CN116673606A - 切割二氧化硅晶片的设备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种切割二氧化硅晶片的设备,包括工作台、分秒激光器、反射组件和吸附板,吸附板端面用于供二氧化硅晶片放置,分秒激光器用于发射激光,反射组件包括反射件和切割件。本申请中分秒激光器的设置,实现对音叉片的自动切割,无需工作人员手持电锯切割二氧化硅晶片形成音叉片,提高音叉片的生产效率,降低音叉片的生产成本;反射盒一和反射镜一的设置,反射镜一镜面能稳定接收分秒激光器发射的激光并传递给切割件切割端,保证激光从切割件切割端发出并切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的切割稳定性;观测件的设置,工作人员通过显示屏直接观察到二氧化硅晶片在吸附板端面是否对齐,提高激光切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的精准度。

Description

切割二氧化硅晶片的设备
技术领域
本申请涉及音叉片加工的领域,尤其是涉及一种切割二氧化硅晶片的设备。
背景技术
音叉片具有体积小、成本低、功耗小、可靠性高、抗过载能力强以及可批量生产等优点,使其适用于战术武器指导、微小卫星姿态控制、微小飞行器导航、作战平台稳定控制及微小型机器人等军事领域,又可广泛应用于汽车稳定控制系统、相机防抖系统、医疗仪器、运动机械及玩具等民用领域。
音叉片可通过二氧化硅晶片加工形成,二氧化硅晶片进行加工制作的过程中,需要将大块的二氧化硅晶块切割成合适制作音叉片的二氧化硅晶片,工作人员使用电锯对二氧化硅晶片进行切割形成音叉片。
当工作人员使用电锯切割二氧化硅晶片形成音叉片的过程中,工作人员长时间重复劳作手抖而导致切割失误,使音叉片的生产效率降低,从而提高音叉片的生产成本。
发明内容
为了改善音叉片生产效率的问题,本申请提供一种切割二氧化硅晶片的设备。
本申请提供的一种切割二氧化硅晶片的设备,采用如下的技术方案:
一种切割二氧化硅晶片的设备,包括工作台、分秒激光器、反射组件和吸附板,所述吸附板滑动连接在工作台端面,所述吸附板端面用于供二氧化硅晶片放置,所述分秒激光器连接在工作台上,所述分秒激光器用于发射激光,所述反射组件包括反射件和切割件,所述切割件滑动连接在工作台上,所述切割件的滑移方向和吸附板的滑移方向相互垂直,且所述切割件切割端朝向吸附板端面;所述反射件连接在工作台上,所述反射件用于将分秒激光器发射的激光反射至切割件,所述切割件和吸附板滑动连接在工作台上,所述切割件切割端驱使激光切割二氧化硅晶片端面形成音叉片。
通过采用上述技术方案,工作人员将二氧化硅晶片放置在吸附板端面,分秒激光器发射激光至反射件,反射件接收分秒激光器发射的激光并反射至切割件并从切割件切割端射出,切割件和吸附板滑动连接在工作台上,切割件切割端射出的激光切割二氧化硅晶片端面形成音叉片,实现对音叉片的自动切割,无需工作人员手持电锯切割二氧化硅晶片形成音叉片,从而提高音叉片的生产效率,降低音叉片的生产成本。
可选的,所述反射件包括反射盒一和反射镜一,所述反射盒一连接在切割件远离吸附板的端面,所述反射盒一具有反射腔一,所述反射镜一连接在反射腔一内壁上,所述反射镜一用于接收分秒激光器产生的激光并反射至切割件切割端,所述切割件的滑移方向和发射至反射镜一端面的激光光线路径相互平行。
通过采用上述技术方案,分秒激光器连接在工作台端面,反射镜一用于接收分秒激光器发射的激光并反射至切割件切割端,切割件的滑移方向和发射至反射镜一端面的激光光线路径相互平行,使反射镜一镜面能稳定接收分秒激光器发射的激光并传递给切割件切割端,保证激光从切割件切割端发出并切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的切割稳定性。
