CN116799452A - 可调移相器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种可调移相器及电子设备，该可调移相器包括位于第一基板和第二基板之间的介质层；设置于所述第一基板上的第一电极；设置于所述第二基板上的第二电极；其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。所述第一电极与所述介质层和至少一个贴片电极形成至少一个可变电容，这种结构便于施加电压，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小；可以通过改变第一电极和/或贴片电极的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内液晶的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域，具体涉及一种可调移相器及电子设备。
背景技术
移相器是一种能够对波的相位进行调节的装置，其在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信以及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前常用的移相器主要有变容二极管移相器、铁氧体移相器、PIN二极管移相器、MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微电子机械系统)移相器、可调移相器等。
其中，对于可调移相器而言，介质层的介电常数可以通过加电压控制，因此随着外加偏置电压的不同，上述介电常数可以连续变化，进而可以实现连续的移相调节。
但是现有的共面波导(Coplanar waveguide，CPW)结构的移相器获得的相移量有限，导致移相器的应用有一定的局限性。
发明内容
针对上述问题，本申请提供了一种可调移相器及电子设备，能够解决现有技术中可调移相器的相移量有限的技术问题。
第一方面，本申请提供一种可调移相器，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；
设置于所述第一基板上的第一电极；
设置于所述第二基板上的第二电极；
其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第二电极还包括间隔设置在所述第二基板上的第一子电极和第二子电极；
其中，所述至少一个贴片电极在所述第二基板上的正投影落入所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影之间。
在一些实施例中，上述可调移相器中，每个所述贴片电极分别通过对应的连接部与所述第一子电极和所述第二子电极连接。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第一电极在所述第二基板上的正投影不覆盖所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第二电极为接地电极。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述介质层包括液晶层。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述至少一个贴片电极包括至少一个第一贴片电极以及分别设置于所述至少一个第一贴片电极两侧的至少一个第二贴片电极和至少一个第三贴片电极；
其中，所述至少一个第二贴片电极中，各个所述第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第二贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小；
所述至少一个第三贴片电极中，各个所述第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第三贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述至少一个第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，以及所述至少一个第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，对称设置于所述至少一个第一贴片电极在所述第二基板上的正投影的两侧。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的形状为方形、圆形或椭圆形。
在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第一电极设置于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧上；
所述第二电极设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧上。
在一些实施例中，上述可调移相器中，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述第一电极的厚度与所述第一子电极和所述第二子电极的厚度相同。
在一些实施例中，上述可调移相器中，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述连接部的厚度与所述贴片电极、所述第一子电极或所述第二子电极的厚度相同。
第二方面，本申请提供一种电子设备，包括如第一方面中任一项所述的可调移相器。
采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：
本申请提供了一种可调移相器及电子设备，该可调移相器包括相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；设置于所述第一基板上的第一电极；设置于所述第二基板上的第二电极；其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。所述第一电极与所述介质层和至少一个贴片电极形成至少一个可变电容，这种结构便于施加电压，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小；可以通过改变第一电极和/或贴片电极的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内介质层的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器的正面俯视示意图；
图2a是图1中可调移相器沿A-A’的剖面结构示意图；
