CN116759514A - 一种发光基板及其制备方法、发光装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、发光装置。发光基板包括基板及位于基板一侧的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第三金属层，第一金属层包括第一电极和第一焊盘组，第二金属层包括第二焊盘组，第二焊盘组的子焊盘通过第一绝缘层的第一开孔与第一焊盘组的子焊盘搭接连接，第二绝缘层设有第二开孔和振动部，振动部与第一绝缘层之间形成振动腔，振动腔在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影内，第三金属层包括第二电极和第三焊盘组，第三焊盘组的子焊盘通过第二开孔与第二焊盘组的子焊盘搭接连接，第二电极在基板上的正投影与振动腔在基板上的正投影至少部分交叠。本公开技术方案可以降低发光基板的成本。

Description

一种发光基板及其制备方法、发光装置

技术领域

本公开涉及发光装置技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法、发光装置。

背景技术

超声波检测可以收集到一定的立体深度信息，在医疗美容、生物医学等领域具有广泛前景。其中，电容式微机械换能器(CapacitiveMicro-machinedUltrasonicTransducer，CMUT)具有易阵列化，集成度高，抗干扰能力强等优点，成为近年来人们关注的热点。

发明内容

本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、发光装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种发光基板，包括：

基板；

第一金属层，位于基板的一侧，第一金属层包括第一电极和第一焊盘组；

第一绝缘层，位于第一金属层的背离基板的一侧，第一绝缘层设置有第一开孔，第一开孔在基板上的正投影与第一焊盘组中各子焊盘在基板上的正投影至少部分交叠；

第二金属层，位于第一绝缘层的背离基板的一侧，第二金属层包括第二焊盘组，第二焊盘组中各子焊盘通过第一开孔与第一焊盘组中对应的子焊盘搭接连接；

第二绝缘层，位于第二金属层的背离基板的一侧，第二绝缘层设置有第二开孔，第二开孔在基板上的正投影与第二焊盘组中各子焊盘在基板上的正投影至少部分交叠，第二绝缘层包括振动部，振动部与第一绝缘层之间形成振动腔，振动腔在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影内；

第三金属层，位于第二绝缘层的背离基板的一侧，第三金属层包括第二电极和第三焊盘组，第三焊盘组中各子焊盘通过第二开孔与第二焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，第二电极在基板上的正投影与振动腔在基板上的正投影至少部分交叠。

在一些可能的实现方式中，第二焊盘组中各子焊盘与第一焊盘组中对应的子焊盘搭接的区域为第一搭接区域，第三焊盘组中各子焊盘与第二焊盘组中对应的子焊盘搭接的区域为第二搭接区域，第一搭接区域与对应的第二搭接区域至少部分交叠。

在一些可能的实现方式中，第二金属层在垂直于基板方向的尺寸大于3000埃米。

在一些可能的实现方式中，发光基板还包括发光部件和保护层，保护层设置在第三金属层的背离基板的一侧，保护层设置有第三开孔，第三开孔在基板上的正投影与第三焊盘组中各子焊盘在基板上的正投影至少部分交叠，发光部件通过第三开孔与第三焊盘组耦接。

在一些可能的实现方式中，第二金属层在垂直于基板方向的尺寸与振动腔在垂直于基板方向的尺寸相同。

在一些可能的实现方式中，第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材质包括铜。

在一些可能的实现方式中，基板包括衬底和位于衬底一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管与第一电极连接，第二薄膜晶体管与第一焊盘组的一个子焊盘连接。

在一些可能的实现方式中，基板中设置有控制模块，控制模块与第一电极和第二电极连接，控制模块用于向第一电极和第二电极提供电信号，以控制振动腔振动发声。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种发光基板的制备方法，方法包括：

制备基板；

在基板的一侧形成第一金属层，第一金属层包括第一电极和第一焊盘组；

在第一金属层的背离基板的一侧形成第一绝缘层，第一绝缘层设置有第一开孔，第一开孔在基板上的正投影与第一焊盘组中各子焊盘基板上的正投影部分交叠；

在第一绝缘层的背离基板的一侧形成第二金属层，第二金属层包括第二焊盘组和牺牲层，第二焊盘组中各子焊盘通过第一开孔与第一焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，牺牲层在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影内；

