CN116562385A - 一种实现量子操作的装置及量子计算装置 - Google Patents
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Abstract
本文公开一种实现量子操作的装置及量子计算装置,包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;其中,第三激光为全局激光,第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。本发明实施例实现了可扩展且易于实现的量子比特寻址操作。
Description
技术领域
本文涉及但不限于量子计算机技术,尤指一种实现量子操作的装置及量子计算装置。
背景技术
离子量子计算机因其量子比特相干时间长,量子门保真度高等优点,一直是量子计算最优异的平台之一。但其在量子比特寻址方面存在一定困难。相关技术中的量子比特寻址方法有:1. 基于多通道声光调制器(AOM)的方案,但此方案扩展性差;2. 基于双声光偏转器(AOD)的方案,但此方案要求离子两侧的光路严格对称,增加了光路搭建的难度;3.基于微机电系统(MEMS)偏转器的方案,但此方案存在分辨率和切换速度的平衡问题。
综上,如何实现可扩展和易于实现的量子比特寻址操作,成为一个有待解决的问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供一种实现量子操作的装置及量子计算装置,能够实现可扩展且易于实现的量子比特寻址操作。
本发明实施例提供了一种实现量子操作的装置,包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,所述第三激光为全局激光,所述第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
另一方面,本发明实施例还提供一种量子计算装置,包括实现量子操作的装置,实现量子操作的装置包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,所述第三激光为全局激光,所述第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
本申请技术方案包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;其中,第三激光为全局激光,第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。本发明实施例实现了可扩展且易于实现的量子比特寻址操作。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例实现量子操作的装置的结构框图;
图2为本发明应用示例双量子比特逻辑门的操作原理示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
图1为本发明实施例实现量子操作的装置的结构框图,如图1所示,包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整(第一激光频率为),获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,第三激光为全局激光,第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
在一种示例性实例中,本发明实施例量子操作包括:量子比特逻辑门操作。
本发明实施例实现了可扩展且易于实现的量子比特寻址操作。
在一种示例性实例中,本发明实施例装置还包括分束器,设置为:
对入射的激光进行分束处理,获得第一激光和第二激光。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第一支路包括第一声光调制器,设置为:对第一激光进行第一移频处理,以获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于第一声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量;
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第一预设数量等于第二预设数量。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第一支路包括第二声光调制器,以及调制单元;其中,
第一声光调制器设置为:对第一激光进行第二移频处理,以获得包含第二预设数量个频率成分的第三激光;
调制单元设置为:对第三激光进行调制,使得每一个第三激光的频率成分均包含两个以上边带成分,以获得所述包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于第二声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量;调制单元包括相位调制器(OPM)或幅度调制器(OAM)。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第二支路包括一个以上声光偏转器(AOD),设置为:根据施加于自身的第二预设数量个射频驱动场,对第二激光进行第三移频处理,输出第二预设数量束寻址激光;
其中,每一束寻址激光经过声光偏转器后频率变化量分别记为,n为第二预设数量。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量,满足以下关系:
;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
在一种示例性实例中,本发明实施例中第二支路包括第三声光调制器和一个以上声光偏转器;其中,
第三声光调制器设置为:对第二激光进行第四移频处理;
声光偏转器设置为:对第二激光进行第五移频处理,并输出第二预设数量束寻址激光;
其中,每一束寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后,每一束寻址激光与第三激光中对应频率成分的频率差等于预设数值。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量,满足以下关系:;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
在一种示例性实例中,本发明实施例施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率成分,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率成分相同;上述施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量满足的关系,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量满足的关系相同;上述施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量满足的关系,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量满足的关系相同。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的目标离子比特形成一维或者二维离子晶格。
在一种示例性实例中,当目标离子比特形成一维离子晶格时,第二支路包括一个声光偏转器;当目标离子比特形成二维离子晶格时,第二支路包括两个主轴不重合的声光偏转器;在一种示例性实例中,本发明实施例第二支路包括两个主轴不重合的声光偏转器时,两个声光偏转器主轴相互垂直。
需要说明的是,本发明实施例中所说施加于声光调制器或声光偏转器的射频驱动场的数量为N,是指由于量子操作的需要而施加的有用的射频驱动场成分数量为N,但本领域技术人员所知事实是,施加于声光偏转器或声光调制器上的射频驱动场的数量还可以大于N而不会带来显著影响,此种情形应视作在本发明的保护范围之内。
本发明实施例还提供一种量子计算装置,包括实现量子操作的装置,实现量子操作的装置包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,第三激光为全局激光,第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
在一种示例性实例中,本发明实施例装置还包括分束器,设置为:
对入射的激光进行分束处理,获得第一激光和第二激光。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第一支路包括第一声光调制器,设置为:对第一激光进行第一移频处理,以获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于第一声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第一支路包括第二声光调制器,以及调制单元;其中,
第一声光调制器设置为:对第一激光进行第二移频处理,以获得包含第二预设数量个频率成分的第三激光;
调制单元设置为:对第三激光进行调制,使得每一个第三激光的频率成分均包含两个以上边带成分,以获得所述包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于第二声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量;调制单元包括相位调制器(OPM)或幅度调制器(OAM)。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的第二支路包括一个以上声光偏转器,设置为:根据施加于自身的第二预设数量个射频驱动场,对第二激光进行第三移频处理,输出第二预设数量束寻址激光;
其中,每一束寻址激光经过声光偏转器后频率变化量分别记为,n为第二预设数量。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量,满足以下关系:
;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
在一种示例性实例中,本发明实施例中第二支路包括第三声光调制器和一个以上声光偏转器(AOD);其中,
第三声光调制器设置为:对第二激光进行第四移频处理,使得经过第二频移处理的第二激光与第三激光中对应频率成分的频率差等于预设数值;
声光偏转器设置为:对第二激光进行第五移频处理,输出第二预设数量束寻址激光;
其中,每一束所述寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后,每一束寻址激光与第三激光中对应频率成分的频率差等于预设数值。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率成分和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量,满足以下关系:;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
在一种示例性实例中,本发明实施例施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率成分,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率成分相同;上述施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量满足的关系,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量满足的关系相同;上述施加于第一声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量满足的关系,与施加于第二声光调制器的射频驱动场的频率和寻址激光经过声光偏转器后频率变化量满足的关系相同。
在一种示例性实例中,本发明实施例中的目标离子比特形成一维或者二维离子晶格。
在一种示例性实例中,当目标离子比特形成一维离子晶格时,第二支路包括一个声光偏转器;当目标离子比特形成二维离子晶格时,第二支路包括两个主轴不重合的声光偏转器;在一种示例性实例中,本发明实施例第二支路包括两个主轴不重合的声光偏转器时,两个声光偏转器主轴相互垂直。
以下通过应用示例对本发明实施例进行简要说明,应用实例仅用于陈述本发明实施例,并不用于限定本发明的保护范围。
应用示例
以下以实现双比特量子逻辑门为例对本发明进行示例性说明,参见图2,本应用实例在一维离子链中实现双比特量子逻辑门。两束寻址激光从左侧照射两个目标量子比特,全局激光从右侧照射整条离子链。两束寻址激光可以通过在声光偏转器上施加两个频率的射频驱动场来实现,射频驱动场的频率分别记为和/>。记第一激光和第二激光的频率为,则两束寻址光的频率为/>和/>。全局光包含两个频率成分,可以通过在声光调制器上施加两个频率成分的射频驱动场实现,其频率记为/>,/>。此外,还可以利用相位调制器或幅度调制器对全局光进行调制,使得两个频率成分均包含两个边带成分,频率分别为/>,/>。调整声光调制器的频率,使得/>。 将寻址光和全局光同时照射对应量子比特,通过实时控制寻址激光和全局光的频率、功率、相位或者照射时间,可以实现双比特量子逻辑门。此处/>是量子比特频率(两个量子比特基矢之间的频率差),/>是用于构建量子逻辑门的振动模式的本征频率,/>是为了实现门操作而设定的频率。
本领域普通技术人员可以理解,上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中,在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分;例如,一个物理组件可以具有多个功能,或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器,如数字信号处理器或微处理器执行的软件,或者被实施为硬件,或者被实施为集成电路,如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上,计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的,术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于 RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外,本领域普通技术人员公知的是,通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据,并且可包括任何信息递送介质。
Claims (12)
1.一种实现量子操作的装置,包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,所述第三激光为全局激光,所述第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括分束器,设置为:
对入射的激光进行分束处理,获得所述第一激光和所述第二激光。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一支路包括第一声光调制器,设置为:
对所述第一激光进行第一移频处理,以获得所述包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于所述第一声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一支路包括第二声光调制器,以及调制单元;其中,
所述第二声光调制器设置为:对所述第一激光进行第二移频处理,以获得所述包含第二预设数量个频率成分的第三激光;
所述调制单元设置为:对所述第三激光进行调制,使得每一个所述第三激光的频率成分均包含两个以上边带成分,以获得所述包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
其中,施加于所述第二声光调制器的射频驱动场的个数等于第二预设数量,其频率成分分别记为,n为第二预设数量;所述调制单元包括相位调制器或幅度调制器。
5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第二支路包括一个以上声光偏转器,设置为:根据施加于自身的第二预设数量个射频驱动场,对所述第二激光进行第三移频处理,输出第二预设数量束所述寻址激光;
其中,每一束所述寻址激光经过声光偏转器后频率变化量分别记为,n为第二预设数量。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二支路包括一个以上声光偏转器,设置为:根据施加于自身的第二预设数量个射频驱动场,对所述第二激光进行第三移频处理,输出第二预设数量束所述寻址激光;
其中,每一束所述寻址激光经过声光偏转器后频率变化量分别记为,n为第二预设数量。
7.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第二支路包括第三声光调制器和一个以上声光偏转器;其中,
第三声光调制器设置为:对第二激光进行第四移频处理;
所述声光偏转器设置为:对所述第二激光进行第五移频处理,并输出第二预设数量束所述寻址激光;
其中,每一束所述寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后,每一束寻址激光与第三激光中对应频率成分的频率差等于预设数值。
8.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二支路包括第三声光调制器和一个以上声光偏转器;其中,
第三声光调制器设置为:对第二激光进行第四移频处理;
所述声光偏转器设置为:对所述第二激光进行第五移频处理,并输出第二预设数量束所述寻址激光;
其中,每一束所述寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后,每一束寻址激光与第三激光中对应频率成分的频率差等于预设数值。
9.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述施加于所述第一声光调制器的射频驱动场的频率成分和所述寻址激光经过声光偏转器后频率变化量,满足以下关系:
;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
10.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述施加于所述第一声光调制器的射频驱动场的频率成分和所述寻址激光经过第四移频处理和第五移频处理后频率变化量,满足以下关系:
;
其中,为离子晶体集体振动模式的本征频率,/>为根据量子操作预设的特定频率。
11.根据权利要求1-4任一项所述的装置,其特征在于,所述目标离子比特形成一维或者二维离子晶格。
12.一种量子计算装置,包括实现量子操作的装置,实现量子操作的装置包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,
第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;
第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;
操作单元设置为:对第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特,以执行多量子比特操作;
其中,所述第三激光为全局激光,所述第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。
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