CN116338555A - 一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统 - Google Patents

一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统 Download PDF

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CN116338555A CN202310326991.1A CN202310326991A CN116338555A CN 116338555 A CN116338555 A CN 116338555A CN 202310326991 A CN202310326991 A CN 202310326991A CN 116338555 A CN116338555 A CN 116338555A
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voltage transformer
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李璿
尹晶
李辉
毕建刚
徐思恩
邱进
吴士普
陈江波
邵苠峰
杨丹
朱丝丝
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Abstract

本发明公开了一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统，基中方法包括：通过供电电压互感器为互感器误差校验仪提供供电，获取被测电压互感器的空载励磁电流和电源电压；基于空载励磁电流和电源电压获取空载励磁导纳；获取被测电压互感器的励磁阻抗；计算一次侧励磁阻抗；分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器的空载误差和空载误差，以及励磁导纳和励磁导纳，计算一次漏阻抗；对电压互感器一次绕组施加电压，通过第二电压互感器绕组开路；测量被测电压互感器的短路二次绕组电流以及开路二次绕组电压，基于短路二次绕组电流、开路二次绕组电压、被测电压互感器绕组匝数以及第二电压互感器绕组匝数计算二次漏阻抗。

Description

一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统
技术领域
本发明涉及高压电气设备技术领域，更具体地，涉及一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统。
背景技术
电磁式电压互感器为绕组设备，利用电磁感应原理将一次电压按比例变换为二次电压(图1)，一般采用T型等效电路进行等效(图2)。
图2中，L1、R1为一次绕组漏电感和直流电阻，Lm、Rm为励磁电感和励磁电阻，L′2、R′2为二次绕组漏电感和直流电阻(折算到一次侧)，Z′L为标准电压互感器负载，U1为一次电压，U′2为二次电压(折算到一次侧)。
准确获得电磁式电压互感器等效电路模型的元件参数，对分析电磁式电压互感器传递特性具有重要意义。
一直以来，元件参数仅通过理论计算获得，受到设备工艺分散性、实际工作磁密与设计工作磁密偏差等影响，计算获得的电磁式电压互感器等效电路模型元件参数并不能完全反应其真实值。尤其是一次漏感和二次漏感，往往通过计算公式
Figure BDA0004153584700000011
Ω获得，其中f为频率，N为一次绕组匝数，ρ为洛果夫斯基系数，D12和δP均为结构系数。
因此，需要一种技术，以实现对电压互感器等值电路模型参数进行测量。
发明内容
本发明技术方案提供一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统，以解决如何对电压互感器等值电路模型参数进行测量的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法，所述方法包括：
通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过所述互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000021
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000022
基于所述空载励磁电流/>
Figure BDA0004153584700000023
和所述电源电压/>
Figure BDA0004153584700000024
获取空载励磁导纳Ym；基于所述空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将所述励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于所述一次电压Ua、所述一次电压Ub、、所述测量励磁导纳Yma和所述励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量所述被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及所述第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于所述短路二次绕组电流I2、所述开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及所述第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
优选地，所述空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure BDA0004153584700000025
所述励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure BDA0004153584700000026
优选地，所述一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure BDA0004153584700000027
优选地，所述二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000031
优选地，还包括：
测量所述被测电压互感器PT的电阻R2，基于所述二次漏阻抗Z2、所述电阻R2计算所述被测电压互感器PT的电感L2，所述电感L2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000032
基于本发明的另一方面，本发明提供一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统，所述系统包括：
第一计算单元，用于通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过所述互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000033
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000034
基于所述空载励磁电流/>
Figure BDA0004153584700000037
和所述电源电压/>
Figure BDA0004153584700000035
获取空载励磁导纳Ym；基于所述空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将所述励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
第二计算单元，用于分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于所述一次电压Ua、所述一次电压Ub、、所述测量励磁导纳Yma和所述励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
第三计算单元，用于对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量所述被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及所述第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于所述短路二次绕组电流I2、所述开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及所述第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
优选地，所述空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure BDA0004153584700000036
所述励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure BDA0004153584700000041
优选地，所述一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure BDA0004153584700000042
优选地，所述二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000043
优选地，所述第三计算单元还用于：
测量所述被测电压互感器PT的电阻R2，基于所述二次漏阻抗Z2、所述电阻R2计算所述被测电压互感器PT的电感L2，所述电感L2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000044
本发明技术方案提供了一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法及系统，其中方法包括：通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过所述互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000048
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000045
基于所述空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000046
和所述电源电压/>
Figure BDA0004153584700000047
获取空载励磁导纳Ym；基于所述空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将所述励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于所述一次电压Ua、所述一次电压Ub、、所述测量励磁导纳Yma和所述励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量所述被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及所述第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于所述短路二次绕组电流I2、所述开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及所述第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。本发明技术方案利用互感器校验仪测量励磁导纳，根据励磁导纳换算得到励磁阻抗的方法，来获得更为精确的电磁式电压互感器励磁阻抗参数。
附图说明
通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本发明的示例性实施方式：
图1为根据现有实施方式的电磁式电压互感器结构图及原理示意图；
图2为根据本发明优选实施方式的电磁式电压互感器等效电路模型结构图；
图3为根据本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法流程图；
图4为根据本发明优选实施方式的励磁导纳测量回路示意图；
图5为根据本发明优选实施方式的二次绕组漏阻抗测量回路示意图；
图6为根据本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统结构图。
具体实施方式
现在参考附图介绍本发明的示例性实施方式，然而，本发明可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开本发明，并且向所属技术领域的技术人员充分传达本发明的范围。对于表示在附图中的示例性实施方式中的术语并不是对本发明的限定。在附图中，相同的单元/元件使用相同的附图标记。
除非另有说明，此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有通常的理解含义。另外，可以理解的是，以通常使用的词典限定的术语，应当被理解为与其相关领域的语境具有一致的含义，而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。
图3为根据本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法流程图。本发明提出一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法，通过测量精确获得励磁阻抗、一次漏抗及二次漏抗的元件参数，为分析电磁式电压互感器传递特性提供重要支撑。
如图3所示，本发明提供一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法，方法包括：
步骤301：通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000061
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000062
基于空载励磁电流/>
Figure BDA0004153584700000063
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000064
获取空载励磁导纳Ym；基于空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
优选地，空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure BDA0004153584700000065
励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure BDA0004153584700000066
本发明对Zm参数进行测定，Zm测量回路如图4所示。
PT为被测标准电压互感器，PT0用于给校验仪工作电压回路供电。互感器误差校验仪分别获得PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000067
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000068
由校验仪测得导纳Y读数可求得空载励磁导纳Ym。
Figure BDA0004153584700000069
式中K为PT的变比。
根据
Figure BDA00041535847000000610
可计算得到电压互感器的励磁阻抗，折算到一次侧即可得到一次侧励磁阻抗。
步骤302：分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于一次电压Ua、一次电压Ub、、测量励磁导纳Yma和励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
优选地，一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure BDA0004153584700000071
本发明对Z1参数进行测定。
Z1由R1和L1两个参数组成。L1为互感器一次绕组漏抗，其值可通过结构参数计算而得到，由于其一次绕组匝数及层数繁多，因此计算结果往往不够准确。本专利采用误差增量反推法进行L1参数测定。