可选的,所述切割件包括滑移板和反射管,所述滑移板滑动连接在工作台端面,所述反射管一端穿设滑移板并连接在反射盒一上,所述反射腔一连通反射管内腔,所述反射管另一端朝向吸附板端面,所述反射镜一端面的反射光线穿设反射管道内腔并切割二氧化硅晶片端面形成音叉片。
通过采用上述技术方案,反射镜一端面接收分秒激光器发射的激光并反射至反射管内腔,位于反射管内腔的激光切割二氧化硅晶片端面,滑移板滑动连接在工作台端面,实现反射管内腔发出的激光在二氧化硅晶片端面的位置改变,从而提高二氧化硅晶片端面切割形成音叉片的加工效率。
可选的,所述工作台上连接有驱动件,所述驱动件用于驱使滑移板滑移。
通过采用上述技术方案,驱动件驱使滑移板在工作台端面滑移,无需工作人员手动驱使滑移板滑移,提高反射管内腔发出的激光切割二氧化硅晶片端面的精准度。
可选的,所述滑移板朝向吸附板的端面连接有观测件,所述观测件观测端朝向吸附板端面并用于记录二氧化硅晶片影像,所述观测件电连接有显示屏,所述显示屏用于接收观测件的影像并检查二氧化硅晶片在吸附板端面是否对齐。
通过采用上述技术方案,观测件观测端朝向吸附板端面用于记录二氧化硅晶片影像并将二氧化硅晶片影像传送至显示屏,工作人员通过显示屏直接观察到二氧化硅晶片在吸附板端面是否对齐,进一步提高激光切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的精准度。
可选的,所述观测件滑动连接在滑移板上,所述观测件朝靠近吸附板的方向滑移并驱使观测件观测端朝靠近二氧化硅晶片的方向滑移。
通过采用上述技术方案,当观测件对吸附板端面上的二氧化硅晶片的观测范围进行放大时,观测件朝靠近吸附板的方向滑移,驱使观测件观测端朝靠近二氧化硅晶片的方向滑移,实现观测件观测端对二氧化硅晶片的观测范围大小可调节。
可选的,所述吸附板侧壁间隔开设有多个进气孔,所述吸附板上连接有排气件,所述排气件驱使进气孔内的空气排出,所述进气孔内的气压降低,外界大气压驱使二氧化硅晶片抵紧所述吸附板端面。
通过采用上述技术方案,二氧化硅晶片放置在吸附板端面,排气件驱使进气孔内的空气排出,进气孔内的空气流速增快,进气孔内的气压降低,外界大气压高于进气孔内的气压,外界大气压驱使二氧化硅晶片抵紧吸附板端面,使二氧化硅晶片在吸附板端面不易发生位移,从而提高反射管切割端切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的切割精准度。
可选的,所述工作台还包括传动件,所述传动件用于驱使吸附板滑移。
通过采用上述技术方案,传动件驱使吸附板滑移,无需工作人员手动控制吸附板滑移,从而降低工作人员的工作负担,提高工作人员的工作效率,从而降低音叉片的生产成本。
可选的,所述传动件包括传动电机和传动丝杆,所述传动电机连接在工作台上,所述传动丝杆端部固定在传动电机电机轴上,所述吸附板螺纹连接在传动丝杆外壁,所述传动电机运行驱使传动丝杆转动,并带动所述吸附板沿传动丝杆轴线滑移。
通过采用上述技术方案,传动电机运行,驱使吸附板沿传动丝杆轴线进行滑移,提高吸附板在工作台端面滑移的精准度,进而提高激光对二氧化硅晶片端面切割形成音叉片的加工精度。
可选的,所述工作台上连接有密封件,所述密封件包覆传动丝杆外壁形成密封。
通过采用上述技术方案,密封件包覆传动丝杆外壁形成密封,使传动丝杆外壁不易堆积尘土,使吸附板在传动丝杆外壁滑移时不易卡住,从而提高传动丝杆和吸附板之间传动的稳定性。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1.分秒激光器的设置,实现对音叉片的自动切割,无需工作人员手持电锯切割二氧化硅晶片形成音叉片,提高音叉片的生产效率,降低音叉片的生产成本;
