CN116741569A - 断路器真空灭弧室及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种断路器真空灭弧室及其制造方法,本申请实施例可以提供一种断路器真空灭弧室,该真空灭弧室可以包括:主屏蔽罩、陶瓷壳体、波纹管组件、动触头组件、静触头组件和至少两个悬浮屏蔽罩组件;每个悬浮屏蔽罩组件包括内部屏蔽罩和外部屏蔽罩,轴向上设置有静触头组件、动触头组件和波纹管组件;主屏蔽罩的两侧分别连接有两节陶瓷壳体以组成总壳体,静触头组件包括静触头、静导电杆和静盖板,动触头组件包括动触头、动导电杆和动盖板;波纹管组件包括波纹管、导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒。本真空灭弧室与传统真空灭弧室相比,可具备更大的通流能力,具备更高的绝缘水平,额定短路开断能力更大,可应用于新252kV高压双断口断路器。
Description
技术领域
本申请涉及输电设备技术领域,尤其涉及一种断路器真空灭弧室及其制造方法。
背景技术
随着科学技术的发展,真空断路器以其高的开断能力、寿命期间内免维护以及环保等优点,在中压配电领域取代了油断路器和压缩空气断路器的应用,并逐步取代SF6断路器产品在该领域的应用。然而,在110kV及以上电压等级的输电系统中,SF6断路器以其气体介质的优异电气性能依然占主导地位。
目前,为寻求输电等级SF6气体断路器的替代产品,以降低SF6气体造成的温室效应,真空断路器以其相对SF6断路器更优益的电寿命、更低的操作功、更快速的弧后介质恢复特性等特点,向输电等级的发展成为必然的趋势。然而,随着电力系统的绿色低碳化转型,含氟开关设备的替代已迫在眉睫,绿色环保型开关设备成为了新型电力系统建设的迫切,但是适用于220kV电力系统的252kV真空断路器设备目前还处于研发阶段。因此,为适应新型电力系统发展需求,需要研发252kV真空断路器;而真空断路器设备的关键在于真空灭弧室,因此,适用于252kV的真空断路器设备的真空灭弧室的研究是人们一直关注的问题。
发明内容
本申请旨在至少能解决上述的技术缺陷之一,有鉴于此,本申请提供了一种断路器真空灭弧室及其制造方法,用于解决现有技术中现有的真空灭弧室无法应用于252KV高压双断口的断路器的技术缺陷。
一种断路器真空灭弧室,包括:主屏蔽罩、陶瓷壳体、波纹管组件、动触头组件、静触头组件和至少两个悬浮屏蔽罩组件;
其中,
每个所述悬浮屏蔽罩组件包括内部屏蔽罩和外部屏蔽罩,每个所述悬浮屏蔽罩组件的轴向上设置有所述静触头组件和所述动触头组件;
所述主屏蔽罩的两侧分别连接有两节陶瓷壳体以组成总壳体,每个悬浮屏蔽罩组件的内屏蔽罩位于所述总壳体的内部,每个所述悬浮屏蔽罩组件的外屏蔽罩位于所述总壳体的外部;
所述静触头组件包括静触头、静导电杆和静盖板,所述静导电杆的一端连接所述静触头,所述静导电杆的另一端通过所述静盖板与所述总壳体连接;
所述动触头组件包括动触头、动导电杆和动盖板,所述动导电杆的一端连接所述动触头,所述动导电杆的另一端通过所述动盖板与所述总壳体连接;
所述波纹管组件包括波纹管、导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒,所述波纹管组件套在所述动导电杆上,所述波纹管组件的轴向方向与所述动触头组件保持一致,并随着所述动导电杆移动而伸缩。
优选地,
所述动触头与所述静触头的结构均选用三分之二线圈纵磁触头结构。
优选地,
所述动触头与所述静触头均包括支撑件、触头片铁芯、触头座以及触头背部屏蔽罩。
优选地,所述动触头和所述静触头均为六槽杯状纵磁触头。
优选地,
每两个所述悬浮屏蔽的结构相同且关于所述主屏蔽罩纵向中心轴对称。
优选地,
所述动盖板与所述静盖板之间的最远距离为815mm;
所述静导电杆和所述动导电杆之间的最远距离为1064mm;
所述静导电杆的外径取值范围为[75mm,85mm],所述动导电杆的外径取值范围为[70mm,80mm]。
优选地,每节所述陶瓷壳体的外径的取值范围为[260mm,280mm],内径的取值范围为[240mm,260mm],高度的取值范围为[125mm,135mm];
所述主屏蔽罩的外径的取值范围为[275mm,290mm],厚度的取值范围为(0mm,3mm],高度的取值范围为[250mm,260mm]。
优选地,所述真空灭弧室的机械特性参数,包括:
所述动触头或所述静触头的开距的取值范围设置为[60mm,65mm];
所述真空灭弧室的动端运动质量设置为18.8kg;
所述真空灭弧室的合闸保持力的初压力设置为5000N,终压力设置为7000N;
当测试距离取20mm时,所述真空灭弧室的平均分闸速度设置为3.5m/s,当测试距离取40mm时,所述真空灭弧室的平均分闸速度设置为3.0m/s;
所述真空灭弧室的合闸速度设置为1.15m/s;
所述真空灭弧室的超程设置为20~25mm。
优选地,所述真空灭弧室的电气参数,包括:
所述真空灭弧室的额定电压设置为252kV;
所述真空灭弧室的额定电流设置为4000×1.1A;
所述真空灭弧室的额定短路开断电流设置为50kA;
所述真空灭弧室的额定工频耐压设置为460+146kV;
所述真空灭弧室的额定雷电冲击耐压设置为1050+206kV。
一种断路器真空灭弧室制造方法,应用于前述介绍任一项所述的断路器真空灭弧室,该方法包括:
采用外露中央主屏蔽罩结构来构建目标断路器真空灭弧室的外形结构;
在所述目标断路器真空灭弧室的中央主屏蔽罩结构两侧,分别焊接两节陶瓷壳体,其中,不同节陶瓷连接处以及所述中央主屏蔽罩与陶瓷壳体连接处均设置有外部屏蔽环;
其中,
所述主屏蔽罩与每节所述陶瓷壳体的连接方式为焊接连接方式。
从以上介绍的技术方案可以看出,本申请实施例可以提供一种断路器真空灭弧室,该真空灭弧室可以包括:主屏蔽罩、陶瓷壳体、波纹管组件、动触头组件、静触头组件和至少两个悬浮屏蔽罩组件;其中,每个悬浮屏蔽罩组件可以包括内部屏蔽罩和外部屏蔽罩,每个悬浮屏蔽罩组件的轴向上设置有静触头组件和动触头组件;主屏蔽罩的两侧分别连接有两节陶瓷壳体以组成总壳体,每个悬浮屏蔽罩组件的内屏蔽罩位于总壳体的内部,每个悬浮屏蔽罩组件的外屏蔽罩位于总壳体的外部;静触头组件则可以包括静触头、静导电杆和静盖板,静导电杆的一端可以连接静触头,静导电杆的另一端可以通过静盖板与总壳体连接;动触头组件可以包括动触头、动导电杆和动盖板,动导电杆的一端可以连接动触头,动导电杆的另一端可以通过动盖板与总壳体连接;波纹管组件可以包括波纹管、导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒,波纹管组件可以套在动导电杆上,波纹管组件的轴向方向可以与动触头组件保持一致,并可以随着动导电杆移动而伸缩。
由上述介绍可知,本申请实施例提供的真空灭弧室可以具备更大的通流能力,具备更高的绝缘水平,其额定短路开断能力更大,本申请实施例提供的真空灭弧室与传统的126kV真空灭弧室相比,本申请实施例提供的真空灭弧室的短路开断参数、额定通流参数、绝缘耐压参数均有所提升,可以应用于新型252kV高压双断口断路器。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种断路器真空灭弧室外形结构示意图;
图2为本申请实施例提供的252kV双断口真空灭弧室剖面示意图;
图3为本申请实施例提供的一种真空灭弧室的动触头和静触头的剖面结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种真空灭弧室的波纹管的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
由上述介绍可知,在实际应用过程中,真空断路器以其高的开断能力、寿命期间内免维护以及环保等优点,在中压配电领域取代了油断路器和压缩空气断路器的应用,并逐步取代SF6断路器产品在该领域的应用。
然而,在110kV及以上电压等级的输电系统中,SF6断路器以其气体介质的优异电气性能依然占主导地位。
目前,由于同等电压等级下真空断路器操作功为SF6断路器的20%及以下,为寻求输电等级SF6气体断路器的替代产品,以降低SF6气体造成的温室效应,真空断路器以其相对SF6断路器更优益的电寿命、更低的操作功、更快速的弧后介质恢复特性等特点,向输电等级的发展成为必然的趋势。
目前,输电等级真空断路器最高电压等级为204kV,并应用于GIS设备中,其额定电流为800A,额定短路开断电流为25kA;单断口真空断路器最高电压等级为170kV的罐式真空断路器。
目前,在实际应用过程中,也研发出126kV真空断路器设备,在大容量真空开断技术领域已取得重大进展。
然而,适用于220kV电力系统的252kV真空断路器设备目前还处于研发阶段。
此外,为加快构建以新能源为主体的新型电力系统,电力系统的绿色低碳化转型势在必行,含氟开关设备的替代已迫在眉睫,绿色环保型开关设备成为了新型电力系统建设的迫切。
鉴于目前大部分的断路器的真空灭弧方案难以适应复杂多变的业务需求,为此,本申请人研究了一种真空灭弧室,本申请实施例提供的真空灭弧室可以具备更大的通流能力,具备更高的绝缘水平,其额定短路开断能力更大,本申请实施例提供的真空灭弧室与传统的126kV真空灭弧室相比,本申请实施例提供的真空灭弧室的短路开断参数、额定通流参数、绝缘耐压参数均有所提升,可以应用于新型252kV高压双断口断路器。
本申请实施例提供的方法可以用于众多通用或专用的计算装置环境或配置中。
例如:个人计算机、服务器计算机、手持设备或便携式设备、平板型设备、多处理器装置、包括以上任何装置或设备的分布式计算环境等等。
本申请实施例提供一种断路器真空灭弧室,该断路器真空灭弧室可以应用于各种电器设备管理系统中。
下面结合图1-图4,介绍本申请实施例给出的断路器真空灭弧室,如图1所示,本申请实施例提供的断路器真空灭弧室可以采用外露中央主屏蔽罩结构,在中央主屏蔽罩结构两侧,分别焊接有两节陶瓷壳体,不同节陶瓷连接处以及中央主屏蔽罩与陶瓷壳体连接处均设置有外部屏蔽环。
其中,
主屏蔽罩与每节陶瓷壳体的连接方式为焊接连接方式。
由图1可知,本申请实施例提供的断路器真空灭弧室可以包括:主屏蔽罩1、陶瓷壳体2、至少两个悬浮屏蔽罩组件3;
其中,
每个悬浮屏蔽罩组件3可以包括内部屏蔽罩和外部屏蔽罩,每个悬浮屏蔽罩组件的轴向上可以设置有静触头组件4和动触头组件5;
主屏蔽罩1的两侧分别可以连接有两节陶瓷壳体2以组成总壳体,每个悬浮屏蔽罩组件3的内屏蔽罩可以位于该总壳体的内部,每个悬浮屏蔽罩组件3的外屏蔽罩可以位于该总壳体的外部,以便可以保证整个真空灭弧室有良好的绝缘屏蔽。
其中,
图2示例了一种252kV双断口真空灭弧室剖面的示意图;
如图2所示,
静触头组件4可以包括静触头41、静导电杆42和静盖板43。
其中,
静导电杆42的一端可以连接静触头41,静导电杆42的另一端可以通过静盖板43与总壳体连接;
动触头组件5可以包括动触头51、动导电杆52和动盖板53。
其中,
动导电杆52的一端可以连接动触头51,动导电杆52的另一端可以通过动盖板53与该总壳体连接;
其中,
在实际应用过程中,本申请实施例提供的真空灭弧室的动触头51与静触头41的结构均可以选用三分之二线圈纵磁触头结构,以便可以保证其磁场更强、适用于大开距开断。
进一步地,
图3示例了一种真空灭弧室的动触头和静触头的剖面结构示意图。
如图3所示,
动触头51与静触头41均可以包括支撑件、触头片铁芯、触头座以及触头背部屏蔽罩,由图3可知,动触头51和静触头41均可以为六槽杯状纵磁触头。
由图2可知,
本申请实施例提供的真空灭弧室包括至少两个悬浮屏蔽组件。
如图2所示,
本申请实施例提供的真空灭弧室可以包括第一悬浮屏蔽罩31、第二悬浮屏蔽罩32、第三悬浮屏蔽罩33、第四悬浮屏蔽罩34。
每两个悬浮屏蔽的结构相同且关于主屏蔽罩纵向中心轴对称。
例如,
如图2所示,
第一悬浮屏蔽罩31和第四悬浮屏蔽罩34的结构相同且可以关于主屏蔽罩1纵向中心轴对称;
第二悬浮屏蔽罩32和第五悬浮屏蔽罩35的结构相同且可以关于主屏蔽罩1纵向中心轴对称;
第三悬浮屏蔽罩33和第六悬浮屏蔽罩36的结构相同且可以关于主屏蔽罩1纵向中心轴对称;
其中,
如图2所示,
本申请实施例提供的断路器真空灭弧室还可以包括波纹管组件6。