图2b是图1中可调移相器沿B-B’的剖面结构示意图；
图3是图1中可调移相器的第二电极的正面俯视示意图；
图4是本申请一示例性实施例示出的另一种第二电极的剖面结构示意图；
图5是本申请一示例性实施例示出的另一种第二电极的剖面结构示意图；
图6是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)的反射系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图7是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)的传输系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图8是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图9是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为2μm，第二电极中贴片电极的厚度为2.5μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图10是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为2μm，第二电极中贴片电极的厚度为3μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图11是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为3μm，第二电极中贴片电极的厚度为2μm)的反射系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图12是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为3μm，第二电极中贴片电极的厚度为2μm)的传输系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
图13是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为3μm，第二电极中贴片电极的厚度为2μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制；
附图标记为：
10-第一基板；11-第一电极；20-第二基板；21-第二电极；211-贴片电极；211a-第一贴片电极；211b-第二贴片电极；211c-第三贴片电极；212-第一子电极；213-第二子电极；214-连接部；30-介质层；31-可调介质层；32-非可调介质层。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本申请的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。
一种共面波导(Coplanar waveguide，CPW)结构的移相器，其信号电极(中心导带)和接地电极都在同一层，使用时需要额外的附加电极，也不宜施加电压。且通常中心导带和接地电极都是同样的厚度，相移量较为受限，导致移相器的应用有一定的局限性。
因此，本申请提供一种可调移相器，如图1、图2a和图2b所示，包括：相对设置的第一基板10和第二基板20，位于第一基板10和第二基板20之间的介电常数可调的介质层30，以及设置于第一基板10上的第一电极11和设置于第二基板20上的第二电极21。
其中，第二电极21包括间隔设置在第二基板20上的至少一个贴片电极211，第一电极11在第二基板20上的正投影至少覆盖部分介质层30和部分贴片电极211在第二基板20上的正投影。
需要说明的是，为了在图1中清楚示出第一电极11和第二电极21(尤其是贴片电极211)的位置，所以在图1中未示出第一基板10、第二基板20和介质层30，但是结合图2a和图2b，是可以理解到第一基板10、第二基板20和介质层30的位置。
第一电极11与贴片电极211之间形成的电场能够改变介质层30的介电常数。上述结构中，第一电极11与介质层30和至少一个贴片电极211形成至少一个可变电容(介质层30为电容介质)，这种结构便于施加电压，在第一电极11与贴片电极211之间的电场的作用下，可变电容内的介质层30的介电常数会发生变化，从而引起上述可变电容的电容值的变化，可以改变电磁波信号的相位，从而实现电磁波信号的移相功能，实现电磁波的传输。其中，上述可调移相器的相移量与可变电容的电容值的相对变化量正相关。电磁波的传播方向为可变电容的延伸方向或排列方向。
且上述结构中，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小。
除此之外，平板电容计算公式为：
C＝εr*ε0*S/d；
其中，C为上述可变电容的电容值，εr为第一电极11与贴片电极211之间的介质层30的有效介电常数，ε0为真空介电常数，S为第一电极11与贴片电极211在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积(电容电极板的正对面积)，d为第一电极11与贴片电极211之间的垂直距离。
结合上述公式可知，本申请中的移相器结构还可以通过增加第一电极11和/或贴片电极211的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内介质层30的的介电常数发生改变时，使得可变电容的电容值变化量进一步增大，使得移相器获得更大的相移量，进一步提升移相器的传输效率。
在一些实施例中，第一电极11在第二基板20上的正投影与各个贴片电极211在第二基板20上的正投影均至少部分交叠，以形成分别与各个贴片电极211对应的可变电容。
在一些实施例中，第二电极21为接地电极，连接接地信号GND。
在一些实施例中，介质层30包括液晶层，在第一电极11与贴片电极211之间的电场的作用下，可变电容内的液晶分子发生偏转，使得其介电常数发生变化。
需要说明的是，介质层30不限于液晶层，采用介电常数可在电场的作用下发生变化的其它介质层材料均是可行的。
在一些实施例中，如图3所示，第二电极21还包括间隔设置在第二基板20上的第一子电极212和第二子电极213。其中，上述至少一个贴片电极211在第二基板20上的正投影落入第一子电极212和第二子电极213在第二基板20上的正投影之间。
对应的，每个贴片电极211分别通过对应的连接部214与第一子电极212和第二子电极213连接。使得贴片电极211与第一子电极212和第二子电极213连接同一信号。第一电极11和第二电极21中各个贴片电极211之间形成的各个可变电容之间相互并联。
