CN116660671A - 宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法及装置,属于芯片电磁兼容测量技术领域。方法包括:构建初始验证装置;采用初始验证装置测量得到校准波形;根据初始验证装置构建第二验证装置;在无屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第一瞬态干扰波形;在屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第二瞬态干扰波形;根据第二验证装置构建第三验证装置;在屏蔽环境下,采用第三验证装置测量得到第三瞬态干扰波形;根据第三验证装置构建第四验证装置;在屏蔽环境下,采用第四验证装置测量得到第四瞬态干扰波形;根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素。
Description
技术领域
本申请涉及芯片电磁兼容测量技术领域,具体地涉及一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法以及一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置。
背景技术
随着我国电网的快速发展建设,特高压、智能化引领了新一代电网的发展潮流。电子设备在电网中的应用规模大幅上升。变电站作为电网运行控制的枢纽,汇集了大部分的电网设备。为了不断提升电网的智能化水平,降低变电站造价,变电站建设呈现两大趋势:一是电子设备越来越多地采用就地化布置,紧邻高压设备,甚至挂接在高压设备外壳上;二是电子设备种类和数量明显增加,如新增电子互感器、智能终端、合并单元、数字计量表计、智能组件等。就地化、智能化在带来益处同时也暴露出不少问题。近年来,变电站中电子设备因受到电磁干扰而失效的案例(不可恢复的硬件故障)明显上升,多次导致变电站强迫停运,危及电网安全,成为制约智能变电站建设的主要瓶颈。大量智能设备运行于高压设备旁或与高压设备集成,复杂的电磁环境是降低智能设备可靠性的重要因素,一是破坏智能设备的绝缘、甚至导致其内部芯片烧毁,形成永久性破坏;二是干扰智能设备正常工作,使其误动作,导致或扩大一次系统故障,造成大规模停电等严重损失。
为了评估智能设备的抗干扰能力和电磁兼容性,常用的方法是对智能设备施加干扰,测量其能否正常工作。在智能电力设备端口施加瞬态共模干扰情况下,测量芯片引脚干扰水平可用于指导芯片抗瞬态干扰设计和芯片电磁兼容性能评估。现有技术是采用高阻无源探头来测量芯片引脚干扰水平,但是其测量结果偏大,影响了测量结果的准确性。因此,需要对现有的测量方式进行改进,但是在不确定影响因素的情况下,无法进行有针对性的改进,改进效果不显著。
发明内容
本申请实施方式的目的是提供一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法及装置,通过该宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法可以有效验证确定高阻无源探头测量芯片引脚干扰水平中的影响因素,为改进现有测量方式提供指导。
为了实现上述目的,本申请第一方面提供一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,所述方法包括:
构建初始验证装置;
采用初始验证装置测量得到校准波形;
根据初始验证装置构建第二验证装置;
在无屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第一瞬态干扰波形;
在屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第二瞬态干扰波形;
根据第二验证装置构建第三验证装置;
在屏蔽环境下,采用第三验证装置测量得到第三瞬态干扰波形;
根据第三验证装置构建第四验证装置;
在屏蔽环境下,采用第四验证装置测量得到第四瞬态干扰波形;
根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素。通过上述方法测量得到了改变环境状态下的第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,也测量得到了不同验证装置下的第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,通过不同组波形可以确认影响因素是来自环境还是来自验证装置。
在本申请实施例中,根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素,包括:
比较校准波形、第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,将第一瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为环境干扰;
比较校准波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,将第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为测量探头的寄生电感。通过将改变环境状态下的第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形与校准波形进行比较,可以确定通过屏蔽环境可以屏蔽掉对应干扰,从而确定对应干扰为环境干扰;通过将改变验证装置的第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形与校准波形进行比较,可以确定改变验证装置可以减小对应干扰,从而确定对应干扰为探头的寄生电感。
在本申请实施例中,构建初始验证装置,包括:
采用第一同轴屏蔽线将标准源与示波器的第一通道连接,形成初始验证装置,所述第一同轴屏蔽线的阻抗特性与标准源的输出档位及示波器的第一通道相对应。采用上述方式构建的初始验证装置中,第一同轴屏蔽线可以起到屏蔽环境干扰的作用,第一同轴屏蔽线直接将标准源与示波器的第一通道连接,不会引入其他干扰,用于测量得到的校准波形准确度高。
在本申请实施例中,所述根据初始验证装置构建第二验证装置,包括:
将初始验证装置中的第一同轴屏蔽线替换为某一段剖开的第二同轴屏蔽线,作为第二验证装置,所述第二同轴屏蔽线的阻抗特性与标准源的输出档位及示波器的第一通道相对应。
采用上述方式构建的第二验证装置中,某一段剖开的第二同轴屏蔽线破坏了屏蔽效果,模拟了示波器探头,第二同轴屏蔽线直接将标准源与示波器的第一通道连接,不会引入其他装置上的干扰,用于测量得到的第一瞬态干扰波形中的干扰来自于环境,可以验证环境干扰能否消除,是否会影响最终测量结果。
在本申请实施例中,根据第二验证装置构建第三验证装置,包括:
采用高阻无源探头测量第二同轴屏蔽线剖开处,将高阻无源探头自带的接地引线接地,将高阻无源探头输出端连接示波器第二通道,作为第三验证装置。
通过上述方法构建的第三验证装置中,引入了现有的测量芯片引脚干扰水平的方法中常用的高阻无源探头,能够测量使用高阻无源探头后带来的干扰。
在本申请实施例中,根据第三验证装置构建第四验证装置,包括:
采用弹簧针连接高阻无源探头,将弹簧针接地,作为第四验证装置。
通过上述方法构建的第四验证装置中,采用弹簧针缩短了高阻无源探头的接地引线,与第三验证装置测量得到的第三瞬态干扰曲线相比较可以确定高阻无源探头引入的误差是否来自于接地电阻。
在本申请实施例中,采用初始验证装置测量得到校准波形,包括:
标准源产生上升沿为3ns,持续时间100ns的矩形脉冲,示波器测量得到标准矩形脉冲,作为校准波形。
本申请第二方面提供一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置包括:第一同轴屏蔽线、标准源、示波器、第二同轴屏蔽线、高阻无源探头和弹簧针;
所述第一同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为初始验证装置;
所述第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第二验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,高阻无源探头自带的接地引线接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第三验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,弹簧针与高阻无源探头连接,弹簧针接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第四验证装置;
所述第二同轴屏蔽线为某一段剖开的同轴屏蔽线。通过上述装置可以通过部件替换的方式搭建出不同的验证装置,用于获得不同的瞬态干扰波形,以验证干扰来源。
在本申请实施例中,所述标准源为矩形波发生器。
在本申请实施例中,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置还包括:屏蔽箱,用于提供屏蔽环境。屏蔽箱提供的屏蔽环境可以屏蔽环境干扰,在不以环境为变量的测量过程中,提供相同的屏蔽环境。
通过上述技术方案,测量得到了改变环境状态下的第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,也测量得到了不同验证装置下的第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,通过不同组波形可以确认影响因素是来自环境还是来自验证装置。
本申请实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本申请实施方式的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本申请实施方式,但并不构成对本申请实施方式的限制。在附图中:
图1是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法流程图;
图2是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法中构建的初始验证装置示意图;
图3是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法中构建的第二验证装置示意图;
图4是本申请一种实施方式提供的第一瞬态干扰波形示意图;
图5是本申请一种实施方式提供的第二瞬态干扰波形示意图;
图6是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法中构建的第三验证装置示意图;
图7是本申请一种实施方式提供的第三瞬态干扰波形示意图;
图8是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法中构建的第四验证装置示意图;
图9是本申请一种实施方式提供的第四瞬态干扰波形示意图。
附图标记说明
1-标准源,2-第一同轴屏蔽线,3-示波器,4-第二同轴屏蔽线,5-高阻无源探头,6-弹簧针。
具体实施方式
以下结合附图对本申请的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。
图1是本申请一种实施方式提供的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法流程图。如图1所示,所述方法包括:
S1:构建初始验证装置,在本申请实施例中,如图2所示,初始验证装置包括标准源1、示波器3和第一同轴屏蔽线2,在构建初始验证装置的过程中,首先,将第一同轴屏蔽线2的一端与标准源1连接,然后将第一同轴屏蔽线2的另一端与示波器3的第一通道连接,其中,第一同轴屏蔽线2的阻抗特性与标准源1的输出档位及示波器3的第一通道相对应。也就是说,如果第一同轴屏蔽线2的阻抗特性为50Ω,则标准源1的输出档位也是50Ω,示波器3的第一通道也是50Ω的输入档位。如果第一同轴屏蔽线2的阻抗特性为100Ω,则标准源1的输出档位也是100Ω,示波器3的第一通道也是100Ω的输入档位。图2中,第一同轴屏蔽线2上的衰减器用于表示第一同轴屏蔽线2的阻抗特性。在本申请实施例中,标准源1采用的是矩形波发生器。采用上述方式构建的初始验证装置中,第一同轴屏蔽线2可以起到屏蔽环境干扰的作用,第一同轴屏蔽线2直接将标准源1与示波器3的第一通道连接,不会引入其他干扰,用于测量得到的校准波形准确度高。
S2:采用初始验证装置测量得到校准波形,在本申请实施例中,初始验证装置测量得到的校准波形为标准矩形脉冲,在本实施例中,标准源1产生上升沿为3ns,持续时间100ns的矩形脉冲,示波器3测量得到标准矩形脉冲,作为校准波形。
S3:根据初始验证装置构建第二验证装置,在本实施例中,如图3所示,第二验证装置包括标准源1、示波器3和第二同轴屏蔽线4,第二同轴屏蔽线4为某一段剖开的同轴屏蔽线,在根据初始验证装置构建第二验证装置的过程中,直接将初始验证装置中的第一同轴屏蔽线2拆除,然后将第二同轴屏蔽线4的一端与标准源1连接,最后将第二同轴屏蔽线4的另一端与示波器3的第一通道连接,第二验证装置构建完成。需要注意的是,与初始验证装置相同,第二验证装置中第二同轴屏蔽线4的阻抗特性与标准源1的输出档位及示波器3的第一通道相对应。采用上述方式构建的第二验证装置中,某一段剖开的第二同轴屏蔽线4破坏了屏蔽效果,模拟了示波器3探头,第二同轴屏蔽线4直接将标准源1与示波器3的第一通道连接,不会引入其他装置上的干扰,用于测量得到的第一瞬态干扰波形中的干扰来自于环境,可以验证环境干扰能否消除,是否会影响最终测量结果。
S4:在无屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第一瞬态干扰波形,在本实施例中,如图4所示,第二验证装置在无屏蔽的环境下测得的波形叠加了振荡频率约为500MHz的干扰。
S5:在屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第二瞬态干扰波形,在本实施例中,如图5所示,采用第二验证装置在屏蔽环境下测量得到的第二瞬态干扰波形与校准波形基本一致,干扰可以忽略不计。
S6:根据第二验证装置构建第三验证装置,在本实施例中,如图6所示,第三验证装置包括标准源1、示波器3、第二同轴屏蔽线4以及高阻无源探头5,在根据第二验证装置构建第三验证装置的过程中,首先将高阻无源探头5的输出端与示波器3的第二通道连接,然后将高阻无源探头5用于测量第二同轴屏蔽线4剖开处,将高阻无源探头5自带的接地引线接地,第三验证装置构建完成。通过上述方法构建的第三验证装置中,引入了现有的测量芯片引脚干扰水平的方法中常用的高阻无源探头5,能够测量使用高阻无源探头5后带来的干扰。
S7:在屏蔽环境下,采用第三验证装置测量得到第三瞬态干扰波形,在本实施例中,采用第三验证装置在屏蔽环境下测量得到的第三瞬态干扰波形如图7所示,在第三验证装置中,高阻无源探头5的接地线采用的是鳄鱼夹形状的接地夹,因此,在图示中以鳄鱼夹表示高阻无源探头5测量得到的第三瞬态波形,测量结果出现了过冲现象。
S8:根据第三验证装置构建第四验证装置,在本申请实施例中,如图8所示,第四验证装置包括:标准源1、示波器3、第二同轴屏蔽线4、高阻无源探头5以及弹簧针6,在根据第二验证装置构建第三验证装置的过程中,首先将高阻无源探头5自带的接地引线断开接地,然后将弹簧针6连接在高阻无源探头5上,最后将弹簧针6接地,以缩短高阻无源探头5的接地引线长度,第四验证装置构建完成。通过上述方法构建的第四验证装置中,采用弹簧针6缩短了高阻无源探头5的接地引线,与第三验证装置测量得到的第三瞬态干扰曲线相比较可以确定高阻无源探头5引入的误差是否来自于接地电阻。
S9:在屏蔽环境下,采用第四验证装置测量得到第四瞬态干扰波形,如图9所示,采用第四验证装置在屏蔽环境下测量得到的第四瞬态干扰波形具有一定的过冲现象。
S10:根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素。通过上述方法测量得到了改变环境状态下的第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,也测量得到了不同验证装置下的第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,通过不同组波形可以确认影响因素是来自环境还是来自验证装置。
在本申请实施例中,根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素,包括:
比较校准波形、第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,将第一瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为环境干扰。第一瞬态干扰波形与校准波形相比,增加了500MHz的干扰,将同样的第二验证装置放置在屏蔽环境下测量得到的第二瞬态干扰波形与第一瞬态干扰波形相比,500MHz的干扰消失,基于此可以判定,第一瞬态干扰波形中叠加的干扰为环境干扰,环境干扰可以通过屏蔽线或者屏蔽环境屏蔽掉。
比较校准波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,将第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为测量探头的寄生电感。第三瞬态干扰波形、第四瞬态干扰波形分别与校准波形相比,二者均出现了过冲现象,表明高阻无源探头5会带来干扰,将第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形进行比较,可以发现缩短高阻无源探头5的接地引线长度后,过冲现象大大减小,可以确定高阻无源探头5的寄生电感对测量结果产生了影响。
通过将改变环境状态下的第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形与校准波形进行比较,可以确定通过屏蔽环境可以屏蔽掉对应干扰,从而确定对应干扰为环境干扰;通过将改变验证装置的第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形与校准波形进行比较,可以确定改变验证装置可以减小对应干扰,从而确定对应干扰为探头的寄生电感。
本申请第二方面提供一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置包括:第一同轴屏蔽线、标准源、示波器、第二同轴屏蔽线、高阻无源探头和弹簧针;
所述第一同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为初始验证装置;
所述第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第二验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,高阻无源探头自带的接地引线接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第三验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,弹簧针与高阻无源探头连接,弹簧针接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第四验证装置;
所述第二同轴屏蔽线为某一段剖开的同轴屏蔽线。通过上述装置可以通过部件替换的方式搭建出不同的验证装置,用于获得不同的瞬态干扰波形,以验证干扰来源。
在本申请实施例中,所述标准源为矩形波发生器。
在本申请实施例中,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置还包括:屏蔽箱,用于提供屏蔽环境。屏蔽箱提供的屏蔽环境可以屏蔽环境干扰,在不以环境为变量的测量过程中,提供相同的屏蔽环境。
本申请方法针对电压幅值较低、频谱较宽的信号的精确测量进行了影响因素的分析,这种测量技术用于指导对芯片引脚耦合的瞬态干扰进行高精度测量,获取芯片引脚电磁干扰,指导芯片电磁兼容标准的制定和芯片高可靠设计。
本领域技术人员可以理解实现上述实施方式的方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,该程序存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得单片机、芯片或处理器(processor)执行本申请各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上结合附图详细描述了本申请的可选实施方式,但是,本申请实施方式并不限于上述实施方式中的具体细节,在本申请实施方式的技术构思范围内,可以对本申请实施方式的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本申请实施方式的保护范围。另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本申请实施方式对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本申请的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本申请实施方式的思想,其同样应当视为本申请实施方式所公开的内容。
Claims (10)
1.一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,所述方法包括:
构建初始验证装置;
采用初始验证装置测量得到校准波形;
根据初始验证装置构建第二验证装置;
在无屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第一瞬态干扰波形;
在屏蔽环境下,采用第二验证装置测量得到第二瞬态干扰波形;
根据第二验证装置构建第三验证装置;
在屏蔽环境下,采用第三验证装置测量得到第三瞬态干扰波形;
根据第三验证装置构建第四验证装置;
在屏蔽环境下,采用第四验证装置测量得到第四瞬态干扰波形;
根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素。
2.根据权利要求1所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,根据校准波形、第一瞬态干扰波形、第二瞬态干扰波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形确定影响宽频瞬态干扰测量的因素,包括:
比较校准波形、第一瞬态干扰波形和第二瞬态干扰波形,将第一瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为环境干扰;
比较校准波形、第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形,将第三瞬态干扰波形和第四瞬态干扰波形中叠加的干扰确定为测量探头的寄生电感。
3.根据权利要求1所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,构建初始验证装置,包括:
采用第一同轴屏蔽线将标准源与示波器的第一通道连接,形成初始验证装置,所述第一同轴屏蔽线的阻抗特性与标准源的输出档位及示波器的第一通道相对应。
4.根据权利要求3所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,所述根据初始验证装置构建第二验证装置,包括:
将初始验证装置中的第一同轴屏蔽线替换为某一段剖开的第二同轴屏蔽线,作为第二验证装置,所述第二同轴屏蔽线的阻抗特性与标准源的输出档位及示波器的第一通道相对应。
5.根据权利要求4所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,根据第二验证装置构建第三验证装置,包括:
采用高阻无源探头测量第二同轴屏蔽线剖开处,将高阻无源探头自带的接地引线接地,将高阻无源探头输出端连接示波器第二通道,作为第三验证装置。
6.根据权利要求5所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,根据第三验证装置构建第四验证装置,包括:
采用弹簧针连接高阻无源探头,将弹簧针接地,作为第四验证装置。
7.根据权利要求3所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证方法,其特征在于,采用初始验证装置测量得到校准波形,包括:
标准源产生上升沿为3ns,持续时间100ns的矩形脉冲,示波器测量得到标准矩形脉冲,作为校准波形。
8.一种宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置,其特征在于,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置包括:第一同轴屏蔽线、标准源、示波器、第二同轴屏蔽线、高阻无源探头和弹簧针;
所述第一同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为初始验证装置;
所述第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第二验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,高阻无源探头自带的接地引线接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第三验证装置;
所述高阻无源探头的输出端连接示波器的第二通道,弹簧针与高阻无源探头连接,弹簧针接地,第二同轴屏蔽线与示波器的第一通道和标准源连接,作为第四验证装置;
所述第二同轴屏蔽线为某一段剖开的同轴屏蔽线。
9.根据权利要求8所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置,其特征在于,所述标准源为矩形波发生器。
10.根据权利要求8所述的宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置,其特征在于,所述宽频瞬态干扰测量影响因素验证装置还包括:屏蔽箱,用于提供屏蔽环境。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120050117A1 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Electromagnetic interference test device |
CN205426977U (zh) * | 2016-03-24 | 2016-08-03 | 吉林大学 | 一种抗强电磁辐射干扰的测量系统 |
CN106248045A (zh) * | 2016-09-06 | 2016-12-21 | 西安交通大学 | 一种抗强电磁干扰的应变测量系统 |
CN107462760A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-12-12 | 中国电力科学研究院 | 一种用于强电磁环境下的高压开关瞬态地电位测试系统 |
CN108089075A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-29 | 广电计量检测(西安)有限公司 | 一种屏蔽线缆的仿真验证测试装置及其方法 |
CN111220855A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-02 | 西北核技术研究院 | 一种强电磁环境下传导干扰信号测量方法 |
CN113092877A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 中国人民解放军陆军工程大学 | 小型化电磁脉冲场测试探头及测试系统 |
CN113567903A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-29 | 清华大学 | 实现传感器校准的方法、装置、计算机存储介质及终端 |
CN115792427A (zh) * | 2022-10-28 | 2023-03-14 | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 | 一种电缆耦合干扰效应测试系统及方法 |
CN116298653A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法 |
-
2023
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120050117A1 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Electromagnetic interference test device |
CN102375096A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 高频电磁辐射测量装置 |
CN205426977U (zh) * | 2016-03-24 | 2016-08-03 | 吉林大学 | 一种抗强电磁辐射干扰的测量系统 |
CN106248045A (zh) * | 2016-09-06 | 2016-12-21 | 西安交通大学 | 一种抗强电磁干扰的应变测量系统 |
CN107462760A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-12-12 | 中国电力科学研究院 | 一种用于强电磁环境下的高压开关瞬态地电位测试系统 |
CN108089075A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-29 | 广电计量检测(西安)有限公司 | 一种屏蔽线缆的仿真验证测试装置及其方法 |
CN111220855A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-02 | 西北核技术研究院 | 一种强电磁环境下传导干扰信号测量方法 |
CN113092877A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 中国人民解放军陆军工程大学 | 小型化电磁脉冲场测试探头及测试系统 |
CN113567903A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-10-29 | 清华大学 | 实现传感器校准的方法、装置、计算机存储介质及终端 |
CN115792427A (zh) * | 2022-10-28 | 2023-03-14 | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 | 一种电缆耦合干扰效应测试系统及方法 |
CN116298653A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 瞬态电磁干扰注入装置、瞬态电磁干扰试验系统和方法 |
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