CN116707479B - 用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于释放型体声波滤波器的监控结构，包括：多个释放监测结构，释放监测结构的数量与谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。这样，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同，且释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同。便于监控结构中的每一个释放监测结构能分别对应监测一个谐振器，从而能够监测滤波器中的每一个谐振器是否释放干净。进而能够精确的监测滤波器是否释放干净。本申请还公开一种滤波器。

Description

用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，例如涉及一种用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器。

背景技术

目前，传统的薄膜体声波谐振器通常由在衬底上依次设置的下电极结构、压电层和上电极结构构成，且下电极结构和衬底围合形成空腔。存在滤波器由多个薄膜体声波谐振器构成。在制作滤波器的过程中，通常采用释放工艺去制作滤波器中各薄膜体声波谐振器的空腔。相关技术中，会设置一个谐振器监测结构去监测滤波器中的一个薄膜体声波谐振器是否释放干净，在被监测的薄膜体声波谐振器释放干净的情况下，则认为滤波器中每个薄膜体声波谐振器均释放干净。但是，仅通过设置一个谐振器监测结构很难精确的监测整个滤波器中各薄膜体声波谐振器是否释放干净。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本发明实施例提供一种用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器，以精确的监测滤波器是否释放干净。

在一些实施例中，释放型体声波滤波器包括多个谐振器；用于释放型体声波滤波器的监控结构，包括：多个释放监测结构，释放监测结构的数量与谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

在一些实施例中，释放监测结构，包括：衬底，一侧设置有凹槽；压电层，位于衬底设置有凹槽的一侧，与衬底围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

在一些实施例中，谐振器包括截止边界层；释放监测结构，包括：衬底；牺牲层，设置在衬底上；截止边界层，位于牺牲层和衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起；压电层，设置在牺牲层和截止边界层上，截止边界层通过第一凸起、第二凸起和压电层围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

在一些实施例中，谐振器包括截止边界层；释放监测结构，包括：衬底；牺牲层，设置在衬底上；牺牲层被限定为中空结构，牺牲层的中空部分暴露出衬底；截止边界层，用于覆盖牺牲层；压电层，设置在截止边界层上，压电层、截止边界层和暴露出的衬底围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

在一些实施例中，释放监测结构的第一空腔释放通道的数量与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的数量相同；所述对应待监测谐振器为与释放监测结构位于相同连接位置的谐振器。

在一些实施例中，截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅或非晶硅制成。

在一些实施例中，牺牲层由二氧化硅制成。

在一些实施例中，压电层由具有压电性能的氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂、锆钛酸铅和钛酸锶钡材料中的一种或多种制成。

在一些实施例中，衬底由氧化硅、三氧化二铝、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料中的一种或多种组合制成。

在一些实施例中，滤波器包括上述的监控结构。

本发明实施例提供一种用于释放型体声波滤波器的监控结构、滤波器。可以实现以下技术效果：通过设置包括多个释放监测结构的监控结构，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。这样，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同，且释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同。便于监控结构中的每一个释放监测结构能分别对应监测一个谐振器，从而能够监测滤波器中的每一个谐振器是否释放干净。进而能够精确的监测滤波器是否释放干净。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是本发明实施例提供的一个滤波器的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一个监控结构的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的第一种释放监测结构的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的第二种释放监测结构的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的第三种释放监测结构的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的第四种释放监测结构的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的设置有第二空腔释放通道的滤波器的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的设置有第一空腔释放通道的监控结构的结构示意图。

附图标记：

1：谐振器；2：释放监测结构；3：衬底；4：压电层；5：截止边界层；6：牺牲层；7：键合层。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

本发明实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

本发明实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明实施例中的具体含义。

另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。

除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。

本发明实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。

术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本发明实施例提供一个用于释放型体声波滤波器的监控结构，释放型体声波滤波器包括多个谐振器；监控结构包括：多个释放监测结构，释放监测结构的数量与谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

采用本申请实施例提供的监控结构，通过设置包括多个释放监测结构的监控结构，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。这样，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同，且释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同。便于监控结构中的每一个释放监测结构均能对应监测一个谐振器，从而能够监测滤波器中的每一个谐振器是否释放干净。进而能够精确的监测滤波器是否释放干净。

