CN116679891A - 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质 - Google Patents

一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质 Download PDF

Info

Publication number
CN116679891A
CN116679891A CN202310973124.7A CN202310973124A CN116679891A CN 116679891 A CN116679891 A CN 116679891A CN 202310973124 A CN202310973124 A CN 202310973124A CN 116679891 A CN116679891 A CN 116679891A
Authority
CN
China
Prior art keywords
event
time
energy meter
electric energy
storage area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310973124.7A
Other languages
English (en)
Inventor
刁瑞朋
张志刚
高生宇
李翔
刘新欣
崔亚超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao Dingxin Communication Power Engineering Co ltd
Qingdao Topscomm Communication Co Ltd
Original Assignee
Qingdao Dingxin Communication Power Engineering Co ltd
Qingdao Topscomm Communication Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qingdao Dingxin Communication Power Engineering Co ltd, Qingdao Topscomm Communication Co Ltd filed Critical Qingdao Dingxin Communication Power Engineering Co ltd
Priority to CN202310973124.7A priority Critical patent/CN116679891A/zh
Publication of CN116679891A publication Critical patent/CN116679891A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0616Improving the reliability of storage systems in relation to life time, e.g. increasing Mean Time Between Failures [MTBF]
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0608Saving storage space on storage systems
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671In-line storage system
    • G06F3/0673Single storage device
    • G06F3/0679Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本申请公开了一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质,涉及电力设备技术领域。方案通过在电能表FLASH中设置第一存储区和第二存储区,实现了事件总累计发生时间的存储。由于国网规定事件默认发生需延迟1分钟,结束需延迟1分钟,因此两个存储区的写入频率均为2分钟/次;且由于事件对应的存储位置的大小均为4字节,根据已知的事件总数、FLASH每页可存储的字节数、每页擦写寿命以及期望的电能表寿命,可得出第一存储区和第二存储区分别需要占用页数为50页,即事件总累计发生时间的存储只需要占用100页的FLASH存储空间,大大降低了对存储空间的占用。无需增加其他存储介质,降低了电能表成本和设备复杂度。

Description

一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质
技术领域
本申请涉及电力设备技术领域,特别是涉及一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质。
背景技术
国家电网智能电能表规范标准要求电能表记录回路中发生的事件(例如失压或失流)的总累计发生时间。当前主流的一种做法是新增带电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable read only memory,EEPROM)进行存储。还有一种做法是在电能表内存中增加每个事件对应的总累计发生时间的变量,电能表每次断电又上电后,再从闪存(FLASH)存储中继续加载到内存继续累计。由于事件总数约为50个,各事件总累计发生时间均为4个字节,写入频率为1秒/次,则按照电能表15年寿命计算,此方式大约需要占用230页的FLASH存储空间。
