CN116505899B - 一种功率放大器及其内匹配电路 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种功率放大器及其内匹配电路，涉及通信领域，该内匹配电路包括输入端和输出端，内匹配电路的输入端用于接收输入射频信号和偏置电压信号，内匹配电路的输出端用于输出目标射频信号，内匹配电路还包括：保护模块，用于当输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，将输入射频信号短路到地，当输入射频信号的当前功率小于预设功率，将输入射频信号和偏置电压信号传输至放大模块；匹配模块，用于将输入射频信号的阻抗调整到预设阻抗；放大模块，用于基于偏置电压信号对预设阻抗的输入射频信号进行放大处理，得到目标射频信号。本申请能够避免放大模块因输入射频信号的功率过大被烧毁，同时有效节约板极电路的空间。
Description
技术领域
本申请涉及通信领域，特别涉及一种功率放大器及其内匹配电路。
背景技术
功率放大器是通信系统的核心元件，传统的功率放大器，可包括GaN（氮化镓）或GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管，在实际工作时需要在栅极提供一个直流负极偏置电压，输入的射频信号与栅极的直流负极偏置电压叠加，实时控制漏极电流，从而实现放大功能。但是当输入功率过大时，瞬时的栅极电压可能出现正电压，导致栅极肖特基二极管导通，损坏晶体管。
因此，传统的功率放大器电路都会在链路上加入自动增益控制电路，自动增益控制电路自动检测输入功率，然后根据输入功率的大小调节功放链路的增益，为处于链路后端的功率放大器提供合适的输入功率。但是自动增益控制电路设计复杂，考虑到调节需要一定时间，因此控制存在延时，又由于自动增益控制电路只能检测输入功率，无法控制自动增益控制电路与末级功率放大器之间产生的瞬时大功率，并且自动增益控制电路都是做在板极电路上，会占用一部分空间，增加电路板成本。
因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种功率放大器及其内匹配电路，能够避免放大模块因输入射频信号的功率过大被烧毁，同时有效节约板极电路的空间。
为解决上述技术问题，本申请提供一种功率放大器的内匹配电路，包括输入端和输出端，所述内匹配电路的输入端用于接收输入射频信号和偏置电压信号，所述内匹配电路的输出端用于输出目标射频信号，所述内匹配电路还包括设于功率放大管的管壳内的保护模块、匹配模块和放大模块，其中：
所述保护模块，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，将所述输入射频信号短路到地，当所述输入射频信号的当前功率小于所述预设功率，将所述输入射频信号和所述偏置电压信号传输至放大模块；
所述匹配模块，用于将所述输入射频信号的阻抗调整到预设阻抗；
所述放大模块，用于基于所述偏置电压信号对所述预设阻抗的输入射频信号进行放大处理，得到所述目标射频信号。
可选的，所述保护模块的第一端作为所述内匹配电路的输入端，所述保护模块包括第一二极管、第一电感和第一电容，其中：
所述第一二极管和所述第一电感并联后的第一端作为所述保护模块的第一端，所述第一二极管和所述第一电感并联后的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
所述第一二极管，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当所述当前功率小于所述预设功率时截止。
可选的，所述匹配模块包括第一基波匹配单元，所述第一基波匹配单元包括第二电感、第三电感和第二电容，其中：
所述第二电感的第一端用于接收所述输入射频信号，所述第二电感的第二端与所述第三电感的第一端及所述第二电容的第一端连接，所述第三电感的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号，所述第二电容的第二端接地。
可选的，所述匹配模块还包括第一谐波匹配单元，所述第一谐波匹配单元包括第三电容和第四电感，其中：
所述第三电容和所述第四电感串联后的第一端与所述第一基波匹配单元连接，所述第三电容和所述第四电感串联后的第二端接地。
可选的，内匹配电路的输入端包括用于接收所述输入射频信号的第一输入端和接收所述偏置电压信号的第二输入端，所述匹配模块的第一端作为所述内匹配电路的第一输入端，所述保护模块包括第二二极管、第五电感和第四电容，其中：