在第二金属层的背离基板的一侧形成第二绝缘层，第二绝缘层设置有第二开孔，第二开孔在基板上的正投影与第二焊盘组中各子焊盘在基板上的正投影至少部分交叠，第二绝缘层包括振动部，去除牺牲层使得振动部与第一绝缘层之间形成振动腔，振动腔在基板上的正投影位于第一电极在基板上的正投影内；

在第二绝缘层的背离基板的一侧形成第三金属层，第三金属层包括第二电极和第三焊盘组，第三焊盘组中各子焊盘通过第二开孔与第二焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，第二电极在基板上的正投影与振动腔在基板上的正投影至少部分交叠。

在一些可能的实现方式中，在第二金属层的背离基板的一侧形成第二绝缘层，包括：

在第二金属层的背离基板的一侧形成第一子绝缘层，第一子绝缘层设置有牺牲孔，牺牲孔在基板上的正投影位于牺牲层在基板上的正投影内；

通过牺牲孔，采用刻蚀工艺去除牺牲层，以使第一子绝缘层和第一绝缘层之间形成振动腔；

在第一子绝缘层的背离基板一侧沉积第二子绝缘层，第二子绝缘层封堵牺牲孔；

采用图案化工艺在第二子绝缘层上形成第二开孔，第二开孔贯穿第二子绝缘层和第一子绝缘层，第二绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层。

在一些可能的实现方式中，通过牺牲孔，采用刻蚀工艺去除牺牲层，包括：

在第一子绝缘层的背离基板一侧形成有机层，有机层开设有辅助孔，牺牲孔在基板上的正投影位于辅助孔在基板上的正投影内，以使牺牲孔通过辅助孔暴露；

通过辅助孔和牺牲孔对牺牲层进行刻蚀，去除牺牲层。

作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种发光装置，包括本公开实施例任一项的发光基板。

本公开实施例的技术方案可以得到如下有益效果：可以实现显示基板与超声波检测集成设置，同时降低发光基板的成本。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。

图1为本公开实施例的发光基板的截面示意图；

图2为相关技术的一种发光基板的截面示意图；

图3为本公开实施例的发光基板的截面示意图；

图4为本公开实施例的发光基板形成第一子绝缘层示意图；

图5为本公开实施例的发光基板形成有机层示意图；

图6为本公开实施例的发光基板形成第二子绝缘层示意图。

附图标记说明：

100、发光基板；

10、基板；20、第一金属层；30、第一绝缘层；40、第二金属层；50、第二绝缘层；60、第三金属层；70、发光部件；80、保护层；90、有机层；

11、衬底；12、第一薄膜晶体管；13、第二薄膜晶体管；

121、第一有源层；122、第一栅电极；123、第一子电极；124、第二子电极；

131、第二有源层；132、第二栅电极；133、第三子电极；134、第四子电极；

21、第一电极；22、第一焊盘组；

41、第二焊盘组；42、牺牲层；

51、振动部；52、牺牲孔；

61、第二电极；62、第三焊盘组；

91、辅助孔。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

目前，显示设备的指纹识别功能已经成为客户使用、安全的基本诉求。相关技术中，指纹识别模块一般是通过光学传感器实现，但是光学传感器一般反馈的是表面凹凸信息，这样容易伪造。而超声波检测可以收集到一定的立体深度信息，例如超声波检测可以测量皮肤表层、真皮层的厚度，或者皮下任意距离的长度，并能够检测胶原蛋白等弹性物质的强度，超声波检测已经成为新的研究方向。

图1为本公开实施例的发光基板的截面示意图。如图1所示，本公开实施例提供一种发光基板，发光基板100可以包括基板10、第一金属层20、第一绝缘层30、第二金属层40、第二绝缘层50以及第三金属层60。

其中，第一金属层20位于基板10的一侧，第一金属层20包括第一电极21和第一焊盘组22。第一绝缘层30位于第一金属层20的背离基板10的一侧，第一绝缘层30设置有第一开孔K1，第一开孔K1在基板10上的正投影与第一焊盘组22中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠。

第二金属层40位于第一绝缘层30的背离基板10的一侧，第二金属层40包括第二焊盘组41，第二焊盘组41中各子焊盘通过第一开孔K1与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接连接。第二绝缘层50位于第二金属层40的背离基板10的一侧，第二绝缘层50设置有第二开孔K2，第二开孔K2在基板10上的正投影与第二焊盘组41中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠。第二绝缘层50包括振动部51，振动部51与第一绝缘层30之间形成振动腔P，振动腔P在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内。

第三金属层60位于第二绝缘层50的背离基板10的一侧，第三金属层60包括第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接连接，第二电极61在基板10上的正投影与振动腔P在基板10上的正投影至少部分交叠。

本公开实施例的发光基板，第二焊盘组41的子焊盘以及第三焊盘组62的子焊盘形成用于耦接发光部件的键合焊盘，第一电极21以及第二电极61、振动腔P、振动部51以及部分第一绝缘层形成用于检测的超声波传感器(CMUT)，这样发光基板在形成超声波传感器的同时，形成了键合焊盘。

当发光基板100在发射状态时，在第一电极21和第二电极61之间加载第一电压信号，第一电极21和第二电极61之间可以形成电容，振动部51可以在电场作用下弯曲向靠近第一电极21的一侧弯曲变形。例如，当第一电极21和第二电极61之间加载高频的交流电压，振动部51在靠近第一电极21和远离第一电极21的方向上往复运动，在垂直于基板10的方向振动而产生振动波，从而实现了电能转换为机械能，并且振动部51可以向背离基板10的一侧产生超声波。其中，部分超声波可以在待测对象的表面产生反射，并返回至超声波传感器被振动部51接收，以供超声波传感器进行接收检测。

当发光基板100处于接收状态时，在第一电极21和第二电极61之间加载第二电压信号的情况下，振动部51在电场和振动部51的自身回复力的作用下处于平衡状态，当超声波传感器接收到返回的声波作用在振动部51上时，声波可以激励振动部51产生振动向靠近第一电极21的方向运动，振动腔P的间距发生变化，从而导致第一电极21和第二电极61的电容量发生变化，从而可以产生可检测的电信号，基于该电信号可以实现对接收的超声波的检测。

本公开实施例的发光基板中，第一金属层20包括第一电极21和第一焊盘组22，第二金属层40包括第二焊盘组41，第二焊盘组41中各子焊盘通过第一开孔K1与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接连接，第二绝缘层50包括振动部51，振动部51与第一绝缘层30之间形成振动腔P，第三金属层60包括第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接连接，将超声波传感器与发光基板集成设置。从而，本公开实施例中的发光基板100，可以在形成超声波传感器的牺牲层的过程中，同时形成第二焊盘组41，在形成超声波传感器的第二电极61的过程中，同时形成第三焊盘组62，第二焊盘组41的子焊盘和第三焊盘组62中对应的子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠，进而形成了键合焊盘，降低了工艺难度，减少了不良发生率，减少了成本，提高了产品竞争力。

需要说明的是，第一焊盘组41包括两个第一子焊盘，第一焊盘组41的数量可以为多个，多个第一焊盘组41可以阵列分布在基板10的一侧平面上，第一电极21位于第一焊盘组41的第一子焊盘的一侧，第一电极21的数量可以与第一焊盘组41的数量相等，或者第一电极21的数量可以少于第一焊盘组41的数量。例如，多个第一焊盘组41形成的区域对应设置一个第一电极21。第一电极21的具体数量在此不做限定，可以根据实际使用需求进行设置。

示例性地，第一金属层20、第二金属层40的材料可以为铜、铝、钛等金属中的至少一种。第三金属层60的材料可以为铜。

示例性地，第二绝缘层50包括振动部51，振动部51与第一绝缘层30之间形成有间隙，振动部51可以沿着垂直于基板10的方向往复运动。第二绝缘层50的材料可以为无机材料，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的一种或多种膜层的叠加。

图2为相关技术的发光基板的截面示意图。如图2所示，发光基板100可以包括基板10和第一金属层20，第一金属层20位于基板10的一侧，第一金属层20包括第一焊盘组22，第一焊盘组22的子焊盘上对应设置有键合焊盘S。相关技术中，为了保证键合焊盘S的键合工艺良率以及键合电阻，一般采用厚度1-3微米的金属铜，而键合焊盘的厚铜的制备过程需要经历种子层的制备、电镀工艺以及厚铜的刻蚀。这样的方式，导致键合焊盘的制备工艺较为复杂，不良发生率较高，同时增加了发光基板的成本。

图1所示的发光基板，第一金属层20通过图案化工艺形成第一电极21和第一焊盘组22，第二金属层40包括第二焊盘组41，第三金属层60包括第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组62中对应的子焊盘搭接连接，第二焊盘组41的子焊盘以及第三焊盘组62的子焊盘堆叠形成了键合焊盘，第一电极、第二电极以及振动腔形成了超声波传感器。图1所示的发光基板，相对于图2所示的发光基板集成了超声波传感器，同时在形成超声波传感器各膜层结构的过程中，通过第二金属层40和第三金属层60的堆叠，形成相关技术中键合焊盘的结构，不需要通过电镀工艺以及刻蚀工艺形成键合焊盘，通过常规背板工艺形成，这样在增加了超声波检测识别功能同时，降低了发光基板的成本。

在一种实施例中，如图1所示，第二焊盘组41中各子焊盘与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接的区域为第一搭接区域，第三焊盘组62中各子焊盘与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接的区域为第二搭接区域，第一搭接区域与对应的第二搭接区域至少部分交叠。这样设置，可以保证第一焊盘组22、第二焊盘组41以及第三焊盘组62堆叠后的堆叠电阻。

示例性地，第一焊盘组22包括两个第一子焊盘，第二焊盘组41包括两个第二子焊盘，第三焊盘组62包括两个第三子焊盘。

示例性地，第二焊盘组41的各子焊盘在基板10上的正投影与第一焊盘组22中对应的子焊盘在基板10上的正投影重合，第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影与第二焊盘组41中对应的子焊盘在基板10上的正投影重合。第二焊盘组41中各子焊盘与第一焊盘组22中对应的子焊盘的形成的第一搭接区域最大，第三焊盘组62中各子焊盘与第二焊盘组41中对应的子焊盘形成的第二搭接区域最大。这样可以保证第一焊盘组22的子焊盘与第二焊盘组对应的子焊盘以及第三焊盘组对应的子焊盘堆叠后的良率和堆叠电阻。

在一种实施例中，第二金属层40在垂直于基板10方向的尺寸大于3000埃米。即第二金属层40的膜层厚度大于3000埃米，第二金属层40的膜层厚度的具体数值可以根据需要设置。

参照图1所示，在一种实施例中，发光基板100还包括发光部件70和保护层80。其中，保护层80设置在第三金属层60的背离基板10的一侧。保护层80设置有第三开孔K3，第三开孔K3在基板10上的正投影与第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠，发光部件70通过第三开孔K3与第三焊盘组62的各子焊盘耦接。

示例性地，保护层80覆盖在第二电极61上，保护层80可以起到绝缘保护的作用。保护层80的材质可以为无机物或有机物，例如，无机物可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等中的一种，有机物可以包括硅氧烷、丙烯酸树脂、环氧树脂等中的一种。保护层可以为单层或者复合层。

第三开孔K3在基板10上的正投影与第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠，第三开孔K3在基板10上的正投影与第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影完全重合，或者，第三开孔K3在基板10上的正投影位于第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影内。

示例性地，发光部件70包括有连接部，连接部伸入第三开孔K3内并与第三焊盘组62中的子焊盘分别耦接。发光部件70可以为亚毫米发光二极管(Mini LED)，或者发光部件70还可以为微发光二极管(MicroLED)。

在一个实施例中，发光基板应用于显示面板，当手指按压超声波传感器的盖板(保护层)上时，指纹的脊与盖板直接接触，而指纹的谷与盖板之间存在空气，当超声波信号经过手指表面发生反射时，谷和脊的位置反射回的超声波强度不同，当超声波返回至振动部使得不同位置产生了不同的电信号，超声波传感器可以将电信号输出至外部电路检测，从而可以识别手指的指纹图像。

在一个实施例中，本公开实施例的发光基板可以应用于发光面板。示例性地，发光基板100可以用于MLED(Mini&Micro)显示面板中，显示面板可以为高精度显示面板。通过采用本公开实施例的发光基板可以检测收集一定的立体深度信息，相对于相关技术的光学传感器，提高了安全性。

在一个实施例中，发光基板100的发光部件阵列分布设置，相邻发光部件70之间可以均设置有超声波传感器，或者多个发光部件70形成一个发光区域，各发光区域之间设置有超声波传感器。

在一种实施方式中，第二金属层40在垂直于基板10方向的尺寸与振动腔P在垂直于基板10方向的尺寸相同，即第二金属层40的厚度与振动腔P的厚度相同。这样可以在形成振动腔P的过程中，通过控制第二金属层40的厚度以控制振动腔的厚度。