由上述内容可知,现有的事件总累计发生时间的存储,要么需要电能表额外增加EEPROM进行存储,增加了电能表成本和设备复杂度;要么需要大量占用FLASH存储空间,造成了存储资源的浪费。
鉴于上述问题,如何更好地实现电能表事件总累计发生时间存储,避免增加电能表成本以及避免浪费存储资源,是该领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质,以更好地实现电能表事件总累计发生时间存储,避免增加电能表成本以及避免浪费存储资源。
为解决上述技术问题,本申请提供一种电能表事件总累计发生时间存储方法,应用于电能表;所述电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,所述第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次;所述方法包括:
当事件发生时,获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数;
将所述第一时间计数写入所述第二存储区中所述事件对应的存储位置;
当所述事件结束时,获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数;
获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值;
将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置,以更新所述事件的总累计发生时间;
其中,各所述事件对应的存储位置的大小均为4字节。
优选地,还包括:
在所述电能表的内存中设置4字节32位无符号整型数据的内存存储区,以用于存储从所述电能表上电时刻开始的时间计数;
其中,当所述电能表的时钟模块输出的秒数加1时,所述内存存储区中的所述时间计数加1。
优选地,所述获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数包括:
获取所述内存存储区内存储的所述第一时间计数。
优选地,所述获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数包括:
获取所述内存存储区内存储的所述第二时间计数。
优选地,还包括:
在所述电能表的FLASH中设置第三存储区,用于存储所述内存存储区传输的所述时间计数;
其中,所述第三存储区的写入频率为1秒/次。
优选地,还包括:
当所述电能表断电又上电时,判断是否存在所述事件在最近一次的事件发生记录里只存在事件发生时间,不存在事件结束时间;
若是,则获取所述第二存储区存储的所述事件对应的所述第一时间计数;
获取所述第三存储区在断电时存储的所述事件对应的所述第二时间计数,进入所述获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值的步骤;
若否,则结束。
优选地,所述将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置包括:
获取当前的所述事件发生前所述第一存储区中所述事件的原始总累计发生时间;
将所述差值与所述原始总累计发生时间的和写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置。
优选地,还包括:
当所述事件发生时,输出所述事件发生的提示信息。
为解决上述技术问题,本申请还提供一种电能表事件总累计发生时间存储装置,应用于电能表;所述电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,所述第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次;所述装置包括:
第一获取模块,用于当事件发生时,获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数;
第一写入模块,用于将所述第一时间计数写入所述第二存储区中所述事件对应的存储位置;
第二获取模块,用于当所述事件结束时,获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数;
第三获取模块,用于获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值;
第二写入模块,用于将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置,以更新所述事件的总累计发生时间;
其中,各所述事件对应的存储位置的大小均为4字节。
为解决上述技术问题,本申请还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述的电能表事件总累计发生时间存储方法的步骤。
本申请所提供的电能表事件总累计发生时间存储方法,应用于电能表;电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次。当事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数;将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置;当事件结束时,获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数;获取第一时间计数与第二时间计数的差值;将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间;其中,各事件对应的存储位置的大小均为4字节。由此可知,上述方案中在FLASH中设置有第一存储区和第二存储区,通过两个存储区实现了事件总累计发生时间的存储。由于国网规定事件默认发生需延迟1分钟,结束需延迟1分钟,因此两个存储区的写入频率均为2分钟/次;且由于事件对应的存储位置的大小均为4字节,根据已知的事件总数、FLASH每页可存储的字节数、每页FLASH的擦写寿命以及期望的电能表寿命,可得出第一存储区和第二存储区分别需要占用FLASH的页数为50页,也就是说事件总累计发生时间的存储只需要占用100页的FLASH存储空间,大大降低了对FLASH存储空间的占用。同时电能表无需增加其他存储介质,降低了电能表成本和设备复杂度。