所述第二二极管和所述第五电感并联后的第一端用于接收所述输入射频信号，所述第二二极管和所述第五电感并联后的第二端与所述第四电容的第一端连接，所述第四电容的第二端接地，所述第四电容的第一端作为所述内匹配电路的第二输入端；
所述第二二极管，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当所述当前功率小于所述预设功率时截止。
可选的，所述匹配模块包括第二基波匹配单元，所述第二基波匹配单元包括第六电感、第七电感和第五电容，其中：
所述第六电感的第一端作为所述匹配模块的第一端，所述第六电感的第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端与所述第七电感的第一端连接，所述第七电感的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号；
所述第二基波匹配单元的目标端与所述保护模块连接，所述目标端为所述第七电感的第二端或所述第五电容的第一端或所述第五电容的第二端。
可选的，所述匹配模块还包括第二谐波匹配单元，所述第二谐波匹配单元包括第六电容和第八电感，其中：
所述第六电容和所述第八电感串联后的第一端与所述保护模块连接，所述第六电容和所述第八电感串联后的第二端接地。
可选的，所述内匹配电路包括多个并联的所述保护模块。
可选的，所述放大模块包括高电子迁移率晶体管。
为解决上述技术问题，本申请还提供了一种功率放大器，包括输入偏置电路、第一匹配电路、第二匹配电路、输出偏置电路和上文任意一项所述的功率放大器的内匹配电路。
本申请提供了一种功率放大器的内匹配电路，在功率放大管的管壳内封装一个保护模块，该保护模块可以在输入射频信号的功率过大，即产生过激励的输入射频信号时，直接将过激励的输入射频信号短路到地，使得过激励的输入射频信号无法到达放大模块，避免了放大模块因输入射频信号的功率过大被烧毁，同时有效节约板极电路的空间。本申请还提供了一种功率放大器，具有和上述功率放大器的内匹配电路相同的有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图2为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图3为本申请所提供的一种功率过激励保护二极管的伏安特性曲线图；
图4为本申请所提供的一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图5为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图6为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图7为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图8为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图9为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图10为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图11为本申请所提供的一种史密斯圆示意图；
图12为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图13为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图14为本申请所提供的另一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图；
图15为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图；
图16为本申请所提供的一种功率放大器的结构示意图；
图17为本申请所提供的另一种功率放大器的结构示意图。
具体实施方式
本申请的核心是提供一种功率放大器及其内匹配电路，能够避免放大模块因输入射频信号的功率过大被烧毁，同时有效节约板极电路的空间。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参照图1，图1为本申请所提供的一种功率放大器的内匹配电路的结构示意图，该功率放大器的内匹配电路包括输入端和输出端，内匹配电路的输入端用于接收输入射频信号和偏置电压信号，内匹配电路的输出端用于输出目标射频信号，内匹配电路还包括设于功率放大管的管壳内的保护模块11、匹配模块12和放大模块13，其中：
