CN116744749A - 用于制造显示面板的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种制造显示面板的方法，包括：形成限定开口的像素限定层，开口暴露基板上的像素电极的上表面，像素电极形成在基板上；将辅助溶剂提供至开口中；在像素限定层的上表面上实施拒液处理；从开口去除辅助溶剂；以及将包括有机溶剂的有机组合物提供至开口中。

Description

用于制造显示面板的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及用于制造显示面板的方法。
背景技术
有机发光显示面板包括发射红色可见光、绿色可见光和蓝色可见光的子像素。在子像素中的每一个中形成有机层。有机层可使用喷墨印刷法形成。
发明内容
实施方式提供了能够改善显示面板的生产率的制造显示面板的方法。
根据实施方式的制造显示面板的方法包括：形成限定开口的像素限定层，开口暴露基板上的像素电极的上表面，像素电极形成在基板上；将辅助溶剂提供至开口中；在像素限定层的上表面上实施拒液处理；从开口去除辅助溶剂；以及将包括有机溶剂的有机组合物提供至开口中。
在实施方式中，辅助溶剂可与有机溶剂相同。
在实施方式中，在将辅助溶剂提供至开口中时，辅助溶剂可排放至开口中以覆盖像素电极的上表面。
在实施方式中，在将辅助溶剂提供至开口中后，像素限定层的上表面可从辅助溶剂被暴露。
在实施方式中，在将辅助溶剂提供至开口中后，像素限定层的侧面可被辅助溶剂覆盖。
在实施方式中，在实施拒液处理后，像素限定层的上表面可相对于有机组合物具有拒液性。
在实施方式中，在实施拒液处理后，像素电极的上表面可相对于有机组合物具有亲液性。
在实施方式中，有机组合物与像素限定层的上表面之间的第一接触角可为约55度(°)或更大，并且在实施拒液处理后，有机组合物与像素电极的上表面之间的第二接触角可为约5°或更小。
在实施方式中，在实施拒液处理时，可在像素限定层的一个表面上引入氟基。
在实施方式中，在实施拒液处理时，可使用含有氟化合物的反应气体。
在实施方式中，氟化合物可包括选自由CF4、SiF4、C3F8、C2F6、CHF3、CClF3、NF3和SF6组成的组中的至少一种。
在实施方式中，从开口去除辅助溶剂包括对辅助溶剂进行干燥和热处理。
在实施方式中，方法可进一步包括在将有机组合物提供至开口中后，对有机组合物进行干燥和热处理以形成有机层。
在实施方式中，有机层可与像素限定层的侧面和像素电极的上表面接触。
在实施方式中，对辅助溶剂进行干燥和热处理以及对有机组合物进行干燥和热处理以形成有机层可以在约10-5托(Torr)至约1托的压力和约25摄氏度(℃)至约150℃的温度下实施。
在实施方式中，辅助溶剂可使用喷墨印刷法提供至开口中。
在实施方式中，有机组合物可包括选自由空穴传输材料、有机发光材料、量子点材料和电子传输材料组成的组中的至少一种。
在实施方式中，形成像素限定层可包括将初始像素限定层形成在基板上以及将暴露像素电极的开口形成在初始像素限定层中。
在实施方式中，初始像素限定层可相对于有机组合物具有亲液性。
在实施方式中，方法可进一步包括在形成开口后对像素限定层实施等离子体处理。
因此，根据实施方式的制造显示面板的方法可包括在像素限定层的拒液处理之前将辅助溶剂提供至像素限定层的开口中。相应地，相对于有机组合物的拒液性可被赋予至像素限定层的从辅助溶剂被暴露的上表面，而不将相对于有机组合物的拒液性赋予至被辅助溶剂覆盖的像素电极的上表面。
因此，在使用喷墨印刷法将有机组合物提供至开口中的工艺中，能够最小化或防止有机组合物溢出至像素限定层的上表面。此外，能够最小化或防止在开口中出现未被有机组合物填充的空隙。相应地，可有效地改善显示面板的生产率。
应当理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述两者都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解阐释性的非限制性实施方式。
图1为阐释了根据实施方式的显示面板的平面图。
图2为阐释了包括在图1的显示面板中的像素的平面图。
图3为沿着图2的线I-I'截取的截面图。
图4至图15为阐释了制造图3的显示面板的方法的截面图。
具体实施方式
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可直接在另一元件上，或者居间元件可存在在它们之间。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本文的教导。在本文中所使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。如在本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则“一”、“一个”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个”不应被解释为限于“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的列出项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。将进一步理解，当术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包含(includes)”和/或“包含(including)”在本说明书中使用时，指定所叙述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制性)，如在本文中所使用的“约”或“近似”包括所叙述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差之内，或者在所叙述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之内。从以下结合附图的详细描述将更清楚地理解阐释性的非限制性实施方式。
图1为阐释了根据实施方式的显示面板的平面图。图2为阐释了包括在图1的显示面板中的像素的平面图。
参照图1和图2，根据实施方式的显示面板1000可包括显示区DA和非显示区NDA。图像可在显示区DA中被显示。非显示区NDA可位于显示区DA周围。
显示面板1000可包括设置在显示区DA中的多个像素PX。例如，像素PX可沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向以矩阵形式布置。
像素PX中的每一个可包括发射不同颜色的光的多个子像素。在实施方式中，像素PX中的每一个可包括发射不同颜色的光的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3。例如，第一子像素SPX1可发射红光，第二子像素SPX2可发射绿光，并且第三子像素SPX3可发射蓝光，但是实施方式不限于此。
第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的每一个可包括薄膜晶体管和发光元件。薄膜晶体管可生成驱动电流并将所生成的驱动电流提供至发光元件。发光元件可基于驱动电流发射光。例如，发光元件可包括(或者可为)有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管等。
图3为沿着图2的线I-I'截取的截面图。
参照图2和图3，在实施方式中，显示面板1000可包括基板110、第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中的每一个可包括薄膜晶体管200和发光元件300。薄膜晶体管200可包括有源层210、栅电极220、源电极232和漏电极234。发光元件300可包括第一电极310(换句话说，“像素电极”)、第一有机层320、发光层330、第二有机层340和第二电极350(换句话说，“对电极”)。
基板110可为由透明或不透明材料形成的绝缘基板。在实施方式中，基板110可包括玻璃。在这种情况下，显示面板1000可为刚性显示面板。在另一实施方式中，基板110可包括塑料。在这种情况下，显示面板1000可为柔性显示面板。
有源层210可设置在基板110上。有源层210可包括氧化物半导体、硅半导体或有机半导体等。例如，氧化物半导体可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的氧化物中的至少一种。硅半导体可包括非晶硅或多晶硅等。有源层210可包括源区、漏区和置于源区与漏区之间的沟道区。
在实施方式中，缓冲层120可设置在基板110与有源层210之间。缓冲层120可防止比如氧气或湿气的杂质从基板110扩散至有源层210中。缓冲层120可包括无机绝缘材料比如硅化合物或金属氧化物等。可用于缓冲层120的无机绝缘材料的示例可包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)、硅碳氧化物(SiOC)、硅碳氮化物(SiCN)、铝氧化物(AlO)、铝氮化物(AlN)、钽氧化物(TaO)、铪氧化物(HfO)、锆氧化物(ZrO)或钛氧化物(TiO)等。这些可单独使用或组合使用。缓冲层120可具有单层结构或包括多个绝缘层的多层结构。
第一绝缘层130可设置在有源层210上。第一绝缘层130可覆盖基板110上的有源层210。第一绝缘层130可包括无机绝缘材料。
栅电极220可设置在第一绝缘层130上。栅电极220可与有源层210的沟道区重叠。栅电极220可包括比如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等的导电材料。可用于栅电极220的导电材料的示例可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、含银合金、含铜合金、含钼合金、铝氮化物(AlN)、钨氮化物(WN)、钛氮化物(TiN)、铬氮化物(CrN)、钽氮化物(TaN)、锶钌氧化物(SrRuO)、锌氧化物(ZnO)、铟锡氧化物(“ITO”)、锡氧化物(SnO)、铟氧化物(InO)、镓氧化物(GaO)或铟锌氧化物(“IZO”)等。这些可单独使用或组合使用。栅电极220可具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。
第二绝缘层140可设置在栅电极220上。第二绝缘层140可覆盖第一绝缘层130上的栅电极220。第二绝缘层140可包括无机绝缘材料。
源电极232和漏电极234可设置在第二绝缘层140上。源电极232和漏电极234可分别连接至有源层210的源区和漏区。源电极232和漏电极234中的每一个可包括导电材料。
第三绝缘层150可设置在源电极232和漏电极234上。第三绝缘层150可包括有机绝缘材料。可用于第三绝缘层150的有机绝缘材料的示例可包括光刻胶、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等。这些可单独使用或组合使用。在实施方式中，第三绝缘层150可具有单层结构或包括多个绝缘层的多层结构。
第一电极310可设置在第三绝缘层150上。第一电极310可经形成在第三绝缘层150中的接触孔连接至漏电极234。相应地，第一电极310可电连接至薄膜晶体管200。
第一电极310可包括导电材料。在实施方式中，第一电极310可具有包括多个导电层的多层结构。例如，第一电极310可具有Ag/ITO、ITO/Ag/ITO、Mo/ITO或Al/ITO的多层结构，但是实施方式不限于此。
像素限定层160可设置在第一电极310上。像素限定层160可限定开口OP。开口OP可暴露第一电极310的中心部分。即，像素限定层160可覆盖第一电极310的外围部分。具体地，开口OP可通过像素限定层160的经像素限定层160暴露的侧面162限定。例如，像素限定层160的侧面162可在朝向第一电极310上的像素限定层160的上表面164的方向上倾斜。相应地，开口OP的横截面形状可具有梯形形状。然而，本发明不需限于此，并且像素限定层160的侧面162可垂直于第一电极310以及像素限定层160的上表面164。在这种情况下，开口(“OP”)的形状可具有矩形形状。
拒液层170可设置在像素限定层160的上表面164上。相应地，像素限定层160的上表面164可具有拒液性。
拒液性可意指排斥预定的溶液并且该溶液不能很好地渗透的性质。此外，亲液性可意指对溶液的优异的亲和力的性质。例如，溶液可与具有拒液性的一个表面具有相对低的表面结合力，并且设置在具有拒液性的一个表面上的溶液可具有增加的表面张力。此外，溶液可与具有亲液性的一个表面具有相对高的表面结合力，并且设置在具有亲液性的一个表面上的溶液可具有降低的表面张力。
当其上设置有溶液的一个表面具有拒液性时，溶液可具有比当其上设置有溶液的一个表面具有亲液性时大的接触角。在这种情况下，接触角可意指在溶液的表面的切线与在溶液与其上设置有溶液的一个表面接触的点处的一个表面之间的角。随着拒液性增加，接触角可增加。
在实施方式中，拒液层170可吸附在像素限定层160的上表面164上。例如，拒液层170可包括氟离子，并且氟离子可吸附在像素限定层160的上表面164上。即，拒液层170可通过在像素限定层160的一个表面上引入氟基形成。这将在稍后参照图9更详细地描述。
第一有机层320可设置在第一电极310上。第一有机层320可设置在像素限定层160的开口OP中。即，第一有机层320可与第一电极310重叠。例如，第一有机层320可使用喷墨印刷法形成。这将在稍后参照图12至图15更详细地描述。
第一有机层320可包括空穴注入层(“HIL”)和空穴传输层(“HTL”)中的至少一个。空穴注入层和空穴传输层可允许从第一电极310注入的空穴被容易地传输。空穴注入层可包括CuPc(酞菁铜)或星射状胺比如TCTA(4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)、m-MTDATA(4,4’,4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺)和IDE406等。空穴传输层可包括TPD(N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺)或α-TPD。
发光层330可设置在第一有机层320上。即，发光层330可设置在像素限定层160的开口OP中。发光层330可与第一电极310重叠。发光层330可包括有机发光材料和量子点中的至少一种。在实施方式中，发光层330可使用喷墨印刷法形成。在这种情况下，发光层330可设置在像素限定层160的开口OP中。然而，本发明不限于此，并且在另一实施方式中，发光层330可使用比如真空沉积方法的各向异性沉积方法形成。在这种情况下，发光层330可完全设置在像素限定层160的上表面164上和像素限定层160的开口OP中。这将在稍后参照图12至图15更详细地描述。
在实施方式中，有机发光材料可包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。低分子量有机化合物的示例可包括酞菁铜、N,N-二苯基联苯胺和三(8-羟基喹啉)铝等。高分子有机化合物的示例可包括聚乙烯二氧噻吩(聚(3,4-乙烯二氧噻吩))、聚苯胺、聚苯乙炔、聚芴等。这些可单独使用或彼此组合使用。
在实施方式中，量子点可包括包含第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物及其组合物的核。在一个实施方式中，量子点可具有核/壳结构，该核/壳结构包括核和围绕核的壳。壳可用作通过防止核的化学变性来维持半导体性质的保护层和用作赋予量子点电泳性质的充电层。
第二有机层340可设置在发光层330上。即，第二有机层340可设置在像素限定层160的开口OP中。第二有机层340可与第一电极310重叠。在实施方式中，第二有机层340可使用喷墨印刷法形成。在这种情况下，第二有机层340可设置在像素限定层160的开口OP中。然而，本发明不限于此，并且在另一实施方式中，第二有机层340可使用比如真空沉积方法的各向异性沉积方法形成。在这种情况下，第二有机层340可被完全设置在像素限定层160的上表面164上和像素限定层160的开口OP中。这将在稍后参照图12至图15更详细地描述。
第二有机层340可包括电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一种。电子注入层和电子传输层可允许从第二电极350注入的电子被容易地传输。电子传输层可包括Alq3、PBD、TNF、BMD或BND等。电子注入层可包括LiF、Liq、NaCl、CsF、Li2O和BaO等。在实施方式中，第二有机层340可被省略。
第二电极350可设置在第二有机层340上。在实施方式中，第二电极350可被完全设置在像素限定层160的上表面164上和像素限定层160的开口OP中。第二电极350的设置在开口OP中的部分可与第一电极310重叠。第二电极350可包括比如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料的导电材料。第二电极350可具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。
图4至图15为阐释了制造图3的显示面板的方法的截面图。
参照图4，薄膜晶体管200可形成在基板110上。
首先，缓冲层120可形成在基板110上。此后，有源层210可形成在缓冲层120上。有源层210可使用氧化物半导体、硅半导体或有机半导体等形成。
第一绝缘层130可形成在缓冲层120上。第一绝缘层130可覆盖设置在缓冲层120上的有源层210。第一绝缘层130可使用无机绝缘材料形成。
栅电极220可形成在第一绝缘层130上。栅电极220可使用导电材料形成。
第二绝缘层140可形成在第一绝缘层130上。第二绝缘层140可覆盖第一绝缘层130上的栅电极220。第二绝缘层140可使用无机绝缘材料形成。
接触孔可形成在第一绝缘层130和第二绝缘层140中以与有源层210的源区和漏区中的每一个重叠。此外，源电极232和漏电极234可形成在第二绝缘层140上以与接触孔中的每一个重叠。源电极232和漏电极234中的每一个可使用导电材料形成。源电极232和漏电极234可经接触孔分别连接至有源层210的源区和漏区。相应地，包括有源层210、栅电极220、源电极232和漏电极234的薄膜晶体管200可形成在基板110上。
覆盖薄膜晶体管200的第三绝缘层150可形成在第二绝缘层140上。第三绝缘层150可覆盖第二绝缘层140上的源电极232和漏电极234。第三绝缘层150可使用有机绝缘材料形成。
接触孔可形成在第三绝缘层150中以与漏电极234重叠。此外，第一电极310可形成在第三绝缘层150上，以与接触孔中的每一个重叠。第一电极310可使用导电材料形成。
参照图5，初始像素限定层160'可形成在第三绝缘层150上。在实施方式中，初始像素限定层160'可相对于预定的有机组合物具有亲液性。换句话说，初始像素限定层160'可相对于预定的有机组合物不具有拒液性。在这种情况下，预定的有机组合物可为稍后描述的有机组合物600。
参照图6，像素限定层160可形成在第三绝缘层150上。可通过在初始像素限定层160'中形成开口OP来形成像素限定层160。开口OP可通过在初始像素限定层160'上实施光刻工艺形成。即，开口OP可经初始像素限定层160'形成，以暴露第一电极310的中心部分。相应地，第一电极310的上表面312的一部分可被暴露于外部。用于形成开口OP的光刻工艺可使用曝光掩模MK实施。