电磁式电压互感器的空载误差为：
Figure BDA0004153584700000072
式中Ym为一次励磁导纳。
假设一次电压Ua和Ub时测得空载误差分别为ε0a和ε0b，测得励磁导纳分别为Yma和Ymb，则Z1可由下式得出：
Figure BDA0004153584700000073
通过测量Ua和Ub下的空载误差和励磁导纳，可计算得到Z1。
步骤303：对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于短路二次绕组电流I2、开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
优选地，二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000081
优选地，还包括：
测量被测电压互感器PT的电阻R2，基于二次漏阻抗Z2、电阻R2计算被测电压互感器PT的电感L2，电感L2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000082
本发明对Z2参数进行测定Z2采用短路法进行测量获得，试验电路如图5所示。
图5中，N2为被测二次绕组匝数，N1为一次绕组匝数。根据图5接线可得：
Figure BDA0004153584700000083
R2可用数字万用表测得，则根据
Figure BDA0004153584700000084
可得到L2的值。
本发明提出准确获得电磁式电压互感器等效电路元件参数的方法，包括有一次漏阻抗、励磁阻抗和二次漏阻抗；
本发明提出利用互感器校验仪测量励磁导纳，根据导纳阻抗转换获得电磁式电压互感器励磁阻抗的方法，互感器误差校验仪分别获得被测电磁式电压互感器的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000085
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000086
由校验仪测得导纳Y读数可求得空载励磁导纳Ym。根据/>
Figure BDA0004153584700000087
可计算得到电压互感器的励磁阻抗，折算到一次侧即可得到一次侧励磁阻抗。
本发明提出利用误差增量反推法获得电磁式电压互感器一次漏阻抗的方法，由于电磁式电压互感器的空载误差可近似为-Z1·Ym，假设一次电压Ua和Ub时测得空载误差分别为ε0a和ε0b，测得励磁导纳分别为Yma和Ymb，由于Z1不随其工作电压而变化，则Z1可由式
Figure BDA0004153584700000088
获得，因此，通过测量Ua和Ub下的空载误差和励磁导纳，可计算得到Z1；
本发明提出通过短路法测量获得电磁式电压互感器二次漏阻抗的方法，将被测二次绕组短路，其他二次绕组开路，对电磁式电压互感器一次绕组施加电压，测量短路二次绕组电流和开路二次绕组电压，开路二次绕组电压可通过变比换算得到短路二次绕组的感应电势，由感应电势与短路电流，根据式
Figure BDA0004153584700000091
可获得二次漏阻抗。
本发明在附图4中，PT为被测标准电压互感器，PT0用于给校验仪工作电压回路供电。互感器误差校验仪分别获得PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000092
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000093
由校验仪测得导纳Y读数可求得空载励磁导纳Ym。
本发明在图5中，N2为被测二次绕组匝数，N1为一次绕组匝数。根据图5接线可得：
Figure BDA0004153584700000094
R2可用数字万用表测得，则根据
Figure BDA0004153584700000095
可得到L2的值。
本发明提出利用互感器校验仪测量励磁导纳，根据励磁导纳换算得到励磁阻抗的方法，来获得更为精确的电磁式电压互感器励磁阻抗参数，互感器校验仪测量励磁导纳的误差小于1％；
本发明提出采用误差增量反推法来获得电磁式电压互感器一次漏阻抗的方法，通过测量两个工作电压点下的误差以及励磁导纳，从而推算出其一次漏阻抗，该种方法首次通过测量的手段获得了电磁式电压互感器的一次漏电感；
本发明提出利用短路法获得二次漏阻抗的测量方法，通过将被测二次绕组短路，其他二次绕组开路，通过测量获得开路绕组电压及短路绕组的电流，从而获得二次漏阻抗。
图6为根据本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统结构图。如图6所示，本发明提供一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统，系统包括：
第一计算单元601，用于通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure BDA0004153584700000101
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000102
基于空载励磁电流/>
Figure BDA0004153584700000103
和电源电压/>
Figure BDA0004153584700000104
获取空载励磁导纳Ym；基于空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
优选地，空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure BDA0004153584700000105
励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure BDA0004153584700000106
第二计算单元602，用于分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于一次电压Ua、一次电压Ub、、测量励磁导纳Yma和励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
优选地，一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure BDA0004153584700000107
第三计算单元603，用于对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于短路二次绕组电流I2、开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
优选地，二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000111
优选地，第三计算单元603还用于：
测量被测电压互感器PT的电阻R2，基于二次漏阻抗Z2、电阻R2计算被测电压互感器PT的电感L2，电感L2计算公式为：
Figure BDA0004153584700000112
本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统与本发明优选实施方式的一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法相对应，在此不再进行赘述。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。本发明实施例中的方案可以采用各种计算机语言实现，例如，面向对象的程序设计语言Java和直译式脚本语言JavaScript等。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
已经通过参考少量实施方式描述了本发明。然而，本领域技术人员所公知的，正如附带的专利权利要求所限定的，除了本发明以上公开的其他的实施例等同地落在本发明的范围内。
通常地，在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解释，除非在其中被另外明确地定义。所有的参考“一个/所述/该[装置、组件等]”都被开放地解释为所述装置、组件等中的至少一个实例，除非另外明确地说明。这里公开的任何方法的步骤都没必要以公开的准确的顺序运行，除非明确地说明。

Claims (10)

1.一种测量电压互感器等值电路模型参数的方法，所述方法包括：
通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过所述互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure FDA0004153584690000011
和电源电压/>
Figure FDA0004153584690000012
基于所述空载励磁电流/>
Figure FDA0004153584690000013
和所述电源电压/>
Figure FDA0004153584690000014
获取空载励磁导纳Ym；基于所述空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将所述励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于所述一次电压Ua、所述一次电压Ub、、所述测量励磁导纳Yma和所述励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量所述被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及所述第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于所述短路二次绕组电流I2、所述开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及所述第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
2.根据权利要求1所述的方法，所述空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure FDA0004153584690000015
所述励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure FDA0004153584690000016
3.根据权利要求1所述的方法，所述一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure FDA0004153584690000017
4.根据权利要求1所述的方法，所述二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure FDA0004153584690000021
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
测量所述被测电压互感器PT的电阻R2，基于所述二次漏阻抗Z2、所述电阻R2计算所述被测电压互感器PT的电感L2，所述电感L2计算公式为：
Figure FDA0004153584690000022
6.一种测量电压互感器等值电路模型参数的系统，所述系统包括：
第一计算单元，用于通过供电电压互感器PT0为互感器误差校验仪提供供电，通过所述互感器误差校验仪获取被测电压互感器PT的空载励磁电流
Figure FDA0004153584690000023
和电源电压/>
Figure FDA0004153584690000024
基于所述空载励磁电流/>
Figure FDA0004153584690000025
和所述电源电压/>
Figure FDA0004153584690000026
获取空载励磁导纳Ym；基于所述空载励磁导纳Ym获取被测电压互感器PT的励磁阻抗Zm；将所述励磁阻抗Zm折算到一次侧，计算一次侧励磁阻抗；
第二计算单元，用于分别测量一次电压Ua和一次电压Ub时的被测电压互感器PT的空载误差ε0a和空载误差ε0b，以及励磁导纳Yma和励磁导纳Ymb；基于所述一次电压Ua、所述一次电压Ub、、所述测量励磁导纳Yma和所述励磁导纳计算一次漏阻抗Z1；
第三计算单元，用于对电压互感器一次绕组施加电压，将被测电压互感器PT绕组短路，通过第二电压互感器绕组开路；测量所述被测电压互感器PT的短路二次绕组电流I2以及所述第二电压互感器的开路二次绕组电压U3，基于所述短路二次绕组电流I2、所述开路二次绕组电压U3、被测电压互感器PT绕组匝数N2以及所述第二电压互感器绕组匝数N3计算二次漏阻抗Z2。
7.根据权利要求6所述的系统，所述空载励磁导纳Ym计算公式为：
Figure FDA0004153584690000027
所述励磁阻抗Zm计算公式为：
Figure FDA0004153584690000031
8.根据权利要求6所述的系统，所述一次漏阻抗Z1计算公式为：
Figure FDA0004153584690000032
9.根据权利要求6所述的系统，所述二次漏阻抗Z2计算公式为：
Figure FDA0004153584690000033
10.根据权利要求6所述的系统，所述第三计算单元还用于：
测量所述被测电压互感器PT的电阻R2，基于所述二次漏阻抗Z2、所述电阻R2计算所述被测电压互感器PT的电感L2，所述电感L2计算公式为：
Figure FDA0004153584690000034
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