保护模块11，用于当输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，将输入射频信号短路到地，当输入射频信号的当前功率小于预设功率，将输入射频信号和偏置电压信号传输至放大模块13；
匹配模块12，用于将输入射频信号的阻抗调整到预设阻抗；
放大模块13，用于基于偏置电压信号对预设阻抗的输入射频信号进行放大处理，得到目标射频信号。
本实施例所提供的内匹配电路包括保护模块11、匹配模块12和放大模块13，保护模块11、匹配模块12和放大模块13均封装在功率放大管的管壳内，一方面可以避免处于任意一级的功率放大器受到瞬时大功率的影响，当功率放大器存在过激励的输入射频信号时，保护模块11会即时动作，将过激励的输入射频信号短路到地，避免损坏放大模块13，另一方面还可以有效节约板极电路的空间。
可以理解，内匹配电路包括输入端和输出端，输入端用于接收输入射频信号和偏置电压信号，输出端用于输出经放大模块13放大处理后的目标射频信号。本实施例中，可以是保护模块11与内匹配电路的输入端连接，也可以是匹配模块12与内匹配电路的输入端连接，本实施例对保护模块11和匹配模块12的设置位置不作具体限定。
在一些实施例中，保护模块11的第一端与内匹配电路的输入端连接，保护模块11的第二端与匹配模块12的第一端连接，匹配模块12的第二端与放大模块13连接，则保护模块11，用于接收输入射频信号和偏置电压信号，对输入射频信号的当前功率进行检测，如果输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，则将输入射频信号短路到地，使得过激励的输入射频信号无法到达放大模块13，如果输入射频信号的当前功率小于预设功率，则将输入射频信号和偏置电压信号传输至后级进行处理，即将输入射频信号和偏置电压信号传输给匹配模块12，以便匹配模块12对保护模块11传输的输入射频信号进行阻抗匹配，将输入射频信号的阻抗调整到满足当前工况需求的预设阻抗，然后再将预设阻抗的输入射频信号及偏置电压信号传输给放大模块13进行放大处理，在本实施例中，对于输入射频信号先进行过激励保护再进行阻抗匹配。
在一些实施例中，内匹配电路的输入端包括第一输入端和第二输入端，第一输入端用于接收输入射频信号，第二输入端用于接收偏置电压信号，匹配模块12的第一端与内匹配电路的第一输入端连接，匹配模块12的目标端与保护模块11的第一端连接，则匹配模块12，用于接收输入射频信号，将输入射频信号的阻抗调整到预设阻抗后，输出给保护模块11。保护模块11的第一端与内匹配电路的第二输入端连接，以便接收偏置电压信号，保护模块11的第二端与匹配模块12连接，以便接收匹配模块12输出的预设阻抗的输入射频信号，对预设阻抗的输入射频信号的当前功率进行检测，如果输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，则将输入射频信号短路到地，使得过激励的输入射频信号无法到达放大模块13，如果输入射频信号的当前功率小于预设功率，则将输入射频信号和偏置电压信号传输至后级进行处理，即将输入射频信号传输给放大模块13进行放大处理，在本实施例中，对于输入射频信号先进行阻抗匹配再进行过激励保护。
其中，保护模块11和内匹配模块12可以分开封装在管壳内，也可以集成在一起封装在管壳内，以进一步提高集成度。每个内匹配电路中的保护模块11的数量可以为一个也可以为多个，当为多个时，多个保护模块11可以并联设置在射频干路上。
在一些实施例中，放大模块13包括高电子迁移率晶体管，如氮化镓晶体管和砷化镓晶体管、LDMOS器件等。
本申请提供了一种功率放大器的内匹配电路，在功率放大管的管壳内的封装一个保护模块，该保护模块可以在输入射频信号的功率过大，即产生过激励的输入射频信号时，直接将过激励的输入射频信号短路到地，使得过激励的输入射频信号无法到达放大模块，避免了放大模块因输入射频信号的功率过大被烧毁，同时有效节约板极电路的空间。
请参照图2，图2为本申请所提供的另一种内匹配电路的结构示意图，该内匹配电路在上述实施例的基础上：
在一些实施例中，保护模块11的第一端作为内匹配电路的输入端，保护模块11包括第一二极管D1、第一电感L1和第一电容C1，其中：
第一二极管D1和第一电感L1并联后的第一端作为保护模块11的第一端，第一二极管D1和第一电感L1并联后的第二端与第一电容C1的第一端连接，第一电容C1的第二端接地；
第一二极管D1，用于当输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当当前功率小于预设功率时截止。
