CN116799458A - 腔体滤波器、复用器、射频设备和基站天线 - Google Patents

Abstract

本公开涉及通信系统中使用的腔体滤波器，包括：壳体，所述壳体限定出了内部空腔；设置在内部空腔中的第一谐振器，所述第一谐振器具有第一耦合板和与第一耦合板间隔开距离的第二耦合板；设置在内部空腔中的第二谐振器，所述第二谐振器具有第三耦合板和与第三耦合板间隔开距离的第四耦合板；金属耦合片，所述金属耦合片具有被定位在第一耦合板和第二耦合板之间的第一耦合段和被定位在第三耦合板和第四耦合板之间的第二耦合段。本公开还涉及复用器、射频设备、基站天线和一种在腔体滤波器中自调节金属耦合片与谐振器之间的电耦合的方法。

Description

腔体滤波器、复用器、射频设备和基站天线

技术领域

本公开涉及通信系统，更具体地，涉及适于在无线电通信系统中使用的腔体滤波器、复用器、射频设备和基站天线。

背景技术

参见图1，多频带基站可以包括被构造成在多个RF频带中发送和接收无线电通信信号的天线640、用于第一频带的无线电设备610、用于第二频带的无线电设备620、以及复用器630。复用器630可以通过连接通路650(例如，同轴电缆)连接到天线640。在一些情况下，连接通路650可以连接到双工器(未示出)，以便可以在单个连接通路650上承载发射和接收信号。还应该理解，基站通常可以包括各种其他设备，例如电源、备用电池、电源总线、天线接口信号组(AISG)控制器等。

在多频带基站中，复用器630被构造成：在传输发送信号时，作为合路器将第一频带和第二频带的信号合成为一个组合信号；以及在传输接收信号时，作为分路器对接收信号进行分离，以分离出各个频带内的信号。在一种已知的实现中，复用器630可以包括两个带通滤波器，两个带通滤波器分别允许自身通带内的信号通过而对其他频带内的信号具有较大抑制。

因此，每个带通滤波器用于使得一定频率范围内的射频信号通过，而滤除其他频率范围内的射频信号和/或噪声信号。当前在蜂窝通信基站中使用各种滤波器，包括：微带滤波器、交指型滤波器、腔体滤波器(例如同轴腔体滤波器)、波导滤波器、梳状线腔滤波器、螺旋腔滤波器、小型集总参数滤波器、陶瓷介质滤波器、SIR滤波器等。腔体滤波器在蜂窝通信基站中被应用广泛、尤其是在要求高频率选择性水平的应用中。

在腔体滤波器中，可以通过调谐各谐振器的谐振频率以及不同的谐振器对之间的耦合(例如电耦合和/或磁耦合)来调整滤波器的频率特性。然而，滤波器的频率特性易受各种干扰因素的影响而发生不期望的变动。这些干扰因素可以是多样化的、例如制造公差、装配误差和/或温度变化等等。如何设计出一款鲁棒性高、稳定性好的腔体滤波器是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本公开的目的之一是提供适于在通信系统中使用的腔体滤波器、复用器、射频设备和基站天线。

根据本公开的第一方面，提供了一种腔体滤波器，包括：

壳体，所述壳体限定出了内部空腔；

设置在内部空腔中的第一谐振器，所述第一谐振器具有第一耦合板和与第一耦合板间隔开距离的第二耦合板；

设置在内部空腔中的第二谐振器，所述第二谐振器具有第三耦合板和与第三耦合板间隔开距离的第四耦合板；

金属耦合片，所述金属耦合片具有被定位在第一耦合板和第二耦合板之间的第一耦合段和被定位在第三耦合板和第四耦合板之间的第二耦合段。

根据本公开的第二方面，提供了一种腔体滤波器，包括：

壳体，所述壳体限定出了内部空腔；

设置在内部空腔中的第一谐振器；

设置在内部空腔中的第二谐振器；

金属耦合片，所述金属耦合片包括用于与第一谐振器耦合的第一耦合段和用于与第二谐振器耦合的第二耦合段，其中，第一耦合段与第一谐振器形成第一电容和第二电容，第二耦合段与第二谐振器形成第三电容和第四电容。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是无线电通信系统中常规的多频带基站的简化示意图。