此外,本申请还提供了一种电能表事件总累计发生时间存储装置及介质,效果同上。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例,下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种电能表事件总累计发生时间存储方法的流程图;
图2为本申请实施例提供的一种事件总累计发生事件存储原理图;
图3为本申请实施例提供的一种电能表事件总累计发生时间存储装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护范围。
本申请的核心是提供一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质,以更好地实现电能表事件总累计发生时间存储,避免增加电能表成本以及避免浪费存储资源。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。
目前,电能表对事件的总累计发生时间存储的主流做法之一,是使用一块EEPROM芯片来进行记录,从而可以在同一个区域多次写入不同的数据。然而EEPROM的容量大多都比较小,无法满足存储所有事件数据的要求,因此大多数厂家目前都采用FLASH+EERPROM的方案:即FLASH记录变化频率大于5秒的数据,EEPROM记录事件总累计发生时间等变化频率小于5秒的数据。
此外,事件的总累计发生时间存储的另一种做法是仅通过FLASH实现。通过在电能表内存中增加每个事件对应的总累计发生时间的变量,然后以1秒/次为频率进行存储,每个事件对应占用FLASH存储空间4个字节;电能表每次断电又上电后,再从FLASH存储中继续加载到内存继续累计。由于国网规范标准中需要记录总累计发生时间的事件大约50个,因此全部事件的总累计发生时间约为200字节;以1秒/次的写入频率,每页FLASH按照4000个字节存储,一次写入200个字节,则每页能写20次;由于每页FLASH擦写寿命是10万次,则按照15年的电能表寿命计算,在电能表运行生涯中,总共需要分配的FLASH存储空间如下:
473040000/20/100000≈237;
也就是说,在电能表运行生涯中,大约需要分配230页的FLASH存储空间。这种方式严重浪费芯片内存和对应的FLASH存储空间,造成资源的浪费。鉴于上述问题,本申请提供了一种电能表事件总累计发生时间存储方法,以更好地实现电能表事件总累计发生时间存储,避免增加电能表成本以及避免浪费存储资源。
需要注意的是,本申请所提供的方法应用于电能表;电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次。可以理解的是,国网规定事件默认发生需延迟1分钟,结束需延迟1分钟,因此两个存储区的写入频率均为2分钟/次。
图1为本申请实施例提供的一种电能表事件总累计发生时间存储方法的流程图。如图1所示,方法包括:
S10:当事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数。
在电能表运行过程中对事件的发生进行持续的监测。当确认事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数。可以理解的是,在电能表上电时,时间计数应为0,因此第一时间计数表征的是从电能表上电时刻开始到发生事件经过的时间值。
需要注意的是,本实施例中对于第一时间计数的具体获取方式不做限制,根据具体的实施情况而定。
S11:将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置。
进一步将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置。可以理解的是,第二存储区用于存储各个事件在对应发生时刻的时间计数。各个事件在第二存储区中均存在对应的存储位置,且对应的存储位置的大小均为4字节。
S12:当事件结束时,获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数。
当事件结束时,需要确定事件在本次发生的持续时间。因此进一步获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数,可以理解的是,从电能表上电时刻开始,时间计数一直在增加,故第二时间计数表征的是从电能表上电时刻开始到事件结束经过的时间值。
S13:获取第一时间计数与第二时间计数的差值。
为了确定事件在本次发生的持续时间,在得到事件发生时刻的第一时间计数和事件结束时刻的第二时间计数之后,获取第一时间计数与第二时间计数的差值,此差值即为事件在本次发生的持续时间CurTime。
S14:将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间。
可以理解的是,第一存储区是用于存储各个事件的总累计发生时间。各个事件在第一存储区中均存在对应的存储位置,且对应的存储位置的大小均为4字节。由于第一存储区中存在之前发生并记录的事件的原始总累计发生时间TimeOld,当事件未发生时,读取事件的总累计发生时间就是读取原始总累计发生时间TimeOld。因此当事件于本次再次发生时,需要根据本次事件的持续时间CurTime对事件的原始总累计发生时间TimeOld进行更新,也就是将表征事件本次发生的持续时间CurTime的差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间,得到新的总累计发生时间TimeNew。
需要注意的是,本实施例中对于将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置的具体方式不做限制,可直接将差值写入,还可从存储位置中取出原始总累计发生时间与差值相加后再写入,根据具体的实施情况而定。
以上基于FLASH内的第一存储区和第二存储区实现了事件总累积发生时间的存储。由于第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次,各事件对应的存储位置的大小均为4字节,已知的事件总数约为50,FLASH每页可存储的字节数为4000,每页FLASH的擦写寿命为10万次,以及期望的电能表寿命为15年,则电能表在运行生涯内需要向第一存储区和第二存储区写入数据的次数均为:
15×365×24×60/2=3942000;
由于每页可存储的字节数为4000,每页一次写入4个字节,则每页能写1000次。因此,在电能表运行生涯内,第一存储区/第二存储区为一个事件分配的FLASH存储空间如下:
3942000/1000/100000≈1;
因此,50个事件对应50页。故在电能表运行生涯内,第一存储区和第二存储区总共需要分配的FLASH存储空间分别为50页,事件总累计发生时间的存储只需要占用100页,远低于现有方案的230页。
本实施例中,电能表事件总累计发生时间存储方法,应用于电能表;电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次。当事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数;将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置;当事件结束时,获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数;获取第一时间计数与第二时间计数的差值;将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间;其中,各事件对应的存储位置的大小均为4字节。由此可知,上述方案中在FLASH中设置有第一存储区和第二存储区,通过两个存储区实现了事件总累计发生时间的存储。由于国网规定事件默认发生需延迟1分钟,结束需延迟1分钟,因此两个存储区的写入频率均为2分钟/次;且由于事件对应的存储位置的大小均为4字节,根据已知的事件总数、FLASH每页可存储的字节数、每页FLASH的擦写寿命以及期望的电能表寿命,可得出第一存储区和第二存储区分别需要占用FLASH的页数为50页,也就是说事件总累计发生时间的存储只需要占用100页的FLASH存储空间,大大降低了对FLASH存储空间的占用。同时电能表无需增加其他存储介质,降低了电能表成本和设备复杂度。
图2为本申请实施例提供的一种事件总累计发生事件存储原理图。为了更好地获取到时间计数,减少对FLASH存储的读写次数,在上述实施例的基础上,作为一种优选的实施例,如图2所示,方法还包括:
S15:在电能表的内存中设置4字节32位无符号整型数据的内存存储区,以用于存储从电能表上电时刻开始的时间计数。
其中,当电能表的时钟模块输出的秒数加1时,内存存储区中的时间计数加1。
可以理解的是,如图2所示,电能表内部设置有时钟模块,例如万年历,能够指示电能表当前日期和时间。本实施例中内存存储区的设置与电能表的时钟模块存在关联。
在具体实施中,在电能表的内存中设置4字节32位无符号整型数据的内存存储区,内存存储区用于存储从电能表上电时刻开始的时间计数。建立起内存存储区的时间计数与时钟模块输出秒数的关联:当电能表的时钟模块输出的秒数加1时,内存存储区中的时间计数加1;也就是说,内存存储区中的时间计数以秒为频率更新,标识电能表系统从上电到当前时刻走过了多少秒。需要注意的是,当电能表系统断电再上电时,内存存储区内的时间计数默认为0。通过内存存储区对时间计数进行存储,能够有效减少对FLASH的读写次数,以便于后续对事件总累计发生时间的计算与存储。
此外,由于期望的电能表寿命为15年,共473040000秒,而内存存储区32位无符号整型数据最大能代表4294967295,远大于期望的电能表寿命。
对应地,由于设置了存储时间计数的内存存储区,则获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数包括:
S100:获取内存存储区内存储的第一时间计数。
获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数包括:
S120:获取内存存储区内存储的第二时间计数。
以此,分别通过内存存储区内存储的第一时间计数和第二时间计数,能够更合理地获取到时间计数,减少对FLASH存储的读写次数。
电能表在运行过程中可能会出现断电的情况,这会导致内存存储区的时间计数清零,无法读取到准确的计数值。为了避免电能表断电影响事件总累计发生时间的计算与存储,在上述实施例的基础上,作为一种优选的实施例,如图2所示,方法还包括:
S16:在电能表的FLASH中设置第三存储区,用于存储内存存储区传输的时间计数。
其中,第三存储区的写入频率为1秒/次。
在具体实施中,在FLASH中额外设置第三存储区。第三存储区用于存储内存存储区传输的时间计数。可以理解的是,由于内存存储区中的时间计数以秒为单位进行更新,则第三存储区的时间计数的写入频率也为1秒/次。