本实施例中，保护模块11与内匹配电路的输入端通过电感LM1连接，保护模块11包括第一二极管D1、第一电感L1和第一电容C1，第一二极管D1的阳极与第一电感L1的第一端连接后的第一端作为保护模块11的第一端与内匹配电路的输入端通过电感LM1连接，第一二极管D1的阴极与第一电感L1的第二端连接后的第二端与第一电容C1的第一端连接，第一电容C1的第二端接地。其中，第一电容C1为高容值电容。
参照图3所示，图3为功率过激励保护二极管的伏安特性曲线图，当功率过激励保护二极管的正偏压大于该功率过激励保护二极管的开启电压Von后，功率过激励保护二极管正向导通，电流随正向电压的增大而增加，当功率过激励保护二极管加上负偏压时，二极管呈现关闭状态。
保护模块11的第一端接入偏置电压信号和输入射频信号，在输入射频信号的电压小于第一二极管D1的开启电压Von时，第一二极管D1处于截止状态，此时第一二极管D1等效为小电容，与第一电感L1形成并联谐振，呈高阻抗，相当于开路状态，输入射频信号不受保护模块11的影响，直接到达放大模块13；在输入射频信号的电压大于或等于第一二极管D1的开启电压Von时，第一二极管D1处于导通状态，此时第一二极管D1等效为小电阻，由于与其串联到地的高容值电容为小阻抗，所以整体呈低阻抗，输入射频信号短路到地，无法到达放大模块13，从而实现对放大模块13的过激励保护作用。本实施例中的第一二极管D1和第一电感L1并联后并没有直接接地，而是串联了一个高容值电容接地，这样做的目的是，利用高容值电容的隔直流功能，使输入偏置电压源Vgs产生的直流偏置电压信号和输入射频信号叠加到达放大模块13，以便放大模块13基于偏置电压信号对输入射频信号进行放大处理。本实施例中，对于第一二极管D1串并联数量、第一电感L1的串并联数量、第一电容C1的串并联数量不作具体的限定。
在一些实施例中，匹配模块12包括第一基波匹配单元，第一基波匹配单元包括第二电感L2、第三电感L3和第二电容C2，其中：
第二电感L2的第一端用于接收输入射频信号，第二电感L2的第二端与第三电感L3的第一端及第二电容C2的第一端连接，第三电感L3的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号给放大模块13，放大模块13通过电感LM2与内匹配电路的输出端连接，第二电容C2的第二端接地。
本实施例中，匹配模块12包括第一基波匹配单元，第一基波匹配单元包括第二电感L2、第三电感L3和第二电容C2，其中，第二电容C2为金属氧化物半导体电容，具有高Q值，损耗极小，能够提高性能。
参照图4所示，图4为本申请所提供的功率放大管的管壳内部的俯视图，图2中的电感对应图4中相同编号的键合线，其中电感LM1连接管壳的输入引线和pad1，第二电感L2连接pad2和第二电容C2，第三电感L3连接第二电容C2和放大模块13，电感LM2连接放大模块13和管壳的输出引线。
为了提高集成度，参照图5所示，与图2中保护模块11设置在匹配模块12外部不同，图5中的保护模块11集成在匹配模块12内部，参照图6所示，图6为本申请所提供的另一种功率放大管的管壳内部的俯视图，图5中的电感对应图6中相同编号的键合线，其中电感LM1连接管壳的输入引线和pad1，第三电感L3连接pad2和放大模块13，电感LM2连接放大模块13和管壳的输出引线。
在一些实施例中，参照图7和图8所示，匹配模块12还包括第一谐波匹配单元，第一谐波匹配单元包括第三电容C3和第四电感L4，其中：
第三电容C3和第四电感L4串联后的第一端与第一基波匹配单元连接，第三电容C3和第四电感L4串联后的第二端接地。
本实施例中，匹配模块12还包括第一谐波匹配单元，第一谐波匹配单元包括串联的第三电容C3和第四电感L4，通过第三电容C3和第四电感L4将谐波短路到地，谐波可以为二次谐波、三次谐波等，以进一步提高射频输入信号的传输可靠性。
其中，匹配模块12和保护模块11可以集成在一起，也可以独立设置，本实施例在此不作具体限定。
参照图9所示，在一些实施例中，内匹配电路的输入端包括用于接收输入射频信号的第一输入端和接收偏置电压信号的第二输入端，匹配模块12的第一端作为内匹配电路的第一输入端，保护模块11包括第二二极管D2、第五电感L5和第四电容C4，其中：
第二二极管D2和第五电感L5并联后的第一端用于接收输入射频信号，第二二极管D2和第五电感L5并联后的第二端与第四电容C4的第一端连接，第四电容C4的第二端接地，第四电容C4的第一端作为内匹配电路的第二输入端；
第二二极管D2，用于当输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当当前功率小于预设功率时截止。
在一些实施例中，匹配模块12包括第二基波匹配单元，第二基波匹配单元包括第六电感L6、第七电感L7和第五电容C5，其中：