在一些实施例中，释放型体声波滤波器包括多个谐振器，各谐振器分别设置有空腔和第二空腔释放通道。其中，谐振器的第二空腔释放通道用于连通谐振器的空腔。在谐振器的空腔还未通过释放工艺形成的情况下，谐振器的第二空腔释放通道连接待腐蚀物质；在谐振器经历释放工艺后，谐振器的第二空腔释放通道连通谐振器的空腔。其中，待腐蚀物质为用于在释放工艺中被腐蚀的物质。

在一些实施例中，释放型体声波滤波器，即需要通过释放工艺去制作谐振器空腔的滤波器。释放工艺，例如：氢氟酸溶液湿法腐蚀、BOE (Buffered Oxide Etchant，缓冲氧化物刻蚀液)溶液湿法腐蚀、氢氟酸蒸汽腐蚀等。

在一些实施例中，连接方式包括连接位置。其中，连接位置，例如：谐振器O和谐振器P连接；谐振器P与谐振器O、谐振器N连接。连接方式还包括连接类型，例如：串联、并联等。

在一些实施例中，结合图1所示，图1为滤波器的结构示意图。图1中，每一个五边形代表一个谐振器1，各谐振按照图示的分布位置进行连接。在滤波器为图1所示的情况下，滤波器对应的监控结构如图2所示。图2中每一个五边形代表一个释放监测结构2。各释放监测结构2之间的连接方式与图1中各谐振器1之间的连接方式相同。可以理解的，在释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同的情况下，各释放监测结构组成的俯视形状与各谐振器组成的俯视形状相同。从而便于监控结构中的每一个释放监测结构均能对应监测一个谐振器。

可选地，谐振器不包括截止边界层；释放监测结构，包括：衬底和压电层。衬底，一侧设置有凹槽。压电层，位于衬底设置有凹槽的一侧，与衬底围合形成空腔。压电层设置有第一空腔释放通道。这样，在释放过程中，由于截止边界层宽度、药液分布、第二空腔释放通道的位置等都会影响释放效果。在谐振器不包括截止边界层的情况下，设置释放监测结构也不包括截止边界层，能够使得释放监测结构与谐振器的结构大致保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

在一些实施例中，结合图3所示，图3为第一种释放监测结构的结构示意图。如图3所示，单个的释放监测结构由设置有凹槽的衬底3和覆盖凹槽的压电层4构成。压电层4覆盖凹槽的情况下，衬底3的凹槽被限定为释放监测结构的空腔。压电层设置有第一空腔释放通道，第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

可选地，谐振器包括截止边界层。释放监测结构，包括：衬底、牺牲层、截止边界层和压电层。牺牲层，设置在衬底上。牺牲层被限定为中空结构，牺牲层的中空部分暴露出衬底。截止边界层，用于覆盖牺牲层。压电层，设置在截止边界层上，压电层、截止边界层和暴露出的衬底围合形成空腔。压电层设置有第一空腔释放通道。这样，在释放过程中，由于截止边界层宽度会影响释放效果。在谐振器包括截止边界层的情况下，设置释放监测结构也包括截止边界层，能够使得释放监测结构与谐振器的结构大致保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

在一些实施例中，结合图4所示，图4为第二种释放监测结构的结构示意图。如图4所示，单个的释放监测结构由衬底3、截止边界层5、牺牲层6和压电层4构成。衬底3上设置有被限定为中空结构的牺牲层6。其中，牺牲层6的中空部分暴露出衬底3。截止边界层5设置在牺牲层6的上方和侧方，用于覆盖牺牲层6。压电层4设置在截止边界层5上，压电层4、截止边界层5和衬底3围合形成释放监测结构的空腔。

可选地，谐振器包括截止边界层。释放监测结构，包括：衬底、牺牲层、截止边界层和压电层。牺牲层，设置在衬底上。截止边界层，位于牺牲层和衬底之间。截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起。压电层，设置在牺牲层和截止边界层上，截止边界层通过第一凸起、第二凸起和压电层围合形成空腔。压电层设置有第一空腔释放通道。这样，在释放过程中，由于截止边界层宽度会影响释放效果。在谐振器包括截止边界层的情况下，设置释放监测结构也包括截止边界层，能够使得释放监测结构与谐振器的结构大致保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

