CN116582102B - 一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，涉及石英晶体谐振器封装技术领域，根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器频率、电容和阻抗，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度，通过分析各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，可以确定谐振器散热结构中可能存在的瓶颈和不足之处，通过对谐振器热力数值进行分析，从而更全面、科学地评估谐振器的性能表现，进而可以筛选出比较合理和有效的散热结构。
Description
技术领域
本发明涉及石英晶体谐振器封装技术领域，具体涉及一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法。
背景技术
石英晶体谐振器是一种利用石英晶体产生机械振动和电学振动的器件，目前石英晶体谐振器已成为今后数码信息社会的重要部件，常被广泛应用于多个领域，例如计算机、通讯、航天等；封装技术的好坏直接影响了器件的使用寿命和可靠性，为了满足不同领域的应用需求，石英晶体谐振器的封装技术也在不断发展，因此，需要一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法；
当前技术中无法获取石英晶体谐振器各型号对应的最佳的谐振器封装温度，石英晶体谐振器的性能可能受到温度的影响，而不同封装方式对温度的响应可能存在差异，很显然这种检测方式至少存在以下方面问题：
1、不同型号的石英晶体谐振器可能具有不同的性能和应用需求；如果无法确定最佳封装温度，可能会限制产品的差异化设计；无法根据不同型号的石英晶体谐振器进行封装温度的优化设计，可能会导致产品的性能和竞争力的限制，同时，石英晶体谐振器的性能和稳定性受到温度的影响；如果无法确定最佳封装温度，可能会导致谐振器的性能下降或不稳定；这可能会影响到谐振器在应用中的准确性和可靠性；
2、谐振器在工作过程中会产生一定的热量，如果散热结构不合格，无法有效地将热量传导和散发，导致谐振器温度过高；高温会影响谐振器的性能和稳定性，甚至可能导致谐振器的故障和损坏，导致谐振器温度过高，可能会引起频率漂移、频率稳定性下降等问题，从而影响谐振器的性能，同时无法有效地降低谐振器的工作温度，会加速谐振器的老化过程，从而减少谐振器的使用寿命。
发明内容
针对上述存在的技术不足，本发明的目的是提供一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：本发明提供一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，包括：步骤一、谐振器试验的温度设置：获取各谐振器的型号，从而对各谐振器进行分类，进而将各型号的谐振器设置成若干个试验组，并将各型号谐振器中各试验组分别设置为不同温度；
步骤二、谐振器封装数据的获取：在谐振器封装完成后，对采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，性能参数包括频率、电容和阻抗；
步骤三、谐振器性能的分析：根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，并将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行排列，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度；
步骤四、谐振器试验的散热结构设置：将各型号的谐振器设置成若干个实验组，并将各型号谐振器中各实验组都设置为最佳的谐振器封装温度，且将各型号谐振器中各实验组分布设置为不同的散热结构；
步骤五、谐振器热力的采集：在谐振器封装运行后，采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，热力数值包括热流值、温度值和热阻值；
步骤六、谐振器散热结构的分析：根据各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，从而对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数，并判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格；
步骤七、合格显示：显示合格的各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构。
优选地，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
A1、通过扫码各谐振器上的生产条形码，将各谐振器上的生产条形码与数据库中储存的各谐振器型号对应的生产条形码进行比对，从而得到各谐振器对应的型号，进而将各型号谐振器设置成若干个相同的试验组；
A2、再将各型号谐振器中各试验组设置为不同温度，进而将各型号谐振器中各试验组进行封装试验。
优选地，所述获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，具体获取过程如下：
B1、将各型号谐振器分别放置在各型号对应的测试仪器上，进而对各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试；
B2、通过测试仪器，进而采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数。
优选地，所述对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各试验组对应的频率、电容和阻抗分别记为、和，
代入计算公式中，得到
各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数，其中，表示各型号对应的编号，，表示各试验组对应的编号，，、、分别表示为设定的
谐振器对应的标准频率、标准电容、标准阻抗，、、分别表示谐振器对应频率、电容、阻
抗对应的权重因子。
优选地，所述选择最佳的谐振器封装温度，具体选择过程如下：
C1、将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数分别从大到小对试验组进行排列；
C2、将各型号谐振器中各试验组中最大性能评估系数对应试验组的封装温度作为该型号中最佳谐振器封装温度。
优选地，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
将各型号谐振器设置成若干个相同的实验组，再将各型号谐振器中各实验组设置为不同散热结构，进而将各型号谐振器中各实验组进行谐振器运行实验。
优选地，所述采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，具体采集过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器划分为若干个单元区域，将每一个单元区域中设置多个采集点，在谐振器封装运行后的统一时间点，同时采集各试验组中各单元区域内的各采集点上的热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值。
优选地，所述对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各实验组中谐振器对应热流值、温度值和热阻值分布记为、和，代入计算公式中，得到各型
号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数，其中，其中，表示各型号对应的编
号，，表示各实验组对应的编号，，、、分别表示为设
定的各型号谐振器对应的标准热流值、标准温度值、标准热阻值，、、分别表示为设
定的谐振器散热结构对应的权重因子。
优选地，所述判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格，具体判断过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数与对应型号设定的标准谐振器散热评估系数进行对比，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数小于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构不合格，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数大于或者等于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构合格，以此方式判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格。
本发明的有益效果在于：
1、根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器频率、电容和阻抗，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度，因此，对其进行分析得到的结果比较客观和准确，同时，通过将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行排列，可以得到直观的结果展示，更容易进行比较和综合评价；
2、通过分析各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，可以确定谐振器散热结构中可能存在的瓶颈和不足之处，有助于针对性地优化谐振器散热结构和提高散热效率，同时，通过对谐振器热力数值进行分析，了解谐振器散热结构的状态和热力分布情况，可以为谐振器性能的优化和改进提供依据，并且可以量化散热性能评估系数，从而更全面、科学地评估谐振器的性能表现，进而可以筛选出比较合理和有效的散热结构；
3、根据各谐振器对应的型号，进而将各型号谐振器设置成若干个相同的试验组，再将各型号谐振器中各试验组设置为不同温度，进而将各型号谐振器中各试验组进行封装试验，从而保障了试验的可以保证试验结果的可靠性和可比性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明方法实施步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例如图1所示，一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，包括：步骤一、谐振器试验的温度设置：获取各谐振器的型号，从而对各谐振器进行分类，进而将各型号的谐振器设置成若干个试验组，并将各型号谐振器中各试验组分别设置为不同温度。
在一个具体的实施例中，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
A1、通过扫码各谐振器上的生产条形码，将各谐振器上的生产条形码与数据库中储存的各谐振器型号对应的生产条形码进行比对，从而得到各谐振器对应的型号，进而将各型号谐振器设置成若干个相同的试验组；
A2、再将各型号谐振器中各试验组设置为不同温度，进而将各型号谐振器中各试验组进行封装试验。
需要说明的是，数据库中储存了各种型号谐振器。
根据各谐振器对应的型号，进而将各型号谐振器设置成若干个相同的试验组，再将各型号谐振器中各试验组设置为不同温度，进而将各型号谐振器中各试验组进行封装试验，从而保障了试验的可以保证试验结果的可靠性和可比性。
步骤二、谐振器封装数据的获取：在谐振器封装完成后，对采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，性能参数包括频率、电容和阻抗。
在一个具体的实施例中，所述获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，具体获取过程如下：
B1、将各型号谐振器分别放置在各型号对应的测试仪器上，进而对各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试；
B2、通过测试仪器，进而采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数。
需要说明的是，测试方法通常采用LCR测试仪进行测试，测试中需要将LCR测试仪的测试频率范围是否能够覆盖石英晶体谐振器的工作频率范围，以保证测试的精度和可靠性，进而通过LCR测试仪得到各型号谐振器频率、电容和阻抗。
步骤三、谐振器性能的分析：根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，并将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行排列，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度。
在一个具体的实施例中，所述对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各试验组对应的频率、电容和阻抗分别记为、和，
代入计算公式中，得到
各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数，其中，表示各型号对应的编号，，表示各试验组对应的编号，，、、分别表示为设定的
谐振器对应的标准频率、标准电容、标准阻抗，、、分别表示谐振器对应频率、电容、阻
抗对应的权重因子。
需要说明的是，当谐振器的频率越接近设计值，它的性能会越高，当谐振器的电容越接近设计值，它的性能会越高，当谐振器的阻抗越接近设计值，它的性能会越高。
在另一个具体的实施例中，所述选择最佳的谐振器封装温度，具体选择过程如下：
C1、将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数分别从大到小对试验组进行排列；
C2、将各型号谐振器中各试验组中最大性能评估系数对应试验组的封装温度作为该型号中最佳谐振器封装温度。
根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器频率、电容和阻抗，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度，因此，对其进行分析得到的结果比较客观和准确，同时，通过将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行排列，可以得到直观的结果展示，更容易进行比较和综合评价。
步骤四、谐振器试验的散热结构设置：将各型号的谐振器设置成若干个实验组，并将各型号谐振器中各实验组都设置为最佳的谐振器封装温度，且将各型号谐振器中各实验组分布设置为不同的散热结构。
需要说明的是，散热结构包括表面散热、液体散热和集热型散热等。
在一个具体的实施例中，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
将各型号谐振器设置成若干个相同的实验组，再将各型号谐振器中各实验组设置为不同散热结构，进而将各型号谐振器中各实验组进行谐振器运行实验。
步骤五、谐振器热力的采集：在谐振器封装运行后，采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，热力数值包括热流值、温度值和热阻值。
需要说明的是，通过热流计、温度计和热阻计等设备，获得各型号谐振器对应的热流值、温度值和热阻值。
在一个具体的实施例中，所述采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，具体采集过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器划分为若干个单元区域，将每一个单元区域中设置多个采集点，在谐振器封装运行后的统一时间点，同时采集各试验组中各单元区域内的各采集点上的热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值。
步骤六、谐振器散热结构的分析：根据各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，从而对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数，并判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格。
在一个具体的实施例中，所述对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各实验组中谐振器对应热流值、温度值和热阻值分布记为、和，代入计算公式中，得到各型
号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数，其中，其中，表示各型号对应的编
号，，表示各实验组对应的编号，，、、分别表示为设
定的各型号谐振器对应的标准热流值、标准温度值、标准热阻值，、、分别表示为设
定的谐振器散热结构对应的权重因子。
在另一个具体的实施例中，所述判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格，具体判断过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数与对应型号设定的标准谐振器散热评估系数进行对比，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数小于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构不合格，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数大于或者等于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构合格，以此方式判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格。
通过分析各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，可以确定谐振器散热结构中可能存在的瓶颈和不足之处，有助于针对性地优化谐振器散热结构和提高散热效率，同时，通过对谐振器热力数值进行分析，了解谐振器散热结构的状态和热力分布情况，可以为谐振器性能的优化和改进提供依据，并且可以量化散热性能评估系数，从而更全面、科学地评估谐振器的性能表现，进而可以筛选出比较合理和有效的散热结构。
步骤七、合格显示：显示合格的各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，包括：
步骤一、谐振器试验的温度设置：获取各谐振器的型号，从而对各谐振器进行分类，进而将各型号的谐振器设置成若干个试验组，并将各型号谐振器中各试验组分别设置为不同温度；
步骤二、谐振器封装数据的获取：在谐振器封装完成后，对采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，性能参数包括频率、电容和阻抗；
所述获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，具体获取过程如下：
B1、将各型号谐振器分别放置在各型号对应的测试仪器上，进而对各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能进行测试；
B2、通过测试仪器，进而采集各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，从而获取各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数；
步骤三、谐振器性能的分析：根据各型号谐振器中各试验组对应的谐振器性能参数，对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，并将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行排列，从而选择出各型号中最佳的谐振器封装温度；
所述对各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各试验组对应的频率、电容和阻抗分别记为、/>和/>，代入计算公式/>中，得到各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数/>，其中，/>表示各型号对应的编号，/>，/>表示各试验组对应的编号，/>，/>、/>、/>分别表示为设定的谐振器对应的标准频率、标准电容、标准阻抗，/>、/>、/>分别表示谐振器对应频率、电容、阻抗对应的权重因子；
所述选择最佳的谐振器封装温度，具体选择过程如下：
C1、将各型号谐振器中各试验组对应的性能评估系数分别从大到小对试验组进行排列；
C2、将各型号谐振器中各试验组中最大性能评估系数对应试验组的封装温度作为该型号中最佳谐振器封装温度；
步骤四、谐振器试验的散热结构设置：将各型号的谐振器设置成若干个实验组，并将各型号谐振器中各实验组都设置为最佳的谐振器封装温度，且将各型号谐振器中各实验组分布设置为不同的散热结构；
步骤五、谐振器热力的采集：在谐振器封装运行后，采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，热力数值包括热流值、温度值和热阻值；
步骤六、谐振器散热结构的分析：根据各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，从而对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数，并判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格；
步骤七、合格显示：显示合格的各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构。
2.如权利要求1所述的一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
A1、通过扫码各谐振器上的生产条形码，将各谐振器上的生产条形码与数据库中储存的各谐振器型号对应的生产条形码进行比对，从而得到各谐振器对应的型号，进而将各型号谐振器设置成若干个相同的试验组；
A2、再将各型号谐振器中各试验组设置为不同温度，进而将各型号谐振器中各试验组进行封装试验。
3.如权利要求2所述的一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，所述将各型号的谐振器设置成若干个试验组，具体设置过程如下：
将各型号谐振器设置成若干个相同的实验组，再将各型号谐振器中各实验组设置为不同散热结构，进而将各型号谐振器中各实验组进行谐振器运行实验。
4.如权利要求1所述的一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，所述采集各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值，具体采集过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器划分为若干个单元区域，将每一个单元区域中设置多个采集点，在谐振器封装运行后的统一时间点，同时采集各试验组中各单元区域内的各采集点上的热力数值，进而获得各型号谐振器中各实验组对应的谐振器热力数值。
5.如权利要求4所述的一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，所述对各型号谐振器中各实验组对应的谐振器的散热结构进行分析，具体分析过程如下：
将各型号谐振器中各实验组中谐振器对应热流值、温度值和热阻值分布记为、/>和/>，代入计算公式/>中，得到各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数/>，其中，其中，/>表示各型号对应的编号，，/>表示各实验组对应的编号，/>，/>、/>、/>分别表示为设定的各型号谐振器对应的标准热流值、标准温度值、标准热阻值，/>、/>、/>分别表示为设定的谐振器散热结构对应的权重因子。
6.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器提高封装技术的方法，其特征在于，所述判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格，具体判断过程如下：
将各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热评估系数与对应型号设定的标准谐振器散热评估系数进行对比，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数小于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构不合格，若某型号谐振器中某实验组对应的谐振器散热评估系数大于或者等于对应型号设定的标准谐振器散热评估系数，则判定该型号谐振器中该实验组对应的谐振器散热结构合格，以此方式判断各型号谐振器中各实验组对应的谐振器散热结构是否合格。
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