CN116773562B - 基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法和装置,包括:利用单束激光作用背光靶产生X射线源和质子源;X射线和质子束穿过待测客体,并携带所述待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息;利用质子记录设备对携带所述电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像;利用光学成像器件对携带所述面密度分布信息的X射线进行X射线成像;利用X射线图像记录设备接收所述X射线成像,得到X射线背光照相图像;以实现单束激光一次打靶产生双粒子对待测客体进行同一角度高时空分辨背光照相。

Description

基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法和装置
技术领域
本发明涉及激光成像技术领域,具体而言,涉及基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法和装置。
背景技术
基于X射线的透视照相技术可以获得待测客体的内部结构、面密度分布等信息,基于质子束的透视照相技术可以获得待测客体的电磁场分布及演化等信息,在医学诊断、科学研究等许多领域得到了广泛的应用。随着短脉冲激光技术的发展,利用短脉冲激光与金属靶相互作用产生的X射线和质子束进行背光照相,越来越得到关注和应用。X射线和质子束背光照相各有优点,X射线主要对材料密度分布敏感,而对电磁场不敏感。而质子束对材料密度和电磁场分布均比较敏感。在惯性约束聚变、实验室天体物理等高能量密度物理领域,材料的流体动力学演化过程时常伴随电磁场产生,且电磁场与流体演化过程相互耦合、相互影响。因此,获得电磁场及面密度的分布与演化信息对于理解其中的物理过程、深入认识物理机理具有重要意义。
然而,在基于激光的X射线或者质子束背光照相应用中,为了实现高时空分辨背光照相,通常仅使用一种粒子进行诊断,即X射线或质子束。X射线背光照相无法获得电磁场的分布;而质子束则会同时受到材料散射和电磁场偏转,难以将二者解耦。为了获得电磁场及面密度的分布,要使用X射线和质子束联合照相。而开展X射线和质子束联合照相,通常需要使用2束及以上短脉冲激光,带来了极大的经济成本。尽管激光与金属靶相互作用能够同时产生X射线和质子束,但是X射线焦斑较大,直接对待测客体进行背光照相获得的图像空间分辨很差,难以获得有意义的数据。
针对现有技术中存在的问题,本发明提出了基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法和装置,利用光学成像器件对短脉冲激光与金属靶相互作用产生的X射线进行成像,结合短脉冲激光与金属靶相互作用产生的质子束,能够实现单束激光一次打靶产生双粒子对待测客体进行同一角度高时空分辨背光照相。
发明内容
本发明的目的在于提供基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,包括:利用单束激光作用背光靶产生X射线源和质子源;X射线和质子束穿过待测客体,并携带所述待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息;利用质子记录设备对携带所述电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像;利用光学成像器件对携带所述面密度分布信息的X射线进行X射线成像;利用X射线图像记录设备接收所述X射线成像,得到X射线背光照相图像。
进一步的,所述单束激光为皮秒或飞秒脉冲激光,聚焦功率密度大于
进一步的,所述背光靶为金属平面靶。
进一步的,所述质子记录设备为辐射变色膜片。
进一步的,所述光学成像器件为超环面弯晶。
进一步的,所述X射线图像记录设备为成像板、胶片、X射线CCD、闪烁体耦合CCD、闪烁体耦合CMOS、光子计数型半导体探测器或X射线分幅相机。
进一步的,还包括基于所述X射线背光照相图像和所述质子背光照相图像,得到面密度分布和电磁场分布。
进一步的,得到面密度分布和电磁场分布,包括:基于所述X射线背光照相图像,确定所述面密度分布;基于所述面密度分布,确定物质散射引起的质子通量密度扰动;基于所述质子背光照相图像和所述质子通量密度扰动,确定电磁场引起的质子通量密度扰动;基于电磁场引起的质子通量密度扰动,确定质子偏转速度;基于所述质子偏转速度,确定所述电磁场分布。
本发明的目的还在于提供基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相装置,包括激光发射器、背光靶、客体载件、质子记录设备、光学成像器件和X射线图像记录设备;所述激光发射器用于发射单束激光;所述背光靶用于被所述单束激光作用产生X射线源和质子源;所述客体载件用于放置待测客体,供X射线和质子束穿过所述待测客体,并携带所述待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息;所述质子记录设备用于对携带所述电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像;所述光学成像器件用于对携带所述面密度分布信息的X射线进行X射线成像;所述X射线图像记录设备用于接收所述X射线成像,得到X射线背光照相图像。
进一步的,所述激光发射器、所述背光靶、所述客体载件、所述质子记录设备、所述光学成像器件和所述X射线图像记录设备同轴放置;所述光学成像器件与所述X射线图像记录设备离轴放置。
本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果:
本发明利用单束激光实现质子束和X射线的同轴高时空分辨联合背光照相,降低了开展质子和X射线联合背光照相对激光束数目的要求,节约了成本。
本发明使用X射线和质子对待测客体开展联合诊断,由于X射线对密度敏感,而质子对电磁场和密度均敏感,二者相互结合,可获得高速演化客体的电磁场、面密度分布等丰富的演化数据。
本发明利用光学成像器件对穿过待测客体的X射线进行成像,大幅提高了X射线背光照相的空间分辨率。
本发明的一些实施例通过合理选择光学成像器件,有助于实现准单色成像,提高面密度反演的准确度;进一步结合质子照相图像,有助于将电磁场效应和密度效应解耦,获得高置信度数据。
附图说明
图1为本发明一些实施例提供的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法的示例性流程图;
图2为本发明一些实施例提供的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相装置的示例性示意图;
图标:1-激光发射器、2-背光靶、3-客体载件、4-质子记录设备,5-光学成像器件,6-X射线图像记录设备。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
图1为本发明一些实施例提供的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法的示例性流程图。如图1所示,流程100可以包括以下步骤:
步骤110,利用单束激光作用背光靶产生X射线源和质子源。
在一些实施例中,单束激光可以选择几十至几千焦耳的皮秒或者飞秒脉冲激光,焦斑可为数十微米,聚焦功率密度大于
在一些实施例中,背光靶为金属平面靶。例如,厚度10μm的铜平面或金平面。
高功率激光作用金属平面靶会产生大量的高能电子,电子在金属平面靶内产生X射线源,金属平面靶的材料决定了产生的X射线源的特征线和能谱。在一些实施例中,可以根据待测客体的密度、尺寸,选择合适能量的X射线,进而选择合适的金属靶,以获得较高信噪比的X射线图像。例如,根据客体的密度、尺寸,计算得到不同能量X射线穿过客体的透过率,为了获得清晰的图像,透过率可以在20%~80%,据此选择能量合适的X射线。电子在金属平面靶后界面穿出时,会在后界面形成靶背鞘场,通过靶背法向鞘场加速机制,产生能谱连续分布的质子束。
步骤120,X射线和质子束穿过待测客体,并携带待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息。其中,质子束和X射线的脉宽与短脉冲激光脉宽相当,使用皮秒激光,则时间分辨可达皮秒量级。
步骤130,利用质子记录设备对携带电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像。
质子束背光照相采用点投影方式照相,无需成像器件,由于“虚源”效应,质子源尺寸小于10微米,能够实现优于10微米空间分辨的背光照相。
在一些实施例中,所述质子记录设备为辐射变色膜片(RCF)。其中,RCF的层数可以根据测量所需的质子能量和穿过待测区域所需的X射线能量选择。利用宽谱质子束进行照相诊断时,由于质子能量沉积具有Bragg峰,不同能量的质子在不同深度的RCF片中沉积能量,而不同能量的质子到达探测区域的飞行时间不同,因此单发次即可获取十多个不同时刻的电磁场数据(由十多片可分析的RCF图像得到,相邻RCF记录的时间间隔约百皮秒)。
步骤140,利用光学成像器件对携带面密度分布信息的X射线进行X射线成像。
在一些实施例中,光学成像器件为超环面弯晶,以实现优于10微米的空间分辨,并且可以实现准单能成像,更方便对材料的面密度进行解读。
激光与平面靶相互作用产生的X射线源尺寸较大,约数十微米,采用点投影方式直接待对测客体进行背光照相获得的图像空间分辨很差,难以获得高空间分辨,因此,采用光学成像器件成像,以将空间分辨大幅提高到10微米以下。
在一些实施例中,可以根据超环面弯晶材料的晶格常数、X射线波长计算得到入射X射线与晶面之间的夹角。其中,入射X射线与晶面之间的夹角θ的计算公式为:
其中,d表示晶体的晶面间距,θ表示入射X射线与晶面之间的夹角,λ表示入射X射线的波长,n表示衍射级次。
步骤150,利用X射线图像记录设备接收X射线成像,得到X射线背光照相图像,实现质子和X射线的联合背光照相。
在一些实施例中,为了使得X射线图像记录设备的成像面积和空间分辨率满足光学成像器件的需求,其中,X射线图像记录设备可以为时间积分型的成像板、胶片、X射线CCD、闪烁体耦合CCD或闪烁体耦合CMOS以及具有时间分辨能力的光子计数型半导体探测器或X射线分幅相机。
在一些实施例中,还包括基于X射线背光照相图像和质子背光照相图像,得到面密度分布和电磁场分布。
在一些实施例中,得到面密度分布和电磁场分布,包括:
基于X射线背光照相图像,确定面密度分布。材料的面密度分布的计算公式为:
其中,表示面密度,/>表示未穿过待测客体的X射线强度,/>表示穿过待测客体的X射线强度,/>表示能量为E的X射线在待测客体中的质量吸收系数,采用超环面弯晶实现准单色成像时,/>近似为常数。其中,未穿过待测客体的X射线强度/>和穿过待测客体的X射线强度/>均可以通过X射线背光照相图像得到。
当质子束穿过待测客体时,一方面被物质散射,另一方面被电磁场偏转,因此其通量密度发生变化,携带了待测区域的面密度分布及电磁场信息。
基于前述X射线背光照相获得的面密度分布,确定物质散射引起的质子通量密度扰动。在一些实施例中,可以根据面密度分布,结合蒙特卡罗模拟,得到物质散射效应引起的质子束通量密度扰动。
基于质子背光照相图像和质子通量密度扰动,确定电磁场引起的质子通量密度扰动。在一些实施例中,可以通过对比质子背光照相图像和蒙特卡罗模拟结果,得到电磁场对质子束的质子通量密度扰动。
基于电磁场引起的质子通量密度扰动,确定电磁场引起的质子偏转速度。
基于电磁场引起的质子偏转速度,确定电磁场分布。其中,电磁场分布与质子偏转速度之间的关系可以由以下公式表示:
其中,表示质子偏转速度,/>表示质子电量,/>表示质子的质量,/>表示电场强度,/>表示质子的速度,/>表示磁感应强度,/>表示质子在电磁场中的前进距离微元。
图2为本发明一些实施例提供的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相装置的示例性示意图。如图2所示,本发明提供的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相装置包括激光发射器1、背光靶2、客体载件3、质子记录设备4、光学成像器件5和X射线图像记录设备6。
激光发射器1用于发射单束激光。关于激光发射器1的更多内容,参见图1及其相关描述。
背光靶2用于被单束激光作用产生X射线源和质子源。关于背光靶2的更多内容,参见图1及其相关描述。
客体载件3用于放置待测客体,供X射线和质子束穿过待测客体,并携带待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息。关于客体载件3的更多内容,参见图1及其相关描述。
质子记录设备4用于对携带电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像。关于质子记录设备4的更多内容,参见图1及其相关描述。
光学成像器件5用于对携带面密度分布信息的X射线进行X射线成像。关于光学成像器件5的更多内容,参见图1及其相关描述。
X射线图像记录设备6用于接收X射线成像,得到X射线背光照相图像。关于X射线图像记录设备6的更多内容,参见图1及其相关描述。
在一些实施例中,激光发射器、背光靶、客体载件、质子记录设备、光学成像器件和X射线图像记录设备同轴放置;光学成像器件与X射线图像记录设备离轴放置。
以下以对冲击波穿过不同物质界面产生的RM不稳定性和电磁场效应(惯性约束聚变的一种典型过程)进行拍摄为例对本发明进行说明。
入射激光的能量选择为200J,脉冲宽度为1ps,经过F数为2.5的离轴抛物面镜聚焦后入射,聚焦光斑大小为30μm,聚焦后功率密度为。激光入射的背光靶参数为厚度10μm的平面靶,材料为钼,激光入射角与平面靶法线的夹角为20°。激光与平面靶相互作用产生包含特征线17.5keV和轫致辐射的X射线源,以及最大能量约30MeV的能谱连续分布的质子源。由于质子背光照相具有“虚源”效应,空间分辨能够优于10μm;此外,质子束的脉宽与激光脉宽相当,时间分辨可达皮秒量级。穿过待测客体的X射线源照射到光学成像器件上,光学成像器件选用石英材料制作的超环面弯晶,选择合适的入射角对17.5keV的特征线进行成像,并用成像板对X射线图像进行记录,能够实现二维空间分辨优于10μm;此外,X射线源的脉宽与激光脉宽相当,时间分辨也可达皮秒量级。
因此,本发明中的一些实施例通过利用单束皮秒激光入射金属平面靶,并用光学成像器件对X射线进行成像,可以实现质子束和X射线的双粒子联合背光照相,照相空间分辨率优于10μm,时间分辨达到皮秒量级,这可用于速度大于100km/s的高速客体演化过程研究。
本发明的设计利用光学成像器件对短脉冲激光与金属靶相互作用产生的X射线进行成像,其中,通过光学成像器件成像,能够将空间分辨大幅提高到10微米以下,结合短脉冲激光与金属靶相互作用产生的质子束,实现单束激光一次打靶产生双粒子对待测客体进行高时空分辨背光照相。
本发明利用激光一次打靶同时产生X射线和质子束,可实现X射线和质子束对待测客体从同一角度进行联合背光照相。所述靶构型由背光靶和光学成像器件构成。单束聚焦的激光作用背光靶同时产生X射线和质子束。X射线和质子束穿过待测客体后,用质子记录设备对质子束进行拦截和记录,获得质子背光照相图像。由于X射线穿透能力较强,能够穿过质子记录设备。然后用光学成像器件对X射线成像,最后在照相方向上放置X射线图像记录设备,即可实现质子束和X射线的同轴高时空分辨背光照相。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,包括:
利用单束激光作用背光靶产生X射线源和质子源;
X射线和质子束穿过待测客体,并携带所述待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息;
利用质子记录设备对携带所述电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到高时空分辨质子背光照相图像;
利用光学成像器件对携带所述面密度分布信息的X射线进行高时空分辨的X射线成像;
利用X射线图像记录设备接收所述X射线成像,得到X射线背光照相图像;
还包括基于所述X射线背光照相图像和所述质子背光照相图像,得到面密度分布和电磁场分布;其中,得到面密度分布和电磁场分布,包括:
基于所述X射线背光照相图像,确定所述面密度分布;
面密度分布的计算公式为:
其中,表示面密度,/>表示未穿过待测客体的X射线强度,/>表示穿过待测客体的X射线强度,/>表示能量为E的X射线在待测客体中的质量吸收系数,采用超环面弯晶实现准单色成像时,/>近似为常数;
基于所述面密度分布,确定物质散射引起的质子通量密度扰动;其中,根据面密度分布,结合蒙特卡罗模拟,得到物质散射效应引起的质子束通量密度扰动;
基于所述质子背光照相图像和所述质子通量密度扰动,确定电磁场引起的质子通量密度扰动;其中,对比质子背光照相图像和蒙特卡罗模拟结果,得到电磁场对质子束的质子通量密度扰动;
基于电磁场引起的质子通量密度扰动,确定质子偏转速度;
基于所述质子偏转速度,确定所述电磁场分布;其中,电磁场分布与质子偏转速度之间的关系可以由以下公式表示:
其中,表示质子偏转速度,/>表示质子电量,/>表示质子的质量,/>表示电场强度,表示质子的速度,/>表示磁感应强度,/>表示质子在电磁场中的前进距离微元。
2.根据权利要求1所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,所述单束激光为皮秒或飞秒脉冲激光,聚焦功率密度大于
3.根据权利要求1所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,所述背光靶为金属平面靶。
4.根据权利要求1所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,所述质子记录设备为辐射变色膜片。
5.根据权利要求1所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,所述光学成像器件为超环面弯晶。
6.根据权利要求1所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法,其特征在于,所述X射线图像记录设备为成像板、胶片、X射线CCD、闪烁体耦合CCD、闪烁体耦合CMOS、光子计数型半导体探测器或X射线分幅相机。
7.实现如权利要求1-6任一项所述的基于单束激光的双粒子高时空分辨背光照相方法的背光照相装置,其特征在于,包括激光发射器、背光靶、客体载件、质子记录设备、光学成像器件和X射线图像记录设备;
所述激光发射器用于发射单束激光;
所述背光靶用于被所述单束激光作用产生X射线源和质子源;
所述客体载件用于放置待测客体,供X射线和质子束穿过所述待测客体,并携带所述待测客体的面密度分布信息和电磁场分布信息;
所述质子记录设备用于对携带所述电磁场分布信息的质子束进行拦截和记录,得到质子背光照相图像;
所述光学成像器件用于对携带所述面密度分布信息的X射线进行高时空分辨X射线成像;
所述X射线图像记录设备用于接收所述X射线成像,得到高时空分辨的X射线背光照相图像。
8.根据权利要求7所述的背光照相装置,其特征在于,所述激光发射器、所述背光靶、所述客体载件、所述质子记录设备、所述光学成像器件和所述X射线图像记录设备同轴放置;
所述光学成像器件与所述X射线图像记录设备离轴放置。
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