在一些实施例中，贴片电极211为周期性排列。
在一些实施例中，可以根据待传输的电磁波的频率，确定贴片电极211的数量。
除此之外，第一电极11在第二基板20上的正投影不覆盖第一子电极212和第二子电极213在第二基板20上的正投影。尽量使得在第一电极11与第二电极21中的贴片电极211位置处形成可变电容，可以实现对电磁波信号的定向传输，减少不必要的传输损耗。
在一些实施例中，如图2a和图2b所示，介质层30可以为整面设置，包括位于第一电极11与贴片电极211交叠区域的可调介质层31(即可变电容的电容介质层)，以及位于第一电极11与贴片电极211的非交叠区域的非可调介质层32。其中，位于第一电极11与贴片电极211交叠区域的可调介质层31，在第一电极11与贴片电极211之间的电场的作用下，其介电常数会发生变化，从而引起上述可变电容的电容值的变化。
在一些实施例中，如图4所示，上述至少一个贴片电极211包括至少一个第一贴片电极211a以及分别设置于上述至少一个第一贴片电极211a两侧的至少一个第二贴片电极211b和至少一个第三贴片电极211c；
其中，上述至少一个第二贴片电极211b中，各个第二贴片电极211b与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积沿上述至少一个第二贴片电极211b在第二基板20上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。即各个第二贴片电极211b与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积沿上述至少一个第二贴片电极211b的排列方向逐渐增大或逐渐减小。
上述至少一个第三贴片电极211c中，各个第三贴片电极211c与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积沿靠上述至少一个第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。即各个第三贴片电极211c与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积沿上述至少一个第三贴片电极211c的排列方向逐渐增大或逐渐减小。
由于贴片电极211与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的面积与形成的可变电容的电容值正相关，所以，当上述至少一个贴片电极211连接同一信号时，可以使得上述至少一个第二贴片电极211b与第一电极11之间形成的可变电容的电容值按照一定规律增大或减小，可以使得电磁波信号传输得更加平稳，尽可能地降低传输损耗。第三贴片电极211c所在一侧同理，此处不再赘述。
在一些实施例中，贴片电极211的尺寸小于第一电极11的尺寸，贴片电极211在第二基板20上的正投影可以完全被第一电极11在第二基板20上的正投影覆盖，所以各个贴片电极211与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域即为贴片电极211在第二基板20上的正投影，对应的交叠区域的面积即为贴片电极211在第二基板20上的正投影面积。
所以，上述结构也可以理解为，如图4所示，上述至少一个第二贴片电极211b中，各个第二贴片电极211b在第二基板20上的正投影面积沿上述至少一个第二贴片电极211b在第二基板20上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。以及，上述至少一个第三贴片电极211c中，各个第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影的面积沿上述至少一个第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。
进一步的，上述至少一个第二贴片电极211b与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域，以及上述至少一个第三贴片电极211c与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域，对称设置于上述至少一个第一贴片电极211a在第二基板20上的正投影的两侧。其中提及的“对称设置”可以为轴对称，也可以为中心对称，或者其它对称方式都是可行的。也可以理解为，上述至少一个第一贴片电极211a两侧，与上述至少一个第一贴片电极211a距离相同的第二贴片电极211b和第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影，分别与第一电极11在第二基板20上的正投影形成的交叠区域的尺寸和形状是相同的。
使得，第二贴片电极211b一侧的可变电容的变化规律与第三贴片电极211c一侧的可变电容的变化规律相同，进一步使得电磁波信号传输的更加平稳，进一步降低传输损耗。
在一些实施例中，当贴片电极211在第二基板20上的正投影完全被第一电极11在第二基板20上的正投影覆盖时，上述结构也可以理解为，上述至少一个第二贴片电极211b在第二基板20上的正投影，以及上述至少一个第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影，对称设置于上述至少一个第一贴片电极211a在第二基板20上的正投影的两侧。也可以理解为，上述至少一个第一贴片电极211a两侧，与上述至少一个第一贴片电极211a距离相同的第二贴片电极211b和第三贴片电极211c在第二基板20上的正投影的尺寸和形状是相同的。
在一些实施例中，贴片电极211与第一电极11在第二基板20上的正投影的交叠区域的形状为方形、圆形或椭圆形。
在一些实施例中，当贴片电极211在第二基板20上的正投影完全被第一电极11在第二基板20上的正投影覆盖时，上述结构也可以理解为，贴片电极211在第二基板20上的正投影的形状为方形、圆形或椭圆形，其中，方形的结构如图3所示，椭圆形的结构如图5所示。
在一些实施例中，如图2a和图2b所示，第一电极11设置于第一基板10靠近第二基板20的一侧上，第二电极21设置于第二基板20靠近第一基板10的一侧上，这种结构可以进一步使得第一电极11与第二电极21之间的电场作用在介质层30上，更能有效地使得介质层30介电常数发生改变，引起可变电容的电容值的变化。进一步实现了，在第一基板10与第二基板20的距离不变时，可以通过改变第一电极11和/或贴片电极211的厚度，来直接提升可变电容的电容值，当可变电容内介质层30的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。
