CN116814276A - 正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件 - Google Patents

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CN116814276A CN202310668385.8A CN202310668385A CN116814276A CN 116814276 A CN116814276 A CN 116814276A CN 202310668385 A CN202310668385 A CN 202310668385A CN 116814276 A CN116814276 A CN 116814276A
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崔鹏
刘丽君
刘鑫
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Abstract

本发明涉及正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件。本发明的液晶组合物包含:至少一种1‑60%式I所示化合物,至少一种1‑30%式Ⅱ所示化合物。本发明所提供的液晶组合物具有快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性,同时具有适中的介电各向异性Δε、适宜的光学各向异性Δn、高的对热和光的稳定性。

Description

正介电各向异性液晶组合物及液晶显示器件
技术领域
本发明涉及液晶材料技术领域。更具体地,涉及液晶组合物及液晶显示元器件。
背景技术
液晶显示器件以时钟、台式电脑为代表而用于家庭用各种电气机器、工业用测定机器、汽车用面板、移动电话、智能手机、笔记本个人电脑、平板PC、电视机等中。作为液晶显示方式,其代表性者可列举:扭转向列(twisted nematic,TN)型、超扭转向列(supertwisted nematic,STN)型、宾主(guest host,GH)型、共面切换(in-plane switching,IPS)型、边缘场切换(fringe field switching,FFS)型、光学补偿双折射(opticallycompensated birefringence,OCB)型、电控双折射(electrically controlledbirefringence,ECB)型、垂直取向(IVertical Alignment,IVA)型、颜色超级垂直(colorsuper homeotropic,CSH)型、铁电性液晶(ferroelectric liquid crystal,FLC)等。另外,作为驱动方式,也可列举静态式驱动、多工式驱动、单纯矩阵方式、通过薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)或薄膜二极管(thin film diode,TFD)等进行驱动的有源矩阵(actIIIe matrix,AM)方式。
目前,对于用于平板和智能手机显示器的小尺寸和中尺寸显示器来说,面内转换(IPS)和边缘场切换(FFS)模式由于具有宽视角和更高的透射率和稳定性,普遍受到业内研究人士的欢迎。
随着技术的不断发展进步,为提升显示器的性能,适用不同的应用场景,满足客户更高要求的使用体验,对液晶的紫外辐射耐受性(更长的服务寿命)、低阈值电压(节省电能)、高透射率、低G1/K11值(快速响应)的要求也随之越来越苛刻。
迄今为止公开的具有正介电各向异性的混晶材料难以满足所有这些方面的要求,因此,在液晶材料领域,需要具有改进性能的新型的具有正介电各向异性的液晶组合物。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种具有低粘度、高电阻率、良好的低温互溶性、快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性,可用于多种显示模式的快响应液晶显示中的至少一种性能优异的正介电各向异性液晶组合物,尤其提供在TN、IPS、FFS模式显示器中的使用时能明显改善液晶显示器显示效果的正介电各向异性液晶组合物。
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究,发现通过使用本申请的正介电各向异性液晶组合物可以解决上述课题,由此完成了本发明。
本发明一方面提供一种正介电各向异性液晶组合物,其含有正介电各向异性液晶化合物及介电各向异性为中性的化合物,所述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成,
相对于所述正介电各向异性液晶组合物,所述式I所示化合物的总量为1~60重量%,,所述式II所示化合物的总量1~30%;
