CN116470864B - 一种可提升单向化功率增益u的二端口放大器网络 - Google Patents

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CN116470864B CN202310722784.8A CN202310722784A CN116470864B CN 116470864 B CN116470864 B CN 116470864B CN 202310722784 A CN202310722784 A CN 202310722784A CN 116470864 B CN116470864 B CN 116470864B
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Abstract

本申请公开了一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，包括：依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元；输入端直流偏置单元和输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端提供直流偏置电压；放大器单元包括依次级联且具有差分结构的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；通过在负载系数平面的不稳定区域选择反射系数来设计有源反馈网络，使得第一有源反馈网络与第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，使得第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数，从而使得二端口放大器网络的和减小，即减小了U的分母值，最终实现提高单向化功率增益U的目的。

Description

一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络
技术领域
本申请涉及放大器技术领域，更具体地说，是涉及一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络。
背景技术
在太赫兹频段的射频放大器，其工作频率高，晶体管的性能急剧下降，寄生效应严重，给设计过程带来了很大的困难。二端口网络的单向化功率增益U（unilateral gain）又称为Mason不变量，在无损耗、线性、互易嵌入下不会发生改变，可以作为比较任何两个两端口有源器件（包括作为两端口使用的三端口器件）的优劣的基准，即品质因数（Figure ofMerit）。因此，放大器的增益和设计方法都与单向化功率增益U密切相关，如何提高U具有重要的实际意义。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种二端口放大器网络，以提升单向化功率增益U。
为实现上述目的，本申请提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，包括：
依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元；
所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端为所述放大器单元提供直流偏置电压；
所述放大器单元包括依次级联的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；
所述第一有源反馈网络、所述次级放大网络以及所述第二有源反馈网络均为差分结构的二端口网络；
所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数。
优选地，所述次级放大网络包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；
所述输入端直流偏置单元包括第一直流电源、第一电感和第二电感；
所述输出端直流偏置单元包括第二直流电源、第三电感和第四电感；
所述第一NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端以及通过第一电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端以及通过第三电感连接至所述第二直流电源；
所述第二NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端以及通过第二电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端以及通过第四电感连接至所述第二直流电源。
优选地，所述第一有源反馈网络包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；
所述第三NMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管的源极均接地；
所述第三NMOS晶体管的第二极连接至所述第四NMOS晶体管的第一极；
所述第四NMOS晶体管的第二极连接至所述第三NMOS晶体管的第一极；
所述第三NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端；
所述第四NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端；
所述第二有源反馈网络包括第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；
所述第五NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的源极均接地；
所述第五NMOS晶体管的第二极连接至所述第六NMOS晶体管的第一极；
所述第六NMOS晶体管的第二极连接至所述第五NMOS晶体管的第一极；
所述第五NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端；
所述第六NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端；
所述第一极和所述第二极分别为栅极和漏极，或者，所述第一极和所述第二极分别为漏极和栅极。
优选地，所述第一极为栅极，所述第二极为漏极；
