CN116582994A - 基于惯性静电约束聚变的同轴柱形d-d中子发生器 - Google Patents
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Abstract
本发明关于一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D‑D中子发生器,涉及中子发生器技术领域。包括外壳、栅形阳极、栅形阴极、高压接头组件和观察窗,外壳一端与所述高压接头组件相连,另一端安装有观察窗;外壳内部设置有低压腔体,栅形阳极与栅形阴极安装在低压腔体内,且分别与高压接头电连接,低压腔体内部填充有氘气。本发明具有结构简单、使用寿命长、维护简单、造价低廉等优点,能够满足反应堆点火、核材料检测、航空航天元件无损检测对小型化中子发生器的要求。
Description
技术领域
本发明涉及中子发生器技术领域,具体为一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器。
背景技术
中子源是开展中子照相、中子活化分析、中子爆炸物检测等中子应用技术所需的重要装置,在反应堆点火、核材料检测、航空航天元件(如航空发动机叶片、航天器及导弹点火装置)无损检测及反恐等方面有重要的应用价值。中子源的主要类型有反应堆中子源、同位素中子源和加速器中子源。
反应堆中子源,利用原子核在裂变过程中释放的裂变中子。反应堆中子源中子通量极高,是其他所有同位素中子源和一般加速器中子源无法比拟的,由于其中子通量高的特性,多用于辐照效应研究、同位素生产等方面工作。但是反应堆中子源中子能谱复杂、装置结构庞杂以及辐射安全性能差,这些因素制约了反应堆中子源在中子应用技术中的应用。
同位素中子源,通常是借助(α,n)、(γ,n)、自发裂变等核反应产生中子。对比反应堆中子源和加速器中子源,同位素中子源具有体积小、易于操作等优点,但是其辐射安全性能差、中子产额低、进口受限、以及价格昂贵。
加速器中子源,通常是利用(p,n)、(d,n)核反应产生中子,其中(p,n)反应通常具有反应阈值,不适用于小型化中子源设备。与此相反,几乎所有用于获得中子的(d,n)核反应都是强放热反应,反应没有阈值,能量接近零的氘核都能产生中子。绝大多数加速器中子源都是用氘核作为轰击粒子,与轻核素靶核发生(d,n)核反应获得中子。用得较多的靶核有2H、3H、7Li、9Be等,其中前两种反应发射单能的中子,后两种中子能谱较复杂,又由于3H为管制核材料且价格极其昂贵,所以D-D聚变反应常用于提供单能中子。当前,实验室研发的倍压型D-D中子发生器、紧凑型D-D中子发生器因其系统庞大、功率高、靶寿命有限等因素的限制,使其很难直接应用于中子应用技术现场。紧凑型、小型化、高产额中子源成为限制当前中子应用技术应用的主要瓶颈技术。
发明内容
本发明主要目的在于提供一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其可以满足反应堆点火、核材料检测、航空航天元件无损检测对小型化中子发生器的要求。
为达上述目的,本发明提供了一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,包括:外壳、栅形阳极、栅形阴极、高压接头组件和观察窗,其中,所述外壳一端与所述高压接头组件相连,另一端安装有所述观察窗;外壳内部设置有低压腔体,所述栅形阳极与所述栅形阴极安装在所述低压腔体内,所述栅形阳极接地,所述栅形阴极通过所述高压接头电连接有高压电源,所述低压腔体内部填充有氘气。
进一步的,所述外壳上设置有分子泵接口,所述分子泵接口通过活套法兰连接分子泵,用于抽取低压腔体中的空气。
进一步的,所述外壳上设置有真空计接口,所述真空计接口通过活套法兰连接真空计,用于测量低压腔体中的真空度。
进一步的,所述外壳上设置有进气口,所述进气口设有连通氘气源的管道。
进一步的,所述管道上设置有流量阀,与流量控制器电连接,用于对进气量进行精确控制。
进一步的,所述外壳长度为600mm,外壁直径为110mm,壁厚为3mm。
进一步的,所述栅形阳极由24根不锈钢柱环形排列在半径45.5mm圆盘上,每根不锈钢柱长度为300mm,直径为3mm。
进一步的,所述栅形阴极由12根不锈钢柱环形排列在半径11.5mm圆盘上,长度为200mm,直径为3mm。
进一步的,高压接头组件包括陶瓷绝缘环、高压电缆、冷却管道以及不锈钢法兰,高压接头组件包括陶瓷绝缘环、高压电缆、冷却管道以及不锈钢法兰,所述高压电缆用于向栅形阴极馈入负高压,其周围包裹冷却管道,冷却管道周围包裹陶瓷绝缘环,陶瓷绝缘环外侧安装不锈钢法兰。
本发明的有益效果在于:
本发明提供了一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,利用辉光放电在栅形阴极周围形成高密度D+离子区,D+离子与D+离子相互作用发生D(d,n)3He(D-D)聚变反应,产生高产额的快中子场。由于该装置不存在靶结构,也不需要冷却系统,所以其具有结构简单、使用寿命长、维护简单、造价低廉等优点。本发明涉及一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,该设备能够满足反应堆点火、核材料检测、航空航天元件无损检测对小型化中子发生器的要求。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图;
图2为本发明所提供的高压接头组件结构示意图;
图3是本发明中子能谱分布图;
图4是本发明中子角产额分布图。
其中,图中:
1-外壳;2-栅形阳极;3-栅形阴极;4-分子泵接口;5-观察窗;6-真空计接口;7-低压腔体;8-进气口;9-高压接头组件;901-陶瓷绝缘环;902-高压电缆;903-冷却管道;904-不锈钢法兰。
具体实施方式
为达成上述目的及功效,本发明所采用的技术手段及构造,结合附图就本发明较佳实施例详加说明其特征与功能。
如图1-2所示,本发明提供了一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,包括:外壳1、栅形阳极2、栅形阴极3、高压接头组件9和观察窗5,其中,所述外壳1一端与所述高压接头组件9相连,另一端安装有所述观察窗5;外壳1内部设置有低压腔体7,所述栅形阳极2与所述栅形阴极3安装在所述低压腔体7内,所述栅形阳极2接地,所述栅形阴极3通过所述高压接头电连接有高压电源,所述低压腔体7内部填充有氘气,压强低于3Pa。所述外壳1上设置有分子泵接口4,所述分子泵接口4通过活套法兰连接分子泵,用于抽取低压腔体7中的空气。所述外壳1上设置有真空计接口6,所述真空计接口6通过活套法兰连接真空计,用于测量低压腔体7中的真空度。所述外壳1上设置有进气口8,所述进气口8设有连通氘气源的管道,所述氘气源可以是氘气瓶。所述管道上设置有流量阀,与流量控制器电连接,用于对进气量进行精确控制。
本发明栅形阳极2接地,栅形阴极3通过高压接头组件9中的高压电缆902连接高压电源,所述高压电源可以为其提供-100kV的负高压,在栅形阳极2和栅形阴极3之间会产生指向栅形阴极3的强电场;低压腔体7中的氘气在所述强电场的作用下,发生辉光放电,可以通过观察窗5观察到辉光放电现象,辉光放电过程中会产生等离子体,其中D+离子加速向栅形阴极3运动,穿过栅形阴极3的D+离子在反向电场作用下反向运动到栅形阴极3区域,在栅形阴极3周围会形成高密度D+离子区,D+离子与D+离子相互作用发生D(d,n)3He(D-D)聚变反应,放出能量为2.2~2.8MeV的D-D快中子,中子能谱如图3所示,中子角产额分布如图4所示。
其中外壳采用不锈钢外壳1,不锈钢外壳1为圆筒形结构,连接地线,确保在实验室及工业应用现场的高压安全性。高压接头组件9、观察窗5、分子泵接口4、真空计接口6以及进气口8均通过“O”形橡胶密封圈来实现实现与不锈钢外壳1的的真空密封,不锈钢外壳1为系统提供低气压环境,并在低压腔体7内充入氘气。
进一步的,所述外壳长度为600mm,外壁直径为110mm,壁厚为3mm。
本实施例中,所述栅形阳极2由24根不锈钢柱环形排列在半径45.5mm圆盘上,每根不锈钢柱长度为300mm,直径为3mm。所述栅形阴极3由12根不锈钢柱环形排列在半径11.5mm圆盘上,长度为200mm,直径为3mm。栅形阳极2、栅形阴极3均由一定数量的不锈钢柱组成,并在一定半径的圆上环形排列,其中栅形阳极2接地,栅形阴极3连接负高压;为避免出现尖端放电,所述栅形阴极3柱头、栅形阴极3柱尾和所述栅形阳极2柱尾采用半球形结构;栅形阳极2、栅形阴极3在强电场作用下发生放电现象,产生等离子体,D+离子加速向栅形阴极3运动,穿过栅形阴极3的D+离子在反向电场作用下反向运动到栅形阴极3区域,在栅形阴极3周围会形成高密度D+离子区,D+离子与D+离子相互作用发生D(d,n)3He(D-D)聚变反应,放出中子。
本实施例中,观察窗5由10mm厚的石英玻璃制成,其直径为110mm,开观察窗5的目的在于便于观测装置内部进行辉光放电时所发出的辉光。
本实施例中,高压接头组件9包括陶瓷绝缘环901、高压电缆902、冷却管道903以及不锈钢法兰904,高压接头组件9包括陶瓷绝缘环901、高压电缆902、冷却管道903以及不锈钢法兰904,所述高压电缆902用于向栅形阴极3馈入负高压,其周围包裹冷却管道903,冷却管道903周围包裹陶瓷绝缘环901,所述陶瓷绝缘环901为锯齿状,陶瓷绝缘环901外侧安装不锈钢法兰904。为保证高压接头内部的高压绝缘性能,在其内部密封空腔内注满变压器油。
本发明提供了一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,利用辉光放电在栅形阴极周围形成高密度D+离子区,D+离子与D+离子相互作用发生D(d,n)3He(D-D)聚变反应,产生高产额的快中子场。由于该装置不存在靶结构,也不需要冷却系统,所以其具有结构简单、使用寿命长、维护简单、造价低廉等优点。本发明涉及一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,该设备能够满足反应堆点火、核材料检测、航空航天元件无损检测对小型化中子发生器的要求。
本发明的工作原理:
首先密封进气口8,通过分子泵接口4抽真空,并进行多次洗气操作,确保低压腔体7内无残留杂质气体;通过进气口8向低压腔体7中充入氘气,并通过分子泵将其压强抽至3Pa以下。不锈钢外壳1接地,能确保在实验室及工业应用现场的高压安全性。在栅形阴极3上施加-100kV的负高压,栅形阳极2接地,则会在栅形阳极2和栅形阴极3之间产生指向栅形阴极3的强电场;氘气在强电场的作用下会发生辉光放电现象,产生等离子体,其中D+离子在电场的作用下加速向栅形阴极3运动,穿过栅形阴极3的D+离子在反向电场作用下反向运动到栅形阴极3区域,则在栅形阴极3周围会形成高密度D+离子区,D+离子与D+离子相互作用发生D(d,n)3He(D-D)聚变反应,放出能量为2.2~2.8MeV的D-D快中子。
以上所述,仅是本发明较佳实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,包括:外壳、栅形阳极、栅形阴极、高压接头组件和观察窗,其中,所述外壳一端与所述高压接头组件相连,另一端安装有所述观察窗;外壳内部设置有低压腔体,所述栅形阳极与所述栅形阴极安装在所述低压腔体内,所述栅形阳极接地,所述栅形阴极通过所述高压接头电连接有高压电源,所述低压腔体内部填充有氘气。
2.如权利要求1所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述外壳上设置有分子泵接口,所述分子泵接口通过活套法兰连接分子泵,用于抽取低压腔体中的空气。
3.如权利要求1或2所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述外壳上设置有真空计接口,所述真空计接口通过活套法兰连接真空计,用于测量低压腔体中的真空度。
4.如权利要求3所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述外壳上设置有进气口,所述进气口设有连通氘气源的管道。
5.如权利要求4所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述管道上设置有流量阀,与流量控制器电连接,用于对进气量进行精确控制。
6.如权利要求1所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述外壳长度为600mm,外壁直径为110mm,壁厚为3mm。
7.如权利要求1所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述栅形阳极由24根不锈钢柱环形排列在半径45.5mm圆盘上,每根不锈钢柱长度为300mm,直径为3mm。
8.如权利要求1或7所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,所述栅形阴极由12根不锈钢柱环形排列在半径11.5mm圆盘上,长度为200mm,直径为3mm。
9.如权利要求1所述的一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D-D中子发生器,其特征在于,高压接头组件包括陶瓷绝缘环、高压电缆、冷却管道以及不锈钢法兰,所述高压电缆用于向栅形阴极馈入负高压,其周围包裹冷却管道,冷却管道周围包裹陶瓷绝缘环,陶瓷绝缘环外侧安装不锈钢法兰。
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