对应地,如果事件发生时,电能表断电之后又上电,为了避免电能表断电影响事件总累计发生时间的计算与存储,方法还包括:
S17:当电能表断电又上电时,判断是否存在事件在最近一次的事件发生记录里只存在事件发生时间,不存在事件结束时间;若是,则进入步骤S18,若否,则结束。
S18:获取第二存储区存储的事件对应的第一时间计数。
S19:获取第三存储区在断电时存储的事件对应的第二时间计数,进入步骤S13。
在具体实施中,当事件发生时可能会出现电能表断电的情况。国网规范要求当电能表断电时,正在发生的事件立即结束,事件结束时间就是电能表断电时间。例如,事件发生时刻是2023年7月7日10:00:00,电能表断电的时间是2023年7月7日10:05:00,此时,事件发生记录里对应的事件发生时间是2023年7月7日10:00:00,事件结束时间应为断电时间,即2023年7月7日10:05:00,本次事件的累计发生时间是5分钟。需要注意的是,上述示例中事件发生时间是在电能表未断电时写入的,断电时不写入事件结束时间,事件结束时间需电能表再次上电时写入。
此外,当电能表断电又上电时,内存存储区中存储的时间计数会清零,但是FLASH中存储的内容不受电能表断电的影响。也就是说,第三存储区中存储的时间计数不受电能表断电影响,只不过在电能表断电期间保持不变,仍然保持在电能表断电时刻的时间计数。因此,为了补全事件的事件结束时间,进一步得到事件对应的总累计发生时间,需要利用第三存储区存储的时间计数进行计算。可以理解的是,该时间计数即为事件对应的第二时间计数。
故在具体实施中,当电能表断电又上电时,需要首先判断是否存在事件在最近一次的事件发生记录里只存在事件发生时间,不存在事件结束时间。若是,则获取第二存储区存储的事件对应的第一时间计数,进一步读取第三存储区在断电前最后一次存储的时间计数,即事件对应的第二时间计数,然后进入步骤S13,计算二者的差值得到本次事件累计发生时间,以用于后续的总累计发生时间的更新。
如果各事件在最近一次的事件发生记录里都对应存在事件发生时间和事件结束时间,说明事件在电能表断电前已经结束,不需要再进行上述过程,结束即可。
本实施例中,当电能表断电又上电时,通过第三存储区存储的第二时间计数完成后续事件总累计发生时间的计算与存储,避免电能表断电对事件总累计发生时间的计算与存储的影响。
为了更好地更新事件的总累计发生时间,在上述实施例的基础上,作为一种优选的实施例,将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置包括:
S140:获取当前的事件发生前第一存储区中事件的原始总累计发生时间。
S141:将差值与原始总累计发生时间的和写入第一存储区中事件对应的存储位置。
在具体实施中,可选择在第一存储区中获取当前的事件发生前的原始总累计发生时间TimeOld,进一步将差值(也就是本次事件的持续时间CurTime)与原始总累计发生时间TimeOld相加,得到二者的和TimeOld+CurTime;最后将和写入第一存储区中事件对应的存储位置,得到新的总累计发生时间TimeNew,实现了总累计发生时间的更新。
此外,为了提示用户电能表发生了某事件,在一些实施例中,当事件发生时,进一步输出事件发生的提示信息,从而对用户进行提示,使用户获知事件的发生并采取相应的处理措施。
在上述实施例中,对于电能表事件总累计发生时间存储方法进行了详细描述,本申请还提供电能表事件总累计发生时间存储装置对应的实施例。
图3为本申请实施例提供的一种电能表事件总累计发生时间存储装置的示意图。装置应用于电能表;电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次;如图3所示,装置包括:
第一获取模块10,用于当事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数。
第一写入模块11,用于将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置。
第二获取模块12,用于当事件结束时,获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数。
第三获取模块13,用于获取第一时间计数与第二时间计数的差值。
第二写入模块14,用于将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间。
其中,各事件对应的存储位置的大小均为4字节。
本实施例中,电能表事件总累计发生时间存储装置应用于电能表;电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次。电能表事件总累计发生时间存储装置在运行时能够实现上述电能表事件总累计发生时间存储方法的全部步骤。当事件发生时,获取从电能表上电时刻开始的第一时间计数;将第一时间计数写入第二存储区中事件对应的存储位置;当事件结束时,获取从电能表上电时刻开始的第二时间计数;获取第一时间计数与第二时间计数的差值;将差值写入第一存储区中事件对应的存储位置,以更新事件的总累计发生时间;其中,各事件对应的存储位置的大小均为4字节。由此可知,上述方案中在FLASH中设置有第一存储区和第二存储区,通过两个存储区实现了事件总累计发生时间的存储。由于国网规定事件默认发生需延迟1分钟,结束需延迟1分钟,因此两个存储区的写入频率均为2分钟/次;且由于事件对应的存储位置的大小均为4字节,根据已知的事件总数、FLASH每页可存储的字节数、每页FLASH的擦写寿命以及期望的电能表寿命,可得出第一存储区和第二存储区分别需要占用FLASH的页数为50页,也就是说事件总累计发生时间的存储只需要占用100页的FLASH存储空间,大大降低了对FLASH存储空间的占用。同时电能表无需增加其他存储介质,降低了电能表成本和设备复杂度。