在一种实施例中，第一金属层20、第二金属层40以及第三金属层60的材质包括铜。这样可以通过常规的背板工艺形成第二焊盘组和第三焊盘组，并通过将第二焊盘组中的子焊盘与第三焊盘组中对应的子焊盘堆叠形成铜材质的键合焊盘，相对于相关技术的厚铜采用种子层制备工艺、电镀工艺以及刻蚀工艺形成，降低了工艺难度，减少了不良发生率，减少了成本，提高了产品竞争力。

图3为本公开一实施例的发光基板截面示意图。参照图3所示，在一种实施例中，基板10包括衬底11和位于衬底11一侧的第一薄膜晶体管12和第二薄膜晶体管13，第一薄膜晶体管12与第一电极21连接，第二薄膜晶体管13与第一焊盘组22的其中一个子焊盘连接。

第一薄膜晶体管12可以包括第一有源层121、第一栅电极122、第一子电极123和第二子电极124，第一子电极123和第二子电极124的一端与第一有源层121的导体化区域连接，第一子电极123和第二子电极124为源极或者漏极。

第二薄膜晶体管13可以包括第二有源层131、第二栅电极132、第三子电极133和第四子电极134，第三子电极133和第四子电极134的一端与第二有源层131的导体化区域连接，第三子电极133和第四子电极134为源极或者漏极。第一焊盘组22的一个子焊盘与第一子电极123连接，第一电极21与第三子电极133连接，这样可以通过第一薄膜晶体管12控制第一焊盘组22导通，从而控制发光部件70发光，通过第二薄膜晶体管13控制第一电极21导通，从而控制振动部51振动产生超声波。

第一薄膜晶体管12和第二薄膜晶体管13的具体类型在此不做限定，只要可以实现薄膜晶体管的性能即可。

示例性地，衬底11的材质可以为玻璃，可以实现较好的刚性支撑。或者，衬底11的材质可以为有机材质，例如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等材料。

示例性地，基板10还可以包括多条信号线，信号线可以包括栅线、数据线等。

在一种实施例中，基板10中设置有控制模块(图中未示出)，控制模块与第一电极21和第二电极61连接，控制模块用于向第一电极21和第二电极61提供电信号，以控制振动腔P振动发声。例如当发光基板100处于发射状态时，控制模块向第一电极21和第二电极61提供第一电压信号，从而使得第一电极21和第二电极61之间形成电容，振动部51可以在静电作用下往复运动，控制振动腔P体振动发声。当发光基板处于接收状态时，控制模块向第一电极21和第二电极61提供第二电压信号，控制振动部51处于平衡状态，在接收声波作用下，振动部51发生振动，振动部51和第一绝缘层的间距发生变化，从而引起电容量变化，从而可以产生可以检测的电信号，基于该电信号可以实现对接收到的超声波的检测。

示例性地，控制模块可以为电源芯片，电源芯片可以根据实际需要向第一电极21和第二电极61提供电信号。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种发光基板的制备方法，方法包括：

制备基板10；

在基板10的一侧形成第一金属层20，第一金属层20包括第一电极21和第一焊盘组22；

在第一金属层20的背离基板10的一侧形成第一绝缘层30，第一绝缘层30设置有第一开孔K1，第一开孔K1在基板10上的正投影与第一焊盘组22中各子焊盘在基板10上的正投影部分交叠；

在第一绝缘层30的背离基板10的一侧形成第二金属层40，第二金属层40包括第二焊盘组41和牺牲层42，第二焊盘组41中各子焊盘通过第一开孔K1与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接连接，牺牲层42在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内；

在第二金属层40的背离基板10的一侧形成第二绝缘层50，第二绝缘层50设置有第二开孔K2，第二开孔K2在基板10上的正投影与第二焊盘组41中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠，第二绝缘层50包括振动部51，去除牺牲层42使得振动部51与第一绝缘层30之间形成振动腔P，振动腔P在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内；

在第二绝缘层50的背离基板10的一侧形成第三金属层60，第三金属层60包括第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接连接，第二电极61在基板10上的正投影与振动腔P在基板10上的正投影至少部分交叠。

在一种实施方式中，在第二金属层40的背离基板10的一侧形成第二绝缘层50，包括：

在第二金属层40的背离基板10的一侧形成第一子绝缘层50a，第一子绝缘层50a设置有牺牲孔52，牺牲孔52在基板10上的正投影位于牺牲层42在基板10上的正投影内；

