CN116435732A - 一种高隔离度的硅基半导体滤波器 - Google Patents
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- CN116435732A CN116435732A CN202310479487.5A CN202310479487A CN116435732A CN 116435732 A CN116435732 A CN 116435732A CN 202310479487 A CN202310479487 A CN 202310479487A CN 116435732 A CN116435732 A CN 116435732A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 98
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 36
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 36
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/40—Arrangements for reducing harmonics
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Abstract
本发明提出了一种高隔离度的硅基半导体滤波器，属于滤波器的技术领域，用以解决现有滤波器结构复杂的技术问题。本发明硅基半导体滤波器包括由下至上依次设置的硅基底、下包层、芯层和上包层；所述芯层为若干个DC耦合器组成的n级级联结构，2≤n≤5，即在硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器为第1级，此后每个DC耦合器上串联两个DC耦合器，在硅基半导体滤波器的输出端设有2(n‑1)个DC耦合器为第n级。本发明型结构采用无源器件代替滤波片，具备结构简单、集成度高、制备成本低、测试容易等优势。为实现多波段划分出更多的波段用来传输信息提供一种简单可靠的可行性结构方案。
Description
技术领域
本发明属于滤波器的技术领域，尤其涉及一种高隔离度的硅基半导体滤波器。
背景技术
滤波器器件主要以滤波片为主体，通过控制光源发射光信号，所述光信号的波长与滤波片反射光波长相同或者与透射光波长相同；当光源发射光信号的波长与滤波片反射光波长相同时，接收电流测量模块测量到的电流值并根据该电流值以及在未放罝滤波片时测量得到的最大电流值计算滤波片的隔离度值，当光源发射光信号的波长与滤波片透射光波长相同时，接收电流测量模块测量到的电流值并根据该电流值以及在未设置滤波片时测量得到的最大电流值计算滤波片的输入光损耗值。
专利公开号CN109991700A公开了一种微环集成的阵列波导光栅波分复用器，该微环集成的阵列波导光栅波分复用器，从下至上包括硅衬底、隔离层、波导层、上包层、加热电极和电极引线，所述波导层包括阵列波导光栅、若干个传输波导和若干个微环谐振滤波器，阵列波导光栅中设有若干个输出波导，每个输出波导均通过一个传输波导连接一个微环谐振滤波器，阵列波导光栅中若干个输出波导依次通过若干个传输波导连接若干个微环谐振滤波器组成微环集成的阵列波导光栅波分复用器。该专利通过AWG进行一次滤波、微环谐振滤波器进行二次滤波得到优异的串扰特性，同时确保器件的总损耗与单个AWG相当。但是该波分复用器的结构复杂，进一步提高隔离度困难，并且需要在波导层中单独设置微环谐振滤波器，制作成本较高。
发明内容
针对上述技术问题，本发明提出一种高隔离度的硅基半导体滤波器，具有结构简单、隔离度高、集成度高和制备成本低的特点。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，包括由下至上依次设置的硅基底、下包层、芯层和上包层；所述芯层为若干个DC耦合器组成的n级级联结构，2≤n≤5，即在硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器为第1级，此后每个DC耦合器上串联两个DC耦合器，在硅基半导体滤波器的输出端设有2(n-1)个DC耦合器为第n级。根据输入波混合波长的个数，可以合理选择DC耦合器的级数。其级数代表过滤次数，因此可以通过提高级联的级数提高隔离度。
所述DC耦合器由两条镜像设置的波导Ⅰ和波导Ⅱ组成，波导Ⅰ和波导Ⅱ的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器其中一个波导输出后进入下级DC耦合器的其中一根波导，再次进行耦合分波过滤。
所述DC耦合器中两条波导均由首尾一体成形的输入波导、耦合波导和输出波导组成。
所述输入波导包括一体成形的输入直波导和输入弯曲波导；输出波导包括一体成形的输出直波导和输出弯曲波导；耦合波导的两端分别与输入弯曲波导和输出弯曲波导连接。
所述输入波导为输入弯曲波导；所述输出波导为输出弯曲波导。所述硅基半导体滤波器在输入端和输出端还设有直波导。通过输出弯曲波导和输入弯曲波导，实现波导Ⅰ和波导Ⅱ两端相互分离，中间段相互耦合；并且通过调控输出弯曲波导和输入弯曲波导的弯曲角度，可以调控两根波导间的输入间距和输出间距。
所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器中的输入弯曲波导与一段直波导连接；所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器中的输出弯曲波导与一段直波导连接，不同级的DC耦合器之间输出弯曲波导与输入弯曲波导一体成型。
在此需要说明的是，一级结构的DC耦合器中波导Ⅰ和波导Ⅱ均可有光波接入，在后级的一个DC耦合器波导Ⅰ和波导Ⅱ中，至少有一根与上级输出波导连接，而另一根波导中的输入波导可不与上级结构连接，此波导不起到输入光波的作用，但可进行耦合分光，也可输出光波。
所述波导Ⅰ和波导Ⅱ为脊型波导，波导Ⅰ的宽度为2-4um，波导Ⅱ的宽度为2-4um。
所述DC耦合器中波导Ⅰ和波导Ⅱ在输入波导端的输入间距为100-500um，在输出波导端的输出间距为100-500um。
优选的，DC耦合器中波导Ⅰ和波导Ⅱ在输入波导端的输入间距与在输出波导端的输出间距相等，均为127um或250um。
所述硅基半导体滤波器的输出端在相邻DC耦合器中相邻两根波导的间距为100-500um。
优选的，硅基半导体滤波器的输出端在相邻DC耦合器中相邻两根波导的间距与DC耦合器中波导Ⅰ和波导Ⅱ在输出波导端的输出间距相等。
所述下包层的材料为二氧化硅；上包层的材料为掺锗/硼二氧化硅；芯层的材料为掺锗/硼二氧化硅。根据芯层中DC耦合器的级数和尺寸，可以对硅基半导体滤波器的尺寸进行合理调控。
本发明的有益效果：本发明型结构采用无源器件代替滤波片，相较于微环谐振滤波器阵列无需通过热光/电光效应，直接在硅基衬底上集成滤波结构，通过调控DC耦合器的结构及串联个数实现滤波及多波长输出。所制备半导体滤波器具备结构简单、集成度高、制备成本低、测试容易等优势，隔离度高达30dB，且损耗小于1dB。为实现多波段划分出更多的波段用来传输信息提供一种简单可靠的方案。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为硅基半导体滤波器的截面示意图。
图2为芯层的结构示意图。
图3为实施例1和2所述硅基半导体滤波器的结构及工作示意图。
图4为实施例3和4所述硅基半导体滤波器的结构及工作示意图。
图5为实施例5所述硅基半导体滤波器的结构及工作示意图。
图中，1、硅基底；2、下包层；3、芯层；31、直波导；4、上包层；5、DC耦合器；6、波导Ⅰ；7、波导Ⅱ；8、输入波导；81、输入直波导；82、输入弯曲波导；9、耦合波导；10、输出波导；101、输出直波导；102、输出弯曲波导。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图1和2所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为若干个DC耦合器5组成的n级级联结构，2≤n≤5，在具体的实施例中，n为2、3、4、5等整数。即在硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，此后每个DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2(n-1)个耦合器为第n级。根据输入混合波长中波的个数，可以合理选择DC耦合器5的级数，提高隔离度。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。
所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8包括一体成形的输入直波导81和输入弯曲波导82；输出波导10包括一体成形的输出直波导101和输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述输入波导8为输入弯曲波导82；所述输出波导10为输出弯曲波导102。通过输出弯曲波导102和输入弯曲波导82，实现波导Ⅰ6和波导Ⅱ7两端相互分离，中间段相互耦合；并且通过调控输出弯曲波导102和输入弯曲波导82的曲率半径，可以调控两根波导间的输入间距和输出间距。
所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，不同级的DC耦合器5之间输出弯曲波导102与输入弯曲波导82一体成型。
在此需要说明的是，一级结构的DC耦合器5中波导Ⅰ6和波导Ⅱ7均可有光波接入，在后级的一个DC耦合器5波导Ⅰ6和波导Ⅱ7中，至少有一根与上级输出波导10连接，而另一根波导中的输入波导8可不与上级结构连接，此波导不起到输入光波的作用，但可进行耦合分光，也可输出光波。因此，在一些实施例中，DC耦合器5的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7中，最多有一根是可以不设置输入波导8。此时DC耦合器5的结构：波导Ⅰ6或波导Ⅱ7由输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成，另一根由耦合波导9和输出波导10组成。
所述波导Ⅰ6和波导Ⅱ7为脊型波导，波导Ⅰ6的宽度为2-4um，波导Ⅱ7的宽度为2-4um。
所述DC耦合器5中波导Ⅰ6和波导Ⅱ7在输入波导8端的输入间距为100-500um，在输出波导10端的输出间距为100-500um。
所述硅基半导体滤波器的输出端在相邻DC耦合器5中相邻两根波导的间距为100-500um。
优选的，硅基半导体滤波器的输出端在相邻DC耦合器5中相邻两根波导的间距与DC耦合器5中波导Ⅰ6和波导Ⅱ7在输出波导10端的输出间距相等。
所述下包层2的材料为二氧化硅；上包层4的材料为掺锗/硼二氧化硅；芯层的材料为掺锗/硼二氧化硅。，根据芯层3中DC耦合器5的级数和尺寸，可以对硅基半导体滤波器的尺寸进行合理调控。
实施例1
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和3所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8为输入弯曲波导82，输出波导10为输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；同样，所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，其他参数如表1所示。
表1实施例1硅基半导体滤波器的结构参数
随后，对本实施例制备硅基半导体滤波器进行性能测试，结果如2所示。
两束不同波长的光(1270nm和1342nm)从左边输入端CH-5进入波导，经过两级的耦合区，使得1270nm波长的光从CH-2端口输出，1342nm波长的光从CH-4端口输出，且两波长的隔离度高达30dB，CH-2和CH-4输出损耗都小于1dB。
表2不同波长下各个通道的损耗/dB
实施例2
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和3所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8为输入弯曲波导82，输出波导10为输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；同样，所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，其他参数如表3所示。
表3实施例2硅基半导体滤波器的结构参数
随后，对本实施例制备硅基半导体滤波器进行性能测试，结果如4所示。
两束不同波长的光(1270nm和1342nm)从左边输入端进入波导，经过两级的耦合区，使得1270nm波长的光从CH-2端口输出，1342nm波长的光从CH-4端口输出，且两波长的隔离度高达30dB，CH-2和CH-4输出损耗都小于1dB。
表4不同波长下各个通道的损耗/dB
实施例3
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和4所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8包括一体成形的输入直波导81和输入弯曲波导82；输出波导10包括一体成形的输出直波导101和输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。其他参数如表5所示。
表5实施例3硅基半导体滤波器的结构参数
实施例4
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和4所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8包括一体成形的输入直波导81和输入弯曲波导82；输出波导10包括一体成形的输出直波导101和输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。其他参数如表6所示。
表6实施例4硅基半导体滤波器的结构参数
实施例5
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和5所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为7个DC耦合器5组成的3级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5形成2级结构，2级结构的两个DC耦合器5上串联4个DC耦合器5形成3级结构。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8为输入弯曲波导82，输出波导10为输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；同样，所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，其他参数如表7所示。
表7实施例5硅基半导体滤波器的结构参数
实施例6
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和3所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8为输入弯曲波导82，输出波导10为输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；同样，所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，其他参数如表8所示。
表8实施例6硅基半导体滤波器的结构参数
实施例7
一种高隔离度的硅基半导体滤波器，如图2和3所示，包括由下至上依次设置的硅基底1、下包层2、芯层3和上包层4；所述芯层3为3个DC耦合器5组成的2级级联结构，硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器5为第1级，在第1级的DC耦合器5上串联两个DC耦合器5，在硅基半导体滤波器的输出端设有2个耦合器为第2级。
所述DC耦合器5由两条镜像设置的波导Ⅰ6和波导Ⅱ7组成，波导Ⅰ6和波导Ⅱ7的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器5中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器5其中一条波导连接，形成串联结构，当光波从DC耦合器5其中一个波导输出后进入下级DC耦合器5的其中一根波导，再次进行耦合分波。所述DC耦合器5中两条波导均由首尾一体成形的输入波导8、耦合波导9和输出波导10组成。
所述输入波导8为输入弯曲波导82，输出波导10为输出弯曲波导102；耦合波导9的两端分别与输入弯曲波导82和输出弯曲波导102连接。所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器5中的输入弯曲波导82与一段直波导31连接；同样，所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器5中的输出弯曲波导102与一段直波导31连接，其他参数如表9所示。
表9实施例7硅基半导体滤波器的结构参数
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，包括由下至上依次设置的硅基底(1)、下包层(2)、芯层(3)和上包层(4)；所述芯层(3)为若干个DC耦合器(5)组成的n级级联结构，2≤n≤5，即在硅基半导体滤波器的输入端设有一个DC耦合器(5)为第1级，此后每个DC耦合器(5)上串联两个DC耦合器(5)，在硅基半导体滤波器的输出端设有2(n-1)个DC耦合器(5)为第n级。
2.根据权利要求1所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述DC耦合器(5)由两条镜像设置的波导Ⅰ(6)和波导Ⅱ(7)组成，波导Ⅰ(6)和波导Ⅱ(7)的两端相互分离呈Y型分支结构，中间段相互耦合；每个DC耦合器(5)中的两条波导分别与下级结构的两个DC耦合器(5)其中一条波导连接，上下级之间形成串联结构。
3.根据权利要求2所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述DC耦合器(5)中两条波导均由一体成形的输入波导(8)、耦合波导(9)和输出波导(10)组成。
4.根据权利要求3所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述输入波导(8)包括一体成形的输入直波导(81)和输入弯曲波导(82)；输出波导(10)包括一体成形的输出直波导(101)和输出弯曲波导(102)；耦合波导(9)的两端分别与输入弯曲波导(82)和输出弯曲波导(102)连接。
5.根据权利要求3所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述输入波导(8)为输入弯曲波导(82)；所述输出波导(10)为输出弯曲波导(102)；所述硅基半导体滤波器在输入端和输出端还设有直波导(31)。
6.根据权利要求5所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述硅基半导体滤波器的输入端的DC耦合器(5)中的输入弯曲波导(82)与直波导(31)连接；所述硅基半导体滤波器的输出端的DC耦合器(5)中的输出弯曲波导(102)与直波导(31)连接。
7.根据权利要求2-6任一项所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述波导Ⅰ(6)和波导Ⅱ(7)为脊型波导，波导Ⅰ(6)的宽度为2-4um，波导Ⅱ(7)的宽度为2-4um。
8.根据权利要求7所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述DC耦合器(5)中波导Ⅰ(6)和波导Ⅱ(7)在输入波导(8)端的输入间距为100-500um，在输出波导(10)端的输出间距为100-500um。
9.根据权利要求8所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述硅基半导体滤波器的输出端在相邻DC耦合器(5)中相邻两根波导的间距为100-500um。
10.根据权利要求1所述的高隔离度的硅基半导体滤波器，其特征在于，所述下包层(2)的材料为二氧化硅；上包层(4)的材料为掺锗/硼二氧化硅；芯层(3)的材料为掺锗/硼二氧化硅。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310479487.5A CN116435732A (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 一种高隔离度的硅基半导体滤波器 |
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