在实施方式中，当像素限定层160经光刻工艺形成时，构成初始像素限定层160'的材料中的未被去除的残留物可能会保留在第一电极310上。由于残留物会劣化显示面板1000的可靠性，因此可能需要去除。
参照图7，在实施方式中，可实施等离子体处理PT，以去除残留物。等离子体处理PT可在像素限定层160上被实施。保留在第一电极310的上表面312上的残留物可经等离子体处理PT去除。相应地，显示面板1000的生产率可被进一步改善。
参照图8，辅助溶剂400可提供至像素限定层160的开口OP中。在实施方式中，辅助溶剂400可使用喷墨印刷法提供。例如，辅助溶剂400可通过喷墨印刷设备的第一喷嘴510将辅助溶剂400排放至开口OP中而提供。例如，辅助溶剂400可排放至开口OP中，使得像素限定层160的上表面164被暴露并且第一电极310的上表面312被覆盖。换句话说，通过将辅助溶剂400排放至像素限定层160的开口OP中，辅助溶剂400可暴露像素限定层160的上表面164并且可不暴露第一电极310的上表面312。相应地，在稍后描述的拒液处理工艺中，像素限定层160的上表面164可暴露于用于拒液处理的反应气体，而第一电极310的上表面312可不暴露于反应气体。在实施方式中，辅助溶剂400可排放至开口OP中以覆盖像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312两者。在这种情况下，在拒液处理工艺中，像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312两者可不暴露于反应气体。
在实施方式中，辅助溶剂400可使用在室温下不挥发的溶剂。相应地，在拒液处理工艺中，能够最小化或防止反应气体的路径被挥发的辅助溶剂400阻塞的现象。相应地，在拒液处理工艺后，像素限定层160的上表面164的拒液性可被进一步改善。
在实施方式中，辅助溶剂400可使用与包括在稍后描述的有机组合物中的有机溶剂基本相同或相似的溶剂。有机组合物可为用于形成参照图3描述的第一有机层320、发光层330或第二有机层340的材料。由于有机组合物必须被提供至开口OP中以形成第一有机层320、发光层330或第二有机层340，因此在提供有机组合物的工艺之前，可能需要去除辅助溶剂400的工艺。在这种情况下，当使用与有机溶剂基本相同或相似的溶剂作为辅助溶剂400时，在去除辅助溶剂400的工艺中，即使辅助溶剂400的一部分保留在开口OP中，也能够最小化或防止由有机组合物形成的第一有机层320、发光层330或第二有机层340的物理性质的劣化。相应地，显示面板1000的生产率可被进一步改善。
参照图9，可在像素限定层160上实施拒液处理。可实施拒液处理，以将拒液性赋予相对于有机组合物具有亲液性的像素限定层160。可在辅助溶剂400被提供至开口OP中后实施拒液处理。
在实施方式中，可通过将氟基引入在像素限定层160的一个表面上实施拒液处理。例如，拒液处理可通过将像素限定层160暴露于包括氟化合物的反应气体实施。具体地，包含在氟化合物中的氟基(F)可分解以生成氟离子，并且所生成的氟离子可被吸附以形成拒液层170。氟化合物的示例可包括CF4、SiF4、C3F8、C2F6、CHF3、CClF3、NF3和SF6。这些可单独使用或彼此组合使用。
根据实施方式，由于拒液处理在辅助溶剂400被提供至开口OP中后被实施，因此像素限定层160的上表面164、像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312中的被辅助溶剂400覆盖的区域可不暴露于反应气体。换句话说，仅像素限定层160的上表面164、像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312中的从辅助溶剂400暴露的特定区域可选择性地暴露于反应气体。例如，在辅助溶剂400被提供至开口OP中以覆盖像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312并且暴露像素限定层160的上表面164的情况下，像素限定层160的上表面164可在拒液处理工艺中暴露于反应气体，并且像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312可不暴露于反应气体。相应地，拒液层170可形成在像素限定层160的上表面164上。另一方面，由于氟离子未被设置在像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312上的辅助溶剂400吸附，因此拒液层170可不形成在像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312上。相应地，像素限定层160的上表面164可相对于有机组合物具有拒液性。另一方面，像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312可相对于有机组合物具有亲液性。换句话说，像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312可相对于有机组合物不具有拒液性。