2.反射盒一和反射镜一的设置,反射镜一镜面能稳定接收分秒激光器发射的激光并传递给切割件切割端,保证激光从切割件切割端发出并切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的切割稳定性;
3.观测件的设置,工作人员通过显示屏直接观察到二氧化硅晶片在吸附板端面是否对齐,提高激光切割二氧化硅晶片端面形成音叉片的精准度。
附图说明
图1是本申请实施例1的整体结构示意图。
图2是本申请实施例1的剖面图,主要展示反射组件。
图3是本申请实施例1的局部结构示意图,主要展示传动件。
图4是本申请实施例1的局部结构示意图,主要展示观测件。
图5是本申请实施例2中传动丝杆的整体结构示意图。
图6是本申请实施例2的局部结构示意图,主要展示蒸发管道。
图7是本申请实施例2中传动丝杆的局部结构示意图,主要展示启闭件。
附图标记说明:1、工作台;11、传动腔;12、容纳腔;2、分秒激光器;3、反射组件;31、反射件;311、反射盒一;3111、反射腔一;312、反射盒二;3121、反射腔二;313、反射盒三;3131、反射腔三;314、反射镜一;315、反射镜二;316、反射镜三;32、切割件;321、滑移板;322、反射管;4、吸附板;41、进气孔;5、二氧化硅晶片;6、传动件;61、传动电机;62、传动丝杆;621、降温气道;622、降温槽;623、启闭槽;7、密封件;71、波纹管一;72、波纹管二;8、排气件;81、排气气泵;82、排气管道;9、驱动件;91、驱动电机;92、驱动丝杆;10、观测件;101、高倍摄像探头;102、广角摄像探头;103、驱动板;13、滑动件;131、滑动电机;132、滑动丝杆;14、蒸发器;15、蒸发管道;16、驱动管道;17、启闭件;171、启闭板;172、热胀冷缩块;18、封闭件;181、波纹管三;182、波纹管四;19、显示屏。
具体实施方式
以下结合附图1-7对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开一种切割二氧化硅晶片的设备。
实施例1
参照图1和图2,切割二氧化硅晶片的设备包括工作台1、分秒激光器2、反射组件3和吸附板4,吸附板4底部连接在工作台1端面,吸附板4顶面用于供二氧化硅晶片5放置,分秒激光器2连接在工作台1端面并用于反射激光,反射组件3连接在工作台1端面,反射组件3用于接收分秒激光器2发射的激光并反射至二氧化硅晶片5端面,激光对二氧化硅晶片5端面切割形成音叉片。
参照图3,吸附板4滑动连接在工作台1端面,工作台1上连接有传动件6,传动件6用于驱使吸附板4滑移。工作台1端面开设有用于容纳传动件6的传动腔11,本申请实施例中,传动件6包括传动电机61和传动丝杆62,传动电机61通过螺钉固定在工作台1端面,传动电机61电机轴穿设工作台1外壁并位于传动腔11内,传动腔11为条形腔,传动腔11长度方向和传动电机61电机轴轴线相互平行,传动丝杆62端部同轴焊接固定在传动电机61电机轴端部,吸附板4螺纹连接在传动丝杆62外壁。
参照图3,当传动电机61运行时,驱使传动丝杆62转动,带动吸附板4沿传动丝杆62轴线滑移,实现吸附板4在工作台1端面的自动滑移,无需工作人员手动控制吸附板4滑移,从而提高吸附板4在工作台1端面滑移的精准度。
参照图3,作为其它方案,传动件6包括传动气缸,传动气缸通过螺钉固定在工作台1端面,传动气缸活塞杆端部穿设工作台1外壁并焊接固定在吸附板4外壁,传动气缸活塞杆轴线与传动腔11长度方向相互平行。传动气缸驱使吸附板4在工作台1端面滑移,无需工作人员手动控制吸附板4滑移,从而降低工作人员的工作负担。
