制二极管D2的电流满足所述可控硅的触发电流信号。优选地，本实施例中，所述瞬态抑制二极管采用双向瞬态抑制二极管。

在一种实施方式中，如图2所示，为了实现从双向防护浪涌信号，所述浪涌保护电路还包括与所述第一电路110反向并联连接的第二电路130；所述第二电路130与所述第一电路110的结构相同，即，所述第二电路130包括瞬态抑制二极管组、压敏电阻MOV2和可控硅VT2。所述第二电路130中所述可控硅VT2的阴极连接所述第一电路110的输入端；所述可控硅的阳极通过所述压敏电阻MOV2连接所述第一电路110的输出端。所述可控硅的门极通过所述瞬态抑制二极管组连接所述第一电路110的输出端。

所述浪涌保护电路在第一浪涌输入端输入正极性浪涌脉冲信号或者在第二浪涌输入端输入负极性浪涌脉冲信号时：

所述第二电路130中的可控硅处于截止状态，所述第一电路110中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道。所述浪涌保护电路在第二浪涌输入端输入正极性浪涌脉冲信号或者在第一浪涌输入端输入负极性浪涌脉冲信号时：

所述第一电路110中的可控硅处于截止状态，所述第二电路130中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道。

由此，本申请实现了在所述浪涌保护电路两端输入浪涌信号均能实现防护功能。

在一种实施方式中，如图3所示，为了提高可靠性，所述第一电路110还包括分流电阻和限流电阻，例如，图3中的分流电阻R2和限流电阻R1。所述瞬态抑制二极管组的另一端还连接所述分流电阻，所述分流电阻的另一端连接所述第一电路110的输出端。所述瞬态抑制二极管组的另一端通过所述限流电阻连接所述可控硅的门极。

其中，瞬态抑制二极管D1和瞬态抑制二极管D2的导通击穿电压之和大于电路工作的峰值电压，且瞬态抑制二极管D1和瞬态抑制二极管D2导通后所述限流电阻R1上分得的电流足以满足所述可控硅的触发电流信号。

自然地，所述第二电路130中也同样地包括分流电阻和限流电阻，例如，图3中的分流电阻R4和限流电阻R3，所述瞬态抑制二极管组的一端连接所述第一电路的输出端，另一端通过限流电阻R3连接所述可控硅VT2的门极，另一端还通过分流电阻R4连接所述第一电路的输入端。

下面结合图3介绍本实施例中的浪涌保护电路的工作过程：

当所述浪涌保护电路中所述第一熔断器F1端传导入正极性浪涌脉冲信号或所述第二熔断器F2端传导入负极性浪涌脉冲时，所述第二电路130反向截止，所述第一电路110形成正向泄流主通道，从而泄放雷电流并钳位浪涌电压。当电路中所述第一熔断器F1端传导入负极性浪涌脉冲或所述第二熔断器F2端传导入正极性浪涌脉冲时，所述第一电路110反向截止，所述第二电路130形成正向泄流主通道，从而泄放雷电流并钳位浪涌电压。

当电路中所述第一熔断器F1端传导入正脉冲和所述第二熔断器F2端传导入负脉冲时，电流从所述第一电路110流通，所述第二电路130截止，当电路中所述第一熔断器F1端传导入负脉冲和所述第二熔断器F2端传导入正脉冲时，电流从所述第二电路130流通，所述第一电路110截止，因其压敏电阻选型可选用压敏电压低于工频工作电压以下，故具备了残压低、并联型浪涌保护器的电流限制的优点，解决了现有的电源防护电路中，残压较高造成被保护设备不能充分防护的问题，其防护效果如图4所示，图4为加载工作电压277VAC时施加1.2/50μ组合波8KV浪涌冲击时的残压波形。

下面对本发明的工作原理进行介绍：

所述第一熔断器和所述第二熔断器均采用温度保险丝，可控硅采用单向可控硅。首先介绍分段导通时的工作原理：

如图3所示，当电路中温度保险丝F1端产生正极性浪涌或温度保险丝F2端传导入负极性浪涌时，瞬态抑制二极管D1、瞬态抑制二极管D2击穿给单向可控硅VT1的门极提供触发信号，单向可控硅VT1处于正向导通状态，瞬态抑制二极管D3、瞬态抑制二极管D4击穿给单向可控硅VT2的门极提供触发信号，单向可控硅VT2处于反向截止状态，压敏电阻MOV1和单向可控硅VT1的导通成为正向泄流主通道，从而钳位温度保险丝F1端和温度保险丝F2端的电压，形成保护效果，浪涌过后压敏电阻MOV1在工频下电流低于VT1维持电流从而关断VT1,单向可控硅VT1截止,压敏电阻MOV1恢复高阻状态。

当电路中温度保险丝F2端传导入正极性浪涌或温度保险丝F1端产生负极性浪涌时，瞬态抑制二极管D3、瞬态抑制二极管D4击穿给单向可控硅VT2的门极提供触发信号，单向可控硅VT2处于正向导通状态，瞬态抑制二极管D1、瞬态抑制二极管D2击穿给单向可控硅VT1的门极提供触发信号，单向可控硅VT1处于反向截止状态，压敏电阻MOV2和单向可控硅VT2的导通成为正向泄流主通道，从而钳位温度保险丝F1端和温度保险丝F2端的电压，形成保护效果，浪涌过后压敏电阻MOV2在工频下电流低于VT2维持电流从而关断VT2,单向可控硅VT2截止,压敏电阻MOV2恢复高阻状态。

其次，介绍分向导通时的工作原理：

当电路中温度保险丝F1端传导入正极性脉冲和温度保险丝F2端传导入负脉冲时，电流依次从压敏电阻MOV1和单向可控硅VT1流通，单向可控硅VT2处于截止状态；

当电路中温度保险丝F1端传导入负极性脉冲和温度保险丝F2端传导入正脉冲时，电流依次从压敏电阻MOV2和单向可控硅VT2流通，单向可控硅VT1处于截止状态。

本申请中，所述压敏电阻串上所述可控硅后，所述压敏电阻的工作电压的下限不再是线路的工作电压，而是压敏电阻在线路工作电压下的电流小于可控硅的维持电流(正常选择的压敏电阻其在工作电流下的泄露电流为微安级，压敏电阻的电流长期超过1mA时容易被烧毁，串入可控硅后压敏电阻的工作压下的电流可选择超越1mA的上限)。

总之，压敏电阻与可控硅串联可以利用压敏电阻在一定电压下电流小于可控硅的维持电流关断可控硅，避免可控硅在电路中导通后的短路状态，可控硅在电路工作电流小于维持电流的情况下浪涌过后可以自动关断，而在其工作电流大于维持电流时，浪涌信号触发后可控硅无法关断，会形成短路状态。

再如图5所示(图中，MAXIMUM PEAK VOLTAGE为最大峰值电压，PEAK CURRENT为峰值电流，MAXIMUM LEAKAGE为最大泄流量，MAXIMUM CLAMP VOLTAGE为最大钳位电压，压敏电阻型号为20D471KJ)，其中，压敏电阻在1kA时的残压，300Vac工作电压的压敏电阻(也就是471V压敏电压的压敏电阻)其残压值在1000V左右，而175Vac工作电压的压敏电阻(也就是271V压敏电压的压敏电阻)其残压值在600V左右，所以主要思路就是使工作电压低的压敏电阻用于高于其工作电压的线路上。

本申请在可控硅前端串联一个压敏电阻使其能在电路工作电流大于其维持电流的情况下关断可控硅以避免短路，即利用压敏电阻给可控硅限流。由此，本申请中压敏电阻与可控硅串联之后其关断方式与工作电流大小无关，与施加在压敏两端的电压大小相关。具体地，本申请电路中残压的高低取决于压敏电阻的选型，现有技术中压敏电阻选型其压敏电阻的工作电压一定需要大于线路的工作电压，而本申请保护电路的压敏电阻的选型取决与在一定电压下的电流小于可控硅的维持电流，所以其压敏电阻的工作电压远小于其线路上的工作电压。以图4来说明，277Vac工作电压下，现有技术中需要使用300Vac工作电压的压敏电阻，而本申请的保护电路中则只需要使用175Vac工作电压的压敏电阻，175Vac的压敏电阻在277Vac工作电压下其电流小于可控硅的维持电流。该保护电路结构中，可控硅在未被触发前是截止状态，触发后才会导通，可控硅本身的关断条件，使正向导通电流值小于其工作维持电流值或A、K之间电压反向。当加入一个线路工作电压下的电流小于维持电流的压敏电阻就可使可控硅关断。由此，本申请可以有效解决现有浪涌保护电路中由于存在残压高以及短路现象导致浪涌保护电路安全性低的问题。