所述第一有源反馈网络还包括第一电容、第二电容、第五电感、第六电感以及第一阻抗；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过第一电容连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过第二电容连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过所述第一阻抗连接至所述第四NMOS晶体管的漏极；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过所述第五电感连接至所述第一直流电源；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过所述第六电感连接至所述第一直流电源。
优选地，所述第二有源反馈网络还包括第三电容、第四电容、第七电感、第八电感以及第二阻抗；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过第三电容连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第四电容连接至所述第五NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过所述第二阻抗连接至所述第六NMOS晶体管的漏极；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过所述第七电感连接至所述第一直流电源；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第八电感连接至所述第一直流电源。
优选地，所述第一极为漏极，所述第二极为栅极；
所述第一有源反馈网络还包括第一电容、第二电容、第五电感、第六电感以及第一阻抗；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过第一电容连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过第二电容连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的栅极通过所述第一阻抗连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的栅极通过所述第五电感连接至所述第一直流电源；
所述第四NMOS晶体管的栅极通过所述第六电感连接至所述第一直流电源。
优选地，所述第二有源反馈网络还包括第三电容、第四电容、第七电感、第八电感以及第二阻抗；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过第三电容连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第四电容连接至所述第五NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的栅极通过所述第二阻抗连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的栅极通过所述第七电感连接至所述第一直流电源；
所述第六NMOS晶体管的栅极通过所述第八电感连接至所述第一直流电源。
优选地，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的值均为1pF；所述第一阻抗以及所述第二阻抗的值均为20kΩ。
优选地，所述第一直流电源为0.6v，所述第二直流电源为0.9v。
优选地，所述第一有源反馈网络或所述第二有源反馈网络的输入阻抗由下述方程式计算得到：
；
其中，、/>、/>、/>为有源反馈网络的Z参数，/>为有源反馈网络的输出端开路时，输入端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的输出端开路时，输出端对输入端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输入端对输出端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输出端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的负载阻抗。
经由上述的技术方案可知，本申请提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，包括依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元。其中，所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端为所述放大器单元提供直流偏置电压；所述放大器单元包括依次级联的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；所述第一有源反馈网络、所述次级放大网络以及所述第二有源反馈网络均为差分结构的二端口网络；通过在负载系数平面的不稳定区域选择反射系数来设计有源反馈网络，使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，进而使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数。当所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数时，其中的Y参数和/>的实部也为负数，由于所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络为并联至二端口放大器网络的，从而使得二端口放大器网络的/>和/>减小，即减小了U的分母值，最终实现提高单向化功率增益U的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例公开的二端口放大器网络的结构示意图；
图2示例了本申请实施例公开的负阻产生网络的等效模型；
图3为本申请实施例公开的有源反馈网络为简单差分结构的电路示意图；
图4为本申请实施例公开的具有可调负载阻抗及反馈电容，漏极输出的差分结构的电路示意图；
图5为本申请实施例公开的具有可调负载阻抗及反馈电容，栅极输出的差分结构的电路示意图；
图6为单向化功率增益U的结果对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
下面介绍本申请实施例提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络。请参阅图1，本申请实施例提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络可以包括依次级联的输入端直流偏置单元10、放大器单元20以及输出端直流偏置单元30。
其中，输入端直流偏置单元10和输出端直流偏置单元30分别在输入端和输出端为放大器单元20提供直流偏置电压。
放大器单元20包括依次级联的第一有源反馈网络21、次级放大网络22以及第二有源反馈网络23。
第一有源反馈网络21、次级放大网络22以及第二有源反馈网络23均为差分结构。可以理解，第一有源反馈网络21、次级放大网络22以及第二有源反馈网络23均需要直流供电。具体地，需要对网络中晶体管的栅极和漏极进行供电。
第一有源反馈网络21与第二有源反馈网络23均构成负阻产生网络，使得第一有源反馈网络21与第二有源反馈网络23的输入阻抗的实部为负数。
具体地，单向化功率增益U又称为Mason不变量，是一个在无损耗、线性、互易嵌入下不发生改变的不变量。其中，单向化功率增益 U 可以表示为：
；
其中，、/>、/>和/>为放大器单元的Y参数，Y参数是导纳参数，相比于Z参数，互为倒数。
在本申请的一些实施例中，如图2所示，第一有源反馈网络或第二有源反馈网络的输入阻抗可以由下述方程式计算得到：
；
其中，、/>、/>、/>为有源反馈网络的Z参数，/>为有源反馈网络的输出端开路时，输入端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的输出端开路时，输出端对输入端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输入端对输出端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输出端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的负载阻抗。
通过选择合适的负载阻抗或调整有源反馈网络的Z参数，使有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数，其中的输入导纳的实部也为负数，这样就构成了一个负阻产生网络，再把该负阻产生网络并联到次级放大单元上，引导放大器单元的导纳参数和/>减小，从而减小U分母上的值，达到提高U的目的。
具体地，第一有源反馈网络和第二有源反馈网络并联到放大器单元上，并联前的次级放大器网络的Y参数为，所并联的有源反馈网络的导纳参数为/>，整个二端口放大器网络Y参数的关系可以表示为：
；
其中，、/>、/>、/>为放大器单元自身的Y参数，/>是并联到二端口放大器网络输入端的有源反馈网络的导纳，/>是并联到二端口放大器网络输出端的有源反馈网络的导纳。
在太赫兹放大器的设计优化中，共轭匹配增益、/>、/>设计方法均以U为对比和参考指标，其中，/>和/>均与U有关，/>更是只与U有关：
；
；
其中，K（Rollet Stability Factor、K-factor）是稳定因子。
本申请利用第一有源反馈网络和第二有源反馈网络，在放大器单元前后形成负阻产生网络，从而提高单向化功率增益U的值。
在本申请的一些实施例中，请参阅图3，次级放大网络22可以包括第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2。
输入端直流偏置单元10可以包括第一直流电源VGS、第一电感L1和第二电感L2。
输出端直流偏置单元30可以包括第二直流电源VDS、第三电感L3和第四电感L4。
第一NMOS晶体管M1的源极接地，栅极连接至二端口放大器网络的第一输入端，并通过第一电感L1连接至第一直流电源VGS，漏极连接至二端口放大器网络的第一输出端，并通过第三电感L3连接至第二直流电源VDS。
第二NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至二端口放大器网络的第二输入端，并通过第二电感L2连接至第一直流电源VGS，漏极连接至二端口放大器网络的第二输出端，并通过第四电感L4连接至第二直流电源VDS。
在本申请的一些实施例中，请参阅图3，第一有源反馈网络21可以包括第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4。
第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的源极均接地。
第三NMOS晶体管M3的第二极P2连接至第四NMOS晶体管M4的第一极P1。
第四NMOS晶体管M4的第二极P2连接至第三NMOS晶体管M3的第一极P1。
第三NMOS晶体管M3的第一极P1连接至二端口放大器网络的第一输入端。
第四NMOS晶体管M4的第一极P1连接至二端口放大器网络的第二输入端。
同样地，第二有源反馈网络23包括第五NMOS晶体管M5和第六NMOS晶体管M6。
第五NMOS晶体管M5和第六NMOS晶体管M6的源极均接地。
第五NMOS晶体管M5的第二极P2连接至第六NMOS晶体管M6的第一极P1。
第六NMOS晶体管M6的第二极P2连接至第五NMOS晶体管M5的第一极P1。
第五NMOS晶体管M5的第一极P1连接至二端口放大器网络的第一输出端。
第六NMOS晶体管M6的第一极P1连接至二端口放大器网络的第二输出端。
其中，由于NMOS晶体管包含源极、栅极和漏极，那么，可以理解该第一极P1和第二极P2的情况可以为：
第一极P1为栅极，第二极P2为漏极，
或者，
第一极P1为漏极，第二极P2为栅极。
在本申请的一些实施例中，请参阅图4，第一极P1为栅极，第二极P2为漏极。
第一有源反馈网络21还可以包括第一电容C1、第二电容C2、第五电感L5、第六电感L6及第一阻抗Z1。
第三NMOS晶体管M3的漏极通过第一电容C1连接至第四NMOS晶体管M4的栅极。
第四NMOS晶体管M4的漏极通过第二电容C2连接至第三NMOS晶体M3管的栅极。
第三NMOS晶体管M3的漏极通过第一阻抗Z1连接至第四NMOS晶体管M4的漏极。
第三NMOS晶体管M3的漏极通过第五电感L5连接至第一直流电源VGS。
第四NMOS晶体管M4的漏极通过第六电感L6连接至第一直流电源VGS。
在本申请的一些实施例中，请参阅图4，第二有源反馈网络23还可以包括第三电容C3、第四电容C4、第七电感L7、第八电感L8以及第二阻抗Z2。
第五NMOS晶体管M5的漏极通过第三电容C3连接至第六NMOS晶体管M6的栅极。
第六NMOS晶体管M6的漏极通过第四电容C4连接至第五NMOS晶体管M5的栅极。
第五NMOS晶体管M5的漏极通过第二阻抗Z2连接至第六NMOS晶体管M6的漏极。
第五NMOS晶体管M5的漏极通过第七电感L7连接至第一直流电源VGS。
第六NMOS晶体管M6的漏极通过第八电感L8连接至第一直流电源VGS。
在本申请的一些实施例中，请参阅图5，第一极P1为漏极，第二极P2为栅极。
第一有源反馈网络21还包括第一电容C1、第二电容C2、第五电感L5、第六电感L6以及第一阻抗Z1。
第三NMOS晶体管M3的漏极通过第一电容C1连接至第四NMOS晶体管M4的栅极。
第四NMOS晶体管M4的漏极通过第二电容C2连接至第三NMOS晶体管M3的栅极。
第三NMOS晶体管M3的栅极通过第一阻抗Z1连接至第四NMOS晶体管M4的栅极。
第三NMOS晶体管M3的栅极通过第五电感L5连接至第一直流电源VGS。
第四NMOS晶体管M4的栅极通过第六电感L6连接至第一直流电源VGS。
在本申请的一些实施例中，请参阅图5，第二有源反馈网络23还可以包括第三电容C3、第四电容C4、第七电感L7、第八电感L8以及第二阻抗Z2。
第五NMOS晶体管M5的漏极通过第三电容C3连接至第六NMOS晶体管M6的栅极。
第六NMOS晶体管M6的漏极通过第四电容C4连接至第五NMOS晶体管M5的栅极。
第五NMOS晶体管M5的栅极通过第二阻抗Z2连接至第六NMOS晶体管M6的栅极。
第五NMOS晶体管M5的栅极通过第七电感L7连接至第一直流电源VGS。
第六NMOS晶体管M6的栅极通过第八电感L8连接至第一直流电源VGS。
在产生负阻网络的设计过程中，具体可以在平面上选取需要的负载导纳。对于可以表示为如下的圆：
；
其中，可以由下述方程式计算得到：
；
其中，表示当所有端口接有匹配负载时，向i端口看去的反射系数；/>表示当所有其他端口接有匹配负载时，从j端口到i端口的传输系数。具体地，/>表示当所有端口接有匹配负载时，向1端口看去的反射系数；/>表示当所有端口接有匹配负载时，向2端口看去的反射系数；/>表示当所有其他端口接有匹配负载时，从2端口到1端口的传输系数；表示当所有其他端口接有匹配负载时，从1端口到2端口的传输系数。
上式代表负载反射系数平面上的圆，结合大于或小于1的判断，可以确定负载反射系数平面上的稳定区域和不稳定区域。通过在不稳定区域选择合适的负载反射系数的值，可以使负阻产生网络的/>，从而获得负的输入阻抗。
基于此，在本申请的一些实施例中，第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3以及第四电容C4的值均为1pF，第一阻抗Z1以及第二阻抗Z2的值均为20kΩ，第一直流电源VGS为0.6v，第二直流电源VDS为0.9v。
在上述参数设置下以及在200GHz的情况下，图3所示二端口放大器网络计算出的U值为4.5389dB，图4所示二端口放大器网络计算出的U值为4.689dB，图5 所示二端口放大器网络计算出的U值为5.45203dB，单向化功率增益U的值相比没有反馈网络的增益2.5752dB有明显提升，具体地，其在不同频率下的对比图如图6所示。
综上所述：
本申请提供的可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，包括依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元。其中，所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端为所述放大器单元提供直流偏置电压；所述放大器单元包括依次级联的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；所述第一有源反馈网络、所述次级放大网络以及所述第二有源反馈网络均为差分结构的二端口网络；通过在负载系数平面的不稳定区域选择反射系数来设计有源反馈网络，使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，进而使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数。当所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数时，其中的Y参数和/>的实部也为负数，由于所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络为并联至二端口放大器网络的，从而使得二端口放大器网络的/>和/>减小，即减小了U的分母值，最终实现提高单向化功率增益U的目的。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间可以根据需要进行组合，且相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种可提升单向化功率增益U的二端口放大器网络，其特征在于，包括：
依次级联的输入端直流偏置单元、放大器单元以及输出端直流偏置单元；
所述输入端直流偏置单元和所述输出端直流偏置单元分别在输入端和输出端为所述放大器单元提供直流偏置电压；
所述放大器单元包括依次级联的第一有源反馈网络、次级放大网络以及第二有源反馈网络；
所述第一有源反馈网络、所述次级放大网络以及所述第二有源反馈网络均为差分结构的二端口网络；
所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络均构成负阻产生网络，使得所述第一有源反馈网络与所述第二有源反馈网络的输入阻抗的实部为负数；
所述次级放大网络包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；
所述输入端直流偏置单元包括第一直流电源、第一电感和第二电感；
所述输出端直流偏置单元包括第二直流电源、第三电感和第四电感；
所述第一NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端以及通过第一电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端以及通过第三电感连接至所述第二直流电源；
所述第二NMOS晶体管的源极接地，栅极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端以及通过第二电感连接至所述第一直流电源，漏极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端以及通过第四电感连接至所述第二直流电源。
2.根据权利要求1所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一有源反馈网络包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；
所述第三NMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管的源极均接地；
所述第三NMOS晶体管的第二极连接至所述第四NMOS晶体管的第一极；
所述第四NMOS晶体管的第二极连接至所述第三NMOS晶体管的第一极；
所述第三NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输入端；
所述第四NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输入端；
所述第二有源反馈网络包括第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管；
所述第五NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的源极均接地；
所述第五NMOS晶体管的第二极连接至所述第六NMOS晶体管的第一极；
所述第六NMOS晶体管的第二极连接至所述第五NMOS晶体管的第一极；
所述第五NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第一输出端；
所述第六NMOS晶体管的第一极连接至所述二端口放大器网络的第二输出端；
所述第一极和所述第二极分别为栅极和漏极，或者，所述第一极和所述第二极分别为漏极和栅极。
3.根据权利要求2所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一极为栅极，所述第二极为漏极；
所述第一有源反馈网络还包括第一电容、第二电容、第五电感、第六电感以及第一阻抗；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过第一电容连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过第二电容连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过所述第一阻抗连接至所述第四NMOS晶体管的漏极；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过所述第五电感连接至所述第一直流电源；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过所述第六电感连接至所述第一直流电源。
4.根据权利要求3所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第二有源反馈网络还包括第三电容、第四电容、第七电感、第八电感以及第二阻抗；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过第三电容连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第四电容连接至所述第五NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过所述第二阻抗连接至所述第六NMOS晶体管的漏极；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过所述第七电感连接至所述第一直流电源；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第八电感连接至所述第一直流电源。
5.根据权利要求2所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一极为漏极，所述第二极为栅极；
所述第一有源反馈网络还包括第一电容、第二电容、第五电感、第六电感以及第一阻抗；
所述第三NMOS晶体管的漏极通过第一电容连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第四NMOS晶体管的漏极通过第二电容连接至所述第三NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的栅极通过所述第一阻抗连接至所述第四NMOS晶体管的栅极；
所述第三NMOS晶体管的栅极通过所述第五电感连接至所述第一直流电源；
所述第四NMOS晶体管的栅极通过所述第六电感连接至所述第一直流电源。
6.根据权利要求5所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第二有源反馈网络还包括第三电容、第四电容、第七电感、第八电感以及第二阻抗；
所述第五NMOS晶体管的漏极通过第三电容连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第六NMOS晶体管的漏极通过所述第四电容连接至所述第五NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的栅极通过所述第二阻抗连接至所述第六NMOS晶体管的栅极；
所述第五NMOS晶体管的栅极通过所述第七电感连接至所述第一直流电源；
所述第六NMOS晶体管的栅极通过所述第八电感连接至所述第一直流电源。
7.根据权利要求4或6所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容以及所述第四电容的值均为1pF；所述第一阻抗以及所述第二阻抗的值均为20kΩ。
8.根据权利要求7所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一直流电源为0.6v，所述第二直流电源为0.9v。
9.根据权利要求1所述的二端口放大器网络，其特征在于，所述第一有源反馈网络或所述第二有源反馈网络的输入阻抗由下述方程式计算得到：
；
其中，为有源反馈网络的输入阻抗，/>、/>、/>、/>为有源反馈网络的Z参数，为有源反馈网络的输出端开路时，输入端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的输出端开路时，输出端对输入端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输入端对输出端的转移阻抗；/>为有源反馈网络的输入端开路时，输出端的输入阻抗；/>为有源反馈网络的负载阻抗。
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