CN116525483B - 一种异质结电池的测试方法 - Google Patents

一种异质结电池的测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116525483B
CN116525483B CN202310808685.1A CN202310808685A CN116525483B CN 116525483 B CN116525483 B CN 116525483B CN 202310808685 A CN202310808685 A CN 202310808685A CN 116525483 B CN116525483 B CN 116525483B
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
characteristic curve
volt
scanning
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202310808685.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116525483A (zh
Inventor
黄信涛
魏文文
周肃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Huasheng New Energy Technology Co ltd
Hefei Huasheng Photovoltaic Technology Co ltd
Original Assignee
Anhui Huasheng New Energy Technology Co ltd
Hefei Huasheng Photovoltaic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Huasheng New Energy Technology Co ltd, Hefei Huasheng Photovoltaic Technology Co ltd filed Critical Anhui Huasheng New Energy Technology Co ltd
Priority to CN202310808685.1A priority Critical patent/CN116525483B/zh
Publication of CN116525483A publication Critical patent/CN116525483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116525483B publication Critical patent/CN116525483B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种异质结电池的测试方法,包括:步骤S1:对待测试异质结电池进行第一正向扫描获得第一初始伏安特性曲线,对待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线;步骤S2:第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线之间的面积构成特征区域,对特征区域以垂直于电压轴的方向进行平均分区;步骤S3:根据区扫描时间对待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;获取区扫描时间的步骤包括:根据特征区域的每一分区所得到的区面积与特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为区扫描时间。异质结电池的测试方法能在消除迟滞效应的同时提高测试效率。

Description

一种异质结电池的测试方法
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种异质结电池的测试方法。
背景技术
太阳能电池制造过程中,对太阳能电池的电性能的准确测试至关重要,有助于分析生产出来的太阳能电池的功率高低档位的差异,便于找到差异的原因并进行工艺上的改进。目前太阳能电池的测试方法都是模拟太阳光和外加负载测试。模拟器模拟1000辐照度的太阳光打光,太阳能电池在接收光照的同时与负载并联,此时负载的电流和电压就是待测太阳能电池的电流和电压,通过测试负载的电流和电压就可以间接测出太阳能电池的电流和电压。进而可以通过伏安特性曲线(I-V曲线)计算出太阳能电池性能的各项参数。
异质结电池(HeteroJunction with intrinsic Thin-layer)是目前最具发展潜力的一种太阳能电池类型,具有转换效率高、低衰减、低温度系数、高双面率等优势。异质结电池几近于对称结构,其内电容较大会带来较大的迟滞效应,对于异质结电池测试得到的伏安特性曲线不能很好的消除迟滞效应,从而引入测试误差。
业界有人提出一种用于异质结电池消除电容的迟滞效应的测试方法,具体的,用稳态光源进行测试,增加测试时长,等电容完全充满电电流稳定之后再进行测试。但这仍存在两个问题:一是光照时间过长会导致温度的升高,而异质结电池对温度很敏感,温度的变化会进一步增加测量误差;二是测试时间过长,过长的测试时间明显难以达到生产过程中的效率要求。
因此,如何解决异质结电池的伏安特性曲线测试时消除迟滞效应的同时提高测试效率,是亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,克服现有技术中的上述技术问题,提供一种异质结电池的测试方法。
该异质结电池的测试方法包括:步骤S1:对待测试异质结电池进行第一正向扫描获得第一初始伏安特性曲线,对所述待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线,所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线因电池内电容的迟滞效应不重合;步骤S2:所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线之间的面积构成特征区域,对所述特征区域以垂直于电压轴的方向进行平均分区;步骤S3:根据区扫描时间对所述待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;获取区扫描时间的步骤包括:根据特征区域的每一分区所得到的区面积与所述特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以所述区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为区扫描时间。
可选的,步骤S1包括:步骤S11:提供所述待测试异质结电池和可调负载,将所述可调负载和所述待测试异质结电池并联连接;步骤S12:对所述待测试异质结电池进行第一正向扫描,随着所述可调负载的阻值逐渐增大得到第一初始伏安特性曲线;对所述待测试异质结电池反向扫描,随着所述可调负载的阻值逐渐减小得到第二初始伏安特性曲线,所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线之间为所述特征区域。
可选的,步骤S2包括:将所述特征区域分为第一区至第M区,M为大于或等于2的整数;第m区和第m+1区之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴;m为大于或等于1且小于或等于M-1的整数,第m区对应的平均电压小于第m+1区对应的平均电压,第一区在电压轴上的间隔至第M区在电压轴上的间隔相等。
可选的,步骤S3包括:步骤S31:获取所述第一区的面积至所述第M区的各自的面积;步骤S32:对所述待测试异质结电池进行第二正向扫描,调节所述可调负载的阻值从零至可调负载的上限值,得到目标伏安特性曲线,第二正向扫描的过程分为第一主测试阶段至第M主测试阶段,第一主测试阶段至第M主测试阶段中任意一个阶段中所述可调负载的阻值变化相等,第j主测试阶段的时间占据第二正向扫描时间的比例等于第j区的面积占据所述特征区域的面积的比例,j为大于或等于1且小于或等于M的整数;第一正向扫描时间与反向扫描时间之和小于所述第二正向扫描时间.
可选的,M为700-800。
可选的,第一正向扫描时间与反向扫描时间之和为所述第二正向扫描时间的1/5-1/4。
可选的,所述第二正向扫描时间为50ms-60ms。
可选的,任意的第j主测试阶段内可调负载的阻值变化是均速的。
可选的,所述第一正向扫描中,所述可调负载的阻值变化是均速的。
可选的,所述反向扫描中,所述可调负载的阻值变化是均速的。
本发明技术方案具有以下技术效果:
本发明技术方案提供的异质结电池的测试方法,第一正向扫描时间与反向扫描时间之和小于所述第二正向扫描时间,这样使得第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的获取经历的时间较短。第二正向扫描占据了测试的大部分时间。第二正向扫描的过程中,根据区扫描时间对所述待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;获取区扫描时间的步骤包括:根据特征区域的每一分区所得到的区面积与所述特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以所述区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为区扫描时间,这样就很好的在有限时间的第二正向扫描的过程中消除待测试异质结电池因为电容引起的迟滞效应,使得得到的目标伏安特性曲线更加准确。即使第二正向扫描时间相对较短的情况下,也不会降低目标伏安特性曲线的准确度。这样对待测试异质结电池的伏安特性曲线测试时消除迟滞效应的同时提高测试效率。
进一步,调节所述可调负载的阻值从零至可调负载的上限值,第二正向扫描分为第一主测试阶段至第M主测试阶段,第一主测试阶段至第M主测试阶段中任意一个阶段中所述可调负载的阻值变化相等,第j主测试阶段的时间占据第二正向扫描时间的比例等于第j区的面积占据所述特征区域的面积的比例,这样第j主测试阶段的时间和第j区的面积对应,这样就很好的在有限时间的第二正向扫描的过程中消除待测试异质结电池因为电容引起的迟滞效应,使得得到的目标伏安特性曲线更加准确。即使第二正向扫描时间相对较短的情况下,也不会降低目标伏安特性曲线的准确度。这样在对待测试异质结电池的伏安特性曲线测试时消除迟滞效应的同时提高测试效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中异质结电池的伏安测试的等效电路图;
图2为现有技术中异质结电池的伏安特性曲线;
图3为本发明一实施例提供的异质结电池的测试方法的流程图;
图4为本发明一实施例提供的待测试异质结电池的第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线、以及对特征区域分区的示意图;
图5为本发明一实施例提供的待测试异质结电池的第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线、以及目标伏安特性曲线。
具体实施方式
异质结电池最基础的结构为:以硅衬底为中间层,在硅衬底的两侧分别形成P型层+透明导电膜/N型层+透明导电膜的结构。硅衬底目前行业内均采用N型。异质结电池的核心结构是P型层-N型层里面的一部分结构构成的P-N结,P-N结是由N型硅衬底与P型非晶硅薄膜结合而形成的。首先N型硅衬底是掺杂磷形成的,因为磷比硅多一个电子,所以N型硅衬底里面电子为多数载流子,空穴为少数载流子,此时不显电性,单独的N型硅衬底整体呈电中性。而P型非晶硅薄膜中掺杂硼,里面空穴是多数载流子,电子为少数载流子,同样的单独的P型非晶硅薄膜整体也是呈电中性。但是当N型硅衬底和P型非晶硅薄膜接触结合在一起的时候,由于两边多数和少数载流子的差异,此时N型硅衬底里面的电子会流向P型非晶硅薄膜,P型非晶硅薄膜里面的空穴会流向N型硅衬底,N型硅衬底由于失去电子而带正电,P型非晶硅薄膜由于失去空穴而带负电,两边带电性的不同会形成电势差,进而在两者的中间接触面区域形成内建电场,也就是空间电荷区。空间电荷区里边几乎不存在载流子,整个空间电荷区加上异质结电池的其他膜层结构相当于一个电容。这样,在整个异质结电池中,栅线电极、正面透明导电膜、背面透明导电膜、N型掺杂非晶硅薄膜、P型掺杂非晶硅薄膜、正面本征非晶硅薄膜、背面本征非晶硅薄膜、N型硅衬底会形成一个电容。电容靠近N型硅衬底一侧显正电,靠近P型非晶硅薄膜一侧显负电。但是电容整体对外呈现电中性。
异质结电池伏安测试的电路图参考图1,包括:恒流源Iph、串联电阻Rs、并联电阻Rsh和可调外加负载Rload。异质结电池中具有第一二极管电流Id1和第二二极管电流Id2
在对多次测试结果研究分析中发现,这个电容的形成会导致迟滞效应的产生,进而造成异质结电池的伏安特性曲线的测试准确度下降。在坐标上表示出来就是两条高低不同的伏安特性曲线(参考图2)。
图2中的曲线A为正向扫描时的伏安特性曲线,图2中的曲线B为反向扫描时的伏安特性曲线。曲线A和曲线B之间的差值就是由于电容引起的迟滞效应产生的。真实的伏安特性曲线应该位于曲线A和曲线B之间。一般的太阳能电池测试都会将这两条线拟合,或取二者平均值或者进行拟合,最终得到的伏安特性曲线都是位于两条线的中间位置。在进行测试的时候不管是正向扫描还是反向扫描,负载的变化都是有步长的。负载从零扫描到无穷会取相应的点数进行扫描,假如选择740个点进行扫描,扫描的步长为1,是说将伏安特性曲线的横坐标平均分成740份,在步长为1的情况下每一份都进行一次测试,最终采集到740份电流和电压的数据。体现在负载上就是将负载的阻值平均分成740份,在扫描的时候,负载每变化1/740就进行一次电流和电压的采集。正向扫描和反向扫描均如此测试,最后将采集到的1480个数据画成两条伏安特性曲线进行拟合,就得到了真实的伏安特性曲线。
由于异质结电池的膜层结构复杂,异质结电池的电容值比一般太阳能电池的电容值要高,上述测法方法并不能很好的消除电容的迟滞效应。因此,如何在测试异质结电池的伏安特性曲线时消除迟滞效应的同时提高测试效率有待转换新角度。
本发明的技术构思在于:
由于异质结电池中存在等效电容,电容的存在会导致测试时产生迟滞效应,在测试过程中正向扫描时,被激发的非平衡载流子有一部分会对电容进行充电,导致测试过程中收集到的电流小于真实产生的电流。类推反向扫描也会出现同样的问题。因为反扫时电容已经充满电,进行光照产生非平衡载流子然后收集电流,此时收集的电流除了光照激发的非平衡载流子的定向移动产生的电流之外,还包含电容释放的一部分电流。也就是说收集的电流实际上比真实产生的电流高。所以迟滞效应的存在会导致测试值偏离真实值。要消除因为迟滞效应产生的偏差,必须要增加测量时长。但是测量时间的增加会导致产线测试的节拍大大减低,拉低测试节奏。为了兼容两者,在增加测量时间的条件下尽可能的兼顾测试速度。为此有意选择电容造成的迟滞效应影响较大的部分,对这部分进行分割,让分割面积的大小对应测试时间的长短,增加这部分的测量时长,以达到精准消除迟滞效应目的的同时又不会对测试节拍产生很大的影响。
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外,下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本实施例提出一种异质结电池的测试方法,参考图3和图4,包括:
步骤S1:对待测试异质结电池进行第一正向扫描获得第一初始伏安特性曲线,对待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线,第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线因电池内电容的迟滞效应不重合;
步骤S2:第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线之间的面积构成特征区域,对特征区域以垂直于电压轴的方向进行平均分区;
步骤S3:根据区扫描时间对待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;获取区扫描时间的步骤包括:根据特征区域的每一分区所得到的区面积与特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为区扫描时间。
本实施例中,步骤S1包括:步骤S11:提供待测试异质结电池和可调负载,将可调负载和待测试异质结电池并联连接;步骤S12:对待测试异质结电池进行第一正向扫描,随着可调负载的阻值逐渐增大得到第一初始伏安特性曲线A1(参考图4);对待测试异质结电池反向扫描,随着可调负载的阻值逐渐减小得到第二初始伏安特性曲线B1(参考图4),第一初始伏安特性曲线A1和第二初始伏安特性曲线B1之间为特征区域。
在第一正向扫描的过程中会经历这样的变化,待测试异质结电池吸收太阳光的能量产生光生载流子的定向移动形成恒流源,改变可调负载的阻值从零到无穷,因为待测试异质结电池本身有串阻和并阻,串阻与可调负载串联,并阻与可调负载并联,并阻比较大,串阻比较小;在刚开始可调负载从零慢慢增大的过程中,因为可调负载的阻值较小所以电流几乎从可调负载流过而不走并阻,随着负载阻值的增大,当增大到一定的程度甚至接近并阻或者超过并阻,此时就不得不考虑待测试异质结电池的并阻的影响了,因为并阻要分走一部分电流,这时经过可调负载的电流就变少了,电流在下降,而随着可调负载的阻值的增大,可调负载两端的电压是逐渐增大的,这一增一减把数据画在坐标轴上,横坐标代表电压,纵坐标代表电流,会形成一条由左向右并逐渐向横轴弯曲的曲线,这一条曲线叫做待测试异质结电池的第一初始伏安特性曲线A1。
如前所述,异质结电池中的栅线电极、正面透明导电膜、背面透明导电膜、N型掺杂非晶硅薄膜、P型掺杂非晶硅薄膜、正面本征非晶硅薄膜、背面本征非晶硅薄膜、N型硅衬底会形成一个等效电容。在待测试异质结电池和可调负载连接构成的电路中电荷的定向移动会形成电流,由于同性电荷的排斥作用,使得第一正向扫描在开始时电流最大,之后会逐渐减小;而电容带电量在电荷移动开始时最小为零,在电荷移动的过程中,电容的带电量逐渐增加,电容的上下两极电压逐渐增大,当电流逐渐减小到零时电容充电结束。当光照结束,电容和电源的连接被切断。电容会进行放电,两极板间的电压会逐渐下降到零。就是这一电容充放电的过程会导致在进行第一正向扫描的过程中引入误差。当模拟光照射待测试异质结电池时会在待测试异质结电池内部激发出非平衡载流子,也就是电子载流子和空穴载流子。电子载流子会在P-N结区内建电场的作用下向N区移动形成电流,空穴载流子会在内建电场的作用下会向P区移动,规定正电荷移动的方向为电流的方向,所以电路中产生的电流为被激发的两种载流子运动所形成的电流之和。但是由于待测试异质结电池中存在电容,被激发的非平衡载流子有一部分会对电容进行充电,导致第一正向扫描中收集到的电流是小于真实产生的电流的。
对待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线,让可调负载不是从零增大到无穷,而是相反的从无穷减小到零的反向扫描。但是反向扫描也会出现同样的问题。因为经过第一正向扫描,所以到反向扫描时电容已经充满电了,进行光照产生非平衡载流子然后收集电流,此时收集的电流除了光照激发的非平衡载流子的定向移动产生的电流之外,还包含电容释放的一部分电流。即第二初始伏安特性曲线收集的电流实际上是比真实产生的电流高的。综上,在第一正向扫描的时候由于有一部分电流会给电容充电,所以收集到的电流低于真实值,在反向扫描的时候电容会向外放电所以收集到的电流会高于真实值。
在一个实施例中,第一正向扫描的测试条件包括:辐照度为900W/m2~1100W/m2,例如1000W/m2
反向扫描的测试条件包括:辐照度为900W/m2~1100W/m2,例如1000W/m2
本实施例中,步骤S2包括:将特征区域分为第一区至第M区,M为大于或等于2的整数;第m区和第m+1区之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴;m为大于或等于1且小于或等于M-1的整数,第m区对应的平均电压小于第m+1区对应的平均电压,第一区在电压轴上的间隔至第M区在电压轴上的间隔相等。
参考图5,M等于6,将特征区域分为第一区F1、第二区F2、第三区F3、第四区F4、第五区F5、第六区F6,第一区F1和第二区F2之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴,第二区F2和第三区F3之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴,第三区F3和第四区F4之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴,第四区F4和第五区F5之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴,第五区F5和第六区F6之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴。第一区F1、第二区F2、第三区F3、第四区F4、第五区F5和第六区F6在电压轴上的间隔相等。
在一个实施例中,M为700-800,这样第二正向扫描中分为相对较多的主测试阶段,每个主测试阶段的时间均做了一定的区分,更好的消除了待测试异质结电池因为电容引起的迟滞效应。在一个实施例中,第二正向扫描的测试条件包括:辐照度为900W/m2~1100W/m2,例如1000W/m2
本实施例中,步骤S3包括:步骤S31:获取第一区的面积至第M区的各自的面积;步骤S32:对待测试异质结电池进行第二正向扫描,调节可调负载的阻值从零至可调负载的上限值,得到目标伏安特性曲线C,第二正向扫描的过程分为第一主测试阶段至第M主测试阶段,第一主测试阶段至第M主测试阶段中任意一个阶段中可调负载的阻值变化相等,第j主测试阶段的时间占据第二正向扫描时间的比例等于第j区的面积占据特征区域的面积的比例,j为大于或等于1且小于或等于M的整数;第一正向扫描和反向扫描的总时间小于第二正向扫描时间。
本实施例中,第一正向扫描和反向扫描的总时间小于第二正向扫描时间,这样使得第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的获取经历的时间较短。第二正向扫描占据了测试的大部分时间。第二正向扫描的过程中,调节可调负载的阻值从零至可调负载的上限值,第二正向扫描分为第一主测试阶段至第M主测试阶段,第一主测试阶段至第M主测试阶段中任意一个阶段中可调负载的阻值变化相等,第j主测试阶段的时间占据第二正向扫描时间的比例等于第j区的面积占据特征区域的面积的比例,这样第j主测试阶段的时间和第j区的面积对应,这样就很好的在有限时间的第二正向扫描的过程中消除待测试异质结电池因为电容引起的迟滞效应,使得得到的目标伏安特性曲线更加准确。即使第二正向扫描时间相对较短的情况下,也不会降低目标伏安特性曲线的准确度。这样对待测试异质结电池的伏安特性曲线测试时消除迟滞效应,提高测试数据准确性;同时提高测试效率。
在一个实施例中,第一正向扫描和反向扫描的总时间为第二正向扫描时间的1/5-1/4。这样设置的好处在于:若第一正向扫描和反向扫描的总时间大于第二正向扫描时间的1/4,这样导致第一正向扫描和反向扫描的总时间占据的时间过长,提高测试效率的程度会降低;若第一正向扫描和反向扫描的总时间小于第二正向扫描时间的1/5,则第一正向扫描和反向扫描的总时间过小,得到的特征区域的精度较低,这样第j主测试阶段的时间根据第j区的面积占据特征区域的面积的比例获取,导致第j主测试阶段的时间的精度降低。
在一个实施例中,第一正向扫描和反向扫描的总时间为10ms至12ms。
在一个实施例中,第二正向扫描时间为50ms-60ms。
在一个实施例中,任意的第j主测试阶段内可调负载的阻值变化是均速的。这样减小因可调负载的阻值变化的无序差异引起的第j主测试阶段的时间分配无序性,使得目标伏安特性曲线的准确度进一步提高。在其他实施例中,任意的第j主测试阶段内可调负载的阻值变化可以是变速的。
在一个实施例中,第一正向扫描中,可调负载的阻值变化是均速的。
在一个实施例中,反向扫描中,可调负载的阻值变化是均速的。
采用本实施例上述异质结电池改进方法后经过多次测量并对结果进行分析,测试结果表明,该测试方法比现有的瞬态IV测试方法测得准,比稳态IV测试方法测得快。该测试方法通过在迟滞效应大的地方按比例增加测量时长,在有限的时间内实现精准测量,从而达到测量精度和测量效率兼得的效果。可见,该异质结电池的测试方法,能有效消除迟滞效应,提高测试数据准确性;同时提高测试效率。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种异质结电池的测试方法,其特征在于,包括:
步骤S1:对待测试异质结电池进行第一正向扫描获得第一初始伏安特性曲线,对所述待测试异质结电池进行反向扫描获得第二初始伏安特性曲线,所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线因电池内电容的迟滞效应不重合;
步骤S2:所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线之间的面积构成特征区域,对所述特征区域以垂直于电压轴的方向进行平均分区;
步骤S3:根据区扫描时间对所述待测试异质结电池逐区进行第二正向扫描,以获得目标伏安特性曲线;其中:获取所述区扫描时间的步骤包括:根据所述特征区域的每一分区所得到的区面积与所述特征区域的面积的比例作为区扫描时间占比,以所述区扫描时间占比与第二正向扫描的总扫描时间之积作为所述区扫描时间;
所述第一正向扫描和所述反向扫描的总时间小于所述第二正向扫描时间。
2.根据权利要求1所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,步骤S1包括:
步骤S11:提供所述待测试异质结电池和可调负载,将所述可调负载和所述待测试异质结电池并联连接;
步骤S12:对所述待测试异质结电池进行第一正向扫描,随着所述可调负载的阻值逐渐增大得到所述第一初始伏安特性曲线;对所述待测试异质结电池反向扫描,随着所述可调负载的阻值逐渐减小得到所述第二初始伏安特性曲线,所述第一初始伏安特性曲线和所述第二初始伏安特性曲线之间为所述特征区域。
3.根据权利要求2所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,步骤S2包括:将所述特征区域分为第一区至第M区,M为大于或等于2的整数;第m区和第m+1区之间的边界垂直于第一初始伏安特性曲线和第二初始伏安特性曲线的电压轴;m为大于或等于1且小于或等于M-1的整数,第m区对应的平均电压小于第m+1区对应的平均电压,第一区在电压轴上的间隔至第M区在电压轴上的间隔相等。
4.根据权利要求3所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,M为700-800。
5.根据权利要求3所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,步骤S3包括:
步骤S31:获取所述第一区的面积至所述第M区的各自的面积;
步骤S32:对所述待测试异质结电池进行第二正向扫描,调节所述可调负载的阻值从零至所述可调负载的上限值,得到目标伏安特性曲线,第二正向扫描的过程分为第一主测试阶段至第M主测试阶段,第一主测试阶段至第M主测试阶段中任意一个阶段中所述可调负载的阻值变化相等,第j主测试阶段的时间占据第二正向扫描时间的比例等于第j区的面积占据所述特征区域的面积的比例,j为大于或等于1且小于或等于M的整数。
6.根据权利要求5所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,任意的第j主测试阶段内所述可调负载的阻值变化是均速的。
7.根据权利要求5所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,第一正向扫描时间与反向扫描时间之和为所述第二正向扫描时间的1/5-1/4。
8.根据权利要求1-6任一项所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,所述第二正向扫描时间为50ms-60ms。
9.根据权利要求2-6任一项所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,第一正向扫描过程中,所述可调负载的阻值变化是均速的。
10.根据权利要求2-6任一项所述的异质结电池的测试方法,其特征在于,反向扫描过程中,所述可调负载的阻值变化是均速的。
CN202310808685.1A 2023-07-04 2023-07-04 一种异质结电池的测试方法 Active CN116525483B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310808685.1A CN116525483B (zh) 2023-07-04 2023-07-04 一种异质结电池的测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310808685.1A CN116525483B (zh) 2023-07-04 2023-07-04 一种异质结电池的测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116525483A CN116525483A (zh) 2023-08-01
CN116525483B true CN116525483B (zh) 2023-09-15

Family

ID=87401590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310808685.1A Active CN116525483B (zh) 2023-07-04 2023-07-04 一种异质结电池的测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116525483B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231804A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Komatsu Seiren Co Ltd ポリウレタン樹脂組成物、ポリウレタン樹脂皮膜およびその製造方法、積層体およびその製造方法
CN102694053A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN202888194U (zh) * 2012-11-14 2013-04-17 江苏物联网研究发展中心 用于物联网中的印制柔性薄膜太阳能电池
CN203071107U (zh) * 2012-12-26 2013-07-17 天津凌威光伏科技有限公司 一种皮革柔性太阳能组件
KR20140031353A (ko) * 2014-02-06 2014-03-12 연세대학교 산학협력단 벌크 이종접합형 태양전지 및 그 제조방법
JP2015092554A (ja) * 2013-10-04 2015-05-14 旭化成株式会社 太陽電池及びその光電変換効率向上方法
CN212934632U (zh) * 2020-07-30 2021-04-09 天合光能股份有限公司 太阳能电池组件
CN114447126A (zh) * 2022-01-27 2022-05-06 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100542741B1 (ko) * 2003-06-26 2006-01-11 삼성전자주식회사 전자빔 검사 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법
US8278937B2 (en) * 2009-02-07 2012-10-02 Tau Science Corporation High speed detection of shunt defects in photovoltaic and optoelectronic devices
DE102010017461B4 (de) * 2010-06-18 2013-11-14 Hanwha Q.CELLS GmbH Solarzelle, Solarzellenherstellungsverfahren und Prüfverfahren
CN111162734B (zh) * 2018-11-07 2023-01-06 华为技术有限公司 一种光伏组串的电流电压曲线扫描方法、变流器及系统
US20210193861A1 (en) * 2019-12-18 2021-06-24 The Hong Kong Polytechnic University Laser-annealed perovskite film and method for preparing the same
FR3130453A1 (fr) * 2021-12-14 2023-06-16 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Procédé et dispositif de diagnostic de fonctionnement d’une chaîne de modules photovoltaïques comprenant au moins un module photovoltaïque

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004231804A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Komatsu Seiren Co Ltd ポリウレタン樹脂組成物、ポリウレタン樹脂皮膜およびその製造方法、積層体およびその製造方法
CN102694053A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN202888194U (zh) * 2012-11-14 2013-04-17 江苏物联网研究发展中心 用于物联网中的印制柔性薄膜太阳能电池
CN203071107U (zh) * 2012-12-26 2013-07-17 天津凌威光伏科技有限公司 一种皮革柔性太阳能组件
JP2015092554A (ja) * 2013-10-04 2015-05-14 旭化成株式会社 太陽電池及びその光電変換効率向上方法
KR20140031353A (ko) * 2014-02-06 2014-03-12 연세대학교 산학협력단 벌크 이종접합형 태양전지 및 그 제조방법
CN212934632U (zh) * 2020-07-30 2021-04-09 天合光能股份有限公司 太阳能电池组件
CN114447126A (zh) * 2022-01-27 2022-05-06 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116525483A (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Altermatt et al. Spatially resolved analysis and minimization of resistive losses in high‐efficiency Si solar cells
Hegedus et al. Voltage dependent photocurrent collection in CdTe/CdS solar cells
Deng et al. 22.61% efficient fully screen printed PERC solar cell
Van der Heide et al. Explanation of high solar cell diode factors by nonuniform contact resistance
Bätzner et al. Properties of high efficiency silicon heterojunction cells
CN103092249B (zh) 一种太阳能电池最大功率点跟踪方法
Sissoko et al. A method to determine the solar cell resistances from single IV characteristic curve considering the junction recombination velocity (Sf)
CN116525483B (zh) 一种异质结电池的测试方法
Chen et al. 21.40% efficient large area screen printed industrial PERC solar cell
Onno et al. Electron and hole partial specific resistances: a framework to understand contacts to solar cells
Van Kerschaver et al. Double sided minority carrier collection in silicon solar cells
US8486751B2 (en) Method of manufacturing a photovoltaic cell
Roth et al. In-depth analysis of transient errors of inline IV measurements
Onno et al. Calculation of the thermodynamic voltage limit of CdSeTe solar cells
McIntosh et al. Calibration of the WCT‐100 photoconductance instrument at low conductance
CN103323764B (zh) 一种硅pin半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法
Vahlman et al. Capacitive effects in high-efficiency solar cells during IV curve measurement: considerations on error of correction and extraction of minority carrier lifetime
CN106911304A (zh) 一种双面太阳能电池双光源测试设备
Rauer et al. The challenge of measuring busbarless solar cells and the impact on cell-to-module losses
Saint-Cast et al. Extracting metal and edge recombination parameters which are compatible with multi-dimensional cell simulations
CN118073220A (zh) 异质结电池iv曲线的测试方法和测试装置
Li et al. Characterization of the metallization induced recombination losses in industrial silicon solar cells
Aoyama et al. Effects of constituents in paste on low light performance of silicon solar cells: A case study of aluminum
Suria Inexpensive current-voltage system with electronically-controlled resistance under xenon arc light for solar cell efficiency measurements
Ananthanarayanan et al. Evaluation of diffused phosphorus emitters using Griddler-PC1D

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant