CN116754065A - 一种基于多孔阵列式pzt的声振动腔体传感结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及声波探测技术领域，具体涉及一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，压电陶瓷薄膜设置在腔体的开口上，压电陶瓷薄膜与腔体的开口端固定连接。压电陶瓷薄膜上设有半通孔，半通孔的个数为多个，正电极设置在压电陶瓷薄膜的外表面，负电极设置在压电陶瓷薄膜的内表面，压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅。本发明具有更高的灵敏度，且低频响应性能更好，在声波探测技术领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及声波探测技术领域，具体涉及一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构。
背景技术
煤矿生产行业是一项复杂环境下危险性较高的行业，煤矿生产的安全性至关重要。除瓦斯引起的事故外，矿震是另一个事故来源。另一方面，探测微弱的振动是研究煤矿灾害的重要手段，通过分析振动信号，可以有效预测矿灾。
声振动传感器能够实现从声波信号至电信号的转化，实现声振动传感。通常，声振动传感器是由一个感受元件和一个转换器件组成。当前的声振动传感器主要有麦克风传感器、压阻传感器、压电传感器。其中，电容麦克风传感器易于使用，价格相对较低，广泛应用于医疗领域，但其易受到外界环境噪声的影响，导致传感器信噪比降低，不易应用于煤矿行业的声振动传感。压阻传感器当前应用也较为广泛，尤其是MEMS压阻传感器，但其制作成本高，不适合大批量制备，且该传感器稳定性较差，易于损坏，也不易应用于煤矿行业的声振动传感。压电传感器灵敏度较高，体积小，常被用于可穿戴检测方面，如监测人体脉搏、心音等微弱生理信号；另外，压电传感器具有易探测微弱声振动的优点，因此在煤矿行业也具有良好的应用前景。但是，现有压电传感器的灵敏度仍然较低，不能满足煤矿行业中对微弱振动的监测。
发明内容
为解决以上问题，本发明提供了一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，压电陶瓷薄膜设置在腔体的开口上，压电陶瓷薄膜与腔体的开口端固定连接。压电陶瓷薄膜上设有半通孔，半通孔的个数为多个，正电极设置在压电陶瓷薄膜的外表面，负电极设置在压电陶瓷薄膜的内表面，压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅。
本发明以传统的铁电材料锆钛酸铅(PZT)材料为基础，提出多孔阵列式PZT传感器，同时与声波共振腔体结合，提高压电传感器的灵敏度与低频响应性能；该结构具有灵敏度高、响应速度快、抗干扰能力强等特点，可用于声波传感器、生物传感器等领域。
更进一步地，腔体为圆柱形，压电陶瓷薄膜为圆盘形，半通孔的个数为21个，半通孔方形间距分布在压电陶瓷薄膜上，半通孔分为5列，每列中的半通孔的个数为3、5、5、5、3，第三列中心的半通孔位于压电陶瓷薄膜的中心。
更进一步地，腔体的内径为1.2厘米，半通孔的半径为0.2厘米，半通孔的厚度为0.19厘米，半通孔之间的距离为0.45厘米，压电陶瓷薄膜的厚度为0.23厘米，腔体的深度为0.7厘米。
更进一步地，腔体的材料为铜。
更进一步地，还包括弹性体保护膜，弹性体保护膜置于压电陶瓷薄膜上。
更进一步地，弹性体保护膜通过AB胶粘附在压电陶瓷薄膜的表面。
更进一步地，弹性体保护膜的材料为聚氨酯材料。
更进一步地，压电陶瓷薄膜与腔体的侧壁采用粘合或者热压的方式连接。
更进一步地，正电极和负电极的材料为金属薄膜或导电聚合物。
更进一步地，声振动腔体传感结构用于生物传感，应用时，待测生物分子置于弹性体保护膜上。
本发明的有益效果：
(1)传统的压电传感器采用的敏感元件是压电陶瓷材料，本发明提出的新型多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构；相较于传统PZT薄膜结构，本发明具有更高的灵敏度，且低频响应性能更好。
(2)本发明设计了腔体结构，通过设计声波共振腔体进一步提升传感器灵敏度。
综合以上效果，本发明在声波探测技术领域具有良好的应用前景。
以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构的示意图。
图2是一种压电陶瓷薄膜的示意图。
图3是不同结构参数时的压电陶瓷薄膜上的应力大小。
图4是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的应力分布对比图：(a)本发明的结构、(b)普通PZT结构。
图5是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的位移对比。
图6是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的固有频率对比图：(a)本发明的结构、(b)普通PZT结构。
图7是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的频域响应特性对比。
图8是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的电势分布对比。
图9是本发明的多孔阵列式PZT声振动腔体传感结构与普通PZT声振动传感结构的表面电压输出对比。
图中：1、腔体；2、压电陶瓷薄膜；21、半通孔。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本申请作进一步详细说明。
本发明提供了一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构。如图1所示，该声振动腔体传感结构包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极(图中未示出正电极和负电极)。腔体的材料为铜，腔体为圆柱形，包括底部和侧部。压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅(PZT)，压电陶瓷薄膜为圆盘形。压电陶瓷薄膜设置在腔体的开口上，压电陶瓷薄膜与腔体的开口端固定连接。压电陶瓷薄膜上设有半通孔，半通孔的个数为多个，压电陶瓷远离腔体一侧开孔形成半通孔。具体地，如图2所示，半通孔的个数为21个，半通孔方形间距分布在压电陶瓷薄膜上，半通孔分为5列，每列中的所述半通孔的个数为3、5、5、5、3，第三列中心的半通孔位于压电陶瓷薄膜的中心。正电极设置在压电陶瓷薄膜的外表面，负电极设置在压电陶瓷薄膜的内表面，PZT薄膜在制备过程中需要通过极化来获得其压电性能，通过将正电极设置在外表面，负电极设置在内表面，可以确保在应用电场时，电场方向与薄膜极化方向一致，从而最大程度地发挥PZT材料的压电效应。此外，将正电极设置在外表面可以更方便地进行信号接触和连接，以接入外部电路或设备，从而简化电路设计，提高信号传输的可靠性；负电极设置在内表面可以帮助均匀分布电场，避免电场在材料内部的不均匀分布或漏电。正电极和所述负电极的材料为金属薄膜或导电聚合物。
一方面，本发明在传统压电陶瓷薄膜上引入半通孔，增大传感器的有效传感区域与声波传递的路径，使传感器能够接收到更多的声振动能量，声波能更有效地传递到PZT材料内部，提高传感器的灵敏度，压电陶瓷薄膜能够感知到更弱的声振动；另一方面，本发明在压电陶瓷薄膜的下方设置腔体结构，形成声波反射或共振腔效果。这两方面的效果均导致本发明提出的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构具有更高的声探测灵敏度。另外；本发明还具有其他有益效果：(1)由于多孔结构增加了传感器的有效表面积，增强了声波对PZT压电材料的作用力，压电效应由此增强，从而得到更高的输出信号。其次通过设计半通孔的尺寸、形状以及分布，调节结构刚度，降低传感器的固有频率，实现更好的低频响应性能，本发明具有良好的低频响应性能；(2)由于多孔阵列式结构有较低的质量，在外部声振动作用下，结构本身惯性较小，适应振动的响应速度较快；其次，声信号作用在PZT上时，通过半通孔，振动可以更快、更有效的传到PZT内部，提高了传感结构的响应速度，本发明具有响应速度快的优点；(3)由于多孔阵列的设计，可以实现特定频率范围的声波滤波效应，从而减小对干扰信号的响应，本发明具有抗干扰能力强的优点。
为验证本发明的技术方案的效果，申请人应用COMSOL有限元仿真软件仿真了所提出结构的声传感特性。在仿真中，半通孔的布置如图2所示。在计算中，压电陶瓷薄膜的杨氏模量为63×109Pa，半通孔之间的距离固定为0.45厘米，腔体的深度固定为0.7厘米，腔室底面的厚度为0.3厘米，腔室侧面的厚度为0.05厘米。申请人计算了不同半通孔半径(r1)、不同半通孔高度(h1)、不同腔体半径(r2)时，所提出结构的应力大小，如图3所示。传感结构的最大应力随r1、h1和r2参数的增大而增大。从图3中可以得出所提出结构的最优解，在传感结构应力最大化条件下，考虑结构部分与整体间的合理性，最终确定参数如下：半通孔的半径为0.2厘米、半通孔的厚度为2.3厘米、腔体的内径为1.2厘米。
图4给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的应力分布对比。普通PZT声传感结构是指压电陶瓷薄膜上无半通孔情况。从图4中可以看出，在相同压力作用下，多孔阵列式传感结构的最大应力值大于普通PZT传感结构，具体的，在1N/m2作用下，多孔阵列式传感结构最大应力为234N/m2，普通PZT传感结构最大应力为22.9N/m2，本发明的多孔阵列式PZT声传感结构的应力最大值为普通PZT结构的10倍。
图5给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的位移对比。普通PZT声传感结构是指压电陶瓷薄膜上无通孔情形。从图5可以看出，两种结构的最大位移均出现在弧长1.3cm处，多孔阵列式结构的最大位移为4.59×10-9，普通PZT传感结构的最大位移为5.79×10-10，本发明的多孔阵列式PZT声传感结构的压电陶瓷薄膜位移最大值比普通PZT结构高一个数量级。
图6给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的固有频率振型图。从图中可以看出多孔阵列式PZT传感结构的一阶固有频率为14961Hz，普通PZT传感结构的一阶固有频率为19825Hz，本发明的多孔阵列式PZT声传感结构的固有频率低于普通PZT结构，这有利于更好地感知和响应低频声振动信号。
图7给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的频域响应特性对比。从图中可以看出多孔阵列式PZT传感结构的谐振频率点在15000Hz处，此时传感器的位移为4.574×10-7cm，普通PZT传感结构的谐振点在20000Hz处，此时传感器的位移为2.651×10-9cm，两种结构的谐振点均与图6所示的固有频率点基本一致，在此频率下，传感器发生共振，本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT结构相比，低频响应更好，这有利于微弱低频信号的检测。
图8给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的电势分布对比。从图中可以看出，多孔阵列式PZT传感结构的电势差为5.028×10-4V，普通PZT传感结构的电势差为2.536×10-4V，且两种传感结构均在PZT薄膜中心位置处产生最大的电势，本发明的多孔式PZT声传感结构与普通PZT结构相比，本发明的结构在上下表面能够产生更大的电势差，这有利于提高电信号幅度，增加传感器的灵敏度，较大的电势差使传感器可以更好地捕捉和测量微弱的声振动信号。
图9给出了本发明的多孔阵列式PZT声传感结构与普通PZT声传感结构的电压对比。从图中可以看出两种传感结构在PZT薄膜中心处产生最大的输出电压，多孔阵列式PZT传感结构的最大电压值为3.213×10-4V，普通PZT传感结构的最大电压值为1.512×10-4V，本发明的多孔阵列式PZT结构的表面电压输出大于普通PZT结构，这有利于增强传感结构整体的输出信号强度。
通过以上结构可以看出，本发明的多孔阵列式PZT声传感结构在提高灵敏度的同时，也提高了输出电压。
更进一步地，本发明的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构还包括弹性体保护膜，弹性体保护膜置于压电陶瓷薄膜上，弹性体保护膜的材料为聚氨酯材料。聚氨酯材料除保护PZT薄膜外，而且当有振动产生时，聚氨酯弹性体首先接收振动，通过声波的作用，使得PZT薄膜产生正压电效应，将机械能转化为电能，从而产生电信号；在这个转化过程中，机械能信号直接转化为电信号，同时由于PZT材料具有快速响应性，当振动信号作用时，多孔阵列式PZT传感结构能够实时响应，这有利于传感器的实时监测与控制。
具体地，弹性体保护膜通过AB胶粘附在压电陶瓷薄膜的表面。压电陶瓷薄膜与腔体的侧壁采用粘合或者热压的方式连接，优选地，压电陶瓷薄膜与腔体的侧壁采用环氧树脂胶黏剂粘合方式连接，这有利于操作，方便快捷。在制备时，多孔阵列式PZT薄膜采用刻蚀法制备，然后在转移至腔体上。其中的多孔结构有助于提高薄膜的灵敏度和响应速度。
更进一步地，负电极为环形，大小与振动腔侧壁厚度相等，即环形半径为0.05cm；正电极为圆形，大小与PZT薄膜相等，即半径为1.3cm，这有利于正电极与聚氨酯弹性体、负电极与振动腔体相连接。
更进一步地，负电极设置在压电陶瓷薄膜与腔体侧面之间，即压电陶瓷薄膜与负电极相连，负电极又与腔体侧面相连。这样减小了压电陶瓷薄膜的质量，提高了传感结构的响应速度；另一方面，也增强了结构的稳定性。
更进一步地，压电陶瓷薄膜的厚度为非均匀的：压电陶瓷薄膜中心的厚度厚、压电陶瓷薄膜边缘的厚度薄。这有利于增强PZT压电陶瓷薄膜的压电效应，提高传感结构的灵敏度和信号输出。
另外，本发明还公布了所提出的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构的应用，即本发明的声振动腔体传感结构用于生物传感，应用时，待测生物分子置于所述弹性体保护膜上。
总之，本发明提供了一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，压电陶瓷薄膜设置在腔体的开口上，压电陶瓷薄膜与腔体的开口端固定连接。压电陶瓷薄膜上设有半通孔，半通孔的个数为多个，正电极设置在压电陶瓷薄膜的外表面，负电极设置在压电陶瓷薄膜的内表面，压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅；通过在压电陶瓷薄膜上引入半通孔和设置腔体，不仅提高了声振动探测的灵敏度，而且具有较好的低频响应特性，在声波探测技术领域具有良好的应用前景。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，包括腔体、压电陶瓷薄膜、正电极、负电极，所述压电陶瓷薄膜设置在所述腔体的开口上，所述压电陶瓷薄膜与所述腔体的开口端固定连接，其特征在于：所述压电陶瓷薄膜上设有半通孔，所述半通孔的个数为多个，所述正电极设置在所述压电陶瓷薄膜的外表面，所述负电极设置在所述压电陶瓷薄膜的内表面，所述压电陶瓷薄膜的材料为锆钛酸铅。
2.如权利要求1所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述腔体为圆柱形，所述压电陶瓷薄膜为圆盘形，所述半通孔的个数为21个，所述半通孔方形间距分布在所述压电陶瓷薄膜上，所述半通孔分为5列，每列中的所述半通孔的个数为3、5、5、5、3，第三列中心的所述半通孔位于所述压电陶瓷薄膜的中心。
3.如权利要求2所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述腔体的内径为1.2厘米，所述半通孔的半径为0.2厘米，所述半通孔的厚度为0.19厘米，所述半通孔之间的距离为0.45厘米，所述压电陶瓷薄膜的厚度为0.23厘米，所述腔体的深度为0.7厘米。
4.如权利要求3所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述腔体的材料为铜。
5.如权利要求1所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：还包括弹性体保护膜，所述弹性体保护膜置于所述压电陶瓷薄膜上。
6.如权利要求5所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述弹性体保护膜通过AB胶粘附在所述压电陶瓷薄膜的表面。
7.如权利要求6所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述弹性体保护膜的材料为聚氨酯材料。
8.如权利要求1所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述压电陶瓷薄膜与所述腔体的侧壁采用粘合或者热压的方式连接。
9.如权利要求1所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述正电极和所述负电极的材料为金属薄膜或导电聚合物。
10.如权利要求7所述的基于多孔阵列式PZT的声振动腔体传感结构，其特征在于：所述声振动腔体传感结构用于生物传感，应用时，待测生物分子置于所述弹性体保护膜上。
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Cited By (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117288825A (zh) * | 2023-11-22 | 2023-12-26 | 山西阳光三极科技股份有限公司 | 煤矿设备安全管控方法及系统 |
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