最后,本申请还提供一种计算机可读存储介质对应的实施例。计算机可读存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如上述方法实施例中记载的步骤。
可以理解的是,如果上述实施例中的方法以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上对本申请所提供的一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以对本申请进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,应用于电能表;所述电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,所述第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次;所述方法包括:
当事件发生时,获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数;
将所述第一时间计数写入所述第二存储区中所述事件对应的存储位置;
当所述事件结束时,获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数;
获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值;
将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置,以更新所述事件的总累计发生时间;
其中,各所述事件对应的存储位置的大小均为4字节。
2.根据权利要求1所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,还包括:
在所述电能表的内存中设置4字节32位无符号整型数据的内存存储区,以用于存储从所述电能表上电时刻开始的时间计数;
其中,当所述电能表的时钟模块输出的秒数加1时,所述内存存储区中的所述时间计数加1。
3.根据权利要求2所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,所述获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数包括:
获取所述内存存储区内存储的所述第一时间计数。
4.根据权利要求2所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,所述获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数包括:
获取所述内存存储区内存储的所述第二时间计数。
5.根据权利要求2所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,还包括:
在所述电能表的FLASH中设置第三存储区,用于存储所述内存存储区传输的所述时间计数;
其中,所述第三存储区的写入频率为1秒/次。
6.根据权利要求5所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,还包括:
当所述电能表断电又上电时,判断是否存在所述事件在最近一次的事件发生记录里只存在事件发生时间,不存在事件结束时间;
若是,则获取所述第二存储区存储的所述事件对应的所述第一时间计数;
获取所述第三存储区在断电时存储的所述事件对应的所述第二时间计数,进入所述获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值的步骤;
若否,则结束。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,所述将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置包括:
获取当前的所述事件发生前所述第一存储区中所述事件的原始总累计发生时间;
将所述差值与所述原始总累计发生时间的和写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置。
8.根据权利要求7所述的电能表事件总累计发生时间存储方法,其特征在于,还包括:
当所述事件发生时,输出所述事件发生的提示信息。
9.一种电能表事件总累计发生时间存储装置,其特征在于,应用于电能表;所述电能表的FLASH中设置有第一存储区和第二存储区;其中,所述第一存储区和第二存储区的写入频率均为2分钟/次;所述装置包括:
第一获取模块,用于当事件发生时,获取从所述电能表上电时刻开始的第一时间计数;
第一写入模块,用于将所述第一时间计数写入所述第二存储区中所述事件对应的存储位置;
第二获取模块,用于当所述事件结束时,获取从所述电能表上电时刻开始的第二时间计数;
第三获取模块,用于获取所述第一时间计数与所述第二时间计数的差值;
第二写入模块,用于将所述差值写入所述第一存储区中所述事件对应的存储位置,以更新所述事件的总累计发生时间;
其中,各所述事件对应的存储位置的大小均为4字节。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述的电能表事件总累计发生时间存储方法的步骤。
