CN116404389A - 应用于微波组件的微同轴宽带耦合器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，涉及微波电路领域。本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质；内导体的数量为2，均位于外导体之内；支撑介质用于固定内导体；内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能；微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。本发明通过采用矩形微同轴的结构形式，构建了Ku波段的微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量，并且该耦合器通过平行耦合线的结构实现定向耦合功能。
Description
技术领域
本发明涉及微波电路领域，具体涉及一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器。
背景技术
耦合器是通信系统中的重要无源器件，在检波器和混频器等电路设计中发挥着关键作用。现有的Ku波段(12GHz～18GHz)的微带结构或者芯片耦合器，一般存在尺寸较大、工作带宽较窄，功率容量小、高频损耗较大、耦合平坦度差等以上某些缺点，在一些高性能使用场景受到限制。
同时，随着电子科学技术的不断发展，电子信息系统如移动终端、雷达装备等都朝着小型化、轻量化和更高性能方向发展，射频微系统概念应运而生。射频微系统主要针对雷达、电子对抗等军事领域以及卫星通讯、移动通信、物联网等民用领域内一体化射频前端、有源阵面等小型化、轻量化、多功能的应用需求，采用以微纳加工技术为代表的微系统集成工艺技术，其中，微同轴技术是射频微系统发展的方向之一。
因此，亟需构建一种微同轴宽带耦合器，用于降低Ku波段耦合器的损耗、提升其功率容量和耦合平坦度。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，用于降低Ku波段耦合器的损耗、提升其功率容量和耦合平坦度。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
在本发明的第一方面，提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，所述微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质；
所述内导体的数量为2，均位于所述外导体之内；所述支撑介质用于固定所述内导体；
所述内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能；
所述微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，所述耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。
可选的，所述微同轴宽带耦合器包括四个端口，分别为输入端口，直通端口，耦合端口，隔离端口；
所述隔离端口的底座处设置有50Ω的芯片电阻，所述内导体通过金丝键合方式与所述芯片电阻连接。
可选的，所述输入端口、直通端口和耦合端口均采用地-信号-地结构，基于金丝键合的方式与外部电路互连。
可选的，所述输入端口、直通端口和耦合端口处内导体的下方分别设置一块矩形铜柱；
其中，所述矩形铜柱的体积为50um×50um×50um；所述矩形铜柱的中心位置，距离其所在端口定点的纵向距离为50um-150um；
所述矩形铜柱与内导体之间设置有具备绝缘性的支撑介质，作为绝缘介质；所述矩形铜柱的横向截面积与所述绝缘介质的横向截面积相同。
可选的，所述隔离端口处的内导体基于金丝键合方式与50Ω芯片电阻连接；所述50Ω芯片电阻与外导体之间设置有矩形铜块；所述50Ω芯片电阻贴装于所述矩形铜块上方；所述隔离端口处内导体的下方设置有具备绝缘性的支撑介质和圆形铜柱。
可选的，耦合部位的长度近似为Ku波段中心波长的1/4，具体范围为所述中心波长的3/16至5/16。
可选的，所述内导体的外侧边缘与所述外导体的内侧边缘之间的距离分别为50um、100um；
2个内导体之间的最短距离为146um；
所述外导体的厚度为100um；所述内导体的宽度为95um；所述内导体的厚度为100um；所述两个内导体的耦合距离为126um；所述内导体垂直弯折处的倒角长度为100um。
可选的，所述耦合器的四个端口的支撑介质为方块形，其余部分支撑介质为工字型；
其中，所述工字型支撑介质穿过内导体后，两端嵌入外导体侧壁。
可选的，支撑介质的排列间隔设计为0.7mm；
所述外导体的两侧上下分别进行周期性开孔。
可选的，所述微同轴宽带耦合器还包括由内导体和外导体组成的矩形同轴结构单元。
(三)有益效果
本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器。与现有技术相比，具备以下有益效果：
本发明提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，所述微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质；内导体的数量为2，均位于所述外导体之内；支撑介质用于固定所述内导体；所述内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能；所述微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，所述耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。本发明通过采用矩形微同轴的结构形式，构建了Ku波段的微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量，并且该耦合器通过平行耦合线的结构实现定向耦合功能，使得该耦合器的横向尺寸不受四分之一波长的限制，使得其尺寸可以进一步减小。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的结构示意图；
图2为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的耦合部位的结构示意图；
图3为本发明提供的耦合部位横截面的尺寸示意图；
图4为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的立体示意图；
图5为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器GSG端口的结构示意图；
图6为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器隔离端口的结构示意图；
图7为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的电性能指标结果图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例通过提供一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，通过采用矩形微同轴的结构形式，构建了Ku波段的微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量，并且该耦合器通过平行耦合线结构实现耦合功能，使得该耦合器的横向尺寸不受四分之一波长的限制，使得其尺寸可以进一步减小。
本发明实施例中的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
现有技术中，基于PCB或者半导体工艺制作的耦合器属于半开放结构，其传输损耗、带宽、电磁泄露及功率容量等性能已经到达极致。为了进一步扩展耦合器的工作带宽和功率容量、降低耦合器的插入损耗和耦合度波动，更好的发挥射频微系统的优势，本发明提出一种基于微同轴加工工艺的高屏蔽、低色散、超宽带的微同轴宽带耦合器。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
微同轴传输线是一种近乎完全屏蔽的高频、宽带传输结构，具备良好的电气特性、导热特性和微纳集成优势。在传统薄膜电路工艺基础上，结合MEMS工艺，可制作出尺寸微细的空气矩形同轴结构。将数个甚至数百上千个空气矩形同轴结构集成，即可构建出各种新型三维高频微互联器件及基板，实现器件级及系统级功能。
本发明基于矩形微同轴技术设计了一款Ku波段(12GHz～18GHz)微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器具有高电磁屏蔽、超低损耗、超低耦合波动、高功率容量和超宽带的优异性能。
参见图1，图1为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的结构示意图。如图1所示，该微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质。
其中，外导体和内导体的材质均为金属，具体为高纯度金属铜。支撑介质的材质为光刻胶SU-8。
内导体的数量为2，均位于外导体之内；支撑介质用于固定所述内导体。
所述内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能。
所述微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，所述耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。
本发明实施例提供了一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，通过采用矩形微同轴的结构形式，构建了Ku波段的微同轴宽带耦合器，相比于一般微带结构耦合器，具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量，并且该耦合器通过平行耦合线结构实现耦合功能，使得该耦合器的横向尺寸不受四分之一波长的限制，尺寸可以进一步减小。
在一些实施例中，该微同轴宽带耦合器还包括四个端口，分别为输入端口，直通端口，耦合端口，隔离端口。
所述隔离端口的底座处设置有50Ω的芯片电阻，所述内导体通过金丝键合方式与所述芯片电阻连接。
如图1所示，该微同轴宽带耦合器包括分为1、2、3、4的四个端口，分别对应为输入端口，直通端口，耦合端口，隔离端口。
其中，1至2端口为微波信号的直通路径，1至3端口为微波信号的耦合路径，1至4端口为隔离路径。
此外，4端口需连接50Ω芯片电阻的匹配负载。具体的连接方法为：在4端口底座处粘接50Ω芯片电阻，4端口的内导体通过金丝键合方式与芯片电阻连接。
该微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位。其中，耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。基于两根内导体的电磁耦合，实现Ku频段耦合度、隔离度等指标设计。参见图2、图3，图2为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的耦合部位的结构示意图，图3为本发明提供的耦合部位横截面的尺寸示意图。
如图2、图3所示，该耦合部位的内导体和外导体均上下、左右对称。该微同轴宽带耦合器的耦合部位的关键尺寸参数分别包括：内导体的外侧边缘与外导体的内侧边缘之间的距离为G1和G3、内导体之间的最短距离为G2、外导体的厚度为T1、内导体的宽度为W1、内导体的厚度为T2、两个内导体的耦合距离为L1、所述内导体垂直弯折处的倒角长度为W2。
值得注意的是，可通过对上述关键尺寸参数的数值调整，从而使得微同轴宽带耦合器满足其所需耦合度、隔离度、插损等指标。
根据耦合线理论，L1的初始数值一般取Ku波段中心波长的1/4，G1、G2、G3、T1、T2、W1组合确定耦合部位的奇偶模特征阻抗，从而确定该微同轴宽带耦合器的耦合度和端口匹配情况。
一种实现方式中，通过建模仿真优化以上参数。具体的，L1的初始数值设置为Ku波段中心波长的1/4，根据微纳加工工艺的参考设计、对电指标和工艺规则要求，对上述关键尺寸参数进行建模仿真优化。因此最终耦合部位L1的长度近似为Ku波段中心波长的1/4，具体范围为所述中心波长的3/16至5/16。
一种实现方式中，关键尺寸参数的具体数值可参见表1。
表1微同轴宽带耦合器耦合部位的关键尺寸参数
| G1 | G2 | W1 | W2 | L1 | T1 | T2 | G3 |
| 50um | 146um | 95um | 100um | 126um | 100um | 100um | 100um |
矩形微同轴宽带耦合器的性能主要由内外导体组成的结构确定。耦合部位决定耦合器的耦合度，内、外导体的组合尺寸确定传输TEM模的特征阻抗，内导体的结构尺寸以及与外导体的间距设计对信号传输和耦合性能起到关键作用。
根据12GHz～18GHz宽带微波信号的特点，本发明提供的微同轴宽带耦合器对内外导体的尺寸参数和间距进行了精心设计(如表1)，从而保证了在Ku波段宽带微波信号应用环境下，该微同轴宽带耦合器内微波信号的直通插损小于0.2dB，耦合端口的全频段耦合误差在±0.3dB之间。
该微同轴宽带耦合器主要由内外导体组成的矩形同轴结构单元组成。由于电磁波在真空或空气中几乎没有传输损耗，考虑到极大地降低微波信号在耦合器内部的传输损耗，内外导体之间为空气填充，因此内导体处于悬空状态，需要物体支撑。
本发明的微同轴宽带耦合器的四个端口采用方块形支撑介质，其余部分使用“工”字型支撑介质。该支撑介质的材料是化学稳定性较好的SU-8光刻胶。此外，支撑介质穿过内导体后两端嵌入外导体侧壁上，从而起到对悬空内导体的固定支撑作用。
考虑到电磁场在微同轴宽带耦合器里的传输损耗以及对内导体的支撑强度，支撑介质的尺寸和排列密度需要折中考虑。因此，本发明中支撑介质的排列间隔设计为0.7mm。
此外，根据微纳加工工艺条件，微同轴宽带耦合器内外导体之间的空气腔在加工过程中会充满光刻胶，需要在生产过程的最后阶段剥离去除。因此在微同轴宽带耦合器的外导体上进行开腔。同时考虑到微波信号在该微同轴宽带耦合器内传输的屏蔽性和匹配性，其外导体两侧上下分别进行周期性开孔，从而可以很好的释放内腔的光刻胶残留物，并能保证信号的传输性能。
具体的，外导体采用体积0.2mm×0.2mm×0.2mm小立方体进行开孔，开孔的间距设计为0.7mm，并与支撑介质位置错开。其中，支撑介质和开孔的主要参数见表2。
表2支撑介质和开孔主要参数
| 支撑介质间隔 | 支撑介质数量 | 开孔间隔 | 开孔数量 |
| 0.7mm | 20个 | 0.7mm | 64个 |
本发明提供的微同轴宽带耦合器的形状结构可参见图4，图4为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的立体示意图。
本发明的微同轴宽带耦合器与传统同轴结构或其他微波传输耦合电路相比，其采用紫外线光刻与金属溅射的工艺实现，以及各个端口的阻抗值可以根据电路匹配的需求进行设计，而传统同轴电路阻抗值基本都是以50欧姆为匹配阻抗。
同时，传统同轴电路结构尺寸较大，其尺度至少在厘米量级，无法满足射频微系统集成，而基于微同轴的宽带耦合电路尺寸在微米或毫米级，可以通过调整端口参数和结构形式，与芯片进行集成和匹配。
参见图5，图5为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器GSG端口的结构示意图。如图5所示，在输入、直通端口(1、2端口)和耦合端口(3端口)均采用地-信号-地(GSG)结构，可通过金丝键合方式与外部电路互连。
由于支撑介质硬度低，进行金丝键合时其无法承受劈刀对内导体的压力，因此在上述三个端口处加入了矩形铜柱对内导体进行支撑，从而有效提升了金丝键合的可靠性。
一种实现方式中，在输入端口、直通端口和耦合端口处内导体的下方分别设置一块矩形铜柱，以加强对内导体的支撑效果。
其中，矩形铜柱的体积为50um×50um×50um；矩形铜柱的中心位置，距离其所在端口定点的纵向距离为50um-150um。基于上述处理，使得该微同轴宽带耦合器在保证金丝键合强度的同时，其电性能也达到最优。
此外，在矩形铜柱和内导体之间加入一层支撑介质，避免了内导体与外导体之间通过矩形铜柱造成短路。
一种实现方式中，矩形铜柱与内导体之间设置有具备绝缘性的支撑介质，作为绝缘介质；所述矩形铜柱的横向截面积与所述绝缘介质的横向截面积相同。基于上述处理，避免了该微同轴宽带耦合器的内导体和外导体直接短路，保障了其良好的耦合器性能。
在一些实施例中，所述隔离端口处的内导体基于金丝键合方式与50Ω芯片电阻连接；所述50Ω芯片电阻与外导体之间设置有矩形铜块；所述50Ω芯片电阻贴装于所述矩形铜块上方；所述隔离端口处内导体的下方设置有具备绝缘性的支撑介质和圆形铜柱，用于对内导体的可靠支撑。
参见图6，图6为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器隔离端口的结构示意图。如图6所示，隔离端口采用金丝键合的方式与50Ω芯片负载连接。其中，在外导体上设置有大面积矩形铜块，两者连为一体。50Ω芯片负载则通过导电胶或者铅锡焊等方式贴装在矩形铜块上。
同样地，隔离端口处的内导体下方制作支撑介质和圆形铜柱，和矩形铜块的支撑作用一起保证金丝键合的可靠性。
本发明的微同轴宽带耦合器在测试阶段，可适用于间距500um、350um、250um、150um、100um等规格的GSG探针测试。相应的，该微同轴宽带耦合器在使用阶段可通过采用金丝键合的方式，与芯片进行信号互联集成。其中，为了不影响微波信号的传输与耦合质量，改善匹配效果，端口GSG结构的尺寸需进行设计和仿真验证。
由上述内容可见，本发明提出了一种基于微纳加工工艺形式的矩形微同轴宽带耦合器。主要由金属内导体、金属外导体和内导体的支撑介质三部分构成。微同轴宽带耦合器还包括由内导体和外导体组成的矩形同轴结构单元。其中，该微同轴宽带耦合器在制作时所用的载体可以是硅晶圆、陶瓷基板或玻璃基板等。其制作生产过程如下：
首先通过光刻工艺和溅射，利用光刻胶做出所需微同轴宽带耦合器的结构。然后，利用金属种子层上的光刻胶模具电镀金属。最后将胶剥离，做出预先设计的多层立体金属结构。
此外，本发明的微同轴宽带耦合器的设计制作过程可包括：1、根据既定宽频段(即Ku波段)下的耦合度指标，利用电磁场和耦合线理论，设计微同轴宽带耦合器内、外导体结构初始值。2、根据微纳加工工艺实施的要求，设计满足电性能、结构应力、去胶等要求的支撑介质阵列和开孔阵列参数。3、针对耦合度、端口驻波、插损、隔离度等指标利用三维电磁仿真软件优化微同轴宽带耦合器的相应参数。4、利用微纳加工工艺进行光刻、电镀、再光刻、多次叠层、去胶等工序，完成微同轴宽带耦合器三维立体结构。
由上述内容可见，微同轴宽带耦合器实现了超低插损、高功率容量、高屏蔽性、超低耦合波动、超宽带的优异性能，并且体积缩小在毫米量级。
参见图7，图7为本发明提供的一种微同轴宽带耦合器的电性能指标结果图。如图7所示，通过对该微同轴宽带耦合器进行仿真测试，得到其电性能指标结果如下：在Ku波段(12GHz～18GHz)内的直通插损小于0.2dB，耦合度20±0.3dB，耦合波动仅±0.3dB，输出端口与耦合端口的隔离度在40dB以上，各个端口的驻波均在1.2以下。值得注意的是，本发明提供的微同轴宽带耦合器在Ku波段内具有极高的平坦度，耦合度为20±0.3dB，以及极低的直通插损为0.2dB。可见该微同轴宽带耦合器应用于Ku波段具有突破性的优点。
综上所述，与现有技术相比，本发明提供的微同轴宽带耦合器，具备以下有益效果：
1、体积小，使用微纳加工工艺实现微米级三维立体结构，最大长度几毫米，高度仅0.5mm以内。且随着工作频率升高，该微同轴宽带耦合器的尺寸可以进一步减小。相比于其他耦合器的分支线结构，本发明的微同轴宽带耦合基于平行耦合线结构，横向尺寸不受四分之一波长的限制，可以进一步减小尺寸。
2、本发明通过采用金属矩形微同轴结构，可以近乎完美传输TEM波，相比于一般微带结构耦合器具有更低的损耗和耦合波动，以及更高的功率容量。且微波信号在该微同轴宽带耦合器内反射极小，且几乎在空气和金属表面传输，介质损耗极低。
3、由于微波信号在微同轴宽带耦合器内部，以近似TEM波的模式传输，不会发生如传统微带线或带状线的频率色散现象，因此具有更宽的工作带宽和更低耦合波动。
4、本发明采用几乎全封闭的金属结构，避免了传统耦合电路的信号泄露与干扰的问题，尤其是在芯片级互联耦合的情况下，各个信号支路距离非常接近，解决了微尺寸范围内的微波毫米波信号隔离和抗干扰问题，具有更高的屏蔽性能。
5、本发明提供通过在微同轴宽带耦合器的端口进行改善设计，方便使用GSG探针进行测试，而且可通过金丝键合方式与与外围电路进行可靠的集成互连，使得该微同轴宽带耦合器更加易测试、易集成，可应用于T/R组件、变频组件等电路的功率耦合监测。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种应用于微波组件的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述微同轴宽带耦合器包括：内导体、外导体和支撑介质；
所述内导体的数量为2，均位于所述外导体之内；所述支撑介质用于固定所述内导体；
所述内导体和外导体共同构成微同轴结构，用于实现定向耦合功能；
所述微同轴宽带耦合器分为耦合部位和非耦合部位；其中，所述耦合部位中的内导体和外导体均上下、左右对称。
2.根据权利要求1所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，
所述微同轴宽带耦合器包括四个端口，分别为输入端口，直通端口，耦合端口，隔离端口；
所述隔离端口的底座处设置有50Ω的芯片电阻，所述内导体通过金丝键合方式与所述芯片电阻连接。
3.根据权利要求2所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述输入端口、直通端口和耦合端口均采用地-信号-地结构，基于金丝键合的方式与外部电路互连。
4.根据权利要求2所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述输入端口、直通端口和耦合端口处内导体的下方分别设置一块矩形铜柱；
其中，所述矩形铜柱的体积为50um×50um×50um；所述矩形铜柱的中心位置，距离其所在端口定点的纵向距离为50um-150um；所述矩形铜柱与内导体之间设置有具备绝缘性的支撑介质，作为绝缘介质；所述矩形铜柱的横向截面积与所述绝缘介质的横向截面积相同。
5.根据权利要求2所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述隔离端口处的内导体基于金丝键合方式与50Ω芯片电阻连接；所述50Ω芯片电阻与外导体之间设置有矩形铜块；所述50Ω芯片电阻贴装于所述矩形铜块上方；所述隔离端口处内导体的下方设置有具备绝缘性的支撑介质和圆形铜柱。
6.根据权利要求1所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，耦合部位的长度近似为Ku波段中心波长的1/4，具体范围为所述中心波长的3/16至5/16。
7.根据权利要求6所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述内导体的外侧边缘与所述外导体的内侧边缘之间的距离分别为50um、100um；
2个内导体之间的最短距离为146um；
所述外导体的厚度为100um；所述内导体的宽度为95um；所述内导体的厚度为100um；所述两个内导体的耦合距离为126um；所述内导体垂直弯折处的倒角长度为100um。
8.根据权利要求1所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述耦合器的四个端口的支撑介质为方块形，其余部分支撑介质为工字型；
其中，所述工字型支撑介质穿过内导体后，两端嵌入外导体侧壁。
9.根据权利要求8所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，支撑介质的排列间隔设计为0.7mm；
所述外导体的两侧上下分别进行周期性开孔。
10.根据权利要求1所述的微同轴宽带耦合器，其特征在于，所述微同轴宽带耦合器还包括由内导体和外导体组成的矩形同轴结构单元。
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| CN202310396105.2A CN116404389A (zh) | 2023-04-10 | 2023-04-10 | 应用于微波组件的微同轴宽带耦合器 |
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| CN116404389A true CN116404389A (zh) | 2023-07-07 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118431706A (zh) * | 2024-07-01 | 2024-08-02 | 电子科技大学(深圳)高等研究院 | 一种低损耗太赫兹正交混频器 |
| CN118431706B (zh) * | 2024-07-01 | 2024-10-22 | 电子科技大学(深圳)高等研究院 | 一种低损耗太赫兹正交混频器 |
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2023
- 2023-04-10 CN CN202310396105.2A patent/CN116404389A/zh active Pending
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