在一些实施例中，结合图5所示，图5为第三种释放监测结构的结构示意图。如图5所示，单个的释放监测结构由衬底3、截止边界层5、牺牲层6和压电层4构成。衬底3上设置有截止边界层5，截止边界层5形成有位于牺牲层6内的第一凸起和第二凸起。截止边界层5通过第一凸起、第二凸起和压电层4围合形成空腔，压电层设置有第一空腔释放通道，第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

在一些实施例中，结合图6所示，图6为第四种释放监测结构的结构示意图。如图6所示，单个的释放监测结构由衬底3、键合层7、截止边界层5、牺牲层6和压电层4构成。截止边界层5位于牺牲层6和衬底3之间，形成位于牺牲层6内的第一凸起和第二凸起。截止边界层5通过第一凸起、第二凸起和压电层4围合形成空腔。截止边界层5远离牺牲层6的一侧设置有键合层7。键合层7远离截止边界层5的一侧设置有衬底3。其中，压电层设置有第一空腔释放通道，第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

可选地，释放监测结构的第一空腔释放通道的数量与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的数量相同；对应待监测谐振器为与释放监测结构位于相同连接位置的谐振器。

可选地，在释放监测结构的第一空腔释放通道的数量与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的数量相同的情况下，释放监测结构的第一空腔释放通道的设置位置与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的设置位置相同。进一步的，第一空腔释放通道用于连通与第一空腔释放通道的设置位置相同的第二空腔释放通道。这样，在释放过程中，由于第二空腔释放通道的位置会影响释放效果。使释放监测结构的第一空腔释放通道的设置位置与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的设置位置相同，能够使得释放监测结构与谐振器的结构更好的保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

在一些实施例中，滤波器存在3个谐振器，例如：谐振器A、谐振器B和谐振器C。其中，谐振器A与谐振器B并联连接，谐振器A与谐振器C串联连接。则该滤波器对应的监控结构包括3个释放监测结构，例如：释放监测结构a、释放监测结构b和释放监测结构c。释放监测结构a与释放监测结构b并联连接，释放监测结构a与释放监测结构c串联连接。则，谐振器A与释放监测结构a位于相同连接位置。则谐振器A为释放监测结构a的对应待监测谐振器。谐振器B与释放监测结构b位于相同连接位置，谐振器B为释放监测结构b的对应待监测谐振器。谐振器C与释放监测结构c位于相同连接位置，谐振器C为释放监测结构c的对应待监测谐振器。

结合图7和图8所示，假设图7中位于最顶端的谐振器1为谐振器D，图8中位于最顶端的释放监测结构2为释放监测结构d。谐振器D呈五边形，五边形的五个顶点均设置有第二空腔释放通道。谐振器D为释放监测结构d的对应待监测谐振器。则，释放监测结构d的五个顶点均设置第一空腔释放通道。假设图7中位于最底端的谐振器1为谐振器E，图8中位于最底端的释放监测结构2为释放监测结构e。谐振器E呈五边形，五边形的五个顶点，例如：顶点F、顶点G、顶点H、顶点L和顶点M。在谐振器E的顶点F和顶点H设置有第二空腔释放通道。谐振器E为释放监测结构e的对应待监测谐振器。释放监测结构e的五个顶点，例如：顶点f、顶点g、顶点h、顶点l和顶点m。其中，顶点f与顶点F的设置位置相同。顶点g与顶点G的设置位置相同。顶点h与顶点H的设置位置相同。顶点l和顶点L的设置位置相同。顶点m和顶点M的设置位置相同。则，释放监测结构e的顶点f和顶点h设置有第一空腔释放通道。

进一步的，释放监测结构e中位于顶点f的第一空腔释放通道连通谐振器E中顶点F处设置的第二空腔释放通道。释放监测结构e中位于顶点h的第一空腔释放通道连通谐振器E中顶点H处设置的第二空腔释放通道。这样，在释放过程中，由于第二空腔释放通道的位置会影响释放效果。使释放监测结构的第一空腔释放通道的设置位置与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的设置位置相同，能够使得释放监测结构与谐振器的结构更好的保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

