CN116366180B - 具有多种时间校准模式的wcn芯片数据交互电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，基带芯片模块输出驱动信号和触发信号。晶体模块基于驱动信号输出时钟信号，收发芯片模块基于时钟信号输出校准信号。射频模块将校准信号传输于外部综测仪，射频模块将结果信号传输于收发芯片模块，射频模块基于触发信号加热收发芯片模块。输出电路模块将校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对校准信号进行检测以生成结果信号。输入电路模块将结果信号输出于收发芯片模块，加热电路模块基于触发信号加热收发芯片模块。基于外部综测仪输出的结果信号，收发芯片模块对时钟信号进行校准以生成标准时钟信号，WCN芯片模块基于标准时钟信号与基带芯片模块双向传输数据信号。

Description

具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路

技术领域

本发明涉及电路领域，特别涉及一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路。

背景技术

在现在社会中，手机电路的射频芯片都需要在26MHz的基准时钟下工作。因此，收发器需要在设定温度条件下对晶体输出的时钟信号进行校准。在现有技术中，收发器需要通过射频模块与外部综测仪建立通信，从而收发器可基于外部综测仪的检测结果对时钟信号进行校准。但是，即使WCN芯片数据交互电路无需进行射频通信，该WCN芯片数据交互电路也需要射频模块正常工作。由于射频模块工作时功耗较高，因而现有的WCN芯片数据交互电路存在总体功耗较高的技术问题。

故需要提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路来解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，有效解决了现有的WCN芯片数据交互电路总体功耗较高的技术问题。

本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其包括：

基带芯片模块，用于输出驱动信号和触发信号；

晶体模块，用于基于所述驱动信号输出时钟信号；

收发芯片模块，用于基于所述时钟信号输出校准信号，并基于外部综测仪输出的结果信号，对所述时钟信号进行校准操作，以生成标准时钟信号；

射频模块，用于将所述校准信号传输于外部综测仪，并将所述传输于所述收发芯片模块，所述射频模块用于基于所述触发信号对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号；

输出电路模块，一端与所述收发芯片模块连接，另一端与外部综测仪连接，用于将所述校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪用于对所述校准信号进行检测操作，以生成所述结果信号；

输入电路模块，一端与所述收发芯片模块连接，另一端与外部综测仪连接，用于将所述结果信号输出于所述收发芯片模块；

加热电路模块，用于基于所述触发信号对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号；

WCN芯片模块，用于接收所述标准时钟信号，所述WCN芯片模块基于所述标准时钟信号与所述基带芯片模块双向传输数据信号；

其中，当无需进行射频通信时，所述收发芯片模块、所述输出电路模块、所述输入电路模块与外部综测仪形成传输所述校准信号和所述结果信号的第一时钟信号校准通路；

当需要进行射频通信时，所述收发芯片模块、所述射频模块与综测仪形成传输所述校准信号与所述结果信号的第二时钟信号校准通路，用于在无需进行射频通信时，收发芯片模块、输出电路模块、输入电路模块与外部综测仪形成信号传输通路，传输校准信号和结果信号，从而对时钟信号进行校准；在需要进行射频通信时，收发芯片模块、射频模块与外部综测仪形成信号传输通路，传输校准信号和结果信号，从而对时钟信号进行校准。因此，在无需射频通信时，该WCN芯片数据交互电路无需打开射频模块，使得WCN芯片数据交互电路总体的功耗降低。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，其特征在于，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第一工作状态时，所述加热电路模块对所述收发芯片模块进行加热，所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号，所述输出电路模块将所述校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述输入电路模块将所述结果信号输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第二工作状态时，所述射频模块对所述收发芯片模块进行加热操作，所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号，所述射频模块对所述校准信号进行调制，并且所述射频模块将所述校准信号传输于外部综测仪，外部综测仪对调制后的所述校准信号进行解调，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述结果信号通过所述射频模块输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第三工作状态时，所述收发芯片模块、所述射频模块、外部综测仪形成传输所述校准信号与所述结果信号的第三时钟信号校准通路，其中，所述加热电路模块还用于对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下传输所述校准信号；

所述加热电路模块对所述收发芯片模块进行加热，所述收发芯片模块在加热条件下输出所述校准信号，所述射频模块对所述校准信号进行调制，外部综测仪接收调制后的所述校准信号并进行解调，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述结果信号通过所述射频模块输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述加热电路模块包括MOS管和加热电阻，所述MOS管的栅极用于接收所述触发信号，所述MOS管的漏极连接电源，所述MOS管的源极接地，所述加热电阻连接于电源与所述MOS管的漏极之间，所述加热电阻用于收发芯片模块进行加热。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述收发芯片模块包括收发芯片，所述收发芯片包括输出引脚，所述输出引脚用于输出校准信号，所述输出电路模块包括所述第一限流单元，所述第一限流单元的一端连接所述输出引脚，所述第一限流单元的另一端连接外部综测仪，所述第一限流单元用于对所述校准信号进行限流操作。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述收发芯片包括输入引脚，所述输入引脚用于输入结果信号，所述输出电路模块包括所述第二限流单元，所述第二限流单元的一端连接所述输入引脚，所述第二限流单元的另一端连接外部综测仪，所述第二限流单元用于对所述结果信号进行限流操作。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述第一限流单元包括第一限流电阻和第二限流电阻，所述第一限流电阻与所述第二限流电阻串联连接；所述第二限流单元包括第三限流电阻和第四限流电阻，所述第三限流电阻和所述第四限流电阻串联连接。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述加热电阻的阻值为9.5Ω-10.5Ω。

在本发明所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路中，所述收发芯片的型号为MT6357。

本发明相较于现有技术，其有益效果为：本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，基带芯片模块输出驱动信号和触发信号。晶体模块基于驱动信号输出时钟信号，收发芯片模块基于时钟信号输出校准信号。当无需进行射频通信时，收发芯片模块、输出电路模块、输入电路模块与外部综测仪形成传输校准信号和结果信号的第一时钟信号校准通路。加热电路模块基于触发信号加热收发芯片模块，收发芯片模块可在设定温度条件下输出校准信号。输出电路模块将该校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对校准信号进行检测以生成结果信号。输入电路模块将结果信号输出于收发芯片模块，从而收发芯片模块可在设定温度条件下对时钟信号进行校准操作。

当需要进行射频通信时，收发芯片模块、射频模块与综测仪形成传输校准信号与所述结果信号的第二时钟信号校准通路。射频模块基于触发信号对收发芯片模块进行加热操作，收发芯片模块可在设定温度条件下输出校准信号。射频模块将校准信号传输于外部综测仪，射频模块还可将综测仪输出的结果信号传输于收发芯片模块，从而收发芯片模块可在设定温度条件下对时钟信号进行校准操作。

并且，收发芯片模块对时钟信号校准后可生成标准时钟信号，WCN芯片模块可基于该标准时钟信号与基带芯片模块双向传输数据信号。

WCN芯片数据交互电路具有以上兼容电路的设计，在无需进行射频通信时，该WCN芯片数据交互电路可通过第一时钟信号校准通路对时钟信号进行校准。在需要进行射频通信时，该WCN芯片数据交互电路可通过第二时钟信号校准通路对时钟信号进行校准。因此，用户可根据需要合理选择时钟信号校准通路，以达到节省功耗与成本的目的。而且，在无需射频通信时，该WCN芯片数据交互电路无需使用射频模块，使得WCN芯片数据交互电路总体的功耗降低。有效解决了现有的WCN芯片数据交互电路总体功耗较高的技术问题。

附图说明

图1为本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的方框图。

图2为本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的晶体模块的电路图。

图3为本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的收发芯片模块的电路图。

图4为本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的射频模块的电路图。

图5为本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的加热电路模块的电路图。

图6本发明的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路一实施例的控制2G射频功率放大器工作时需要用的APC信号的波形图。

图中，10、WCN芯片数据交互电路；11、基带芯片模块；12、晶体模块；121、第一连接端；122、第二连接端；13、收发芯片模块；14、射频模块；141、第一输入端；142、第一输出端；143、第二输入端；15、加热电路模块；16、WCN芯片模块；17、输入电路模块、18、输出电路模块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「顶部」以及「底部」等词，仅是参考附图的方位，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

本发明术语中的“第一”“第二”等词仅作为描述目的，而不能理解为指示或暗示相对的重要性，以及不作为对先后顺序的限制。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

请参照图1，本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路。该WCN芯片数据交互电路10应用于一种电子设备中，WCN芯片数据交互电路10包括基带芯片模块11、晶体模块12、收发芯片模块13、射频模块14、输出电路模块17、输入电路模块18、加热电路模块15、WCN芯片模块16。基带芯片模块11用于输出驱动信号和触发信号，晶体模块12用于基于驱动信号输出时钟信号。