通过牺牲孔52，采用刻蚀工艺去除牺牲层42，以使第一子绝缘层50a和第一绝缘层30之间形成振动腔P；

在第一子绝缘层50a的背离基板10一侧沉积第二子绝缘层50b，第二子绝缘层50b封堵牺牲孔52；

采用图案化工艺在第二子绝缘层50b上形成第二开孔K2，第二开孔K2贯穿第二子绝缘层50b和第一子绝缘层50a，第二绝缘层50包括第一子绝缘层50a和第二子绝缘层50b。

在一种实施方式中，通过牺牲孔52，采用刻蚀工艺去除牺牲层42，包括：

在第一子绝缘层50a的背离基板10一侧形成有机层90，有机层90开设有辅助孔91，牺牲孔52在基板10上的正投影位于辅助孔91在基板10上的正投影内，以使牺牲孔52通过辅助孔91暴露；

通过辅助孔91和牺牲孔52对牺牲层42进行刻蚀，去除牺牲层42。

下面通过本公开图3中发光基板的制备过程进一步说明本公开实施例的技术方案。可以理解地是，本公开中的“图案化工艺”，当图案化的材质为无机材质或者金属层时，“图案化工艺”可以包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺。当图案化的材质为有机材质(例如光刻胶或者有机树脂)时，“图案化工艺”可以包括掩膜曝光、显影处理等工艺。本公开中的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。

发光基板的制备过程可以包括：

制备基板10。该步骤具体可以包括：提供衬底11，在衬底11一侧沉积缓冲薄膜，通过图案化工艺形成缓冲层(Buffer1)，在缓冲层的背离衬底11的一侧沉积第一栅金属薄膜，通过图案化工艺形成底栅极和第一金属走线，在第一栅金属薄膜的背离衬底11的一侧沉积一号绝缘薄膜，通过图案化工艺形成阻挡层(Buffer2)，在阻挡层的背离衬底11的一侧沉积有源薄膜，通过图案化工艺形成第一有源层和第二有源层，第二有源层在衬底11上的正投影与所述底栅极在衬底11上的正投影至少部分交叠，在有源薄膜的背离衬底的一侧沉积栅绝缘薄膜材料层(GI)，在栅绝缘薄膜材料层的背离衬底的一侧沉积第二栅金属薄膜，通过图案化工艺形成第一栅电极、顶栅极以及栅线，第一栅极在衬底上的正投影位于第一有源层在衬底上的正投影内，顶栅极和底栅极连接设置，在第一栅电极、顶栅极以及栅线的背离衬底的一侧沉积二号绝缘薄膜(ILD)，对二号绝缘薄膜和一号绝缘薄膜进行图案化处理，形成贯穿二号绝缘薄膜和一号绝缘薄膜的过孔，过孔暴露出第一有源层和第二有源层，在二号绝缘薄膜背离衬底的一侧沉积源漏金属薄膜，对源漏金属薄膜进行图案化处理，形成源电极和漏电极，在形成源电极和漏电极的同时，形成数据线。在源漏金属薄膜的背离衬底11的一侧形成平坦薄膜，形成平坦层(PLN1)，对平坦层进行图案化处理形成过孔。过孔暴露第一薄膜晶体管的源极或者漏极和第二薄膜晶体管的源极或漏极以及信号线，如图3所示。

在基板10的一侧形成第一金属层20，第一金属层20包括第一电极21和第一焊盘组22。该步骤可以包括，在平坦层的一侧沉积第一金属薄膜，对第一金属薄膜进行图案化处理形成第一电极21和第一焊盘组22，第一焊盘组22包括两个间隔设置的子焊盘，第一电极21通过平坦层的过孔与第二薄膜晶体管13的源极或者漏极连接，第一焊盘组22的一个子焊盘通过平坦层的过孔与第一薄膜晶体管12的源极或者漏极连接，如图3所示。

在第一金属层20的背离基板10的一侧形成第一绝缘层30，第一绝缘层30设置有第一开孔K1，第一开孔K1在基板10上的正投影与第一焊盘组22中各子焊盘在基板10上的正投影部分交叠。具体可以包括：在第一金属层20的背离基板10的一侧形成第一绝缘薄膜，对第一绝缘薄膜进行图案化工艺形成第一开孔K1，第一开孔K1在基板10上的正投影与第一焊盘组22中各子焊盘在基板10上的正投影部分交叠。如图3所示。

在第一绝缘层30的背离基板10的一侧形成第二金属层40，第二金属层40包括第二焊盘组41和牺牲层42，第二焊盘组41中各子焊盘通过第一开孔K1与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接连接，牺牲层42在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内。具体可以包括：在第一绝缘层30的背离基板10的一侧沉积第二金属薄膜，对第二金属薄膜进行图案化工艺形成第二焊盘组41和牺牲层42，第二焊盘组41中各子焊盘通过第一开孔K1与第一焊盘组22中对应的子焊盘搭接连接，牺牲层42在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内。图4为本公开实施例发光基板形成第一子绝缘层示意图，如图4所示。

在第二金属层40的背离基板10的一侧形成第一子绝缘层50a，第一子绝缘层50a设置有牺牲孔52，牺牲孔52在基板10上的正投影位于牺牲层42在基板10上的正投影内。具体可以包括：在第二金属层40的背离基板10的一侧沉积第一子绝缘薄膜，通过图案化工艺形成牺牲孔52，牺牲孔52在基板10上的正投影位于牺牲层42在基板10上的正投影内，如图4所示。

在第一子绝缘层50a的背离基板10一侧形成有机层90，有机层90通过图案化工艺形成辅助孔91，牺牲孔52在基板10上的正投影位于辅助孔91在基板10上的正投影内，以使牺牲孔52通过辅助孔91暴露。通过辅助孔91和牺牲孔52对牺牲层42进行干法或者湿法刻蚀，去除牺牲层42以使第一子绝缘层50a和第一绝缘层30之间形成振动腔P，振动腔P在基板10上的正投影位于第一电极21在基板10上的正投影内。如图5所示，图5为本公开实施例的发光基板形成有机层示意图。

示例性地，有机层90为光刻胶材料。

在第一子绝缘层50a的背离基板10一侧沉积第二子绝缘层50b，第二子绝缘层50b封堵牺牲孔52。采用图案化工艺在第二子绝缘层50b上形成第二开孔K2，第二开孔K2贯穿第二子绝缘层50b和第一子绝缘层50a，第二绝缘层50包括第一子绝缘层50a和第二子绝缘层50b。第二开孔K2在基板10上的正投影与第二焊盘组41中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠。如图6所示，图6为本公开实施例的发光基板形成第二子绝缘层示意图。

在第二绝缘层50的背离基板10的一侧形成第三金属层60，第三金属层60包括第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接连接，第二电极61在基板10上的正投影与振动腔P在基板10上的正投影至少部分交叠。具体步骤可以包括：在第二绝缘层50的背离基板10的一侧沉积第三金属薄膜，对第三金属薄膜进行图案化处理形成第二电极61和第三焊盘组62，第三焊盘组62中各子焊盘通过第二开孔K2与第二焊盘组41中对应的子焊盘搭接连接，第二电极61在基板10上的正投影与振动腔P在基板10上的正投影至少部分交叠。如图3所示。

在第三金属层60的背离衬底的一侧沉积有机材料薄膜形成保护层80，通过图案化工艺处理形成第三开孔K3，第三开孔K3在基板10上的正投影与第三焊盘组62中各子焊盘在基板10上的正投影至少部分交叠，将发光部件70通过第三开孔K3与第三焊盘组62的子焊盘耦接。如图3所示。

本公开又一实施例提供一种发光装置，包括本公开任一实施例所述的发光基板。采用本公开实施例的发光基板的发光装置，可以在实现超声波检测功能的同时，降低发光装置工艺成本，提高产品竞争力。

示例性地，本公开实施例提供的发光装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书、生物识别设备例如智能皮肤设备、软机器人和生物医学设备等任何具有显示和触控功能的产品或部件。

上述实施例的发光基板以及发光装置的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种发光基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，位于所述基板的一侧，所述第一金属层包括第一电极和第一焊盘组；

第一绝缘层，位于所述第一金属层的背离所述基板的一侧，所述第一绝缘层设置有第一开孔，所述第一开孔在所述基板上的正投影与所述第一焊盘组中各子焊盘在所述基板上的正投影至少部分交叠；

第二金属层，位于所述第一绝缘层的背离所述基板的一侧，所述第二金属层包括第二焊盘组，所述第二焊盘组中各子焊盘通过所述第一开孔与所述第一焊盘组中对应的子焊盘搭接连接；

第二绝缘层，位于所述第二金属层的背离所述基板的一侧，所述第二绝缘层设置有第二开孔，所述第二开孔在所述基板上的正投影与所述第二焊盘组中各子焊盘在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二绝缘层包括振动部，所述振动部与所述第一绝缘层之间形成振动腔，所述振动腔在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影内；

第三金属层，位于所述第二绝缘层的背离所述基板的一侧，所述第三金属层包括第二电极和第三焊盘组，所述第三焊盘组中各子焊盘通过所述第二开孔与所述第二焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，所述第二电极在所述基板上的正投影与所述振动腔在所述基板上的正投影至少部分交叠。

2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第二焊盘组中各子焊盘与所述第一焊盘组中对应的子焊盘搭接的区域为第一搭接区域，所述第三焊盘组中各子焊盘与所述第二焊盘组中对应的子焊盘搭接的区域为第二搭接区域，所述第一搭接区域与对应的所述第二搭接区域至少部分交叠。

3.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第二金属层在垂直于所述基板方向的尺寸大于3000埃米。

4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板还包括发光部件和保护层，所述保护层设置在所述第三金属层的背离所述基板的一侧，所述保护层设置有第三开孔，所述第三开孔在所述基板上的正投影与所述第三焊盘组中各子焊盘在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述发光部件通过所述第三开孔与所述第三焊盘组耦接。

5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第二金属层在垂直于所述基板方向的尺寸与所述振动腔在垂直于所述基板方向的尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层的材质包括铜。

7.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述基板包括衬底和位于所述衬底一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第一电极连接，所述第二薄膜晶体管与所述第一焊盘组的一个子焊盘连接。

8.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述基板中设置有控制模块，所述控制模块与所述第一电极和所述第二电极连接，所述控制模块用于向所述第一电极和所述第二电极提供电信号，以控制所述振动腔振动发声。

9.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制备基板；

在所述基板的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极和第一焊盘组；

在所述第一金属层的背离所述基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设置有第一开孔，所述第一开孔在所述基板上的正投影与所述第一焊盘组中各子焊盘所述基板上的正投影部分交叠；

在所述第一绝缘层的背离所述基板的一侧形成第二金属层，所述第二金属层包括第二焊盘组和牺牲层，所述第二焊盘组中各子焊盘通过所述第一开孔与所述第一焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，所述牺牲层在所述基板上的正投影位于第一电极在所述基板上的正投影内；

在所述第二金属层的背离所述基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层设置有第二开孔，所述第二开孔在所述基板上的正投影与所述第二焊盘组中各子焊盘在所述基板上的正投影至少部分交叠，所述第二绝缘层包括振动部，去除牺牲层使得所述振动部与所述第一绝缘层之间形成振动腔，所述振动腔在所述基板上的正投影位于所述第一电极在所述基板上的正投影内；

在所述第二绝缘层的背离所述基板的一侧形成第三金属层，所述第三金属层包括第二电极和第三焊盘组，所述第三焊盘组中各子焊盘通过所述第二开孔与所述第二焊盘组中对应的子焊盘搭接连接，所述第二电极在所述基板上的正投影与所述振动腔在所述基板上的正投影至少部分交叠。

10.根据权利要求9所述的发光基板的制备方法，其特征在于，在所述第二金属层的背离所述基板的一侧形成第二绝缘层，包括：

在所述第二金属层的背离所述基板的一侧形成第一子绝缘层，所述第一子绝缘层设置有牺牲孔，所述牺牲孔在所述基板上的正投影位于所述牺牲层在所述基板上的正投影内；

通过所述牺牲孔，采用刻蚀工艺去除所述牺牲层，以使所述第一子绝缘层和所述第一绝缘层之间形成振动腔；

在所述第一子绝缘层的背离所述基板一侧沉积第二子绝缘层，所述第二子绝缘层封堵所述牺牲孔；

采用图案化工艺在所述第二子绝缘层上形成所述第二开孔，所述第二开孔贯穿所述第二子绝缘层和所述第一子绝缘层，所述第二绝缘层包括所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层。

11.根据权利要求10所述的发光基板的制备方法，其特征在于，通过所述牺牲孔，采用刻蚀工艺去除所述牺牲层，包括：

在所述第一子绝缘层的背离所述基板一侧形成有机层，所述有机层开设有辅助孔，所述牺牲孔在所述基板上的正投影位于所述辅助孔在所述基板上的正投影内，以使所述牺牲孔通过所述辅助孔暴露；

通过所述辅助孔和所述牺牲孔对所述牺牲层进行刻蚀，去除所述牺牲层。

12.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的发光基板。