在一些实施例中，沿垂直于第二基板20靠近第一基板10的表面的方向上，第一电极11的厚度与第一子电极212和第二子电极213的厚度相同。
可以理解为，第一电极11与第二电极21中的第一子电极212和第二子电极213的厚度是一致的，可以采用相同的工艺或导体材料制备而成。
对应的，第二电极21中，贴片电极211与第一子电极212和第二子电极213的厚度可以一致，也可以不一致。贴片电极211与第一子电极212和第二子电极213可以采用不同的工艺制备而成，使得贴片电极211可以具有不同于第一子电极212和第二子电极213的厚度，实现通过对贴片电极211厚度的调整来增大可变电容的电容值，使得移相器获得更大的相移量。
在一些实施例中，沿垂直于第二基板20靠近第一基板10的表面的方向上，连接部214的厚度与贴片电极211、第一子电极212或第二子电极213的厚度相同。可以理解为，可以采用与贴片电极211的相同的工艺，与贴片电极211同步制备得到连接部214，也可以采用与第一子电极212和第二子电极213的相同的工艺，与第一子电极212和第二子电极213同步制备得到连接部214。
在一些实施例中，第一基板10和第二基板20的材料包括聚四氟乙烯玻璃纤维压板、酚醛纸层压板、酚醛玻璃布层压板等常用PCB绝缘板材，也可以包括石英、玻璃等具有较低电磁波损耗的硬性材质，厚度100μm至10mm。
第一电极11和第二电极21的材料包括铜、金、银等低电阻、低损耗金属，可以采用磁控溅射、热蒸发、电镀等方法制备而成。
在一些实施例中，当可调移相器的第一电极11和第二电极21的厚度均为2μm时，该可调移相器的反射系数S11随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图6所示，从图中可见，在15GHz-16GHz频带内，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，该可调移相器的反射系数S11均小于-10dB(绝对值大于10dB)。该可调移相器的传输系数S21随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图7所示，从图中可见，在15GHz-16GHz频带内，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，该可调移相器的传输系数S21均大于-1.6dB(绝对值小于1.6dB)。
对应的，该可调移相器内的电磁波的相角随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图8所示，从图中可见，在中心频点15.5GHz处，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，对应的相移量△φ约为110°。
在一些实施例中，当可调移相器的第一电极11的厚度为2μm，第二电极21中贴片电极211的厚度均为2.5μm时，对应的，该可调移相器内的电磁波的相角随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图9所示，从图中可见，在中心频点15.5GHz处，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，对应的相移量△φ约为150°。可见，相对于图8，当可调移相器的第二电极21中贴片电极211的厚度由2μm加厚至2.5μm时，可调移相器的相移量显著增加。
该可调移相器内第二电极21中第一子电极212、第二子电极213和连接部214的厚度可以为2μm(与第一电极11的厚度相同)。
在一些实施例中，当可调移相器的第一电极11的厚度为2μm，第二电极21中贴片电极211的厚度均为3μm时，对应的，该可调移相器内的电磁波的相角随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图10所示，从图中可见，在中心频点15.5GHz处，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，对应的相移量△φ约为190°。可见，相对于图8和图9，当可调移相器的第二电极21中贴片电极211的厚度由2μm加厚至2.5μm再加厚至3.0μm时，可调移相器的相移量逐渐增加，可见第二电极21中贴片电极211的厚度的增加，可以使得移相器获得更大的相移量，进一步提升移相器的传输效率。
该可调移相器内第二电极21中第一子电极212、第二子电极213和连接部214的厚度可以为2μm(与第一电极11的厚度相同)。
在一些实施例中，当可调移相器的第一电极11的厚度为3μm，第二电极21中贴片电极211的厚度均为2μm时，该可调移相器的反射系数S11随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图11所示，从图中可见，在15GHz-16GHz频带内，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，该可调移相器的反射系数S11均小于-15dB(绝对值大于15dB)。该可调移相器的传输系数S21随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图12所示，从图中可见，在15GHz-16GHz频带内，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，该可调移相器的传输系数S21均大于-1.3dB(绝对值均小于1.3dB)。可见，相对于图6和图7，当可调移相器的第一电极11的厚度由2μm加厚至3μm时，第一电极11与贴片电极211可以把电磁波束缚更好，以获得更好的反射系数和传输系数。反射系数越小，传输系数越大，说明移相器的传输效率更高。
对应的，该可调移相器内的电磁波的相角随可调介质层31的有效介电常数εr的变化情况，如图13所示，从图中可见，在中心频点15.5GHz处，当可调介质层31的有效介电常数εr由2.461变为3.016再变为3.571，对应的相移量△φ约为192°。可见，相对于图8，当可调移相器的第一电极11的厚度由2μm加厚至3μm时，可调移相器的相移量显著增加。可见第一电极11的厚度的增加，可以使得移相器获得更大的相移量，进一步提升移相器的传输效率。
该可调移相器内第二电极21中第一子电极212、第二子电极213的厚度可以为3μm(与第一电极11的厚度相同)，连接部214的厚度可以为2μm。
本申请中，所述第一电极11与所述介质层30和至少一个贴片电极211形成至少一个可变电容，这种结构便于施加电压，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小；可以通过改变第一电极11和/或贴片电极211的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内介质层30的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。
