CN116502472B - 一种高频变压器漏感计算方法及系统 - Google Patents

一种高频变压器漏感计算方法及系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高频变压器漏感计算方法及系统，包括步骤：构建高频变压器模型并对高频变压器模型进行计算区域划分；构造漏磁能量评估函数并利用漏磁能量评估函数分别对第一结构区域、第二结构区域的所有几何参数进行评估，获取第一几何参数；将实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型；采用分段计算模型获取第一子域的漏磁能量；分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量；分别将漏磁能量转换为漏感并求和，获取高频变压器的总漏感；通过考虑到绕组导体的“拐角效应”对其计算区域进行划分，提高了计算精度，通过剔除非必要参数以及采用分段计算模型对绕组导体的漏磁能量进行计算，降低了计算复杂度。

Description

一种高频变压器漏感计算方法及系统
技术领域
本发明涉及变压器技术领域，特别涉及一种高频变压器漏感计算方法及系统。
背景技术
高频变压器是工作频率超过中频（10kHz）的电源变压器，主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器，也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。
高频变压器常采用铜箔、实心圆导线与利兹线构成其绕组。变压器的绕组结构会影响其窗口内磁场分布，进而影响绕组内涡流场分布，使绕组损耗解析变得复杂。另一方面，在有的高频工作条件下，漏感作为零电压开关的电感来控制其导通，但是漏感过小将无法导通，过大可能导致开关器件过压击穿。因此，高频变压器的漏感分析计算对其设计产生重要的影响，也对其应用范围产生影响。
但是现有的高频变压器在计算分析电感时，计算复杂且精算精度低，导致设计的高频变压器性能不高，限制了其推广使用。
发明内容
现有技术中，高频变压器的漏感计算复杂且精算精度低，导致设计的高频变压器性能不高。
针对上述问题，提出一种高频变压器漏感计算方法及系统，以解决上述问题。
第一方面，一种高频变压器漏感计算方法，包括：
步骤100、构建高频变压器模型并对所述高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域及第二结构区域；
步骤200、构造漏磁能量评估函数并利用所述漏磁能量评估函数分别对所述第一结构区域、第二结构区域的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数；
步骤300、获取绕组导体实际漏磁能量分布曲线，将所述实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型；
步骤400、采用所述分段计算模型，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量；
步骤500、利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量；
步骤600、分别将所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取高频变压器的总漏感；
其中，所述第一结构区域为平面绕组区域，所述第二结构区域为拐角区域；
所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域分别为第一结构区域、第二结构区域中的原副边绕组导体区域、原边绕组间隙区域、副边绕组间隙区域、原副边绕组隔离区域。
结合本发明所述的高频变压器漏感计算方法，第一种可能的实施方式中，所述步骤100包括：
步骤110、以铜箔片作为原副边绕组导体；
步骤120、确定所述高频变压器模型的几何参数，所述几何参数包括：原边绕组导体厚度、副边绕组导体厚度、原边绕组间绝缘厚度、副边绕组间绝缘厚度、原边绕组与副边绕组间绝缘厚度、原副边绕组层数、副边绕组与磁芯的垂直间距及磁芯高度；
步骤130、确定流过原副边绕组导体的电流参数及磁芯磁导率参数；
步骤140、利用所述几何参数、电流参数、磁导率参数构建所述高频变压器模型。
结合本发明第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述步骤200包括：
步骤210、将各第一几何参数作为自变量构造所述漏磁能量评估函数；
步骤220、利用所述漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；
步骤230、若所述漏磁能量曲线的斜率最大值小于规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
结合本发明所述的高频变压器漏感计算方法，第三种可能的实施方式中，所述步骤300包括：
步骤310、利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；
步骤320、利用所述漏磁分段函数对所述绕组导体的厚度进行分段积分，获取所述分段计算模型。
第二方面，一种高频变压器漏感计算系统，采用第一方面所述的方法获取漏感，包括：
第一单元、第二单元、第三单元、第四单元及第五单元；
所述第一单元用于根据几何参数构建高频变压器模型并对所述高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域及第二结构区域；
所述第二单元用于利用所述漏磁能量评估函数分别对所述高频变压器模型的第一结构区域、第二结构区域的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数；
所述第三单元用于通过获取绕组导体实际漏磁能量分布曲线，将所述实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型；
所述第四单元用于：
采用所述分段计算模型并利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量；
所述第五单元用于分别将所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取所述高频变压器的总漏感。
结合本发明第二方面所述的高频变压器漏感计算系统，第一种可能的实施方式中，所述第一单元包括：
第一模块及第二模块；
所述第一模块用于确定所述高频变压器模型的几何参数、电流参数及磁芯磁导率参数；
所述第二模块用于利用所述几何参数、电流参数、磁导率参数并采用铜箔片作为原副边绕组导体构建所述高频变压器模型。
结合本发明第二方面第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述第二单元包括：
第三模块及第四模块；
所述第三模块用于利用所述漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；
所述第四模块用于将所述漏磁能量曲线斜率的最大值与规定阈值进行比较，若小于所述规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
结合本发明第二方面第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述第三单元包括：
第五模块及第六模块；
所述第五模块用于利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；
所述第六模块用于利用所述漏磁分段函数对所述绕组导体的厚度进行计算，获取所述分段计算模型。
实施本发明所述的高频变压器漏感计算方法及系统，通过构建高频变压器模型并考虑到绕组导体的“拐角效应”对其计算区域进行划分，进而可以分别对其矩形区域包围的平面绕组区域以及四个拐角的拐角区域的漏磁能量进行计算，提高了计算精度，通过采用构造漏磁能量评估函数对几何参数进行评估，剔除非必要参数以及采用分段计算模型对绕组导体的漏磁能量进行计算，降低了计算复杂度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种高频变压器模型俯视图示意图；
图2为本发明一种高频变压器模型俯视简化示意图；
图3为本发明一种高频变压器模型几何结构示意图；
图4为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第一示意图；
图5为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第二示意图；
图6为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第三示意图；
图7为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第四示意图。
具体实施方式
下面将结合发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术中，高频变压器漏感计算精度低，导致设计的高频变压器性能不高。
针对上述问题，提出一种高频变压器漏感分析方法及系统，以解决上述问题。
实施例1
一种高频变压器漏感计算方法，如图4，图4为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第一示意图；包括：步骤100、构建高频变压器模型并对高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域101及第二结构区域201。
在本实施例中，采用几何参数构建高频变压器模型，具体的可以实施为：
如图5，图5为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第二示意图；步骤100包括：
步骤110、以铜箔片作为原副边绕组导体（200，100）；步骤120、确定高频变压器模型的几何参数，如图3，图3为本发明一种高频变压器模型几何结构示意图；几何参数包括：原边绕组导体厚度120、副边绕组导体厚度220、原边绕组间绝缘厚度150、副边绕组间绝缘厚度210、原边绕组与副边绕组间绝缘厚度150、原副边绕组层数、副边绕组与磁芯的垂直间距140及磁芯高度300；步骤130、确定流过原副边绕组导体的电流参数及磁芯磁导率参数；步骤140、利用几何参数、电流参数、磁导率参数构建高频变压器模型。
如图1，图1为本发明一种高频变压器模型俯视图示意图；本实施例中的高频变压器为单绕组高频变压器，采用铜箔作为绕组导体进行绕制。除了上述参数外，几何参数还可以包括：副边绕组100与磁芯400的水平间距等。磁芯400可以采用硅钢片，构成磁芯窗口。利用铜箔绕组、绕组之间的绝缘参数、绕组与磁芯窗口之间的结合参数以及电流参数、磁芯磁导率参数构建高频变压器模型。
单纯将高频变压器的铜箔绕组作为直线平面计算，获取的漏磁能量与实际测得的漏磁能量具有较大误差，这是由绕组导体的“拐角效应”造成的，即绕组导体在拐角处的漏磁能量与直线平面的绕组导体的漏磁能量计算需要分别考虑，分别计算来提高漏磁能量计算的精度。
基于以上考虑，在本实施例中，如图2，图2为本发明一种高频变压器模型俯视简化示意图；在计算漏磁能量时，拐角区域与平面区域分别区分计算。
步骤200、构造漏磁能量评估函数并利用漏磁能量评估函数分别对第一结构区域101、第二结构区域201的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数。
在本实施例中，采用能量法对漏电感参数进行计算，为了降低计算复杂度，需要对影响漏磁能量的各几何参数进行评估，具体可以实施为：
如图6，图6为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第三示意图；步骤200包括：
步骤210、将各第一几何参数作为自变量构造漏磁能量评估函数；步骤220、利用漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；步骤230、若漏磁能量曲线斜率的最大值小于规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
利用漏磁能量评估函数筛选出非必要的几何参数，降低计算复杂度，具体的，可以首先构造磁能量评估函数：
E（x）= E（xn）- E（xn-1）/ xn- xn-1，n=1,2,3,…,H，（1）
其中，x为几何参数，xn- xn-1为第n个步长，H为正整数，E（xn）- E（xn-1）为对应n个步长的漏磁能量变化量。
分别列出每一几何参数的能量评估函数曲线，并计算该函数曲线斜率的最大值，将其与设定的斜率阈值进行比较，若大于斜率阈值，则说明该几何参数对漏磁能量的影响较大，则予以保留，若小于斜率阈值，则说明该几何参数对漏磁能量的影响较小，则剔除该几何参数，试验表明，在所有的几何参数中，磁芯高度300、副边绕组与磁芯400的垂直间距140以及副边绕组与磁芯400的水平间距130对漏磁能量的计算结果影响较小，剔除这些参数，有利于降低计算复杂度。
步骤300、获取绕组导体实际漏磁能量分布曲线，将实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型。
实际漏磁能量分布曲线较为复杂，求解过程繁琐，计算量大，为了降低计算复杂度，具体可以实施为：
如图7，图7为本发明一种高频变压器漏感计算方法步骤第四示意图；步骤300包括：
步骤310、利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；步骤320、利用所述漏磁分段函数对所述绕组导体的厚度进行分段积分，获取所述分段计算模型。
步骤400、采用分段计算模型，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对第一结构区域101中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域201中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量。
绕组导体受到自身和相邻绕组产生的高频磁场作用，在绕组内存在高频涡流，绕组导体的漏磁能量计算对高频变压器漏磁能量计算结果产生重要的影响。
在计算漏磁能量时，采用：
（2）
在式子（2）中，E为漏磁能量，I为流过导体的电流参数，为漏感，μ表示绕组导体磁导率，B为漏磁磁场强度，V表示漏磁体积。但是，实际的漏磁磁场强度B曲线计算较为复杂，在本实施例中，采用拟合后的分段函数进行计算，因此可得分段的漏磁能量计算函数即分段计算模型为：
（3）
在式子（3）中，B1为拟合的漏磁磁场强度的第一分段函数、B2为拟合的漏磁磁场强度的第二分段函数。将绕组导体从中线分为体积相等的两部分，然后分别计算漏磁能量。
其中，（4），式子（4）中的/>，/>分别为分段函数的斜率，可以通过分段点（xm,Bm）、绕组厚度的边界点(xl,Bl)、(xR,BR)以及计算获得，其中M为传输参数。在一个实施方式中，可以令xl=0，xR=L，xm =L/2可得绕组导体厚度的边界点分别为(0,Bl)、(L,BR)、分段点为（L/2,Bm）。在式子（4）L为绕组导体的厚度，利用分段函数B1，B2逼近B曲线，等效替换实际的漏磁磁场强度B曲线，将复杂的双曲线计算替换为分段线计算，降低了计算的复杂度。
在本实施例中，利用分段计算模型可计算获取绕组导体的第一子域的漏磁能量即原副边漏磁能量分别为：
（5）；/>（6）。
式子（5）和（6）中，，4/>，4/>分别为原边绕组200导体漏磁能量、原边绕组导体第一结构区域101的漏磁能量、原边绕组第二结构区域201的漏磁能量；/>，4/>，4/>分别为副边绕组导体100漏磁能量、副边绕组导体第一结构区域101的漏磁能量、副边绕组第二结构区域201的漏磁能量。
其中，所述第一结构区域101为平面绕组区域，所述第二结构区域201为拐角区域；第一结构区域101包括四部分直线铜箔绕组，第二结构区域201包括四个拐角铜箔绕组。通过考虑到绕组导体的“拐角效应”对其计算区域进行划分，进而可以分别对其矩形区域包围的平面绕组区域以及四个拐角的拐角区域的漏磁能量进行计算，有利于提高计算精度。
步骤500、利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对第一结构区域101中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域201中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量。
同理，第二子域即原边绕组间隙区域的漏磁能量包括原边绕组间隙区域第一结构区域101的漏磁能量、原边绕组间隙区域第二结构区域201的漏磁能量，第三子域即副边绕组间隙区域的漏磁能量包括副边绕组间隙区域第一结构区域101的漏磁能量、副边绕组间隙区域第二结构区域201的漏磁能量，第四子域即原副边绕组间隙区域的漏磁能量包括原副边绕组间隙区域第一结构区域101的漏磁能量、原副边绕组间隙区域第二结构区域201的漏磁能量。
步骤600、分别将第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取高频变压器的总漏感。
获得各子域的漏磁能量后，利用传输电流参数，根据式子
（7）；
进行转换，获得第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏感分别为：
、/>、/>、/>、/>；
因此，高频变压器的总漏感为：
（8）；
第一子域、第二子域、第三子域、第四子域分别为第一结构区域、第二结构区域中的原副边绕组导体区域、原边绕组间隙区域、副边绕组间隙区域、原副边绕组隔离区域。
实施例2
第二方面，一种高频变压器漏感计算系统，采用第一方面的方法获取漏感，包括：第一单元、第二单元、第三单元、第四单元及第五单元；第一单元用于根据几何参数构建高频变压器模型并对高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域101及第二结构区域201；第二单元用于利用漏磁能量评估函数分别对高频变压器模型的第一结构区域101、第二结构区域201的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数。
第三单元用于通过对实际漏磁能量分布曲线进行分段拟合，获取分段计算模型。
第四单元用于采用分段计算模型并利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对第一结构区域101中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域201中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对第一结构区域101中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域201中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量。
第五单元用于分别将第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取高频变压器的总漏感。
优选地，第一单元包括第一模块及第二模块；第一模块用于确定高频变压器模型的几何参数、电流参数及磁芯磁导率参数；第二模块用于利用几何参数、电流参数、磁导率参数并采用铜箔片作为原副边绕组导体构建高频变压器模型。
优选地，第二单元包括第三模块及第四模块；第三模块用于利用漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；第四模块用于将漏磁能量曲线斜率的最大值与规定阈值进行比较，若小于规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
优选地，第三单元包括第五模块及第六模块；第五模块用于利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；第六模块用于利用漏磁分段函数对绕组导体的厚度进行计算，获取分段计算模型。
实施本发明所述的高频变压器漏感计算方法及系统，通过构建高频变压器模型并考虑到绕组导体的“拐角效应”对其计算区域进行划分，进而可以分别对其矩形区域包围的平面绕组区域以及四个拐角的拐角区域的漏磁能量进行计算，提高了计算精度，通过采用构造漏磁能量评估函数对几何参数进行评估，剔除非必要参数以及采用分段计算模型对绕组导体的漏磁能量进行计算，降低了计算复杂度。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高频变压器漏感计算方法，其特征在于，包括：
步骤100、构建高频变压器模型并对所述高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域及第二结构区域；
步骤200、构造漏磁能量评估函数并利用所述漏磁能量评估函数分别对所述第一结构区域、第二结构区域的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数；
步骤300、获取绕组导体实际漏磁能量分布曲线，将所述实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型；
步骤400、采用所述分段计算模型，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量；
步骤500、利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量；
步骤600、分别将所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取高频变压器的总漏感；
其中，所述第一结构区域为平面绕组区域，所述第二结构区域为拐角区域；所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域分别为第一结构区域或者第二结构区域中的原副边绕组导体区域、原边绕组间隙区域、副边绕组间隙区域、原副边绕组隔离区域。
2.根据权利要求1所述的高频变压器漏感计算方法，其特征在于，所述步骤100包括：
步骤110、以铜箔片作为原副边绕组导体；
步骤120、确定所述高频变压器模型的几何参数，所述几何参数包括：原边绕组导体厚度、副边绕组导体厚度、原边绕组间绝缘厚度、副边绕组间绝缘厚度、原边绕组与副边绕组间绝缘厚度、原副边绕组层数、副边绕组与磁芯的垂直间距、以及磁芯高度；
步骤130、确定流过绕组导体的电流参数及磁芯磁导率参数；
步骤140、利用所述几何参数、电流参数、磁导率参数构建所述高频变压器模型。
3.根据权利要求2所述的高频变压器漏感计算方法，其特征在于，所述步骤200包括：
步骤210、将各第一几何参数作为自变量构造所述漏磁能量评估函数；
步骤220、利用所述漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；
步骤230、若所述漏磁能量曲线的斜率最大值小于规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
4.根据权利要求1所述的高频变压器漏感计算方法，其特征在于，所述步骤300包括：
步骤310、利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；
步骤320、利用所述漏磁分段函数对绕组导体的厚度进行分段积分，获取所述分段计算模型。
5.一种高频变压器漏感计算系统，采用权利要求1-4任一所述的方法获取漏感，其特征在于，包括：
第一单元、第二单元、第三单元、第四单元及第五单元；
所述第一单元用于根据几何参数构建高频变压器模型并对所述高频变压器模型进行计算区域划分，获取第一结构区域及第二结构区域；所述第二单元用于利用所述漏磁能量评估函数分别对所述高频变压器模型的第一结构区域、第二结构区域的所有几何参数进行评估，剔除斜率最大值小于规定阈值的几何参数，获取第一几何参数；
所述第三单元用于通过获取绕组导体实际漏磁能量分布曲线，将所述实际漏磁能量分布曲线作为基础拟合函数进行分段拟合，获取分段计算模型；
所述第四单元用于：
采用所述分段计算模型并利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，获取第一子域的漏磁能量，利用第一几何参数、电流参数及磁导率参数，对所述第一结构区域中漏感的平面绕组长度进行积分、对第二结构区域中漏感的弧长进行积分，分别获取第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量；所述第五单元用于分别将所述第一子域、第二子域、第三子域、第四子域的漏磁能量转换为漏感并求和，获取所述高频变压器的总漏感。
6.根据权利要求5所述的高频变压器漏感计算系统，其特征在于，所述第一单元包括：
第一模块及第二模块；
所述第一模块用于确定所述高频变压器模型的几何参数、电流参数及磁芯磁导率参数；
所述第二模块用于利用所述几何参数、电流参数、磁导率参数并采用铜箔片作为原副边绕组导体构建所述高频变压器模型。
7.根据权利要求6所述的高频变压器漏感计算系统，其特征在于，所述第二单元包括：
第三模块及第四模块；
所述第三模块用于利用所述漏磁能量评估函数获取各第一几何参数在步长范围的漏磁能量曲线；
所述第四模块用于将所述漏磁能量曲线斜率的最大值与规定阈值进行比较，若小于所述规定阈值，则判定该几何参数为非必要参数，剔除该几何参数。
8.根据权利要求7所述的高频变压器漏感计算系统，其特征在于，所述第三单元包括：
第五模块及第六模块；
所述第五模块用于利用绕组导体两侧的漏磁磁场强度及传播系数获取绕组导体的漏磁分段函数；
所述第六模块用于利用所述漏磁分段函数对所述绕组导体的厚度进行计算，获取所述分段计算模型。
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