式1中,R1表示碳原子数为2~5的烯基,q、p各自独立的表示0或1;
式II中,R2表示碳原子数为2~5的烯基。
另一方面,本发明还提供一种液晶显示器件,其包含本发明的正介电各向异性液晶组合物;所述液晶显示器件为有源矩阵显示器件,或无源矩阵显示器件。
发明的效果
通过采用本发明的正介电各向异性液晶组合物,能够获得低粘度、高电阻率、良好的低温互溶性、快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性,可用于多种显示模式的快响应液晶显示中的至少一种性能优异的正介电各向异性液晶组合物。采用了这样的正介电各向异性液晶组合物的液晶显示器件,尤其在TN、IPS、FFS模式的显示器件中的使用时能明显改善液晶显示器件的显示效果。
具体实施方式
下面,对本申请技术方案的实施方式进行描述。应当理解地是,以下实施方式仅用于更加清楚地说明本申请的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本申请的保护范围。
[正介电各向异性液晶组合物]
本发明的正介电各向异性液晶组合物中含有正介电各向异性液晶化合物,前述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成。也即,本发明的正介电各向异性液晶组合物所含有的正介电各向异性液晶化合物为下述的至少一种式I所示化合物以及至少一种式II所示化合物,不含有式I所示化合物、式II所示化合物之外的其他的正介电各向异性液晶化合物。
式1中,R1表示碳原子数为2~5的烯基,q、p各自独立的表示0或1;
式II中,R2表示碳原子数为2~5的烯基。
本发明的正介电各向异性液晶组合物中,除了前述的正介电各向异性液晶组合物之外,还含有介电各向异性为中性的化合物。另外,本发明的正介电各向异性液晶组合物中,任选还含有介电各向异性为负性的化合物。
介电各向异性是液晶分子在电场中行为的主要参数。若用ε//、ε分别表示液晶平行、垂直于分子取向的介电常数,则介电各向异性可表示为Δε=ε//。Δε>0称为正介电各向异性,Δε<0则称为负介电各向异性。在外电场作用下,正介电各向异性的液晶分子沿场方向排列,而负介电各向异性的液晶分子垂直于场方向排列。
通常,介电常数的测量方法有磁场法和电场法。磁场法是在磁场作用下使液晶分子发生Freedericksz转变,正性液晶在磁场作用下指向矢方向转动成与磁场方向一致,通过计算电容测试出垂直磁场时的ε和平行排列时ε//,求得Δε。电场法与在磁场作用下相似,是液晶分子在电场作用下发生转动。测出平行盒的空盒电容Co,在低电压下测出C,再加一个高电压使液晶分子随电场取向,测得C//,再利用C//在高电压下C-1/V的线性关系,推算出Co,计算得出ε//、ε以及Δε。
作为前述R1表示的“碳原子数2~5的烯基”,可以为直链或支链烯基,优选为直链烯基。作为这样的直链烯基,列举出例如乙烯基、1E-丙烯基、2E-丙烯基、1E-丁烯基、2E-丁烯基、3E-丁烯基、1E-戊烯基、2E-戊烯基、3E-戊烯基等。
作为前述R2表示的“碳原子数2~5的烯基”,可以为直链或支链烯基,优选为直链烯基。作为这样的直链烯基,列举出例如乙烯基、1E-丙烯基、2E-丙烯基、1E-丁烯基、2E-丁烯基、3E-丁烯基、1E-戊烯基、2E-戊烯基、3E-戊烯基、4E-戊烯基等,优选为2E-戊烯基。
一些实施方式的正介电各向异性液晶组合物中,相对于前述正介电各向异性液晶组合物,前述式I所示化合物的总量为1~60重量%,,前述式II所示化合物的总量为1~30%。
一些实施方式的正介电各向异性液晶组合物中,其组分的组成可以为例如,以质量百分比计,含有1%~60%的式I所示化合物;1%~30%的式II所示化合物;以及,10%~70%的介电各向异性为中性的化合物。一些优选的实施方式中,正介电各向异性液晶组合物中含有10%~50%的所述式I所示化合物、5%~30%的所述式II所示化合物、以及25%~60%的介电各向异性为中性的化合物。
一些实施方式中,前述式I所示的化合物优选为选自下述的式I-1~I-30所示的化合物中的至少一种。
一些实施方式中,前述式II所示的化合物优选为选自下述的式II-1~II-10所示的化合物中的至少一种。
一些实施方式中,从具有更好的低温互溶性、更优的抗紫外性能、更快的响应速度、适用于快响应液晶显示方式中的至少一方面更优异的角度考虑,优选的是,前述的式I所示化合物与式II所示化合物的组合为下述化合物的组合,即:选自式I-10、I-17、I-27所示化合物中的至少一种化合物与式II-7所示化合物的组合。例如,可以是式I-10与式II-7的组合、式I-17与式II-7的组合、式I-27与式II-7的组合、式I-10、式I-17与式II-7的组合、式I-17、式I-27与式II-7的组合、式I-10、式I-27与式II-7的组合、或者、式I-10、式I-17以及式I-27与式II-7的组合。
通过采用这样的组合,正介电各向异性液晶化合物部分仅由这些化合物组成,由于这些化合物的端基均为2E-戊烯基,由此简化了配方体系,使得体系中引入的杂质大大降低,得到的混晶的纯度更高,并且混晶的制作步骤减少,制作过程更加简便和高效,制作成本大大降低。
一些实施方式中,正介电各向异性液晶组合物中任选还包含一种或多种选自下述式III-1~III-7所示化合物组成的组中的化合物作为介电各向异性为中性的化合物。
其中,R11、R12各自独立地表示碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为1~5的烷氧基、碳原子数为2~5的烯基、或者、碳原子数为2~5的烯氧基。
作为前述的的“碳原子数1~5的烷基”,可以是直链烷基、支链烷基或者环烷基,优选为直链烷基。作为前述的直链烷基,可以列举出例如,甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基等。优选为甲基、乙基或者正丙基。
作为前述的“碳原子数1~5的烷氧基”,可以列举出例如,甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基等。优选为甲氧基、乙氧基或者正丙氧基。
作为前述的“碳原子数2~5的烯基”,可以为直链烯基或者支链烯基,优选为直链烯基。作为直链烯基,可以列举出例如,乙烯基、1E-丙烯基、2E-丙烯基、1E-丁烯基、2E-丁烯基、3E-丁烯基、1E-戊烯基、2E-戊烯基、3E-戊烯基。优选为乙烯基、1E-丙烯基、3E-丁烯基、或者、3E-戊烯基。
作为前述的“碳原子数2~5的烯氧基”,可以为直链烯氧基或者支链烯氧基,优选为直链烯氧基。作为这样的直链烯氧基,可以列举出例如乙烯氧基、1E-丙烯氧基、2E-丙烯氧基、1E-丁烯氧基、2E-丁烯氧基、3E-丁烯氧基、1E-戊烯氧基、2E-戊烯氧基、3E-戊烯氧基。优选为乙烯氧基、1E-丙烯氧基、3-丁烯氧基、或者、3-戊烯氧基。
一些实施方式的正介电各向异性液晶组合物中,除了前述的正介电各向异性液晶化合物、介电各向异性为中性的化合物之外,任选还可以含有负介电各向异性液晶化合物。例如,一些实施方式中,任选地,正介电各向异性液晶组合物中还可以包含一种或者多种负介电各向异性的液晶化合物,但是液晶组合物整体仍然显示为正介电各向异性。通过在正介电各向异性液晶组合物中还包含负介电各向异性(-Δε)的化合物,可以改善正介电各向异性(+Δε)的液晶组合物的透过率等性能。例如,在FFS显示模式中使用正介电各向异性液晶组合物的情况中,透过率正比于垂直介电ε与介电各向异性Δε的比值,即:
T∝ε/Δε;Δε=ε
其中T表示透过率,ε表示垂直介电,ε表示平行介电。
从上式可以看出,增加液晶组合物的垂直介电ε有利于增加液晶显示器的透过率,而负性介电各向异性化合物拥有高的垂直介电,加入负介电各向异性液晶组成成分可有效的增加液晶体系的垂直介电,从而有效地增加液晶显示器的透过率。
一些实施方式中,正介电各向异性液晶组合物中任选地还可以含有例如作为介电各向异性为负性的化合物的至少一种下述的式IV所示的化合物。
式IV中,R7、R8各自独立地表示碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为1~5的烷氧基、碳原子数为2~5的烯基、或者、碳原子数为2~5的烯氧基;
Z1、Z2各自独立地表示单键、-OCH2-或-CH2O-;
环A、环B各自独立地表示1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基、1,4-亚环己烯基、1,4-亚苯基或氟代1,4-亚苯基;
m表示0、1或2;n表示0或1。
作为前述的“碳原子数1~5的烷基”,可以是直链烷基、支链烷基或者环烷基,优选为直链烷基。作为前述的直链烷基,可以列举出例如,甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基等。优选为甲基、乙基或者正丙基。
作为前述的“碳原子数1~5的烷氧基”,可以列举出例如,甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基。优选为甲氧基、乙氧基或者正丙氧基。
作为前述的“碳原子数2~5的烯基”,可以为直链烯基或者支链烯基,优选为直链烯基。作为直链烯基,可以列举出例如,乙烯基、1E-丙烯基、2E-丙烯基、1E-丁烯基、2E-丁烯基、3E-丁烯基、1E-戊烯基、2E-戊烯基、3E-戊烯基。优选为乙烯基、1E-丙烯基、3E-丁烯基、或者、3E-戊烯基。
作为前述的“碳原子数2~5的烯氧基”,可以为直链烯氧基或者支链烯氧基,优选为直链烯氧基。作为这样的直链烯氧基,可以列举出例如乙烯氧基、1E-丙烯氧基、2E-丙烯氧基、1E-丁烯氧基、2E-丁烯氧基、3E-丁烯氧基、1E-戊烯氧基、2E-戊烯氧基、3E-戊烯氧基。优选为乙烯氧基、1E-丙烯氧基、3E-丁烯氧基、或者、3E-戊烯氧基。
前述式IV所示的化合物优选为选自下述的式IV-1~IV-18所示的化合物中的至少一种,
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/>
R7、R8的定义与前述相同。
一些实施方式中,正介电各向异性液晶组合物中任选地还可以含有例如作为负介电各向异性液晶化合物的选自下述的式V-1~V-126所示化合物中的至少一种,
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一些实施方式中,任选地,正介电各向异性液晶组合物中任选地还可以含有例如作为负介电各向异性液晶化合物的选自下述的式VI-1~VI-72所示化合物中的至少一种化合物。
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一些实施方式的正介电各向异性液晶组合物中,其包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;以及,
10%~70%的所述式III所示化合物。
一些优选的实施方式的正介电各向异性液晶组合物中,其包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~30%的所述式II所示化合物;以及,
25%~60%的所述式III所示化合物。
另一优选的实施方式中,正介电各向异性液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;以及,
1%~20%的所述式IV所示化合物。
进一步优选地,正介电各向异性液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;以及,
1%~15%的所述式IV所示化合物。
另一优选的实施方式中,正介电各向异性液晶组合物包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;
1%~20%的所述式IV所示化合物;以及,
1%~10%的所述式V所示化合物。
进一步优选地,正介电各向异性液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;
1%~10%的所述式IV所示化合物;以及,
1%~7.5%的所述式V所示化合物。
另一优选的实施方式中,正介电各向异性液晶组合物包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;
1%~20%的所述式IV所示化合物;
1%~10%的所述式V所示化合物以及,
1%~10%的所述式VI所示化合物。
进一步优选地,正介电各向异性液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;
1%~10%的所述式IV所示化合物;
1%~7.5%的所述式V所示化合物;以及,
1%~5%的所述式VI所示化合物。
本发明的正介电各向异性液晶组合物的低粘度、高电阻率、良好的低温互溶性、快的响应速度、优异的透过率特性、良好的抗紫外照射性,可用于多种显示模式的快响应液晶显示中的至少一种性能优异。尤其在TN、IPS、FFS模式显示器中使用前述的正介电各向异性液晶组合物时,能明显改善液晶显示器的显影残留,良好的透过率、抗紫外照射性等性能。
[液晶显示器件]
本发明的第二方面提供一种液晶显示器件,其只要包含上述任一项所述的正介电各向异性液晶组合物就没有特别的限定。本发明的液晶显示器件可以为有源矩阵显示器件,也可以为无源矩阵显示器件。本领域技术人员能够根据所需的性能选择合适的液晶显示组件、液晶显示器的结构。
实施例
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
本发明中,制备方法如无特殊说明则均为常规方法,所用的原料如无特别说明均可从公开的商业途径获得,百分比均是指质量百分比,温度为摄氏度(℃),液晶化合物也为液晶单体。
各实施例中所涉温度单位为℃,其他符号的具体意义及测试条件如下:
Cp表示液晶的清亮点(℃),测试仪器:Mettler-Toledo-FP System显微热分析仪。
Δn表示光学各向异性,Δn=ne-no,其中,no为寻常光的折射率,ne为非寻常光的折射率,测试条件:589nm、25±0.2℃。
Δε表示介电各向异性,Δε=ε,其中,ε为平行于分子轴的介电常数,ε为垂直于分子轴的介电常数,测试条件:25℃、INSTEC:ALCT-IR1、18微米垂直盒;
K11为扭曲弹性常数,K33为展曲弹性常数,测试条件为:25℃、INSTEC:ALCT-IR1、18微米垂直盒;
G1(mPa.s)表示液晶化合物的旋转粘滞系数,测定方法:仪器设备INSTEC:ALCT-IR1、测试盒盒厚18微米垂直盒、温度25℃,简写为“G1”。
液晶组合物的制备方法如下:将各单体按照一定配比称量后放入不锈钢烧杯中,将装有各单体的不锈钢烧杯置于磁力搅拌仪器上加热融化,待不锈钢烧杯中的单体大部份融化后,往不锈钢烧杯中加入磁力转子,将混合物搅拌均匀,冷却到室温后即得液晶组合物。
将所得的液晶组合物填充于液晶显示器两基板间进行性能测试。
本发明申请实施例中所使用的液晶单体的结构用下述代码表示,液晶环结构、端基、连接基团的代码表示方法见下表(一)、表(二)。
表(一):环结构的对应代码
/>
表(二):端基与链接基团的对应代码
举例:
各实施例及对比例中制备了不同组成的正介电各向异性液晶组合物,其中,各例中所使用的具体化合物的单体结构、用量(质量份)、所得的液晶组合物的性能参数测试结果分别如下表所示。
表1:实施例1的液晶组合物的组分配比
化合物通式 结构式 质量份 性能参数 参数值
PGUQU-1V2-F 20.0 Cp(℃) 72.9
PUQU-1V2-F 20.0 Δn 0.1499
II PGU-1V2-F 20.0 Δε 13.9
III CC-3-V 30.0 ε 2.8
III PP-1V2-2V1 5.0 K11(pN) 14.8
III CCP-3-2V1 5.0 G1(mPa.s) 64.9
G1/K11 4.39
ε/Δε 0.20
VHR(%) 99.5
表2:实施例2的液晶组合物的组分配比
化合物通式 液晶结构式 质量份 性能参数 参数值
PGUQU-1V2-F 20.0 Cp(℃) 70.5
PUQU-1V2-F 25.0 Δn 0.1489
II PGU-1V2-F 20.0 Δε 13.8
III CC-3-V 20.0 ε 3.2
III PP-1V2-2V1 5.0 K11(pN) 14.5
III CLP-3-1 5.0 G1(mPa.s) 74.5
IV PYP-3-O2 5.0 G1/K11 5.14
ε/Δε 0.23
VHR(%) 99.3
表3:实施例3的液晶组合物的组分配比
表4:实施例4的液晶组合物的组分配比
化合物通式 液晶结构式 质量份 性能参数 参数值
PGUQU-1V2-F 22.0 Cp(℃) 70.1
PUQU-1V2-F 20.0 Δn 0.1509
II PGU-1V2-F 25.0 Δε 13.9
III CC-3-V 14.0 ε 3.7
III CC-2-3 6.0 K11(pN) 14.6
III CPP-3-2V1 5.0 G1(mPa.s) 77.5
IV PYP-3-O2 2.5 G1/K11 5.30
V COBOIC-2-3 2.5 ε/Δε 0.27
VI B(S)-3O-O2 3.0 VHR(%) 99.0
表5:对比例1的液晶组合物的组分配比
化合物通式 液晶结构式 质量份 性能参数 参数值
PGUQU-3-F 20.0 Cp(℃) 70.0
PUQU-3-F 20.0 Δn 0.1482
PGU-3-F 20.0 Δε 14.1
III CC-3-V 30.0 ε⊥ 2.7
III PP-1V2-2V1 5.0 K11(pN) 12.0
III CCP-3-2V1 5.0 G1(mPa.s) 66.5
G1/K11 5.52
ε/Δε 0.19
VHR(%) 98.0
通过实施例与对比例1的比较可知,与对比例1相比,实施例的液晶组合物具有降低的G1λK11值。由于液晶面板的响应速度正比于G1/K11,因此将实施例的液晶组合物用于液晶显示器中时,能够获得与对比例1相比提高的响应速度。另外,与对比例1相比,实施例的液晶组合物具有较高的ε/Δε值,而透过率T∝ε/Δε,因此,用于液晶显示器中,实施例的液晶组合物能够获得比对比例1更高的透过率。另外,与对比例1相比,实施例的液晶组合物还具有更高的VHR值,因此,与对比例1相比,实施例的液晶组合物能够获得更好的抗紫外照射性。

Claims (13)

1.一种正介电各向异性液晶组合物,其特征在于,其含有正介电各向异性液晶化合物及介电各向异性为中性的化合物,所述正介电各向异性液晶化合物仅由至少一种式I所示化合物和至少一种式II所示化合物组成,
相对于所述正介电各向异性液晶组合物,所述式I所示化合物的含量为1~60重量%,所述式II所示化合物的含量为1~30%;
式1中,R1表示碳原子数为2~5的烯基,q、p各自独立的表示0或1;
式II中,R2表示碳原子数为2~5的烯基。
2.如权利要求1所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,所述式I所示的化合物为选自下述的式I-1~I-30所示的化合物中的至少一种,
3.如权利要求1或2所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,所述式II所示的化合物为选自下述的式II-1~II-10所示的化合物中的至少一种,
4.如权利要求1~3的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,所述介电各向异性为中性的化合物包含一种或多种选自式III-1~III-7所示的化合物,
其中,R11、R12各自独立地表示碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为1~5的烷氧基、碳原子数为2~5的烯基、或者、碳原子数为2~5的烯氧基。
5.如权利要求1~4的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物,其还包含至少一种下述的式IV所示的化合物,
式IV中,R7、R8各自独立地表示碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为1~5的烷氧基、碳原子数为2~5的烯基、或者、碳原子数为2~5的烯氧基;
Z1、Z2各自独立地表示单键、-OCH2-或-CH2O-;
环A、环B各自独立地表示1,4-亚环己基、1,4-亚环己烯基、1,4-亚苯基或氟代1,4-亚苯基;
m表示0、1或2;n表示0或1。
6.如权利要求5所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,所述式IV所示的化合物为选自下述的式IV-1~IV-18所示的化合物中的至少一种,
R7、R8各自独立地表示碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为1~5的烷氧基、碳原子数为2~5的烯基、或者、碳原子数为2~5的烯氧基。
7.如权利要求1~6的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,还包含选自下述的式V-1~V-126所示化合物中的至少一种,
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8.如权利要求1~7的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物,其还包含选自下述的式VI-1~VI-72所示化合物中的至少一种,
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9.如权利要求1~4的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物,其包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;以及,
10%~70%的所述介电各向异性为中性的化合物,
优选地,所述液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~30%的所述式II所示化合物;以及,
25%~60%的所述介电各向异性为中性的化合物。
10.如权利要求5或6所述的正介电各向异性液晶组合物,其包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;以及,
1%~20%的所述式IV所示化合物,
优选地,所述液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;以及,
1%~15%的所述式IV所示化合物。
11.如权利要求7所述的正介电各向异性液晶组合物,其包含以下的质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;
1%~20%的所述式IV所示化合物;以及,
1%~10%的所述式V所示化合物,
优选地,所述液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;
1%~10%的所述式IV所示化合物;以及,
1%~7.5%的所述式V所示化合物。
12.如权利要求8所述的正介电各向异性液晶组合物,其中,所述液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
1%~60%的所述式I所示化合物;
1%~30%的所述式II所示化合物;
10%~60%的所述式III所示化合物;
1%~20%的所述式IV所示化合物;
1%~10%的所述式V所示化合物以及,
1%~10%的所述式VI所示化合物,
优选地,所述液晶组合物包含以下质量百分比的组分:
10%~50%的所述式I所示化合物;
5%~25%的所述式II所示化合物;
20%~50%的所述式III所示化合物;
1%~10%的所述式IV所示化合物;
1%~7.5%的所述式V所示化合物;以及,
1%~5%的所述式VI所示化合物。
13.一种液晶显示器件,其特征在于,所述液晶显示器件包含权利要求1~12的任一项所述的正介电各向异性液晶组合物;所述液晶显示器件为有源矩阵显示器件,或无源矩阵显示器件。
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