图2是包括根据本公开一些实施例的腔体滤波器的射频设备的示例性透视图。

图3是图2所示的射频设备的一个俯视图。

图4是图2所示的射频设备的另一个透视图，其中调谐螺钉被移除。

图5是图2所示的射频设备中的谐振器组件的示例性透视图，所述谐振器组件包括两个谐振器和处于两个谐振器之间的金属耦合片。

图6是图5所示的谐振器组件的一个侧视图。

图7是图5所示的谐振器组件的一个俯视图。

图8是图5所示的谐振器组件的另一个透视图，所述谐振器组件包括两个谐振器、处于两个谐振器之间的金属耦合片以及介质块。

图9是图8所示的谐振器组件的一个侧视图。

图10是图8所示的谐振器组件的一个俯视图。

图11是根据本公开另一些实施例的谐振器组件的示例性透视图。

图12是图11所示的谐振器组件的一个侧视图。

图13是图11所示的谐振器组件的一个俯视图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

以下将参照附图描述本公开，其中的附图示出了本公开的若干实施例。然而应当理解的是，本公开可以以多种不同的方式呈现出来，并不局限于下文描述的实施例；事实上，下文描述的实施例旨在使本公开的公开更为完整，并向本领域技术人员充分说明本公开的保护范围。还应当理解的是，本文公开的实施例能够以各种方式进行组合，从而提供更多额外的实施例。

应当理解的是，本文中的用语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限定本公开的范围。本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)除非另外定义，均具有本领域技术人员通常理解的含义。为简明和/或清楚起见，公知的功能或结构可以不再详细说明。

在本文中，称一个元件位于另一元件“上”、“附接”至另一元件、“连接”至另一元件、“耦合”至另一元件、或“接触”另一元件等时，该元件可以直接位于另一元件上、附接至另一元件、连接至另一元件、联接至另一元件或接触另一元件，或者可以存在中间元件。相对照的是，称一个元件“直接”位于另一元件“上”、“直接附接”至另一元件、“直接连接”至另一元件、“直接耦合”至另一元件或、或“直接接触”另一元件时，将不存在中间元件。在本文中，一个特征布置成与另一特征“相邻”，可以指一个特征具有与相邻特征重叠的部分或者位于相邻特征上方或下方的部分。

在本文中，可能提及了被“耦接”在一起的元件或节点或特征。除非另外明确说明，“耦接”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦接”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。

在本文中，诸如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“高”、“低”等的空间关系用语可以说明一个特征与另一特征在附图中的关系。应当理解的是，空间关系用语除了包含附图所示的方位之外，还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中的装置倒转时，原先描述为在其它特征“下方”的特征，此时可以描述为在其它特征的“上方”。装置还可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位)，此时将相应地解释相对空间关系。

在本文中，用语“A或B”包括“A和B”以及“A或B”，而不是排他地仅包括“A”或者仅包括“B”，除非另有特别说明。

在本文中，用语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

在本文中，用语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。用语“基本上”还允许由寄生效应、噪声以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在本文中使用“第一”、“第二”等类似术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

本公开的一方面提供了一种腔体滤波器，所述腔体滤波器可以用作独立设备，也可以用于形成双工器、双向器、合路器/分路器、和/或复用器/解复用器等。本公开的另一方面还提供了一种射频设备，该射频设备包括根据本公开一些实施例的腔体滤波器。本公开的一些实施例基于这种射频设备来描述。

