CN116520378A - 非差rtk误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种非差RTK误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质，包括在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。本申请通过对网络RTK播发的误差进行分类，并对不同空间特征和色散特性的误差采用针对性的误差处理方法，以得到每种误差对应的高精度的误差改正数，实现监测站的高精度定位。
Description
技术领域
本申请涉及RTK定位技术领域，特别涉及一种非差RTK误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
基准站网覆盖范围内的非差误差改正模型是基于非差观测值建立，其直接利用基准站间的非差载波相位整周模糊度、载波相位观测值及已知的基准站坐标建立区域范围内的误差改正模型；而监测站则使用基准站网提供的非差误差改正信息，可以任意进行星间单差组合。
网络 RTK（即实时载波相位差分技术）中GNSS（Global Navigation SatelliteSystem，全球导航卫星系统）数据处理的关键问题包括基准站间双差模糊度的确定、监测站误差计算与消除以及监测站模糊度的确定。其中，监测站误差的准确程度非常关键，其既影响监测站模糊度确定的可靠性和成功率，又影响监测站定位的精度。而在影响GNSS的各种定位误差中，电离层误差是最主要的误差，对定位精度和可靠性起决定性作用。
相关技术中，往往通过将二阶以上电离层误差与对流层模型残差、轨道误差等的综合影响归为一类来得到非差网络 RTK的综合误差改正数，但是该综合误差改正数的精确度较差，以致无法基于该综合误差改正数实现监测站的高精度定位。
发明内容
本申请提供一种非差RTK误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质，以解决相关技术中无法获得高精度的非差网络 RTK的误差改正数的问题。
第一方面，提供了一种非差RTK误差改正数确定方法，包括以下步骤：
在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。
一些实施例中，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数。
一些实施例中，所述在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数，包括：
将预设高度作为电离层误差改正基准面；
在所述电离层误差改正基准面进行监测站非差电离层延迟误差内插计算，得到电离层改正数；
所述非差电离层延迟误差内插计算包括：
在线性无偏、最优估计条件下，得到电离层总电子含量插值的克里金方程组，所述克里金方程组为：
式中，表示拉格朗日乘数因子，/>表示基准站与监测站间的距离，/>表示插值点与观测值间的距离，/>表示加权系数；
对克里金方程组进行求解，得到加权系数；
基于所述加权系数计算得到电离层总电子含量估计值；
通过所述电离层总电子含量估计值计算得到电离层改正数。
一些实施例中，所述预设高度为350km。
一些实施例中，所述对流层改正数包括对流层干延迟改正数和对流层湿延迟改正数，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
通过对流层经验模型对对流层相关误差中的干延迟部分进行改正，得到对流层干延迟改正数；
根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数。
一些实施例中，所述对流层湿延迟改正数包括对流层平面湿延迟改正数和对流层高程湿延迟改正数，所述根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数，包括：
根据各基准站的高程获取内插区域中对流层湿延迟改正高层基准面；
解算出各个基准站的对流层湿延迟；
根据对流层湿延迟高差改正模型计算出各个对流层湿延迟在对流层湿延迟改正高层基准面上对应的基准站对流层湿延迟改正数；
在对流层湿延迟改正高程基准面进行对流层湿延迟的空间结构性分析和空间变异性分析得到加权系数；
根据监测站概略平面坐标并采用克里金算法通过基准站对流层湿延迟改正数和加权系数内插出监测站在对流层湿延迟改正高层基准面上的对流层平面湿延迟改正数；
根据监测站概略高程坐标计算出监测站到对流层湿延迟改正高程基准面的高差；
根据对流层湿延迟高差改正模型和高差计算出监测站概略坐标高程处的对流层高程湿延迟改正数。
一些实施例中，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
通过反距离权重法进行内插得到其他误差改正数。
第二方面，提供了一种非差RTK误差改正数确定装置，包括：
分类单元，其用于在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
选择单元，其用于基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
内插单元，其用于在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。
第三方面，提供了一种非差RTK误差改正数确定设备，包括：存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行，以实现前述的非差RTK误差改正数确定方法。
第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被处理器执行时，以实现前述的非差RTK误差改正数确定方法。
本申请提供了一种非差RTK误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质，包括在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。本申请通过误差的频率特性、色散特性以及空间特性等将网络RTK播发的误差分为电离层相关误差、对流层相关误差和其他误差，并对不同空间特征和色散特性的误差采用针对性的误差处理方法，以得到每种误差对应的高精度的误差改正数，实现监测站的高精度定位，进而提高监测站网覆盖范围内用户的误差改正效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种非差RTK误差改正数确定方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的CORS基站与监测站分布的内插区域结构示意图；
图3为本申请实施例提供的电离层误差改正基准面和对流层湿延迟改正高程基准面的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种非差RTK误差改正数确定装置的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种非差RTK误差改正数确定设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种非差RTK误差改正数确定方法、装置、设备及存储介质，其能解决相关技术中无法获得高精度的非差网络 RTK的误差改正数的问题。
图1是本申请实施例提供的一种非差RTK误差改正数确定方法，包括以下步骤：
步骤S10：在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
示范性的，可以理解的是，由于对流层中有水汽，而水汽分布与平面位置和高程密切相关，但与频率无关且不具有色散特性；电离层离地面较远且电离层相关误差与频率相关，并具有色散特性，因此要考虑的是平面空间分布特征和色散特性；而其他误差不属于空间相关误差，并且与频率无关，因此无需考虑空间分布特征和色散特性；综上，本实施例在进行非差改正时，将网络RTK播发的误差分为电离层相关误差、对流层相关误差以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差等三类，使得对不同空间特征和色散特性类型的误差采用针对性的误差处理方法成为可能，其相对于现有技术考虑因素更全面，改正效果更好，进而使得最终结果精度更高。
应当理解的是，其他误差包括但不限于轨道误差、卫星钟差、卫星硬件延迟、接收机钟差、接收机硬件延迟、大气层影响残余误差、多路径效应和观测噪声等。
具体的，在GNSS卫星定位中，非差电离层延迟误差与卫星信号频率有关，即色散误差，则由于L1、L2载波频率不同，所以P1和P2伪距观测值的电离层延迟误差不同；而对流层延迟误差、卫星轨道误差、接收机钟差、接收机硬件误差、卫星钟差和卫星硬件误差等误差都是与频率无关的，即非色散性误差，因此上述误差在两个频率的伪距观测值中是相同的，即L1和L2载波相位观测值的非色散性误差是相同的。需要说明的是，虽然硬件延迟的特性与频率有关，但其相关性较小，对于网络RTK定位来说可以忽略该种相关性，因此可将硬件延迟归入非色散性误差。
本实施例利用其他误差与频率无关的特点，可以得到其他误差与水汽分布和空间分布无关，因此可避免其与对流层相关误差和电离层相关误差归为一类时采用与空间相关的误差处理方法所带来的精度降低。
步骤S20：基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
示范性的，在本实施例中，利用全网CORS（Continuously Operating ReferenceStations，连续运行参考站）基站构建Delaunay三角网（即德洛内三角网），选取其中一个Delaunay三角网作为唯一网型，并在该唯一网型中选取监测站位于其中的三角形作为内插区域，所选取的内插区域需要满足以下条件：内插区域是所有Delaunay三角网中最接近等边三角形的。比如，参见图2所示，选取三角形作为内插区域，A、B和C均是基准站（即CORS基站），其中，A点坐标为/>，B点坐标为/>，C点坐标为/>，u点为监测站，u点坐标为/>；以坐标为/>所选取的三角形需要满足以下条件：内插区域是所有Delaunay三角网中最接近等边三角形。
步骤S30：在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。其中，通过反距离权重法进行内插得到其他误差改正数。
示范性的，在本实施例中，对于不同空间特征和色散特性类型的误差将采用针对性的误差处理方法，而不是均采用与空间相关的误差处理方法，进而可以得到每种误差对应的高精度的误差改正数，即电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，从而可实现监测站的高精度定位，提高监测站网覆盖范围内用户的误差改正效果。
可以理解的是，由于其他误差不属于空间相关误差且没有色散特性，因此，可采用反距离权重法进行内插得到其他误差改正数，进而使得其他误差的内插更为精确。
进一步的，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数。其中，所述预设高度为350km。
示范性的，在本实施例中，利用电离层相关误差离地面较远，只需要考虑平面空间分布特征的特点，将300kM-500kM对应的高度作为电离层的中心电离层高度，并在中心电离层高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，然后采用Kriging算法（即克里金算法）计算监测站处的电离层改正数，并获取电离层相关误差，使得电离层相关误差的内插更加精确。优选的，可以理解的是，电离后的空气分子比较集中分布在350km，因此本实施例可将预设高度设置为350km，以便于计算。
具体的，所述在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数，包括：
将预设高度作为电离层误差改正基准面；
在所述电离层误差改正基准面进行监测站非差电离层延迟误差内插计算，得到电离层改正数；
所述非差电离层延迟误差内插计算包括：
在线性无偏、最优估计条件下，得到电离层总电子含量插值的克里金方程组，所述克里金方程组为：
式中，表示拉格朗日乘数因子，/>表示基准站与监测站间的距离，/>表示插值点与观测值间的距离，/>表示加权系数；
对克里金方程组进行求解，得到加权系数；
基于所述加权系数计算得到电离层总电子含量估计值；
通过所述电离层总电子含量估计值计算得到电离层改正数。
示范性的，在本实施例中，参考图3所示，图3中的A、B和C三个点分别为三个CORS基站，U为监测站，线2为电离层误差改正基准面，I处为监测站用户U观测到GNSS卫星的电离层穿刺点。
将300kM-500kM的中心电离层高度作为电离层误差改正基准面2，在电离层误差改正基准面2进行监测站非差电离层延迟误差内插计算，其中，优选将350km的中心电离层高度作为电离层误差改正基准面2；
其中，非差电离层延迟误差内插计算具体如下：
在线性无偏、最优估计条件下，得到电离层TEC（Total Electron Content，总电子含量）插值的Kriging方程组：
式中，表示拉格朗日乘数因子，/>表示基准站与监测站间的距离，/>表示插值点与观测值间的距离，/>表示加权系数；
对Kriging方程组进行求解，可获得加权系数，则区域内任一点的电离层TEC估计值/>，lon和lat分别表示经度和纬度，Z表示基准站的电离层延迟改正数；最后通过电离层TEC估计值即可计算得到电离层改正数/>。由此可见，通过以上插值方法，可根据平面空间分布特征对电离层改正数进行内插计算，进而得到高精度的电离层改正数。
进一步的，所述对流层改正数包括对流层干延迟改正数和对流层湿延迟改正数，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
通过对流层经验模型对对流层相关误差中的干延迟部分进行改正，得到对流层干延迟改正数；
根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数。
示范性的，在本实施例中，利用对流层中有水汽，水汽分布与平面位置和高程密切相关，且对流层相关误差不具有色散特性的特点，将对流层相关误差分为干延迟部分和湿延迟部分。其中，干延迟部分可通过GPT2w或ITG等对流层经验模型来进行改正，进而得到对流层干延迟改正数；而湿延迟部分则可根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正Kriging内插算法，计算出监测站处的对流层湿延迟改正数；通过对流层干延迟改正数和对流层湿延迟改正数得到对流层改正数，并获取对流层相关误差，使得对流层相关误差的内插更为精确。
具体的，所述对流层湿延迟改正数包括对流层平面湿延迟改正数和对流层高程湿延迟改正数，所述根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数，包括：
根据各基准站的高程获取内插区域中对流层湿延迟改正高层基准面；
解算出各个基准站的对流层湿延迟；
根据对流层湿延迟高差改正模型计算出各个对流层湿延迟在对流层湿延迟改正高层基准面上对应的基准站对流层湿延迟改正数；
在对流层湿延迟改正高程基准面进行对流层湿延迟的空间结构性分析和空间变异性分析得到加权系数；
根据监测站概略平面坐标并采用克里金算法通过基准站对流层湿延迟改正数和加权系数内插出监测站在对流层湿延迟改正高层基准面上的对流层平面湿延迟改正数；
根据监测站概略高程坐标计算出监测站到对流层湿延迟改正高程基准面的高差；
根据对流层湿延迟高差改正模型和高差计算出监测站概略坐标高程处的对流层高程湿延迟改正数。
示范性的，在本实施例中，参考图3所示，图3中的线1为对流层湿延迟改正高层基准面；其中，对流层相关误差中的湿延迟部分的内插方法如下：
将各基准站的高程取平均值得到内插区域的对流层湿延迟改正高层基准面1；然后解算出各个基准站的对流层湿延迟；根据对流层湿延迟高差改正模型计算出各个对流层湿延迟在对流层湿延迟改正高层基准面1上对应的基准站对流层湿延迟改正数；接着在对流层湿延迟改正高程基准面进行对流层湿延迟的空间结构性分析和空间变异性分析，可得到加权系数；监测站根据监测站概略平面坐标并采用Kriging算法通过基准站对流层湿延迟改正数和加权系数内插出监测站在对流层湿延迟改正高层基准面1上的对流层平面湿延迟改正数/>；再根据监测站概略高程坐标计算出监测站到对流层湿延迟改正高程基准面1的高差/>；最后根据对流层湿延迟高差改正模型和高差/>计算出监测站概略坐标高程处的对流层高程湿延迟改正数/>。通过对流层平面湿延迟改正数和对流层高程湿延迟改正数/>即可得到对流层湿延迟改正数。
由此可见，本实施例通过各基准站高程计算对流层湿延迟改正高层基准面1的高度，然后计算基准站到对流层湿延迟改正高层基准面1的对流层湿延迟改正数，结合监测站概略平面坐标采用Kriging算法内插得到监测站概略平面坐标在对流层湿延迟改正高层基准面1上的监测站概略平面坐标处的对流层平面湿延迟改正数；并利用监测站概略高程坐标与对流层湿延迟改正高层基准面1的高差，根据对流层湿延迟高程改正模型计算出监测站概略高程坐标处的对流层高程湿延迟改正数。本实施例由于是在对误差分布的空间结构特异性和变异性深入分析的基础上进行的内插，因此误差计算更加严密，算法更加精确，从而实现监测站的高精度定位。
参见图4所示，本申请实施例还提供了一种非差RTK误差改正数确定装置，包括：
分类单元，其用于在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
选择单元，其用于基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
内插单元，其用于在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。
进一步的，所述内插单元具体用于：
在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数。
进一步的，所述内插单元具体还用于：
将预设高度作为电离层误差改正基准面；
在所述电离层误差改正基准面进行监测站非差电离层延迟误差内插计算，得到电离层改正数；
所述非差电离层延迟误差内插计算包括：
在线性无偏、最优估计条件下，得到电离层总电子含量插值的克里金方程组，所述克里金方程组为：
式中，表示拉格朗日乘数因子，/>表示基准站与监测站间的距离，/>表示插值点与观测值间的距离，/>表示加权系数；
对克里金方程组进行求解，得到加权系数；
基于所述加权系数计算得到电离层总电子含量估计值；
通过所述电离层总电子含量估计值计算得到电离层改正数。
进一步的，所述预设高度为350km。
进一步的，所述对流层改正数包括对流层干延迟改正数和对流层湿延迟改正数，所述内插单元具体还用于：
通过对流层经验模型对对流层相关误差中的干延迟部分进行改正，得到对流层干延迟改正数；
根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数。
进一步的，所述对流层湿延迟改正数包括对流层平面湿延迟改正数和对流层高程湿延迟改正数，所述内插单元具体还用于：
根据各基准站的高程获取内插区域中对流层湿延迟改正高层基准面；
解算出各个基准站的对流层湿延迟；
根据对流层湿延迟高差改正模型计算出各个对流层湿延迟在对流层湿延迟改正高层基准面上对应的基准站对流层湿延迟改正数；
在对流层湿延迟改正高程基准面进行对流层湿延迟的空间结构性分析和空间变异性分析得到加权系数；
根据监测站概略平面坐标并采用克里金算法通过基准站对流层湿延迟改正数和加权系数内插出监测站在对流层湿延迟改正高层基准面上的对流层平面湿延迟改正数；
根据监测站概略高程坐标计算出监测站到对流层湿延迟改正高程基准面的高差；
根据对流层湿延迟高差改正模型和高差计算出监测站概略坐标高程处的对流层高程湿延迟改正数。
进一步的，所述内插单元具体还用于：
通过反距离权重法进行内插得到其他误差改正数。
需要说明的是，所属本领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和各单元的具体工作过程，可以参考前述非差RTK误差改正数确定方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
上述实施例提供的装置可以实现为一种计算机程序的形式，该计算机程序可以在如图5所示的非差RTK误差改正数确定设备上运行。
本申请实施例还提供了一种非差RTK误差改正数确定设备，包括：通过系统总线连接的存储器、处理器和网络接口，存储器中存储有至少一条指令，至少一条指令由处理器加载并执行，以实现前述的非差RTK误差改正数确定方法的全部步骤或部分步骤。
其中，网络接口用于进行网络通信，如发送分配的任务等。本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
处理器可以是CPU，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、专用集成电路( Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程逻辑门阵列( Field Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器，或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，处理器是计算机装置的控制中心，利用各种接口和线路连接整个计算机装置的各个部分。
存储器可用于存储计算机程序和/或模块，处理器通过运行或执行存储在存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现计算机装置的各种功能。存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如视频播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如视频数据、图像数据等)等。此外，存储器可以包括高速随存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘、智能存储卡(Smart Media Card，SMC)、安全数字( Secure digital，SD)卡、闪存卡( Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件或其他易失性固态存储器件。
本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，实现前述的非差RTK误差改正数确定方法的全部步骤或部分步骤。
本申请实施例实现前述的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法的步骤。其中，计算机程序包括计算机程序代码，计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。计算机可读介质可以包括：能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(Read-Only memory，ROM)、随机存取存储器（Random Accessmemory，RAM )、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、服务器或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备（系统）和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，包括以下步骤：
在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。
2.如权利要求1所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数。
3.如权利要求2所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，所述在电离层的预设高度处进行空间结构性分析和空间变异性分析，并通过克里金算法计算得到监测站处的电离层改正数，包括：
将预设高度作为电离层误差改正基准面；
在所述电离层误差改正基准面进行监测站非差电离层延迟误差内插计算，得到电离层改正数；
所述非差电离层延迟误差内插计算包括：
在线性无偏、最优估计条件下，得到电离层总电子含量插值的克里金方程组，所述克里金方程组为：
式中，表示拉格朗日乘数因子，/>表示基准站与监测站间的距离，/>表示插值点与观测值间的距离，/>表示加权系数；
对克里金方程组进行求解，得到加权系数；
基于所述加权系数计算得到电离层总电子含量估计值；
通过所述电离层总电子含量估计值计算得到电离层改正数。
4.如权利要求2或3所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于：所述预设高度为350km。
5.如权利要求1所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，所述对流层改正数包括对流层干延迟改正数和对流层湿延迟改正数，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
通过对流层经验模型对对流层相关误差中的干延迟部分进行改正，得到对流层干延迟改正数；
根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数。
6.如权利要求5所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，所述对流层湿延迟改正数包括对流层平面湿延迟改正数和对流层高程湿延迟改正数，所述根据各基准站解算得到的对流层湿延迟结果并采用基于高度改正的克里金内插算法计算出对流层湿延迟改正数，包括：
根据各基准站的高程获取内插区域中对流层湿延迟改正高层基准面；
解算出各个基准站的对流层湿延迟；
根据对流层湿延迟高差改正模型计算出各个对流层湿延迟在对流层湿延迟改正高层基准面上对应的基准站对流层湿延迟改正数；
在对流层湿延迟改正高程基准面进行对流层湿延迟的空间结构性分析和空间变异性分析得到加权系数；
根据监测站概略平面坐标并采用克里金算法通过基准站对流层湿延迟改正数和加权系数内插出监测站在对流层湿延迟改正高层基准面上的对流层平面湿延迟改正数；
根据监测站概略高程坐标计算出监测站到对流层湿延迟改正高程基准面的高差；
根据对流层湿延迟高差改正模型和高差计算出监测站概略坐标高程处的对流层高程湿延迟改正数。
7.如权利要求1所述的非差RTK误差改正数确定方法，其特征在于，所述在所述内插区域分别对电离层相关误差 、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数，包括：
通过反距离权重法进行内插得到其他误差改正数。
8.一种非差RTK误差改正数确定装置，其特征在于，包括：
分类单元，其用于在进行非差改正时，对网络RTK播发的误差进行分类，得到电离层相关误差、对流层相关误差，以及除电离层相关误差和对流层相关误差以外的其他误差；
选择单元，其用于基于连续运行参考站构建德洛内三角网，并从所述德洛内三角网中筛选出包含监测站的三角形作为内插区域；
内插单元，其用于在所述内插区域分别对电离层相关误差、对流层相关误差和所述其他误差进行内插处理，得到电离层改正数、对流层改正数以及其他误差改正数。
9.一种非差RTK误差改正数确定设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行，以实现权利要求1至7中任一项所述的非差RTK误差改正数确定方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，当所述计算机程序被处理器执行时，以实现权利要求1至7中任一项所述的非差RTK误差改正数确定方法。
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