参照图2和图3,工作台1上连接有密封件7,密封件7包覆传动丝杆62外壁形成密封。本申请实施例中密封件7包括波纹管一71和波纹管二72,波纹管一71和波纹管二72依次套设在传动丝杆62外壁上,吸附板4位于波纹管一71和波纹管二72之间,波纹管一71一端固定在传动腔11内壁上,波纹管一71另一端固定在吸附板4外壁上,波纹管二72一端固定在传动腔11远离波纹管一71的内壁上,波纹管二72另一端固定在吸附板4外壁上。
参照图2和图3,当传动电机61运行时,吸附板4沿传动丝杆62轴线滑移,波纹管一71和波纹管二72受吸附板4滑移发生形变,使传动丝杆62始终处于波纹管一71和波纹管二72内腔,使传动丝杆62外壁不易堆积灰尘,从而保证吸附板4沿传动丝杆62轴线滑移的稳定性。
参照图1,吸附板4侧壁间隔开设有多个进气孔41,进气孔41轴线与吸附板4滑移方向相互平行,多个进气孔41之间相互连通,吸附板4上连接有排气件8,本申请实施例中排气件8包括排气气泵81和排气管道82,排气气泵81通过螺栓固定在工作台1端面,排气管道82一端与排气气泵81进气端通过法兰固定,排气管道82另一端与吸附板4外壁通过法兰固定,且排气管道82内腔连通多个进气孔41。
参照图1,当排气气泵81运行时,驱使进气孔41内的空气通过排气管道82进入排气气泵81并排出,加快进气孔41内的空气流速,进气孔41内的气压降低,外界大气压大于进气孔41内的气压并驱使二氧化硅晶片5抵紧在吸附板4端面形成限位,使二氧化硅晶片5在吸附板4端面不易发生位移,从而提高激光切割二氧化硅晶片5形成音叉片的加工精度。
参照图1,作为其它方案,排气件8包括排气真空泵和连接管道,排气真空泵通过螺栓固定在工作台1端面,连接管道一端与排气真空泵进气端通过法兰固定,连接管道另一端与吸附板4外壁通过法兰固定,且排气管道82内腔连通多个进气孔41。
参照图1,排气真空泵运行时,驱使进气孔41内的空气通过连接管道进入排气真空泵并排出,进气孔41内的空气流速加快,进气孔41内的气压降低,外界大气压大于进气孔41内的气压并驱使二氧化硅晶片5抵紧在吸附板4端面形成限位,提高激光切割二氧化硅晶片5形成音叉片的加工精度。
参照图1和图2,反射组件3包括反射件31和切割件32,反射件31用于接收分秒激光器2反射的激光并反射至切割件32,切割件32用于接收激光并反射至二氧化硅晶片5端面切割形成音叉片。切割件32包括滑移板321和反射管322,滑移板321滑动连接在工作台1端面,滑移板321的滑移方向和吸附板4的滑移方向相互垂直,反射管322一端穿设滑移板321并朝向吸附板4端面,且反射管322轴线与滑移板321滑移方向相互垂直。
参照图1和图4,工作台1上连接有驱动件9,驱动件9用于驱使滑移板321滑移。工作台1端面开设有用于容纳驱动件9的容纳腔12,容纳腔12为条形腔,容纳腔12长度方向和传动腔11长度方向相互垂直。驱动件9包括驱动电机91和驱动丝杆92,驱动电机91通过螺钉固定在工作台1外壁,驱动电机91电机轴端部穿设工作台1外壁并位于容纳腔12内,驱动电机91电机轴轴线与容纳腔12长度方向相互平行。
参照图1和图4,驱动丝杆92一端同轴焊接固定在驱动电机91电机轴上,驱动丝杆92另一端转动连接在容纳腔12内壁上,滑移板321螺纹连接在驱动丝杆92外壁上。当驱动电机91运行时,驱动丝杆92转动,并带动滑移板321沿驱动丝杆92轴线轴线滑移,使反射管322端部朝向吸附板4端面的位置改变。
参照图2和图4,工作台1上连接有封闭件18,封闭件18包覆驱动丝杆92外壁形成密封。本申请实施例中封闭件18包括波纹管三181和波纹管四182,波纹管三181和波纹管四182依次套设在驱动丝杆92外壁上,滑移板321位于波纹管三181和波纹管四182之间,波纹管三181一端固定在工作台1外壁上,波纹管三181另一端固定在滑移板321外壁上,波纹管四182一端固定在工作台1远离波纹管三181的外壁上,波纹管四182另一端固定在滑移板321外壁上。
参照图2和图4,当驱动电机91运行时,滑移板321沿驱动丝杆92轴线滑移,波纹管三181和波纹管四182受滑移板321滑移发生形变,使驱动丝杆92始终处于波纹管三181和波纹管四182内腔,使驱动丝杆92外壁不易堆积灰尘,从而保证滑移板321沿驱动丝杆92轴线滑移的稳定性。
参照图2,反射件31包括反射盒一311、反射盒二312、反射盒三313、反射镜一314、反射镜二315以及反射镜三316,反射盒一311具有供激光反射的反射腔一3111,反射镜一314固定在反射腔一3111内壁上,反射盒二312具有供激光反射的反射腔二3121,反射镜二315固定在反射腔二3121内壁上,反射盒三313具有供激光反射的反射腔三3131,反射镜三316固定在反射腔三3131内壁上。
参照图2,反射盒三313固定在分秒激光器2发射端,反射镜三316镜面用于接收分秒激光器2发射的激光并反射至反射镜二315端面。反射盒二312固定在工作台1端面,反射镜二315镜面的倾斜方向和反射镜三316镜面的倾斜方向相互垂直,反射镜二315镜面用于接收反射镜三316反射的激光并反射至反射镜一314端面。
参照图1和图2,反射盒一311固定在反射管322远离吸附板4的端部,反射腔一3111连通反射管322内腔,且反射镜一314镜面朝向反射管322管口,反射镜一314镜面用于接收反射镜二315反射的激光并反射至反射管322内腔,且滑移板321的滑移方向和发射至反射镜一314端面的激光光线路径重合,使反射镜一314端面始终能接收到分秒激光器2发射的激光并反射至反射管322内腔,保证激光切割二氧化硅晶片5形成音叉片的稳定性。
参照图1,滑移板321朝向吸附板4的端面连接有观测件10,观测件10观测端朝向吸附板4端面并用于记录二氧化硅晶片5在吸附板4端面的位置影像。观测件10包括高倍摄像探头101、广角摄像探头102以及驱动板103,驱动板103滑动连接在滑移板321上,驱动板103的滑移方向和反射管322轴线相互平行,高倍摄像探头101一端固定在驱动板103朝向吸附板4的外壁,高倍摄像探头101观测端朝向吸附板4,高倍摄像探头101用于检测二氧化硅晶片5端面的某点位置;广角摄像探头102一端固定在驱动板103朝向吸附板4的外壁,广角摄像探头102观测端朝向吸附板4,广角摄像探头102用于检测二氧化硅晶片5端面的区部范围。
参照图1,滑移板321连接有滑动件13,滑动件13包括滑动电机131和滑动丝杆132,滑动电机131通过螺钉固定在滑移板321朝向反射盒一311的端面,滑动电机131电机轴穿设滑移板321并朝向驱动板103,滑动电机131电机轴轴线与驱动板103的滑移方向相互平行,滑动丝杆132端部同轴焊机诶固定在滑动电机131电机轴,驱动板103螺纹连接在滑动丝杆132外壁上。
参照图1,滑移电机运行时,驱动板103沿滑动丝杆132轴线靠近吸附板4端面,使高倍摄像探头101和广角摄像探头102对二氧化硅晶片5端面的检测范围可自动调节。高倍摄像探头101和广角摄像探头102均电连接有显示屏19,显示屏19用于接收高倍摄像探头101和广角摄像探头102的影像并检测二氧化硅晶片5在吸附板4端面是否对齐,从而提高激光切割二氧化硅晶片5形成音叉片的加工精度。
本申请实施例1的一种切割二氧化硅晶片的设备的实施原理为:工作人员将二氧化硅晶片5放置在吸附板4端面,分秒激光器2发射激光至反射镜三316端面,反射镜三316镜面接收分秒激光器2发射的激光并反射至反射镜二315端面,反射镜二315镜面用于接收反射镜三316反射的激光并反射至反射镜一314端面,反射镜一314镜面用于接收反射镜二315反射的激光并反射至反射管322内腔,滑移板321和吸附板4均滑动连接在工作台1上,且滑移板321的滑移方向和吸附板4的滑移方向相互垂直,使反射管322内的激光稳定切割二氧化硅晶片5端面形成音叉片,实现对音叉片的自动切割,无需工作人员手持电锯切割二氧化硅晶片5形成音叉片,从而提高音叉片的生产效率,降低音叉片的生产成本。
实施例2
参照图5和图6,实施例2和实施例1的不同之处在于,传动丝杆62同轴开设有降温气道621,降温气道621贯穿传动丝杆62外壁,降温气道621内壁间隔均匀开设有多个降温槽622,降温槽622的排列方向和传动丝杆62轴线相互平行。降温槽622朝远离传动丝杆62轴线的方向贯穿传动丝杆62外壁,传动腔11、降温槽622以及降温气道621依次连通。
参照图5和图6,工作台1上连接有蒸发器14,蒸发器14用于产生冷却气体。蒸发器14与传动丝杆62远离传动电机61的端部连接有蒸发管道15,蒸发器14出气端、蒸发管道15内腔以及降温气道621依次连通。排气气泵81与工作台1之间连接有驱动管道16,排气气泵81进气端、驱动管道16内腔以及传动腔11依次连通,蒸发器14产生的冷却气体通过蒸发管道15进入降温气道621内,排气气泵81驱使降温气道621内的冷却气体依次经过降温槽622、传动腔11、驱动管道16并从排气气泵81排出,实现对传动丝杆62的降温,提高吸附板4在传动丝杆62外壁滑移的稳定性。
参照图6和图7,传动丝杆62上连接有多个启闭件17,启闭件17与降温槽622一一对应,启闭件17用于控制降温槽622的启闭。降温槽622朝向降温气道621的内壁开始有启闭槽623,启闭槽623用于容纳启闭件17。启闭件17包括启闭板171和两个热胀冷缩块172,启闭板171滑动连接在启闭槽623内壁上,启闭板171的滑移方向和传动丝杆62轴线相互平行,启闭板171用于抵紧降温槽622槽口形成密封。
参照图6和图7,本申请实施例中热胀冷缩块172的材料为尼龙,具有一定的热膨胀系数。启闭板171为条形板,两个热胀冷缩块172位于启闭板171长度方向的两端,当热胀冷缩块172升温膨胀时,驱使启闭板171朝远离降温槽622的方向滑移,使降温槽622的封闭效果消失,降温气道621内的冷却气体通过降温槽622排出,实现降温气道621内冷却气体的流动,保证传动丝杆62不易处于高温状态下运行,提高吸附板4滑移的稳定性。
本申请实施例2的一种切割二氧化硅晶片的实施原理为:吸附板4沿传动丝杆62轴线滑移,传动丝杆62与吸附板4之间的机械能转换为内能,传动丝杆62升温,蒸发器14产生的冷却气体通过蒸发管道15进入降温气道621内,实现传动丝杆62的降温,保证传动丝杆62不易处于高温状态下运行,提高吸附板4滑移的稳定性;当降温气道621的冷却气体升温时,热胀冷缩块172升温膨胀,驱使启闭板171朝远离降温槽622的方向滑移,使降温槽622的封闭效果消失,排气气泵81驱使降温气道621内的冷却气体依次经过降温槽622、传动腔11、驱动管道16并从排气气泵81排出,实现降温槽622的定时启闭,减少能源的浪费,体现节能的概念。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:包括工作台(1)、分秒激光器(2)、反射组件(3)和吸附板(4),所述吸附板(4)滑动连接在工作台(1)端面,所述吸附板(4)端面用于供二氧化硅晶片(5)放置,所述分秒激光器(2)连接在工作台(1)上,所述分秒激光器(2)用于发射激光,所述反射组件(3)包括反射件(31)和切割件(32),所述切割件(32)滑动连接在工作台(1)上,所述切割件(32)的滑移方向和吸附板(4)的滑移方向相互垂直,且所述切割件(32)切割端朝向吸附板(4)端面;所述反射件(31)连接在工作台(1)上,所述反射件(31)用于将分秒激光器(2)发射的激光反射至切割件(32),所述切割件(32)和吸附板(4)滑动连接在工作台(1)上,所述切割件(32)切割端驱使激光切割二氧化硅晶片(5)端面形成音叉片。
2.根据权利要求1所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述反射件(31)包括反射盒一(311)和反射镜一(314),所述反射盒一(311)连接在切割件(32)远离吸附板(4)的端面,所述反射盒一(311)具有反射腔一(3111),所述反射镜一(314)连接在反射腔一(3111)内壁上,所述反射镜一(314)用于接收分秒激光器(2)产生的激光并反射至切割件(32)切割端,所述切割件(32)的滑移方向和发射至反射镜一(314)端面的激光光线路径相互平行。
3.根据权利要求2所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述切割件(32)包括滑移板(321)和反射管(322),所述滑移板(321)滑动连接在工作台(1)端面,所述反射管(322)一端穿设滑移板(321)并连接在反射盒一(311)上,所述反射腔一(3111)连通反射管(322)内腔,所述反射管(322)另一端朝向吸附板(4)端面,所述反射镜一(314)端面的反射光线穿设反射管(322)道内腔并切割二氧化硅晶片(5)端面形成音叉片。
4.根据权利要求3所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述工作台(1)上连接有驱动件(9),所述驱动件(9)用于驱使滑移板(321)滑移。
5.根据权利要求3所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述滑移板(321)朝向吸附板(4)的端面连接有观测件(10),所述观测件(10)观测端朝向吸附板(4)端面并用于记录二氧化硅晶片(5)影像,所述观测件(10)电连接有显示屏(19),所述显示屏(19)用于接收观测件(10)的影像并检查二氧化硅晶片(5)在吸附板(4)端面是否对齐。
6.根据权利要求5所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述观测件(10)滑动连接在滑移板(321)上,所述观测件(10)朝靠近吸附板(4)的方向滑移并驱使观测件(10)观测端朝靠近二氧化硅晶片(5)的方向滑移。
7.根据权利要求1所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述吸附板(4)侧壁间隔开设有多个进气孔(41),所述吸附板(4)上连接有排气件(8),所述排气件(8)驱使进气孔(41)内的空气排出,所述进气孔(41)内的气压降低,外界大气压驱使二氧化硅晶片(5)抵紧所述吸附板(4)端面。
8.根据权利要求7所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述工作台(1)还包括传动件(6),所述传动件(6)用于驱使吸附板(4)滑移。
9.根据权利要求8所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述传动件(6)包括传动电机(61)和传动丝杆(62),所述传动电机(61)连接在工作台(1)上,所述传动丝杆(62)端部固定在传动电机(61)电机轴上,所述吸附板(4)螺纹连接在传动丝杆(62)外壁,所述传动电机(61)运行驱使传动丝杆(62)转动,并带动所述吸附板(4)沿传动丝杆(62)轴线滑移。
10.根据权利要求9所述的切割二氧化硅晶片的设备,其特征在于:所述工作台(1)上连接有密封件(7),所述密封件(7)包覆传动丝杆(62)外壁形成密封。
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