参照图2至4，将描述根据本公开实施例的射频设备10。图2是包括根据本公开一些实施例的腔体滤波器12的射频设备10的示例性透视图，其中，移除了滤波器盖，但示出了安装在下滤波器盖中的调谐元件。图3是图2所示的射频设备10的一个俯视图。图4是图2所示的射频设备10的另一个透视图，其中调谐螺钉被移除。

首先参考图2，根据本公开一些实施例的射频设备10可以包括壳体50，该壳体50可以包括一个或多个顶盖(未示出)、底壁以及侧壁51，从而限定了内部空腔。壳体50还可以包括从侧壁51延伸至内部空腔并且从底壁向上延伸的隔墙52，内部空腔可以被隔墙52分隔成了多个腔体，这些腔体被隔墙52至少部分地隔离开。各腔体用于形成相应的腔体滤波器12、例如带通滤波器或带阻滤波器。

参考图3，射频设备10可以包括形成在侧壁51上的多个信号输入输出端口61、62、63。第一端口61可以延伸穿过第一侧壁51-1，第二端口62可以延伸穿过与第一侧壁51-1相对的第二侧壁51-2。第一端口61可以通过第一腔体滤波器12-1耦接到第二端口62。第三端口63可以延伸穿过第一侧壁51-1，并且第三端口63可以通过第二腔体滤波器12-2耦接到第二端口62。第一腔体滤波器12-1和第二腔体滤波器12-2共用第二端口62，从而使得当信号在第二端口62处输入时，信号的位于第一腔体滤波器12-1的通带内的第一信号分量经第一端口61输出，位于第二腔体滤波器12-2的通带内的第二信号分量可以经第三端口63输出。当信号在第一端口61和第三端口63处输入时，经第二端口62输出包括位于第一腔体滤波器12-1的通带中的第一信号和位于第二腔体滤波器12-2的通带中的第二信号的组合信号。

如图2和3所示，端口61、62、63的延伸到壳体50外的部分的外侧设置有连接器(例如，螺纹连接器、法兰等)，用于连接到其他设备。例如，连接器可以被实施为与同轴电缆匹配的同轴连接器。

根据以上描述可知，第一腔体滤波器12-1和第二腔体滤波器12-2及其相应的端口61、62、63形成了第一三端口设备(例如，可以被应用为合路器/分路器、双路复用器/解复用器、双工器)，第三腔体滤波器12-3和第四腔体滤波器12-4及其相应的端口形成了第二三端口设备。当壳体50的顶盖被安装到位之后，由于中间的隔墙52-1连续地接触下顶盖，使得第一和第二三端口设备互相被基本上完全隔离，因此第一和第二三端口设备中的每个均可以独立地操作。虽然在附图所示的实施例中，第一和第二三端口设备的结构几乎完全相同，但应理解，独立操作的两个三端口设备可以具有不同的结构和特性。此外，第一和第二三端口设备中的信号的传输方向也可以不同。

虽然以上参考图2至4描述了包括两个三端口设备(其中每个三端口设备可以包括两个滤波器、例如两个带通滤波器、一个带通滤波器和一个带阻滤波器或者两个带阻滤波器)的射频设备10，应当理解，根据本公开其他实施例的射频设备10可以仅包括一个三端口设备，或者包括多于两个的三端口设备。此外，虽然图2至4中示出的射频设备10中的每个三端口设备的输入端口和输出端口是被设置在相对的侧壁51上的，应当理解，每个三端口设备的输入端口和输出端口可以被分别设置在相邻的侧壁51上、或者被共同地设置在相同的侧壁51上。

此外，虽然以上参考图2至4描述了包括三端口设备的双频射频设备10、例如双频合路器。应理解的是，在一些实施例中，射频设备10还可以扩展到多频射频设备、例如三频合路器、四频合路器，其中，在三频合路器中包括三个腔体滤波器组成一个四端口设备。

下面继续结合图2至4描述射频设备10所包括的腔体滤波器12。在图2至4所示的实施例中，第一腔体滤波器12-1和第二腔体滤波器12-2可以分别构成为一种带通滤波器。第一带通滤波器12-1的通带或者说工作频带例如可以是617-698MHz，而第二带通滤波器12-2可以被构造成超宽带-带通滤波器，其通带或者说工作频带例如可以是703-960MHz。应理解的是，射频设备10所包括的腔体滤波器12还可以包括任意其他类型的滤波器。在此不作具体限制。

如图2和3所示，每个带通滤波器12可以包括多个谐振器81和分配给相应的谐振器81的频率调谐元件82(例如频率调谐螺钉)。谐振器可以形成在壳体50的底壁上并向上延伸。谐振器81可以是一体形成在壳体50的底壁上的，和/或，也可以是安装到壳体50的底壁上的。每个谐振器81的内部可以包括腔体并且每个谐振器具有向上的开口83。每个频率调谐元件82可以被构造成能以可变深度伸入到相应的谐振器81形成的腔体中，以分别调谐各谐振器81的谐振频率。此外，每个带通滤波器12还可以包括各种类型的耦合调谐元件。在一些实施例中，耦合调谐元件可以是耦合调谐螺钉84，耦合调谐螺钉可以布置在谐振器对之间，以调谐谐振器之间的耦合。在一些实施例中，耦合调谐元件可以是耦合金属杆85，它们可以跨接在两个谐振器之间，以调谐谐振器之间的耦合。可以通过调谐各谐振器的谐振频率以及每个谐振器对之间的耦合(例如电耦合和/或磁耦合)来调整滤波器的频率特性。应理解的是，带通滤波器中的谐振器的个数取决于带通滤波器的通带的宽度和/或从通带转移到阻带的过渡频带的宽度。因此，带通滤波器可以包括更少或更多的谐振器。相应地，带通滤波器也可以包括更少或更多的调谐元件。

在一些已知的实现方案中，带通滤波器的两个谐振器之间可以分别安装有一个耦合杆，耦合杆的一端与第一谐振器的唯一的耦合盘耦合，并且耦合杆的另一端与第二谐振器的唯一的耦合盘耦合。然而，这种耦合方式还存在一些缺陷：

第一、耦合杆与谐振器之间的耦合强度受限。

第二、为了实现第一谐振器与第二谐振器之间的较大的耦合强度——例如当带通滤波器通带宽度较大并且过渡频带较小时就需要一部分谐振器之间的高耦合强度——耦合杆与谐振器的耦合盘之间的间距必须被设定成较小、例如约1mm，而较小的间距加大了制造和/或装配难度并且使得频率调谐精度变差。

第三、环境温度的变化也会影响谐振器与耦合杆之间的耦合强度、例如谐振器和/或耦合杆可能会发生热胀冷缩而引起尺寸变动。

为了避免上述一个或多个缺陷，本公开提出了一种新的耦合方案。接下去，参照图5至7，详细介绍根据本公开一些实施例的谐振器组件80。图5是谐振器组件80的示例性透视图。图6是图5所示的谐振器组件80的一个侧视图。图7是图5所示的谐振器组件80的一个俯视图。

首先，应理解的是，根据本公开一些实施例的谐振器组件80可以被设置在各种类型的滤波器内。在一些实施例中，谐振器组件80可以被设置在带通滤波器中。在一些实施例中，谐振器组件80可以被设置在带阻滤波器中。

在图2至4所示的实施例中，谐振器组件80仅涉及一部分滤波器内的一部分谐振器。由于第二带通滤波器12-2的带宽大且过渡带小，基于这些指标要求第二带通滤波器12-2内的一些谐振器之间的耦合强度大且调谐精度高。因此，如图2所示，根据本公开一些实施例的谐振器组件80仅被设置在第二带通滤波器12-2中，并且仅涉及第二带通滤波器12-2中的一部分谐振器81。

参照图5和6所示，谐振器组件80可以包括第一谐振器81-1、第二谐振器81-2和处于两个谐振器之间的金属耦合片90。每个谐振器81-1、81-2可以被设计为同轴谐振器，并且谐振器的纵向轴线基本上垂直于壳体50的底壁。金属耦合片90可以构成为扁平状的并且其所在的平面基本上平行于壳体50的底壁。

谐振器组件80中的每个谐振器81-1、81-2可以包括：从壳体50的底壁朝前延伸的主体部86以及从相应的主体部86向外突出的、彼此间隔开距离的两个耦合板87或者说耦合凸缘。各耦合板87可以分别被构造成基本上平行于壳体50的底壁。第一耦合板87-1可以形成在第一谐振器81-1的主体部86的顶部的外周缘处(主体部86的顶部具有供频率调谐元件伸入的开口)，而第二耦合板87-2可以形成在第一耦合板87-1的后方一定距离处、例如第二耦合板87-2与第一耦合板87-1之间的间距可以被设定在几个毫米范围之间。第三耦合板87-3可以形成在第二谐振器81-2的主体部86的顶部的外周缘处(主体部86的顶部具有供频率调谐元件伸入的开口)，而第四耦合板87-4可以形成在第三耦合板87-3的后方一定距离处、例如第四耦合板87-4与第三耦合板87-3之间的间距可以被设定在几个毫米范围之间。

为了在第一谐振器81-1与第二谐振器81-2之间建立期望的电耦合，所述金属耦合片90可以具有被定位在第一耦合板87-1和第二耦合板87-2之间的第一耦合段92和被定位在第三耦合板87-3和第四耦合板87-4之间的第二耦合段94。金属耦合片90被构造成不与第一谐振器81-1和第二谐振器81-2直接接触，而是通过电容耦合与第一谐振器81-1和第二谐振器81-2建立电耦合。具体地，在金属耦合片90的第一耦合段92与第一谐振器81-1的第一耦合板87-1之间形成了第一耦合电容，在金属耦合片90的第一耦合段92与第一谐振器81-1的第二耦合板87-2之间形成了第二耦合电容。在金属耦合片90的第二耦合段94与第二谐振器81-2的第三耦合板87-3之间形成了第三耦合电容，在金属耦合片90的第二耦合段94与第二谐振器81-2的第四耦合板87-4之间形成了第四耦合电容。

基于平板电容器的原理，平板电容器的电容与极板的重叠面积成正比，与极板间的距离成反比。因此，第一耦合电容与第一耦合段92和第一耦合板87-1的正对面积成正比并且与第一耦合段92和第一耦合板87-1间的距离成反比。第二耦合电容与第一耦合段92和第二耦合板87-2的正对面积成正比并且与第一耦合段92和第二耦合板87-2间的距离成反比。第三耦合电容与第二耦合段94和第三耦合板87-3的正对面积成正比并且与第二耦合段94和第三耦合板87-3间的距离成反比。第四耦合电容与第二耦合段94和第四耦合板87-4的正对面积成正比并且与第二耦合段94和第四耦合板87-4间的距离成反比。

由于金属耦合片90的第一耦合段92处于第一耦合板87-1和第二耦合板87-2之间、例如中间，并且金属耦合片90的第二耦合段94处于第三耦合板87-3和第四耦合板87-4之间、例如中间，第一电容和第二电容可以被构造成能实现彼此补偿，并且第三电容和第四电容可以被构造成能实现彼此补偿。

作为示例，当第一耦合段92由于制造误差、装配误差和/或温度影响而不期望地向上偏移时，第一耦合段92和第一耦合板87-1间的距离变小从而导致第一电容变大，同时第一耦合段92和第二耦合板87-2间的距离变大从而导致第二电容变小。由此，在金属耦合片90与第一谐振器81-1之间的电耦合可以实现自调节效应，有效地改善了腔体滤波器12的鲁棒性和稳定性。

作为示例，当第二耦合段94由于制造误差、装配误差和/或温度影响而不期望地向下偏移时，第二耦合段94和第三耦合板87-3间的距离变大从而导致第一电容变小，同时第二耦合段94和第四耦合板87-4间的距离变小从而导致第二电容变大。由此，在金属耦合片90与第二谐振器81-2之间的电耦合可以实现自调节效应，有效地改善了腔体滤波器12的鲁棒性和稳定性。

此外，扁平状的金属耦合片90也有利于扩大各耦合板87与相应的耦合段的重叠面积，从而提高金属耦合片90与相应的耦合板87之间的正对面积，从而提高耦合电容。在一些实施例中，为了达到与仅带有唯一的耦合盘的传统设计形式基本相同的耦合电容，可使得两个耦合板87间的间距增大、例如耦合板87间的间距可以增大至少20％、30％、50％甚至60％或100％，从而降低了腔体滤波器的尺寸敏感度，有效地改善了腔体滤波器的鲁棒性和稳定性。如图5和7所示，第一耦合段92被构造成至少部分地环绕第一谐振器81-1的主体部86，并且第二耦合段94被构造成至少部分地环绕第二谐振器81-2的主体部86。金属耦合片90的相应的耦合段可以基本上平行于壳体50的底壁地环绕相应的谐振器的主体部86一定角度。

在图示实施例中，相应的耦合段可以被构造成一个部分的耦合环。也就是说，相应的耦合段可以被构造成环绕相应的谐振器的主体部超过60度、90度、120度、180度甚至270度。

在其他实施例中，相应的耦合段可以被构造成一个完整的耦合环，也就是说，相应的耦合段可以被构造成环绕相应的谐振器的主体部一圈。

继续参照图5和7，谐振器的相应的耦合板87可以基本上平行于壳体50的底壁地环绕谐振器的主体部86一定角度。也就是说，各耦合板87可以分别被构造成至少部分环形的耦合盘。

在图示实施例中，相应的耦合板87可以被构造成一个完整的耦合盘，也就是说，相应的耦合板87可以被构造成环绕谐振器的主体部86一圈。

在其他实施例中，如图11至13所示，示出了根据本公开另一些实施例的谐振器组件80的示例性透视图、侧视图和俯视图。参照图11至13，相应的耦合板87可以被构造成一个部分环形的耦合盘，即扇形耦合盘，也就是说，相应的耦合板87可以被构造成环绕谐振器的超过60度、90度、120度、180度甚至270度。

应理解的是，金属耦合片90和/或耦合板87的其他形状也是可能的。例如椭圆环形、三角形、矩形、或其他多边形等。

附加地或备选地，在本公开的一些实施例中，还提供了用于主动调谐第一谐振器81-1与第二谐振器81-2之间的电耦合的手段。如图5和7所示，金属耦合片90可以包括连接在第一耦合段92和第二耦合段94之间的连接段93，在其上可以设有用于调谐元件、例如调谐螺钉的通孔96，以实现对第一谐振器81-1与第二谐振器81-2之间的电耦合的主动调谐。

接下去，参照图8至10并且结合图2和4进一步详细介绍金属耦合片90的安装方式。为了安装金属耦合片90，谐振器组件80可以包括介质块、例如特氟龙介质块，所述金属耦合片90被支撑在所述介质块97上。在图示实施例中，谐振器组件80可以包括第一介质块97-1和第二介质块97-2，所述金属耦合片90被支撑在第一介质块和第二介质块之间。在壳体50的底壁上安装有从壳体50的底壁朝前延伸的介质支撑件99(参见图2和3)，以用于支撑相应的介质块。介质支撑件99可以借助于形状配合、螺纹连接、粘接等任意可行的紧固方式紧固介质块。在一些情况下，介质支撑件99也可以由隔墙52代替。此外，如图8所示，相应的介质块可以具有用于调谐元件的通道98，介质块的通道可以与连接段93的通孔彼此对齐，从而允许调谐元件通过通道到延伸靠近或穿过金属耦合片90的连接段93上的通孔96。

在以上实施例中，根据本公开实施例的带通滤波器中的谐振器均具有圆形(或环形)的横截面。应当理解，本公开并不限制谐振器的形状，其可以根据实际需要进行设计。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.腔体滤波器，包括：

壳体，所述壳体限定出了内部空腔；

设置在内部空腔中的第一谐振器，所述第一谐振器具有第一耦合板和与第一耦合板间隔开距离的第二耦合板；

设置在内部空腔中的第二谐振器，所述第二谐振器具有第三耦合板和与第三耦合板间隔开距离的第四耦合板；

金属耦合片，所述金属耦合片具有被定位在第一耦合板和第二耦合板之间的第一耦合段和被定位在第三耦合板和第四耦合板之间的第二耦合段。

2.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述金属耦合片包括连接在第一耦合段和第二耦合段之间的连接段。

3.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，第一谐振器和第二谐振器分别具有从壳体的底壁朝向壳体的顶盖延伸的主体部，各耦合板分别构成为从相应的主体部向外突出的凸缘。

4.根据权利要求3所述的腔体滤波器，其特征在于，第一谐振器和第二谐振器的主体部的顶部分别具有向上的开口。

5.根据权利要求3所述的腔体滤波器，其特征在于，第一谐振器和第二谐振器的主体部的上周缘处形成有相应的耦合板，各耦合板具有与金属耦合片的相应的耦合段相对的表面，使得各耦合板与相应的耦合段在与壳体的底壁平行的平面投影中至少部分重叠。

6.根据权利要求1至5之一所述的腔体滤波器，其特征在于，各耦合板分别被构造成基本上平行于壳体的底壁；和/或

各耦合板分别被构造成至少部分环形的耦合盘；和/或

各耦合板分别被构造成扇形耦合盘；和/或

第一耦合段被定位在第一耦合板和第二耦合板的中间，并且第二耦合段被定位在第三耦合板和第四耦合板的中间；和/或

金属耦合片被构造成基本上平行于壳体的底壁；和/或

第一耦合段被构造成至少部分地环绕第一谐振器的主体部，并且第二耦合段被构造成至少部分地环绕第二谐振器的主体部；和/或

第一耦合段被构造成环绕第一谐振器的主体部超过60度，并且第二耦合段被构造成环绕第二谐振器的主体部超过60度；和/或

第一耦合段和第二耦合段分别被构造成至少部分环状的；和/或

金属耦合片被构造成不与第一谐振器和第二谐振器直接接触；和/或

金属耦合片被构造成扁平状的；和/或

在金属耦合片的连接段上设有用于调谐元件的通孔；和/或

所述腔体滤波器包括介质块，所述金属耦合片被支撑在介质块上；和/或

所述腔体滤波器包括第一介质块和第二介质块，所述金属耦合片被支撑在第一介质块和第二介质块之间；和/或

所述金属耦合片的连接段被直接支撑在介质块上；和/或

各介质块中的第一介质块具有用于调谐元件的通道，所述通道与连接段的通孔彼此对齐，以允许调谐元件通过；和/或

各介质块中的第一介质块被紧固在介质支撑件上，所述介质支撑件被安装在壳体的底壁上；和/或

介质块由特氟龙制成；和/或

所述谐振器为同轴谐振器，并且所述同轴谐振器的纵向轴线基本上垂直于壳体的底壁；和/或

所述腔体滤波器被构成为带通滤波器；和/或

所述腔体滤波器还包括从壳体的底壁向上延伸的至少一个隔墙，所述隔墙被构造成用于将内部空腔分隔成多个彼此至少部分隔离的腔体；和/或

所述介质块被支撑在隔墙上。

7.腔体滤波器，包括：

壳体，所述壳体限定出了内部空腔；

设置在内部空腔中的第一谐振器；

设置在内部空腔中的第二谐振器；

金属耦合片，所述金属耦合片包括用于与第一谐振器耦合的第一耦合段和用于与第二谐振器耦合的第二耦合段，其中，第一耦合段与第一谐振器形成第一电容和第二电容，第二耦合段与第二谐振器形成第三电容和第四电容；和/或

第一电容和第二电容基本上相同，第三电容和第四电容基本上相同；和/或

第一电容和第二电容被构造成能实现彼此补偿，并且第三电容和第四电容被构造成能实现彼此补偿；和/或

由于第一谐振器与金属耦合片之间的间距偏移，第一电容增加而第二电容减小，并且由于第二谐振器与金属耦合片之间的间距偏移，第三电容增加而第四电容减小；和/或

相应的间距偏移由制造公差和/或温度变化引起；和/或

所述第一谐振器具有第一耦合板和与第一耦合板间隔开距离的第二耦合板，并且所述第二谐振器具有第三耦合板和与第三耦合板间隔开距离的第四耦合板；和/或

所述金属耦合片的第一耦合段被定位在第一耦合板和第二耦合板之间，并且所述金属耦合片的第二耦合段被定位在第三耦合板和第四耦合板之间；和/或

第一耦合段被定位在第一耦合板和第二耦合板的中间，并且第二耦合段被定位在第三耦合板和第四耦合板的中间；和/或

所述金属耦合片包括连接在第一耦合段和第二耦合段之间的连接段；和/或

在金属耦合片的连接段上设有用于调谐元件的通孔；和/或

所述腔体滤波器包括介质块，所述金属耦合片被支撑在介质块上；和/或

所述介质块具有用于调谐元件的通道，介质块的通道与连接段的通孔彼此对齐，以允许调谐元件通过。

8.复用器，包括：

第一带通滤波器，其被构造成通过第一频带内的信号并至少抑制第二频带内的信号，其中，所述第二频带不同于所述第一频带；

第二带通滤波器，其被构造成如权利要求1至7中任一项所述的腔体滤波器，其被构造成至少抑制第一频带内的信号并且至少通过第二频带内的信号；

信号输入；

第一输出，所述第一输出经由所述第一带通滤波器耦接到所述信号输入；以及

第二输出，所述第二输出经由所述第二带通滤波器耦接到所述信号输入；和/或

第一频带包括频带范围610-698MHz中的至少一部分，并且第二频带包括频带范围700-960MHz中的至少一部分；和/或

复用器，包括：

带通滤波器，其被构造成如权利要求1至7中任一项所述的腔体滤波器，其被构造成至少通过第一频带内的信号；

带阻滤波器，其被构造成至少抑制所述第一频带内的信号并且至少通过第二频带内的信号和/或第三频带内的信号，其中，所述第二频带低于所述第一频带，所述第一频带低于所述第三频带；

信号输入；

第一输出，所述第一输出经由所述带通滤波器耦接到所述信号输入；以及

第二输出，所述第二输出经由所述带阻滤波器耦接到所述信号输入。

9.射频设备，所述射频设备包括根据权利要求1至7中任一项所述的腔体滤波器；和/或

基站天线，所述射频设备包括根据权利要求9所述的射频设备。

10.一种在腔体滤波器中自调节金属耦合片与谐振器之间的电耦合的方法，所述方法包括：

在金属耦合片的耦合段与谐振器的第一耦合板之间形成第一电容；

在金属耦合片的耦合段与谐振器的第二耦合板之间形成第二电容；

在谐振器与金属耦合片之间发生间距偏移时，第一电容增加而第二电容减小，从而自调节金属耦合片与谐振器之间的电耦合；和/或

所述间距偏移由制造公差和/或温度变化引起；和/或

所述腔体滤波器被构造成如权利要求1至7中任一项所述的腔体滤波器。