第六电感L6的第一端作为匹配模块12的第一端，第六电感L6的第二端与第五电容C5的第一端连接，第五电容C5的第二端与第七电感L7的第一端连接，第七电感L7的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号；
第二基波匹配单元的目标端与保护模块11连接，目标端为第七电感L7的第二端或第五电容C5的第一端或第五电容C5的第二端。
本实施例中，匹配模块12的第一端与内匹配电路的第一输入端连接，以接入输入射频信号，保护模块11的第一端与内匹配电路的第二输入端连接，以接入偏置电压信号。
参照图10所示，偏置电压信号Vgs是由管壳的输入偏置引线引入的，键合线LM6连接管壳的输入偏置引线和pad3，pad3连接在第四电容C4的上电极和第五电感L5之间，由于第四电容C4在直流呈高阻抗，第五电感L5具有扼交流、通直流的特性，又由于匹配模块12中的第五电容C5串联在第六电感L6和第七电感L7之间，第五电容C5具有隔直流的效果，如果将匹配模块12设置在保护模块11后级，则偏置电压信号无法到达放大模块13，因此，需要将匹配模块12设置在保护模块11的前级，pad2通过电感LM4与放大模块13连接，以便输入偏置电压源输出的直流偏置电压信号可以通过第五电感L5和输入射频信号叠加，到达放大模块13，放大模块13通过电感LM3与管壳输出引线连接。
本实施例中，由于第五电容C5串联在第六电感L6和第七电感L7之间，适合在小功率器件做匹配，尤其是做输入50欧姆匹配，如图11所示为史密斯圆图，小功率器件的阻抗一般在圆圈所画位置，只要串联一个电容，就能直接匹配到50欧姆。参照图12和图13所示，保护模块11可以集成在匹配模块12内，以进一步提高集成度。
在一些实施例中，参照图14和图15所示，匹配模块12还包括第二谐波匹配单元，第二谐波匹配单元包括第六电容C6和第八电感L8，其中：
第六电容C6和第八电感L8串联后的第一端与保护模块11连接，第六电容C6和第八电感L8串联后的第二端接地。
本实施例中，匹配模块12还包括第二谐波匹配单元，第人谐波匹配单元包括串联的第六电容C6和第八电感L8，通过第六电容C6和第八电感L8将谐波短路到地，谐波可以为二次谐波、三次谐波等，以进一步提高射频输入信号的传输可靠性。
其中，匹配模块12和保护模块11可以集成在一起，也可以独立设置，本实施例在此不作具体限定。
第二方面，本申请还提供了一种功率放大器，包括输入偏置电路、第一匹配电路、第二匹配电路、输出偏置电路和上文任意一项的功率放大器的内匹配电路。
参照图16所示，图16为本申请所提供的一种功率放大器的结构示意图，包括输入偏置电路21、第一匹配电路22、第二匹配电路23、输出偏置电路24和上文实施例所述的内匹配电路25，输入偏置电路21可包括输入隔直电容Cd1和输入扼流电感Ld1，其中，输入隔直电容Cd1可消除输入偏置电路21输出的直流偏置电压对前级放大电路或信号源的影响，输出偏置电路24可包括输出隔直电容Cd2和输出扼流电感Ld2，其中，输出隔直电容Cd2可消除输出偏置电路24输出的直流偏置电压对后级放大电路或负载的影响。本实施例中的内匹配电路25可以为匹配模块中接地电容并联于两个电感之间的内匹配电路25。
参照图17所示，图17为本申请所提供的领一种功率放大器的结构示意图，包括输入偏置电路31、第一匹配电路32、第二匹配电路33、输出偏置电路34和上文实施例所述的内匹配电路35，输入偏置电路31可包括输入隔直电容Cd3，其中，输入隔直电容Cd3可消除输入偏置电路31输出的直流偏置电压对前级放大电路或信号源的影响，输出偏置电路34可包括输出隔直电容Cd4和输出扼流电感Ld3，其中，输出隔直电容Cd4可消除输出偏置电路34输出的直流偏置电压对后级放大电路或负载的影响。本实施例中的内匹配电路35为匹配模块中接地电容串联于两个电感之间的内匹配电路35。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的状况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种功率放大器的内匹配电路，其特征在于，包括输入端和输出端，所述内匹配电路的输入端用于接收输入射频信号和偏置电压信号，所述内匹配电路的输出端用于输出目标射频信号，所述内匹配电路还包括设于功率放大管的管壳内的保护模块、匹配模块和放大模块，其中：
所述保护模块，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率，将所述输入射频信号短路到地，当所述输入射频信号的当前功率小于所述预设功率，将所述输入射频信号和所述偏置电压信号传输至放大模块；
所述匹配模块，用于将所述输入射频信号的阻抗调整到预设阻抗；
所述放大模块，用于基于所述偏置电压信号对所述预设阻抗的输入射频信号进行放大处理，得到所述目标射频信号；
所述保护模块包括二极管、电感和电容，所述二极管和所述电感并联，所述二极管的阳极用于接入所述输入射频信号，所述二极管的阴极与所述电容的第一端连接，所述电容的第二端接地；
所述二极管，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当所述当前功率小于所述预设功率时截止。
2.根据权利要求1所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述保护模块的第一端作为所述内匹配电路的输入端，所述保护模块包括第一二极管、第一电感和第一电容，其中：
所述第一二极管和所述第一电感并联后的第一端作为所述保护模块的第一端，所述第一二极管和所述第一电感并联后的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地；
所述第一二极管，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当所述当前功率小于所述预设功率时截止。
3.根据权利要求2所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述匹配模块包括第一基波匹配单元，所述第一基波匹配单元包括第二电感、第三电感和第二电容，其中：
所述第二电感的第一端用于接收所述输入射频信号，所述第二电感的第二端与所述第三电感的第一端及所述第二电容的第一端连接，所述第三电感的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号，所述第二电容的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述匹配模块还包括第一谐波匹配单元，所述第一谐波匹配单元包括第三电容和第四电感，其中：
所述第三电容和所述第四电感串联后的第一端与所述第一基波匹配单元连接，所述第三电容和所述第四电感串联后的第二端接地。
5.根据权利要求1所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，内匹配电路的输入端包括用于接收所述输入射频信号的第一输入端和接收所述偏置电压信号的第二输入端，所述匹配模块的第一端作为所述内匹配电路的第一输入端，所述保护模块包括第二二极管、第五电感和第四电容，其中：
所述第二二极管和所述第五电感并联后的第一端用于接收所述输入射频信号，所述第二二极管和所述第五电感并联后的第二端与所述第四电容的第一端连接，所述第四电容的第二端接地，所述第四电容的第一端作为所述内匹配电路的第二输入端；
所述第二二极管，用于当所述输入射频信号的当前功率大于或等于预设功率时导通，当所述当前功率小于所述预设功率时截止。
6.根据权利要求5所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述匹配模块包括第二基波匹配单元，所述第二基波匹配单元包括第六电感、第七电感和第五电容，其中：
所述第六电感的第一端作为所述匹配模块的第一端，所述第六电感的第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端与所述第七电感的第一端连接，所述第七电感的第二端用于输出预设阻抗的输入射频信号；
所述第二基波匹配单元的目标端与所述保护模块连接，所述目标端为所述第七电感的第二端或所述第五电容的第一端或所述第五电容的第二端。
7.根据权利要求5所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述匹配模块还包括第二谐波匹配单元，所述第二谐波匹配单元包括第六电容和第八电感，其中：
所述第六电容和所述第八电感串联后的第一端与所述保护模块连接，所述第六电容和所述第八电感串联后的第二端接地。
8.根据权利要求1所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电路包括多个并联的所述保护模块。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的功率放大器的内匹配电路，其特征在于，所述放大模块包括高电子迁移率晶体管。
10.一种功率放大器，其特征在于，包括输入偏置电路、第一匹配电路、第二匹配电路、输出偏置电路和权利要求1-9任意一项所述的功率放大器的内匹配电路。
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