波纹管组件6可以包括波纹管61、波纹管保护套62。
其中,
波纹管保护套62可以导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒;
其中,
波纹管组件6可以套在动导电杆52上,波纹管组件6的轴向方向可以与动触头51组件保持一致,并可以随着动导电杆52移动而伸缩。
例如,
图4示例了一种真空灭弧室的波纹管的结构示意图。
如图4所示,
波纹管组件可以包括波纹管、导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒,波纹导管组件可以套在动导电杆上,其轴向方向可以与动触头组件保持一致,并可以随着动导电杆移动而伸缩。
进一步地,由于在实际应用过程中,现有真空灭弧室在短路电流开断能力、绝缘耐压能力及额定通流能力方面不能适用于252kV高压双断口断路器。
基于此,结合252KV高压双断口断路器的特点,可以将本申请实施例提供的真空灭弧室的参数设置如下:
(1)动盖板53与静盖板43之间的最远距离可以设置为815mm;
(2)静导电杆42和动导电杆52之间的最远距离可以设置为1064mm;
(3)静导电杆42的外径取值范围可以设置为[75mm,85mm];
例如,可以将静导电杆42的外径设置为80mm。
(4)动导电杆52的外径取值范围可以设置为[70mm,80mm];
例如,可以将动导电杆52的外径设置为74mm。
(5)每节陶瓷壳体2的外径的取值范围可以设置为[260mm,280mm],内径的取值范围可以设置为[240mm,260mm],高度的取值范围可以设置为[125mm,140mm];
例如,
可以将每节陶瓷壳体2的外径设置为270mm,内径设置为250mm,高度设置为130mm。
(6)主屏蔽罩1的外径的取值范围可以设置为[275mm,290mm],厚度的取值范围可以设置为(0mm,3mm],高度的取值范围可以设置为[250mm,260mm]。
例如,
可以将主屏蔽罩1的外径的设置为284mm,厚度设置为2.5mm,高度设置为254mm。
进一步地,可以将本申请实施例提供的真空灭弧室的机械特性参数设置如下:
(1)动触头51或静触头41的开距的取值范围可以设置为[60mm,65mm]。
例如,可以将动触头51或静触头41的开距可以设置为60mm;
(2)真空灭弧室的动端运动质量可以设置为18.8kg;
(3)真空灭弧室的合闸保持力的初压力可以设置为5000N,终压力可以设置为7000N;
(4)当测试距离取20mm时,真空灭弧室的平均分闸速度可以设置为3.5m/s,当测试距离取40mm时,真空灭弧室的平均分闸速度可以设置为3.0m/s;
(5)真空灭弧室的合闸速度可以设置为1.15m/s;
(6)真空灭弧室的超程可以设置为20~25mm。
进一步地,可以将真空灭弧室的电气参数,设置如下:
(1)真空灭弧室的额定电压可以设置为252kV;
(2)真空灭弧室的额定电流可以设置为4000×1.1A;
(3)真空灭弧室的额定短路开断电流可以设置为50kA;
(4)真空灭弧室的额定工频耐压可以设置为460+146kV;
(5)真空灭弧室的额定雷电冲击耐压可以设置为1050+206kV。
由上述介绍可知,目前,在实际应用过程中,真空断路器在110kV电压等级输电系统已获得了初步应用,但相比SF6断路器而言仍仅占10%以下市场份额,在220kV电压等级输电系统的真空开关设备的应用仍属空白。
经过试验可知,相比于传统的126kV电压等级真空灭弧室,本申请实施例提供的可以适用于252kV高压双断口断路器的真空灭弧室的通流能力更大、绝缘水平更高、额定短路开断能力更大。
本申请实施例提供的真空灭弧室与传统126kV的真空灭弧室的参数相比有很大的差别,主要体现在以下几个方面:
(1)本申请实施例提供的真空灭弧室的短路开断参数与传统的真空灭弧室的短路开断参数相比有所提升:
现有126kV真空灭弧室的短路开断电流为40kA,而本申请实施例提供的真空灭弧室可以大幅增加短路电流开断能力,开断能力可达到50kA。
(2)本申请实施例提供的真空灭弧室的额定通流参数与传统的真空灭弧室的额定通流参数相比有所提升:
现有126kV真空灭弧室的额定电流为3150A,本申请实施例提供的真空灭弧室对于额定电流的要求大幅提高,额定电流可以达到4000×
1.1A。
(3)本申请实施例提供的真空灭弧室的绝缘耐压参数与传统的真空灭弧室的绝缘耐压参数有所提升:
现有的高参数126kV真空灭弧室的额定工频耐压可以达到303kV,现有的高参数126kV真空灭弧室的额定雷电冲击耐压可以达到653kV;而本申请实施例提供的真空灭弧室的额定工频耐压可以达到460kV,本申请实施例提供的真空灭弧室的额定雷电冲击耐压达到1050kV。
由上述介绍的技术方案可知,本申请实施例提供的真空灭弧室可以包括主屏蔽罩、陶瓷壳体、悬浮屏蔽罩组件、静触头组件、动触头组件和波纹管组件,其中,主屏蔽罩的两侧分别连接两节陶瓷壳体形成总壳体,悬浮屏蔽罩组件包含内外屏蔽罩保障其有良好的绝缘屏蔽,悬浮屏蔽罩组件的轴向上设置静触头组件、动触头组件和波纹管组件,动触头或静触头结构选用三分之二匝线圈纵磁触头结构,可以有效保证其磁场更强、适用于大开距开断,动触头或静触头可以由支撑件、触头片铁芯、触头座和触头背部屏蔽罩组成,属于六槽杯状纵磁触头,本申请实施例提供的真空灭弧室可以通过主屏蔽罩、悬浮屏蔽罩组件、波纹管组件及线圈式纵向磁场触头组件等的设置,能够有效提高真空灭弧室的短路电流开断能力、绝缘耐压能力及额定通流能力,使得所提供的真空灭弧室能够适用于252kV高压双断口断路器。上述介绍可知,本申请实施例提供的真空灭弧室可以具备更大的通流能力,具备更高的绝缘水平,其额定短路开断能力更大,本申请实施例提供的真空灭弧室与传统的126kV真空灭弧室相比,本申请实施例提供的真空灭弧室的短路开断参数、额定通流参数、绝缘耐压参数均有所提升,可以应用于新型252kV高压双断口断路器。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。各个实施例之间可以相互组合。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种断路器真空灭弧室,其特征在于,包括:主屏蔽罩、陶瓷壳体、波纹管组件、动触头组件、静触头组件和至少两个悬浮屏蔽罩组件;
其中,
每个所述悬浮屏蔽罩组件包括内部屏蔽罩和外部屏蔽罩,每个所述悬浮屏蔽罩组件的轴向上设置有所述静触头组件和所述动触头组件;
所述主屏蔽罩的两侧分别连接有两节陶瓷壳体以组成总壳体,每个悬浮屏蔽罩组件的内屏蔽罩位于所述总壳体的内部,每个所述悬浮屏蔽罩组件的外屏蔽罩位于所述总壳体的外部;
所述静触头组件包括静触头、静导电杆和静盖板,所述静导电杆的一端连接所述静触头,所述静导电杆的另一端通过所述静盖板与所述总壳体连接;
所述动触头组件包括动触头、动导电杆和动盖板,所述动导电杆的一端连接所述动触头,所述动导电杆的另一端通过所述动盖板与所述总壳体连接;
所述波纹管组件包括波纹管、导向套、波纹管屏蔽罩和不锈钢套筒,所述波纹管组件套在所述动导电杆上,所述波纹管组件的轴向方向与所述动触头组件保持一致,并随着所述动导电杆移动而伸缩。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,
所述动触头与所述静触头的结构均选用三分之二线圈纵磁触头结构。
3.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,
所述动触头与所述静触头均包括支撑件、触头片铁芯、触头座以及触头背部屏蔽罩。
4.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,所述动触头和所述静触头均为六槽杯状纵磁触头。
5.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,
每两个所述悬浮屏蔽的结构相同且关于所述主屏蔽罩纵向中心轴对称。
6.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,
所述动盖板与所述静盖板之间的最远距离为815mm;
所述静导电杆和所述动导电杆之间的最远距离为1064mm;
所述静导电杆的外径取值范围为[75mm,85mm],所述动导电杆的外径取值范围为[70mm,80mm]。
7.根据权利要求1所述的真空灭弧室,其特征在于,每节所述陶瓷壳体的外径的取值范围为[260mm,280mm],内径的取值范围为[240mm,260mm],高度的取值范围为[125mm,140mm];
所述主屏蔽罩的外径的取值范围为[275mm,290mm],厚度的取值范围为(0mm,3mm],高度的取值范围为[250mm,260mm]。
8.根据权利要求1-7任一项所述的真空灭弧室,其特征在于,所述真空灭弧室的机械特性参数,包括:
所述动触头或所述静触头的开距的取值范围设置为[60mm,65mm];
所述真空灭弧室的动端运动质量设置为18.8kg;
所述真空灭弧室的合闸保持力的初压力设置为5000N,终压力设置为7000N;
当测试距离取20mm时,所述真空灭弧室的平均分闸速度设置为3.5m/s,当测试距离取40mm时,所述真空灭弧室的平均分闸速度设置为3.0m/s;
所述真空灭弧室的合闸速度设置为1.15m/s;
所述真空灭弧室的超程设置为20~25mm。
9.根据权利要求1-7任一项所述的真空灭弧室,其特征在于,所述真空灭弧室的电气参数,包括:
所述真空灭弧室的额定电压设置为252kV;
所述真空灭弧室的额定电流设置为4000×1.1A;
所述真空灭弧室的额定短路开断电流设置为50kA;
所述真空灭弧室的额定工频耐压设置为460+146kV;
所述真空灭弧室的额定雷电冲击耐压设置为1050+206kV。
10.一种断路器真空灭弧室制造方法,其特征在于,应用于权利要求1-9任一项所述的断路器真空灭弧室,该方法包括:
采用外露中央主屏蔽罩结构来构建目标断路器真空灭弧室的外形结构;
在所述目标断路器真空灭弧室的中央主屏蔽罩结构两侧,分别焊接两节陶瓷壳体,其中,不同节陶瓷连接处以及所述中央主屏蔽罩与陶瓷壳体连接处均设置有外部屏蔽环;
其中,
所述主屏蔽罩与每节所述陶瓷壳体的连接方式为焊接连接方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310859669.5A CN116741569A (zh) | 2023-07-13 | 2023-07-13 | 断路器真空灭弧室及其制造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310859669.5A CN116741569A (zh) | 2023-07-13 | 2023-07-13 | 断路器真空灭弧室及其制造方法 |
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CN116741569A true CN116741569A (zh) | 2023-09-12 |
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CN202310859669.5A Pending CN116741569A (zh) | 2023-07-13 | 2023-07-13 | 断路器真空灭弧室及其制造方法 |
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CN (1) | CN116741569A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117393371A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-01-12 | 广东电网有限责任公司 | 一种真空灭弧室 |
-
2023
- 2023-07-13 CN CN202310859669.5A patent/CN116741569A/zh active Pending
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