本申请是提供一种电子设备，包括上述任意一种可调移相器。在实际应用中，该电子设备还可以包括承载单元，例如承载板，移相器可以设置在承载板上，本发明实施例对此不作任何限定。
需要说明的是，电子设备包括的可调移相器的个数可以根据实际需求确定，本发明实施例并不做具体限定。
以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。虽然本申请所公开的实施方式如上，但的内容只是为了便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属技术领域内的技术人员，在不脱离本申请所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本申请的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种可调移相器，其特征在于，包括：
相对设置的第一基板和第二基板；
位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；
设置于所述第一基板上的第一电极；
设置于所述第二基板上的第二电极；
其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述第二电极还包括间隔设置在所述第二基板上的第一子电极和第二子电极；
其中，所述至少一个贴片电极在所述第二基板上的正投影落入所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影之间。
3.根据权利要求2所述的可调移相器，其特征在于，每个所述贴片电极分别通过对应的连接部与所述第一子电极和所述第二子电极连接。
4.根据权利要求2所述的可调移相器，其特征在于，所述第一电极在所述第二基板上的正投影不覆盖所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影。
5.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述第二电极为接地电极。
6.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述介质层包括液晶层。
7.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述至少一个贴片电极包括至少一个第一贴片电极以及分别设置于所述至少一个第一贴片电极两侧的至少一个第二贴片电极和至少一个第三贴片电极；
其中，所述至少一个第二贴片电极中，各个所述第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第二贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小；
所述至少一个第三贴片电极中，各个所述第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第三贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的可调移相器，其特征在于，所述至少一个第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，以及所述至少一个第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，对称设置于所述至少一个第一贴片电极在所述第二基板上的正投影的两侧。
9.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的形状为方形、圆形或椭圆形。
10.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述第一电极设置于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧上；
所述第二电极设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧上。
11.根据权利要求2所述的可调移相器，其特征在于，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述第一电极的厚度与所述第一子电极和所述第二子电极的厚度相同。
12.根据权利要求3所述的可调移相器，其特征在于，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述连接部的厚度与所述贴片电极、所述第一子电极或所述第二子电极的厚度相同。
13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的可调移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210261699.1A CN116799452A (zh) | 2022-03-16 | 2022-03-16 | 可调移相器及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210261699.1A CN116799452A (zh) | 2022-03-16 | 2022-03-16 | 可调移相器及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116799452A true CN116799452A (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=88033253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210261699.1A Pending CN116799452A (zh) | 2022-03-16 | 2022-03-16 | 可调移相器及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116799452A (zh) |
-
2022
- 2022-03-16 CN CN202210261699.1A patent/CN116799452A/zh active Pending
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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