参照图10和图11，在拒液处理后，辅助溶剂400可被去除。在实施方式中，辅助溶剂400的去除工艺可在能够调节内部压力的腔室VCD中实施。腔室VCD可控制内部压力，并且可在压力被调节的状态下通过在基板110上辐射热来去除辅助溶剂400。即，辅助溶剂400可在腔室VCD中经干燥和热处理工艺去除。在实施方式中，辅助溶剂400的去除工艺可以在约10-5托至约1托的压力和约25℃至约150℃的温度下实施。
随着辅助溶剂400被去除，像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312可再次暴露于外部。此时，如上述，由于拒液层170形成在像素限定层160的上表面164上，因此像素限定层160的上表面164可相对于有机组合物具有拒液性。另一方面，由于拒液层170未形成在像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312上，因此像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312可相对于有机组合物具有亲液性。
参照图12，有机组合物600可提供至像素限定层160的开口OP中。如上述，有机组合物600可为用于形成参照图3描述的第一有机层320、发光层330或第二有机层340的材料。在实施方式中，可使用喷墨印刷法提供有机组合物600。例如，有机组合物600可通过经喷墨印刷设备的第二喷嘴520将有机组合物600排放至开口OP中来提供。
在实施方式中，有机组合物600可包括有机溶剂和功能材料。功能材料可为用于形成上面参照图3描述的第一有机层320、发光层330或第二有机层340的材料。例如，当有机组合物600为用于形成第一有机层320的材料时，功能材料可为空穴传输材料。此外，当有机组合物600为用于形成发光层330的材料时，功能材料可为有机发光材料或量子点材料。此外，当有机组合物600为用于形成第二有机层340的材料时，功能材料可为电子传输材料。已经作为示例参照图12阐释和描述了使用有机组合物600形成第一有机层320的方法，但是本发明不限于此，并且除了功能材料不同之外，参照图12描述的方法可应用于使用喷墨印刷法形成发光层330或第二有机层340的工艺。
如上述，用于形成第一有机层320的有机组合物600可包括空穴传输材料作为功能材料。在这种情况下，有机溶剂的类型不受限制，只要空穴传输材料溶解在其中即可。有机溶剂的示例可包括甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、均三甲苯、丙苯、环己基苯、二甲氧基苯、苯甲醚、乙氧基甲苯、苯氧基甲苯、异丙基联苯、二甲基苯甲醚、乙酸苯酯、苯丙酸、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、2-乙基萘和2-乙基联苯等。这些可单独使用或彼此组合使用。
根据实施方式，由于拒液处理是在辅助溶剂400被提供在开口OP中的状态下被实施，所以在拒液处理后，像素限定层160的上表面164可相对于有机组合物600具有拒液性，并且第一电极310的上表面312可相对于有机组合物600具有亲液性。即，有机组合物600与像素限定层160的上表面164之间的第一接触角可通过拒液处理增加，而有机组合物600与第一电极310的上表面312之间的第二接触角可保持为小接触角。例如，在拒液处理后，有机组合物600与像素限定层160的上表面164之间的第一接触角可为约55度(°)或更大，并且有机组合物600与第一电极310的上表面312之间的第二接触角可为约5°或更小。
通过增加有机组合物600与像素限定层160的上表面164之间的第一接触角，在使用喷墨印刷法将有机组合物600提供至开口OP中的工艺中，能够最小化或防止有机组合物600溢出至像素限定层160的上表面164。此外，通过将有机组合物600与第一电极310的上表面312之间的第二接触角维持为小接触角，在使用喷墨印刷法将有机组合物600提供至开口OP中的工艺中，能够最小化或防止在开口OP中生成未被有机组合物600填充的空隙的现象。
换句话说，通过在拒液处理中通过辅助溶剂400选择性地将拒液性提供至像素限定层160的上表面164，能够最小化或防止未被有机组合物600填充的空隙在开口OP中的出现，同时最小化或防止有机组合物600溢出至像素限定层160的上表面164。相应地，显示面板1000的生产率可进一步改善。
参照图13和14，有机组合物600可进行干燥和热处理以形成第一有机层320。即，第一有机层320可通过经干燥和热处理工艺从有机组合物600中去除有机溶剂来形成。在实施方式中，有机组合物600的干燥和热处理可在能够控制内部压力的腔室VCD中被实施。腔室VCD可控制内部压力，并且可在调节压力的状态下通过在基板110上辐射热来去除有机溶剂。即，有机溶剂可在腔室VCD中经干燥和热处理工艺去除。