请参照图1、图2和图3，晶体模块12包括石英晶体振荡器Y500、第一电阻R508、第一电容C520和第二电容C519。收发芯片模块13包括收发芯片U500-C，收发芯片U500-C的型号为MT6357。石英晶体振荡器Y500包括VCC引脚、OUT引脚、GND1引脚、GND2引脚，收发芯片U500-C包括AVDD18_AUXADC引脚、AVSS18_AUXADC引脚、AUXADC_VIN引脚。晶体模块12还包括第一连接端121和第二连接端122，第一连接端121、第二连接端122均与VCC引脚连接。AVDD18_AUXADC引脚与第一连接端121连接。AUXADC_VIN引脚与第二连接端122连接。收发芯片U500-C包括XTAL1引脚和XTAL2引脚，该XTAL2引脚与OUT引脚连接。OUT引脚用于输出时钟信号，XTAL1引脚与GND1引脚连接，GND2引脚与AVSS18_AUXADC引脚连接。第一电阻R508的一端连接VCC引脚，该第一电阻R508的另一端连接AVDD18_AUXADC引脚，该第一电阻R508的阻值为100KΩ。第一电容C520的一端连接VCC引脚，第一电容C520的另一端接地，第一电容的容抗为100PF。第二电容C519的一端连接GND2引脚，第二电容C519的另一端接地，该第二电容的容抗为100PF。

请参照图1和图3，收发芯片模块13用于基于时钟信号输出校准信号。收发芯片U500-C包括输出引脚CS_P，输出引脚CS_P用于输出校准信号。输出电路模块17的一端与输出引脚CS_P连接，输出电路模块17的另一端与外部综测仪连接，输出电路模块17可将校准信号输出于外部综测仪。输出电路模块17包括第一限流单元，第一限流单元的一端连接输出引脚。第一限流单元的另一端连接外部综测仪，第一电流单元用于对校准信号进行限流操作。其中，第一限流单元包括第一电流电阻和第二限流电阻，该第一限流电阻与该第二限流电阻串联连接。

请参照图1和图3，收发芯片U500-C包括输入引脚CS_N，输入引脚CS_N用于输入结果信号。输入电路模块18的一端与输入引脚CS_N引脚连接，输入电路模块18的另一端与外部综测仪连接，输入电路模块18可用于将外部综测仪的结果信号输出于收发芯片模块13。输出电路模块17包括第二限流单元，第二限流单元的一端连接输入引脚。第二限流单元的另一端连接外部综测仪，第二电流单元用于对结果信号进行限流操作。其中，第二限流单元包括第三电流电阻和第四限流电阻，该第三限流电阻与该第四限流电阻串联连接。

请参照图4，加热电路模块15可基于触发信号对收发芯片模块13进行加热操作，从而收发芯片模块13可在设定温度条件下输出校准信号。加热电路模块15包括MOS管Q1002和加热电阻R596，MOS管Q1002的栅极与基带芯片模块11连接，MOS管Q1002的栅极用于接收触发信号。MOS管Q1002的漏极连接电源，MOS管Q1002的源极接地。加热电阻R596连接于电源与MOS管Q1002的漏极之间，加热电阻R596用于收发芯片模块13进行加热，加热电阻R596的阻值为9.5Ω-10.5Ω。加热电路模块15还包括第二电阻R594和第三电阻R595，该第二电阻R594与MOS管Q1002的栅极连接,第二电阻R594的阻值为4.7kΩ。第三电阻R595的一端与MOS管Q1002的栅极连接，第三电阻R595的一端接地，第三电阻R595的阻值为47kΩ。当MOS管Q1002的栅极接收到触发信号时，MOS管的导通。从而电源可对加热电阻供电，该加热电阻R596发热。进而加热电路模块15可对收发芯片模块13进行加热操作。

请参照图3，收发芯片模块13还包括收发芯片U500-C，该收发芯片U500-C的型号为MT6357。该收发芯片U500-C包括PWRKEY引脚、FCHR_ENB引脚、UVLO_VTH引脚，收发芯片模块13包括第四电阻R589、第五电阻R511、第六电阻R503和第一稳压管D501。第四电阻R589与PWRKEY引脚连接，第五电阻R511与FCHR_ENB引脚连接。第四电阻R589的阻值和第五电阻R511阻值均为1KΩ，第一稳压管D501与第四电阻R589并联连接。第六电阻R503的一端连接UVLO_VTH引脚，第六电阻R503的另一端接地。

请参照图3，该收发芯片U500-C包括VSYSSNS引脚、BATSNS引脚、ISENSE引脚。该收发芯片模块13包括第三电容C500、第四电容C501、第五电容C503和第二稳压管V501。第三电容C500的一端连接VSYSSNS引脚，第三电容C500的另一端接地，第三电容C500的容抗为1μF。第四电容C501的一端连接BATSNS引脚，第四电容C501的另一端接地，第三电容C500的容抗为100nF。第五电容C503的一端连接ISENSE引脚，第五电容C503的另一端接地，第五电容C503的容抗为100nF。第二稳压管V501的负极连接VSYSSNS引脚，VSYSSNS引脚的正极接地。

请参照图3，该收发芯片U500-C包括VCDT引脚、CHRLDO引脚。收发芯片模块13包括第七电阻R500、第八电阻R501、第九电阻R502、第六电容C502。第七电阻R500与VCDT引脚连接，第八电阻R501的一端连接于第七电阻R500与VCDT引脚之间，第八电阻R501的另一端接地。第七电阻R500的阻值为330KΩ，第八电阻R501的阻值为39KΩ。第九电阻R502与CHRLDO引脚连接，第九电阻R502的阻值为7.5KΩ。第六电容C502的一端连接CHRLDO引脚，第六电容C502的另一端接地，第六电容C502的容抗为1μF。

请参照图3，该收发芯片U500-C包括VRTC28引脚，收发芯片模块13包括第十电阻R509、第七电容C504、第八电容C528、电池CAP501。第十电阻R509连接VRTC28引脚，第十电阻R509的阻值为1KΩ。第七电容C504的一端连接于第十电阻R509与VRTC28引脚之间，第七电容C504的另一端接地，第七电容C504的容抗为100nF。第八电容C528的一端与第十电阻R509连接，第八电容C528的另一端接地。第八电容C528的容抗为47μF，该电池CAP501与第八电容C528并联连接。

请参照图3，该收发芯片U500-C包括XO_SOC引脚、XO_CEL引脚、XO_WCN引脚。XO_WCN引脚均与WCN芯片模块16连接，XO_SOC引脚用于将标准时钟信号输出于WCN芯片模块16。收发芯片模块13包括第十一电阻R504、第十二电阻R506、第十三电阻R505、第九电容C507、第十电容C509、第十一电容C510。第十一电阻R504与XO_SOC引脚连接，第十二电阻R506与XO_CEL引脚连接，第十三电阻R505与XO_CEL引脚连接。第九电容C507的一端连接，第九电容C507的另一端接地，第九电容C507的容抗为22PF。第十电容C509的一端连接BATSNS引脚，第十电容C509的另一端接地，第十电容C509的容抗为22PF。第十一电容C510的一端连接ISENSE引脚，第十一电容C510的另一端接地，第十一电容C510的容抗为22PF。

请参照图3，收发芯片模块13包括第十四电阻R510、第十二电容C501、第十三电容C503。第十四电阻R510与AVDD18_AUXADC引脚连接，第十二电容C501的一端连接AVDD18_AUXADC引脚，第十二电容C501的另一端连接AVSS18_AUXADC引脚，第十二电容C501的容抗为100nF。第十三电容C503的一端连接AVSS18_AUXADC引脚，第十三电容C503的另一端连接AUXADC_VIN引脚，第十三电容C503的容抗为100nF。

请参照图1和图5，射频模块14用于将校准信号传输于外部综测仪。并且，射频模块14将结果信号传输于收发芯片模块13。射频模块14可基于触发信号对收发芯片模块13进行加热操作，从而收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。外部综测仪可对校准信号进行检测操作，从而该外部检测仪可生成结果信号。基于外部综测仪输出的结果信号，收发芯片模块13可对时钟信号进行校准操作，从而收发芯片模块13可生成标准时钟信号。WCN芯片模块16用于接收标准时钟信号，WCN芯片模块16可基于该标准时钟信号与基带芯片模块11双向传输数据信号。其中，该WCN芯片模块16为手机中负责蓝牙的芯片模块。因此，该WCN芯片数据交互电路可对时钟信号进行自动频率校准和Co-TMS校准。其中，自动频率校准是指使输出信号频率与给定频率保持确定关系的自动控制方法。简言之，就是使移动终端的工作频率与外部网络同步，从而能够与外部网络之间实现通信连接。在温度变化时，时钟信号也需要保证较好的精确度，从而时钟信号需要进行Co-TMS校准。Co-TMS校准的原理是通过升温加热去校准晶体的温度特性曲线，将时钟和温度变化的关系计算出来后，再存入手机的存储器中。

如图6所示，该图展示的是控制2G射频功率放大器工作时需要用的APC信号的波形。利用APC信号的上升沿进行触发，从而使能加热电路，该过程配合校准流程可对晶体的温度特性曲线进行校准。其中，APC信号为需要进行自动频率校准的信号，即上述的校准信号。由于该WCN芯片数据交互电路具有以上兼容电路的设计，用户可根据需要合理选择时钟信号校准通路，以达到节省功耗与成本的目的。

请参照图5，射频模块14包括射频芯片U1405，射频芯片U1405包括供电引脚VCC、VBATT引脚。该射频芯片U1405的型号为RF-PA-179250474，WCN芯片数据交互电路10包括供电电源VBAT_RF。供电引脚VCC连接供电电源VBAT_RF，供电电源VBAT_RF可通过供电引脚VCC对射频芯片U1405进行供电。射频模块14还包括第十四电容C1433、第十五电容C1434、第十六电容C1435。第十四电容C1433的一端连接VBATT引脚，第十四电容C1433的另一端接地，第十四电容C1433的容抗为1nF。第十五电容C1434、第十六电容C1435均与第十四电容C1433并联连接，第十五电容C1434的容抗为22μF，第十六电容C1435的容抗为56PF。

请参照图5，射频芯片U1405包括HB_IN引脚、LB_IN引脚，射频模块14还包括第十五电阻R1413、第十六电阻R1414、第十七电容C1437、第十八电容C1438、第十九电容C1443。第十五电阻R1413与HB_IN引脚连接，第十七电容C1437与第十五电阻R1413连接。第十六电阻R1414与LB_IN引脚连接，第十八电容C1438与第十六电阻R1414连接。其中，射频模块14还包括第一输入端141。第十九电容C1443的一端与该第一输入端141连接，第十九电容的另一端连接第一输入端141。第一输入端141与输出引脚CS_P引脚连接，射频模块14可通过第一输入端141输入校准信号。而且，第十七电容C1437、第十八电容C1438、第十九电容C1443的容抗均为33PF。

请参照图,5，射频模块14还包括第十七电阻R1409、第十八电阻R1410、第十九电阻R1488、第二十电阻R1489。第十七电阻R1409、第十八电阻R1410、第十九电阻R1488、第二十电阻R1489的阻值均为470Ω。第十七电阻R1409的一端连接第十五电阻R1413，第十七电阻R1409的另一端接地。第十八电阻R1410的一端连接HB_IN引脚，第十八电阻R1410的另一端接地。第十九电阻R1488的一端连接LB_IN引脚，第十八电阻R1410的另一端接地。第二十电阻R1489的一端连接第十六电阻R1414，第十七电阻R1409的另一端接地。

请参照图5，射频芯片U1405包括VRAMP引脚、VIO引脚。VRAMP引脚与基带芯片模块11连接，VRAMP引脚用于接收触发信号。当VRAMP引脚接收到触发信号时，该射频芯片U1405，射频芯片U1405可对收发芯片模块13进行加热操作。射频模块14还包括第二十一电阻R1415、第二十电容C1439、第二十一电容C1440。第二十一电阻R1415连接VRAMP引脚，第二十一电阻R1415的阻值为6.81KΩ。第二十电容C1439的一端连接于第二十一电阻R1415与VRAMP引脚之间，第二十电容C1439的另一端接地，第二十电容C1439的容抗为220PF。第二十一电容C1440的一端连接VIO引脚，第二十一电容C1440的另一端接地，第二十一电容C1440的容抗为100nF。

请参照图5，射频芯片U1405包括ANT引脚。射频模块14还包括第二十电容C1444、第二十一电容C1445、第二十二电容C1446、电感C1436。该射频模块14还包括第一输出端142，该射频模块14可通过该第一输出端142将校准信号输出于外部综测仪。第二十电容C1444的一端连接ANT引脚，第二十电容C1444的另一端连接第一输出端142，第二十电容C1444的容抗为33PF。第二十一电容C1445的一端连接ANT引脚，第二十一电容C1445的另一端接地，第二十一电容C1445的容抗为0.5pF。电感C1436与ANT引脚连接，该电感的感抗为1nH。第二十二电容C1446的一端连接电感C1436，第二十二电容C1446的另一端接地，第二十二电容C1446的容抗为0.5pF。

请参照图5，射频模块14还包括第二十三电容C1446、第二十四电容C1447、第二十二电阻R1401。该射频模块14还包括第二输入端143，该第二输入端143与外部综测仪连接，该射频模块14可通过该第一输入端143输入结果信号。第二十二电阻R1401连接ANT引脚，第二十四电容C1447的一端连接第二十二电阻R1401。第二十四电容C1447的另一端连接第二输入端143，第二十四电容C1447容抗为33PF。第二十三电容C1446的一端连接于第二十四电容C1447和第二十二电阻R1401之间，第二十三电容C1446的另一端接地，第二十三电容C1446的容抗为33PF。

请参照图5，射频模块14还包括第二十五电容C1460、第二十六电容C1461、第二十三电阻R1425和测试单元T1401。该测试单元包括IN引脚和OUT引脚,，IN引脚连接电感C1436，OUT引脚与第二十三电阻R1425连接。第二十五电容C1460的一端连接于OUT引脚与第二十三电阻R1425之间，第二十五电容C1460的另一端接地，第二十五电容C1460的容抗为0.5pF。第二十六电容C1461的一端连接第二十三电阻R1425，第二十六电容C1461的另一端接地，第二十六电容C1461的容抗为0.5pF。射频芯片U1405还包括NC1引脚,该NC1引脚用于输出结果信号。CS_N引脚与NC1引脚连接，该CS_N引脚用于输入结果信号。

请参照图5，射频芯片U1405还包括TRX1引脚，该TRX1引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX3引脚，该TRX3引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX4引脚，该TRX4引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX5引脚，该TRX5引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX6引脚，该TRX6引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX7引脚，该TRX7引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX8引脚，该TRX8引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX9引脚，该TRX9引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX10引脚，该TRX10引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX11引脚，该TRX11引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX12引脚，该TRX12引脚与滤波器连接。射频芯片U1405还包括TRX13引脚，该TRX13引脚与滤波器连接。

请参照图1，当无需进行射频通信时，收发芯片模块13、输出电路模块17、输入电路模块18与外部综测仪形成传输校准信号和结果信号的第一时钟信号校准通路。第一时钟信号校准通路可用于传输校准信号和结果信号，使得收发芯片模块13可对时钟信号进行校准。当需要进行射频通信时，收发芯片模块13、射频模块14与综测仪形成传输校准信号与结果信号的第二时钟信号校准通路。在需要进行射频通信时，收发芯片模块13、射频模块14与外部综测仪形成信号传输通路，传输校准信号和结果信号，从而对时钟信号进行校准。因此，在无需射频通信时，该WCN芯片数据交互电路10无需使用射频模块14，使得WCN芯片数据交互电路10总体的功耗降低。

请参照图1，当WCN芯片数据交互电路10处于第一工作状态时，加热电路模块15对收发芯片模块13进行加热，收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。输出电路模块17将校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对校准信号进行检测操作以生成结果信号。输入电路模块18将结果信号输出于收发芯片模块13，收发芯片模块13基于结果信号对时钟信号进行校准操作。其中，该第一工作状态为WCN芯片数据交互电路10无需进行射频通信的状态。

请参照图1，当WCN芯片数据交互电路10处于第二工作状态时，该第二工作状态为无需进行射频通信的状态。射频模块14对收发芯片模块13进行加热操作，收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。并且射频模块14对校准信号进行调制，射频模块14将校准信号传输于外部综测仪。外部综测仪对调制后的校准信号进行解调，外部综测仪对校准信号进行检测操作以生成结果信号。结果信号通过射频模块14输出于收发芯片模块13，收发芯片模块13基于结果信号对时钟信号进行校准操作。

其中，该第二工作状态为WCN芯片数据交互电路10需要进行射频通信的状态。该WCN芯片数据交互电路10提供了多条时钟信号校准通路，用户可根据需要选择合适的时钟信号校准通路传输校准信号。若无需进行射频通信，用户便无需使用射频模块14，用户可使用第一时钟信号校准通路校准时钟信号。从而，有效地节约该WCN芯片数据交互电路10的功耗。当需要进行射频通信时，用户也可使用第二时钟信号校准通路校准时钟信号。在现有技术中，WCN芯片数据交互电路10只能通过射频模块14传输信号。即使无需进行射频通信，用户也需要使用射频模块14，使得现有的WCN芯片数据交互电路10总体的功耗较高。在本发明的WCN芯片数据交互电路10中，用户可根据是否需要射频通信选用合适时钟信号校准通路，因此该WCN芯片数据交互电路10的总体功耗可得到有效地降低。同时，用户使用该WCN芯片数据交互电路10校准时钟信号也较为便利。

请参照图1，当WCN芯片数据交互电路10处于第三工作状态时，收发芯片模块13、射频模块14、外部综测仪形成传输校准信号与结果信号的第三时钟信号校准通路。其中，加热电路模块15还用于对收发芯片模块13进行加热操作，从而收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。并且射频模块14可对校准信号进行调制，外部综测仪接收调制后的校准信号并进行解调。外部综测仪对该校准信号进行检测操作，从而外部综测仪可生成结果信号。结果信号通过射频模块14输出于所述收发芯片模块13，收发芯片模块13基于结果信号对时钟信号进行校准操作。

在本实施例中，加热电路模块15可先对收发芯片模块13进行加热操作，随后收发芯片模块13可在设定温度条件下输出校准信号。因为WCN芯片数据交互电路10处于第二工作状态时，需要完全通过射频模块14对收发芯片模块进行加热，而仅通过射频模块14对收发芯片模块13进行加热操作会导致加热操作时间过长，而在第三工作状态下的WCN芯片数据交互电路10使用加热电路模块对收发芯片模块13进行加热，加热效率更高，能够使得收发芯片模块13更快的在设定温度条件下输出校准信号。

为了进一步提高收发芯片模块13的加热效率，还可同时使用射频模块14与加热电路模块15可同时对收发芯片模块13进行加热，这样收发芯片模块13可更快地达到设定的温度。相比于只通过加热电路模块15对收发芯片模块13的方式，可进一步缩短加热收发芯片模块13所需要的时间。因此，射频模块14与加热电路模块15同时加热的方式可进一步提高时钟信号的校准效率。

其中，当输入电路模块18或输出电路模块17发生故障时，用户可选择第三时钟信号校准通路校准时钟信号。因此，即使输入电路模块18或输出电路模块17发生故障，该WCN芯片数据交互电路10也可以保持稳定的工作状态。进而，可有效地提高该WCN芯片数据交互电路10的工作效率。

本发明的工作原理为:该WCN芯片数据交互电路10工作时，基带芯片模块11输出驱动信号和触发信号。然后，晶体模块12基于驱动信号输出时钟信号，收发芯片模块13可基于时钟信号输出校准信号。当WCN芯片数据交互电路10处于第一工作状态时，收发芯片模块13、输出电路模块17、输入电路模块18与外部综测仪形成传输校准信号和结果信号的第一时钟信号校准通路。接着，加热电路模块15对收发芯片模块13进行加热，从而收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。输出电路模块17将校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪可对校准信号进行检测操作，从而外部综测仪可生成结果信号。随后，输入电路模块18将该结果信号输出于收发芯片模块13。收发芯片模块13基于该结果信号对时钟信号进行校准操作，进而收发芯片模块13可生成标准时钟信号。并且，收发芯片模块13将该标准时钟信号传输于WCN芯片模块16。随后，WCN芯片模块16基于标准时钟信号与基带芯片模块11双向传输数据信号。

当WCN芯片数据交互电路10处于第二工作状态时，收发芯片模块13、射频模块14与综测仪形成传输校准信号与结果信号的第二时钟信号校准通路。首先，射频模块14基于触发信号对收发芯片模块进行加热操作，收发芯片模块13可在设定温度条件下输出校准信号。并且，射频模块14对校准信号进行调制，射频模块14将校准信号传输于外部综测仪。然后，外部综测仪对调制后的校准信号进行解调。并且外部综测仪可对校准信号进行检测操作，从而外部综测仪可生成结果信号。随后，该结果信号通过射频模块14输出于收发芯片模块13，收发芯片模块13可基于该结果信号对时钟信号进行校准操作。进而，该收发芯片模块13可生成标准时钟信号。并且，收发芯片模块13将该标准时钟信号传输于WCN芯片模块16。随后，WCN芯片模块16基于标准时钟信号与基带芯片模块11双向传输数据信号。

当WCN芯片数据交互电路10处于第三工作状态时，收发芯片模块13、射频模块14、外部综测仪形成传输校准信号与结果信号的第三时钟信号校准通路。首先，加热电路模块15可对收发芯片模块13进行加热操作，从而收发芯片模块13在设定温度条件下输出校准信号。并且，射频模块14可对校准信号进行调制。然后外部综测仪接收调制后的校准信号并进行解调，外部综测仪还可对校准信号进行检测操作，从而外部综测仪可生成结果信号。接着，该结果信号可通过射频模块14输出于收发芯片模块13，收发芯片模块13可基于结果信号对时钟信号进行校准操作。进而，该收发芯片模块13可生成标准时钟信号。并且，收发芯片模块13将该标准时钟信号传输于WCN芯片模块16。随后，WCN芯片模块16基于标准时钟信号与基带芯片模块11双向传输数据信号。

本发明提供一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，基带芯片模块输出驱动信号和触发信号。晶体模块基于驱动信号输出时钟信号，收发芯片模块基于时钟信号输出校准信号。当无需进行射频通信时，收发芯片模块、输出电路模块、输入电路模块与外部综测仪形成传输校准信号和结果信号的第一时钟信号校准通路。加热电路模块基于触发信号加热收发芯片模块，收发芯片模块可在设定温度条件下输出校准信号。输出电路模块将该校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对校准信号进行检测以生成结果信号。输入电路模块将结果信号输出于收发芯片模块，从而收发芯片模块可在设定温度条件下对时钟信号进行校准操作。

当需要进行射频通信时，收发芯片模块、射频模块与综测仪形成传输校准信号与结果信号的第二时钟信号校准通路。射频模块基于触发信号对收发芯片模块进行加热操作，收发芯片模块可在设定温度条件下输出校准信号。射频模块将校准信号传输于外部综测仪，射频模块还可将综测仪输出的结果信号传输于收发芯片模块，从而收发芯片模块可在设定温度条件下对时钟信号进行校准。并且，收发芯片模块对时钟信号校准后可生成标准时钟信号，WCN芯片模块可基于该标准时钟信号与基带芯片模块双向传输数据信号。

WCN芯片数据交互电路具有以上兼容电路的设计，在无需进行射频通信时，该WCN芯片数据交互电路可通过第一时钟信号校准通路对时钟信号进行校准。在需要进行射频通信时，该WCN芯片数据交互电路可通过第二时钟信号校准通路对时钟信号进行校准。因此，用户可根据需要合理选择时钟信号校准通路，以达到节省功耗与成本的目的。而且，在无需射频通信时，该WCN芯片数据交互电路无需使用射频模块，使得WCN芯片数据交互电路总体的功耗降低。有效解决了现有的WCN芯片数据交互电路总体功耗较高的技术问题。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，其包括：

基带芯片模块，用于输出驱动信号和触发信号；

晶体模块，用于基于所述驱动信号输出时钟信号；

收发芯片模块，用于基于所述时钟信号输出校准信号，并基于外部综测仪输出的结果信号，对所述时钟信号进行校准操作，以生成标准时钟信号；

射频模块，用于将所述校准信号传输于外部综测仪，并将所述结果信号传输于所述收发芯片模块，所述射频模块用于基于所述触发信号对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号；

输出电路模块，一端与所述收发芯片模块连接，另一端与外部综测仪连接，用于将所述校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪用于对所述校准信号进行检测操作，以生成所述结果信号；

输入电路模块，一端与所述收发芯片模块连接，另一端与外部综测仪连接，用于将所述结果信号输出于所述收发芯片模块；

加热电路模块，用于基于所述触发信号对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号；

WCN芯片模块，用于接收所述标准时钟信号，所述WCN芯片模块基于所述标准时钟信号与所述基带芯片模块双向传输数据信号；

其中，当无需进行射频通信时，所述收发芯片模块、所述输出电路模块、所述输入电路模块与外部综测仪形成传输所述校准信号和所述结果信号的第一时钟信号校准通路；

当需要进行射频通信时，所述收发芯片模块、所述射频模块与综测仪形成传输所述校准信号与所述结果信号的第二时钟信号校准通路。

2.根据权利要求1所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第一工作状态时，所述加热电路模块对所述收发芯片模块进行加热，所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号，所述输出电路模块将所述校准信号输出于外部综测仪，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述输入电路模块将所述结果信号输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

3.根据权利要求1所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第二工作状态时，所述射频模块对所述收发芯片模块进行加热操作，所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号，所述射频模块对所述校准信号进行调制，并且所述射频模块将所述校准信号传输于外部综测仪，外部综测仪对调制后的所述校准信号进行解调，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述结果信号通过所述射频模块输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

4.根据权利要求1所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，当所述具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路处于第三工作状态时，所述收发芯片模块、所述射频模块、外部综测仪形成传输所述校准信号与所述结果信号的第三时钟信号校准通路，其中，所述加热电路模块还用于对所述收发芯片模块进行加热操作，从而所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号；

所述加热电路模块对所述收发芯片进行加热，所述收发芯片模块在设定温度条件下输出所述校准信号，所述射频模块对所述校准信号进行调制，外部综测仪接收调制后的所述校准信号并进行解调，外部综测仪对所述校准信号进行检测操作以生成结果信号，所述结果信号通过所述射频模块输出于所述收发芯片模块，所述收发芯片模块基于所述结果信号对所述时钟信号进行校准操作。

5.根据权利要求1所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述加热电路模块包括MOS管和加热电阻，所述MOS管的栅极用于接收所述触发信号，所述MOS管的漏极连接电源，所述MOS管的源极接地，所述加热电阻连接于电源与所述MOS管的漏极之间，所述加热电阻用于收发芯片模块进行加热。

6.根据权利要求1所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述收发芯片模块包括收发芯片，所述收发芯片包括输出引脚，所述输出引脚用于输出校准信号，所述输出电路模块包括第一限流单元，所述第一限流单元的一端连接所述输出引脚，所述第一限流单元的另一端连接外部综测仪，所述第一限流元用于对所述校准信号进行限流操作。

7.根据权利要求6所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述收发芯片包括输入引脚，所述输入引脚用于输入结果信号，所述输出电路模块包括第二限流单元，所述第二限流单元的一端连接所述输入引脚，所述第二限流单元的另一端连接外部综测仪，所述第二限流单元用于对所述结果信号进行限流操作。

8.根据权利要求7所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述第一限流单元包括第一限流电阻和第二限流电阻，所述第一限流电阻与所述第二限流电阻串联连接；所述第二限流单元包括第三限流电阻和第四限流电阻，所述第三限流电阻和所述第四限流电阻串联连接。

9.根据权利要求5所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述加热电阻的阻值为9.5Ω-10.5Ω。

10.根据权利要求6所述的具有多种时间校准模式的WCN芯片数据交互电路，其特征在于，所述收发芯片的型号为MT6357。