本申请采用并联电路，由于串联受限于其退耦器件的过电流能力，要过大电流，其退耦器件的功率或线径等参数要求更高，意味着成本更高，而本申请中并联本身不过工作电流，所以不受工作电流影响。由此，本申请可控硅的关断功能可应用在工作电流大于维持电流的电路上，不再受电路工作电流影响，使浪涌保护电路的适用性更广。

本申请还提供了一种浪涌保护系统，示范性地，该系统包括至少一个如上述实施例中的浪涌保护电路。

当接入单相两线制电路时，第一浪涌保护电路用于连接在火线和零线之间，如图3所示。

当接入单相三线制电路时，如图6所示，第一浪涌保护电路用于连接在火线连接端和零线连接端之间；第二浪涌保护电路用于连接在火线连接端和地线连接端之间，第三浪涌保护电路用于连接在地线连接端和零线连接端之间。

可以理解，上述实施例中的可选项同样适用于本实施例，故在此不再重复描述。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路包括第一电路和熔断器组；所述熔断器组和所述第一电路串联；所述第一电路包括瞬态抑制二极管组、压敏电阻和可控硅；

所述瞬态抑制二极管组的一端连接所述第一电路的输入端；所述瞬态抑制二极管组的另一端连接所述可控硅的门极；

所述压敏电阻的一端连接所述第一电路的输入端，所述压敏电阻的另一端连接所述可控硅的阳极；所述可控硅的阴极连接所述第一电路的输出端；

所述浪涌保护电路用于在输入端产生正极浪涌或者在输出端产生负极浪涌时，所述瞬态抑制二极管组被击穿后向所述可控硅的门极提供触发信号，使所述可控硅导通并与所述压敏电阻形成泄流通道。

2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路还包括与所述第一电路并联连接的第二电路；所述第二电路与所述第一电路的结构相同；其中，所述第二电路中所述可控硅的阴极连接所述第一电路的输入端；所述可控硅的阳极通过所述压敏电阻连接所述第一电路的输出端；所述可控硅的门极通过所述瞬态抑制二极管组连接所述第一电路的输出端；

所述浪涌保护电路用于在输入浪涌时，使所述第一电路中的可控硅处于截止状态，所述第二电路中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道；或者，使所述第二电路中的可控硅处于截止状态，所述第一电路中的可控硅导通并与对应连接的压敏电阻形成泄流通道。

3.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述第一电路还包括分流电阻；所述瞬态抑制二极管组的另一端还连接所述分流电阻，所述分流电阻的另一端连接所述第一电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路还包括限流电阻；所述瞬态抑制二极管组的另一端通过所述限流电阻连接所述可控硅的门极。

5.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管组包括N个串联设置的瞬态抑制二极管，N＞0；

其中，N的数量依据以下条件设定：N个所述瞬态抑制二极管的导通击穿电压之和大于电路工作电压峰值电压，且导通后满足所述可控硅的触发电流信号。

6.根据权利要求5所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管采用双向瞬态抑制二极管。

7.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述熔断器组包括第一熔断器和第二熔断器；所述第一熔断器和第二熔断器分别串设在所述浪涌保护电路的两端。

8.根据权利要求1至6任一项所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述压敏电阻的压敏电压低于工频工作电压，所述压敏电阻在工频工作电压下的电流小于所述可控硅的维持电流。

9.一种浪涌保护系统，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至8中任一项所述的浪涌保护电路；

当接入单相两线制电路时，第一浪涌保护电路用于连接在火线和零线之间；

当接入单相三线制电路时，第一浪涌保护电路用于连接在火线连接端和零线连接端之间；第二浪涌保护电路用于连接在火线连接端和地线连接端之间，第三浪涌保护电路用于连接在地线连接端和零线连接端之间。