在实施方式中，在其中实施通过对有机组合物600进行干燥和热处理去除有机溶剂的工艺的腔室VCD可与用于去除辅助溶剂400的工艺中的腔室VCD相同。例如，当辅助溶剂400和有机溶剂基本相同或相似时，辅助溶剂400的去除工艺和有机溶剂的去除工艺可在相同的工艺条件下使用相同的腔室VCD进行。相应地，显示面板1000的制造工艺的效率可被进一步改善，并且制造成本可被进一步降低。例如，可在约10-5托至约1托的压力和约25℃至约150℃的温度下实施有机溶剂去除工艺。
随着有机溶剂被去除，第一有机层320可形成在开口OP中。如上述，在提供有机组合物600的工艺后，像素限定层160的上表面164可从有机组合物600被暴露，并且第一电极310的上表面312可不从有机组合物600被暴露。在这种情况下，像素限定层160的上表面164可从第一有机层320被暴露，并且第一电极310的上表面312可被第一有机层320覆盖。即，第一有机层320可不形成在像素限定层160的上表面164上，但可仅形成在开口OP的内部。例如，第一有机层320可形成为接触像素限定层160的侧面162和第一电极310的上表面312。
参照图15，发光层330、第二有机层340和第二电极350可依次形成在第一有机层320上。在实施方式中，发光层330和第二有机层340可使用喷墨印刷法形成。第一电极310、第一有机层320、发光层330、第二有机层340和第二电极350可形成发光元件300。
根据实施方式，制造显示面板的方法可包括在像素限定层160的拒液处理之前将辅助溶剂400提供至像素限定层160的开口OP中。相应地，在拒液处理工艺中，像素限定层160的从辅助溶剂400被暴露的上表面164可相对于有机组合物600具有拒液性。另一方面，被辅助溶剂400覆盖的第一电极310的上表面312可相对于有机组合物600具有亲液性。换句话说，第一电极310的上表面312可相对于有机组合物600不具有拒液性。即，通过在拒液处理工艺中通过辅助溶剂400将拒液性选择性地提供至像素限定层160的上表面164，有机组合物600与像素限定层160的上表面之间的第一接触角可增加，同时将有机组合物600与第一电极310的上表面312之间的第二接触角维持为小接触角。相应地，在最小化或防止有机组合物600溢出至像素限定层160的上表面164的现象的同时，能够最小化或防止未被有机组合物600填充的空隙在开口OP中的出现。相应地，显示面板的生产率可进一步改善。

Claims (10)

1.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：
形成限定开口的像素限定层，所述开口暴露基板上的像素电极的上表面，所述像素电极形成在所述基板上；
将辅助溶剂提供至所述开口中；
在所述像素限定层的上表面上实施拒液处理；
从所述开口去除所述辅助溶剂；以及
将包括有机溶剂的有机组合物提供至所述开口中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助溶剂与所述有机溶剂相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述辅助溶剂提供至所述开口中时，所述辅助溶剂被排放至所述开口以覆盖所述像素电极的所述上表面。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，在将所述辅助溶剂提供至所述开口中后，所述像素限定层的所述上表面从所述辅助溶剂被暴露。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在将所述辅助溶剂提供至所述开口中后，所述像素限定层的侧面被所述辅助溶剂覆盖。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在实施所述拒液处理后，所述像素限定层的所述上表面相对于所述有机组合物具有拒液性。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在实施所述拒液处理后，所述像素电极的所述上表面相对于所述有机组合物具有亲液性。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在实施所述拒液处理后，所述有机组合物与所述像素限定层的所述上表面之间的第一接触角为55度或更大，并且所述有机组合物与所述像素电极的所述上表面之间的第二接触角为5度或更小。
9.根据权利要求1所述的方法，在实施所述拒液处理时，在所述像素限定层的一个表面上引入氟基。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在实施所述拒液处理时，使用含有氟化合物的反应气体。
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