可选地，截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅或非晶硅制成。

可选地，牺牲层由二氧化硅制成。

可选地，压电层由具有压电性能的氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂、锆钛酸铅和钛酸锶钡材料中的一种或多种制成。

可选地，衬底是由氧化硅、三氧化二铝、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料中的一种或多种组合制成。

可选地，键合层由二氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。

在一些实施例中，释放监测结构的牺牲层与对应待监测谐振器的牺牲层的制作材料相同。释放监测结构的压电层与对应待监测谐振器的压电层的制作材料相同。释放监测结构的衬底与对应待监测谐振器的衬底的制作材料相同。在对应待监测谐振器包括截止边界层的情况下，释放监测结构的截止边界层与对应待监测谐振器的截止边界层的制作材料相同。在对应待监测谐振器包括键合层的情况下，释放监测结构的键合层与对应待监测谐振器的键合层的制作材料相同。这样，在释放过程中，由于构成材质的不同也可能会影响释放效果。使释放监测结构与对应待监测谐振器的各层的材料保持一致，能够使得释放监测结构与谐振器的结构更好的保持一致，从而能够更精准的监测谐振器是否释放干净。

在一些实施例中，释放监测结构与对应待监测谐振器相比，除了不具备对应待监测谐振器的上电极层和下电极层，其他结构均相同。

本发明实施例提供一种滤波器，包括上述的用于释放型体声波滤波器的监控结构。释放型体声波滤波器包括多个谐振器；监控结构包括：多个释放监测结构，释放监测结构的数量与谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。

采用本发明实施例提供的滤波器，通过设置包括多个释放监测结构的监控结构，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道。这样，释放监测结构的数量与滤波器中的谐振器的数量相同，且释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同。便于监控结构中的每一个释放监测结构均能对应监测一个谐振器，从而能够监测滤波器中的每一个谐振器是否释放干净。进而能够精确的监测滤波器是否释放干净。

以上描述和附图充分地示出了本发明的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。

Claims (9)

1.一种用于释放型体声波滤波器的监控结构，其特征在于，释放型体声波滤波器包括多个谐振器；监控结构包括：

多个释放监测结构，释放监测结构的数量与谐振器的数量相同；释放监测结构之间的连接方式与谐振器连接方式相同；各释放监测结构分别设置有空腔和第一空腔释放通道；第一空腔释放通道用于连通释放监测结构的空腔和谐振器的第二空腔释放通道；

谐振器连接方式包括串联或并联；

释放监测结构，包括：

衬底，一侧设置有凹槽；

压电层，位于衬底设置有凹槽的一侧，与衬底围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

2.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，谐振器包括截止边界层；释放监测结构，包括：

衬底；

牺牲层，设置在衬底上；

截止边界层，位于牺牲层和衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起；

压电层，设置在牺牲层和截止边界层上，截止边界层通过第一凸起、第二凸起和压电层围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

3.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，谐振器包括截止边界层；释放监测结构，包括：

衬底；

牺牲层，设置在衬底上；牺牲层被限定为中空结构，牺牲层的中空部分暴露出衬底；

截止边界层，用于覆盖牺牲层；

压电层，设置在截止边界层上，压电层、截止边界层和暴露出的衬底围合形成空腔；压电层设置有第一空腔释放通道。

4.根据权利要求1所述的监控结构，其特征在于，释放监测结构的第一空腔释放通道的数量与对应待监测谐振器的第二空腔释放通道的数量相同；所述对应待监测谐振器为与释放监测结构位于相同连接位置的谐振器。

5.根据权利要求2或3任一项所述的监控结构，其特征在于，截止边界层由氮化硅、氮化铝、多晶硅或非晶硅制成。

6.根据权利要求2或3任一项所述的监控结构，其特征在于，牺牲层由二氧化硅制成。

7.根据权利要求1至3任一项所述的监控结构，其特征在于，压电层由具有压电性能的氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂、锆钛酸铅和钛酸锶钡材料中的一种或多种制成。

8.根据权利要求1至3任一项所述的监控结构，其特征在于，衬底由氧化硅、三氧化二铝、碳硅、多晶硅、非晶硅和单晶硅材料中的一种或多种组合制成。

9.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括如权利要求1至8任一项所述的监控结构。