CN202310973124.7A 2023-08-04 2023-08-04 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质 Pending CN116679891A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310973124.7A CN116679891A (zh) 2023-08-04 2023-08-04 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310973124.7A CN116679891A (zh) 2023-08-04 2023-08-04 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116679891A true CN116679891A (zh) 2023-09-01

Family

ID=87779534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310973124.7A Pending CN116679891A (zh) 2023-08-04 2023-08-04 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116679891A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103019969A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 威刚科技(苏州)有限公司 闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法
CN106445422A (zh) * 2016-10-17 2017-02-22 中国电力科学研究院 一种电能表大容量数据存储方法及装置
CN107291374A (zh) * 2016-03-31 2017-10-24 慧荣科技股份有限公司 纪录数据区块的使用时间的方法及其装置
CN116360695A (zh) * 2023-03-29 2023-06-30 惠州汇能精电科技有限公司 一种基于混合储能电源的数据存储方法及装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103019969A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 威刚科技(苏州)有限公司 闪存储存装置及其不良储存区域的判定方法
CN107291374A (zh) * 2016-03-31 2017-10-24 慧荣科技股份有限公司 纪录数据区块的使用时间的方法及其装置
CN106445422A (zh) * 2016-10-17 2017-02-22 中国电力科学研究院 一种电能表大容量数据存储方法及装置
CN116360695A (zh) * 2023-03-29 2023-06-30 惠州汇能精电科技有限公司 一种基于混合储能电源的数据存储方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100442247C (zh) 存储媒体上的数据管理方法、系统
CN101874240A (zh) 增加存储器的多个块的寿命
CN107643880A (zh) 基于分布式文件系统的文件数据迁移的方法及装置
US20090037646A1 (en) Method of using a flash memory for a circular buffer
CN111061752B (zh) 数据处理方法、装置及电子设备
KR100643287B1 (ko) 플래시 메모리의 데이터 처리 장치 및 방법
CN112199053A (zh) 一种应用于小容量存储区的日志记录方法、装置及介质
CN107229421B (zh) 视频数据存储系统的创建、文件写入和读取方法及装置
CN114089915B (zh) 基于flash存储器的文件追加写操作方法及装置
US7921340B2 (en) Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and defect management method for nonvolatile memory device
CN116679891A (zh) 一种电能表事件总累计发生时间存储方法、装置及介质
CN112068772B (zh) 数据存储方法、数据存储装置及存储装置
CN109633331B (zh) 一种数据存储方法和故障录波装置
CN110286848B (zh) 数据处理方法及装置
CN116360695A (zh) 一种基于混合储能电源的数据存储方法及装置
CN115202588B (zh) 数据存储方法及装置、数据恢复方法及装置
US20050149493A1 (en) Data recording apparatus and data recording method
CN110806840A (zh) 一种基于多数据流的闪存卡数据存储方法、闪存卡及设备
CN114005476A (zh) 闪存器、闪存擦写计数方法、电子设备及计算机存储介质
DE102004049057B4 (de) Informationsbereitstellungseinrichtung
JP2010256944A (ja) Nand型フラッシュメモリ保守装置及びnand型フラッシュメモリ保守プログラム及びnand型フラッシュメモリ保守方法
CN111597066A (zh) Ssd修复方法、装置、计算机设备及存储介质
CN113625964B (zh) 基于NandFlash的顺序存储方法、电子设备和存储介质
CN113900994B (zh) 一种文件写入方法及装置
CN116501654B (zh) 数据的存储方法及激光器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination