CN116266525A - 利用等离子体的基板处理装置和方法 - Google Patents

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卢明燮
吴东燮
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Abstract

提供了一种能够有效地控制硅层与氧化层的选择比的利用等离子体的基板处理装置。该基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头的下方，并用于处理基板；第一供给孔，用于向第一空间提供用于产生等离子体的第一气体；第二供给孔，用于向第二空间提供与等离子体的馏出物混合的第二气体；以及第一涂层，形成在喷头的面向第二空间的第一表面上，不形成在喷头的面向处理空间的第二表面上，并且包含镍。

Description

利用等离子体的基板处理装置和方法
技术领域
本发明涉及一种利用等离子体的基板处理装置和方法。
背景技术
在制造半导体装置或显示装置时，可以使用利用等离子体的基板处理工艺。利用等离子体的基板处理工艺根据产生等离子体的方式分为电容耦合等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)方式、电感耦合等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)方式、混合两者的方式等。此外，可以利用等离子体来执行干法清洗或干法蚀刻。
发明内容
解决的技术问题
干法清洗属于各向同性蚀刻，其图案崩坏较少，并且因等离子体而导致的损伤较少。然而，当硅层和氧化层暴露在作为干法清洗对象的基板上时，需要控制硅层和氧化层的选择比。即，当蚀刻氧化层时，氧化层相对于硅层的选择比应该高，而当蚀刻氧化层和硅层整体时，氧化层相对于硅层的选择比不应该高。
本发明要解决的技术问题是提供一种能够有效地控制硅层和氧化层的选择比的利用等离子体的基板处理装置。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能够有效地控制硅层和氧化层的选择比的利用等离子体的基板处理方法。
本发明的课题不限于上述课题，本领域的技术人员通过下面的描述可以清楚地理解未提及的其他目的。
解决方法
用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一方面包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头下方，并用于处理基板；第一供给孔，用于向第一空间提供用于产生等离子体的第一气体；第二供给孔，用于向第二空间提供与等离子体的馏出物混合的第二气体；以及第一涂层，形成在喷头的面向第二空间的第一表面上，不形成在喷头的面向处理空间的第二表面上，并且包含镍。
用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的另一方面包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头下方，并用于处理暴露硅层和氧化层的基板；支承模块，设置在处理空间内，并用于支承基板；第一供给孔，用于向第一空间提供三氟化氮；第二供给孔，用于向第二空间提供与等离子体的馏出物混合的氨气；以及涂层，形成在喷头的上表面和离子阻挡件的下表面中的至少一个上，而不形成在喷头的下表面和支承模块的表面上，其中涂层包含镍-铝合金层或镍-磷合金层，并且硅层的蚀刻量根据铝或磷与镍的比例而改变。
用于解决上述技术问题的本发明的基板处理方法的一方面包括：提供基板处理装置，该基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于喷头下方，并用于处理基板；以及第一涂层，形成在喷头的面向第二空间的第一表面上，不形成在喷头的面向处理空间的第二表面上，并且包含镍；向第二空间提供含氮及氢的气体；向第一空间提供含氟气体，以在第一空间内形成等离子体；使等离子体的馏出物中的氟基团穿过离子阻挡件提供到第二空间；通过使提供到第二空间的氟基团与含氮及氢的气体反应而形成蚀刻剂，其中，形成蚀刻剂时所产生的氟自由基中的至少一部分被第一涂层去除。
其他实施例的具体事项包含在详细的说明及附图中。
附图说明
图1是用于说明根据本发明第一实施例的基板处理装置的概念图。
图2是用于说明图1的基板处理装置中的气体供给的图。
图3是用于说明图1的基板处理装置的干法清洗过程的概念图。
图4是用于说明根据本发明第二实施例的基板处理装置的概念图。
图5是用于说明根据本发明第三实施例的基板处理装置的概念图。
图6是用于说明根据本发明第四实施例的基板处理装置的概念图。
图7是用于说明根据本发明第五实施例的基板处理装置的概念图。
图8是用于说明根据本发明第六实施例的基板处理装置的概念图。
图9是用于说明根据本发明第七实施例的基板处理装置的概念图。
图10是用于说明本发明的一些实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。参考结合附图在下文详细叙述的实施例，本发明的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得明确。然而，本发明并不受限于在下文中公开的实施例，而是可以以各种不同的形式实现，并且本实施例仅是为了使本发明的公开内容完整并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整告知发明的范围而提供的，并且本发明仅由权利要求的范围限定。在整个说明书中，相同的参考标号指代相同的构成要素。
元件或层被称为在另一元件或层的“上方”或“上”时，其不仅包括在另一元件或另一层的直接上方，还包括中间介入有另一层或另一元件的情况。相反，元件被称为“直接在上方”或“在正上方”时，其表示中间不存在介入的另一元件或层。
可以使用“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语以便于描述如图中所示的一个元件或构成要素与其他元件或构成要素的相互关系。空间相对术语应当理解为除了图中所示的方向之外还包括元件在使用时或操作时的不同方向的术语。例如，在图中所示的元件翻转的情况下，被描述为在另一元件的“下方”或“下面”的元件可以定位成在另一元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以定向为另外的方向，且因此空间相对术语可以依据定向进行解释。
虽然使用了第一、第二等来叙述各种元件、构成要素和/或部分，但显然这些元件、构成要素和/或部分不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、构成要素或部分与其他元件、构成要素或部分区分开。因此，在本发明的技术思想内，下文中提到的第一元件、第一构成要素或第一部分显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
本说明书中使用的术语是用于描述实施例的，而不是旨在限制本发明。在本说明书中，除非句子中特别说明，否则单数形式还包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括的(comprising)”表示包括所提到的构成要素、步骤、操作和/或元件，而不排除一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被用作本发明所属技术领域的普通技术人员通常可以理解的含义。此外，除非明确特别地进行定义，否则在通常使用的字典中定义的术语不应以理想化或过度地进行解释。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例，并且在参考附图进行描述时，与图号无关地，相同或对应的构成要素给予相同的参考标号，并省略对其的重复描述。
图1是用于说明根据本发明第一实施例的基板处理装置的概念图；图2是用于说明图1的基板处理装置的气体供给的图。图3是用于说明图1的基板处理装置的干法清洗过程的概念图。
首先，参照图1，根据本发明第一实施例的基板处理装置1包括工艺腔室100、支承模块200、电极模块300、气体供给模块500、控制模块600、第一涂层710等。
工艺腔室100在其内部提供用于处理基板W的处理空间101。工艺腔室100可以是圆形的筒形状。在工艺腔室100的一侧壁上形成有开口(未图示)。开口用作能够移入和移出基板W的出入口。出入口可以由门打开或关闭。在工艺腔室100的底表面设置有排气口(未图示)。排气口起到将处理空间101中产生的副产物排出到工艺腔室100外部的排出口的作用。通过泵执行排气操作。
支承模块200设置在处理空间101中并支承基板W。支承模块200可以是利用静电力支承基板W的静电卡盘(ESC)，但不限于此。静电卡盘可以包括：电介质板，其上面放置基板W；电极，其设置在电介质板内，并用于提供静电力以使基板W吸附于电介质板；加热器，其设置在电介质板内，并用于加热基板W以控制基板W的温度。
电极模块300包括电极(或上部电极)330、离子阻挡件340、喷头350等，并起到电容耦合型等离子体源的作用。气体供给模块500包括第一气体供给模块(GSM1)510和第二气体供给模块(GSM2)520。控制模块600控制支承模块200、电极模块300和气体供给模块510和520等的操作。
第一空间301布置在电极330与离子阻挡件340之间，且第二空间302布置在离子阻挡件340与喷头350之间。处理空间101位于喷头350的下方。
电极330可连接到高频电源311，且离子阻挡件340可连接到恒定电压(例如，接地电压)。电极330包括多个第一供给孔331。第一气体供给模块510通过电极330(即，第一供给孔331)向第一空间301提供第一气体G1。
在电极330与离子阻挡件340之间产生的电磁场将第一气体G1激发为等离子体状态。被激发为等离子体状态的第一气体(即，等离子体馏出物)包括基团、离子和/或电子。
离子阻挡件340可由导电材料形成，例如，离子阻挡件340可具有诸如圆盘的板形状。离子阻挡件340可连接有恒定电压，但不限于此。离子阻挡件340包括沿竖直方向形成的多个第一通孔342。在等离子体馏出物中，基团或非带电的中性物质(uncharged neutralspecies)穿过离子阻挡件340的第一通孔342而被提供到第二空间302(参照附图标记D1)。另一方面，带电物质(即，离子)难以穿过离子阻挡件340的第一通孔342。
喷头350由导电材料形成，例如可以是诸如圆盘的板形状。喷头350可以连接有恒定电压，但不限于此。
离子阻挡件340设置有用于向第二空间302供给第二气体G2的第二供给孔341。此外，喷头350设置有用于向第二空间302供给第二气体G2的第三供给孔351。第二气体供给模块520通过离子阻挡件340(即，第二供给孔341)和/或喷头350(即，第三供给孔351)向第二空间302供给第二气体G2(参照附图标记E1、E2)。与图示不同，为了供给第二气体G2，可以仅在离子阻挡件340上设置第二供给孔341，而在喷头350上不设置第三供给孔351，或者与此相反，可以在离子阻挡件340上不设置第二供给孔341，而仅在喷头350上设置第三供给孔351。
在第二空间302中，等离子体馏出物(例如，基团)与第二气体G2混合并反应，以产生蚀刻剂。
喷头350包括沿竖直方向形成的多个第二通孔352。通过第二通孔352，在第二空间302中产生的蚀刻剂以及未反应的等离子体馏出物和第二气体G2被提供到处理空间101(参照附图标记D2)。
具体地，例如，在基板W上可以形成图案化结构，并且其可以包括暴露的硅层和氧化层。例如，氧化层可以是硅氧化物(SiO2)。
为了干法清洗氧化层(即，硅氧化物)，可以使用以下工艺。
第一气体供给模块510供给含氟气体作为第一气体G1。例如，含氟气体可以是三氟化氮(NF3)，但不限于此。可选地，第一气体供给模块510可以向第一供给孔331附加供给He、Ar、N2和H2中的至少一种。Ar、He与NF3一起被用于产生等离子体，He也可以被用于稀释，且N2、H2可以被用作载气。
第二气体供给模块520供给含氮及氢的气体作为第二气体G2。例如，含氮及氢的气体可以是氨(NH3)，但不限于此。可选地，第二气体供给模块520可以向第二供给孔341和/或第三供给孔351附加供给He、Ar、N2和H2中的至少一种。
在此，参照图1和图2，在时间t0，在形成等离子体之前，向第二空间302提供第二气体G2(氨气)。第二气体G2通过喷头350传递到处理空间101，从而形成工艺气氛。
在时间t1与时间t2之间，将第一气体G1(三氟化氮气体)提供到第一空间301。此外，高频电源311被提供给电极330，从而在第一空间301中将第一气体G1激发为等离子体形式。形成诸如基团、离子和/或电子的等离子体馏出物。离子被离子阻挡件340过滤，而剩余的等离子体馏出物(具体地，氟基团)可以穿过离子阻挡件340。在第二空间302中，穿过离子阻挡件340的等离子体馏出物与第二气体G2(即，氨气)反应并混合，从而形成蚀刻剂。
在此，参照图3，作为等离子体馏出物的含氟基团(F*、NF3*等)与氨气(NH3)反应，从而形成容易与硅氧化物(SiO2)反应的蚀刻剂(NH4F*或NH4F*.HF*)(参照化学式1)(S10)。
NH3+NF3*→NH4F*或NH4F*.HF* (化学式1)
如此形成的蚀刻剂以及未反应的等离子体馏出物和氨气(NH3)等被传递到处理空间101。
接着，蚀刻剂(NH4F*或NH4F*.HF*)与硅氧化物的表面进行反应(S20)。反应结果，可以形成(NH4)2SiF6、H2O等产物(参照化学式2)。H2O是蒸气，而(NH4)2SiF6作为固体薄薄地残留在硅氧化物的表面上。在(NH4)2SiF6中，硅(Si)来源于暴露的硅氧化物，而形成剩余部分的氮、氢、氟等则来源于等离子体馏出物、氨气等。在该反应过程中，处理空间101的温度可以保持在20℃至100℃。
NH4F*或NH4F*.HF*+SiO2→(NH4)2SiF6(s)+H2O (化学式2)
再次参照图2，在时间t3，操作泵以去除副产物。具体地，如图3的S30所示，由于H2O等是蒸汽，因此可以通过泵去除H2O等。将处理空间101的温度提升至100℃以上，以升华(NH4)2SiF6。升华的(NH4)2SiF6也可以通过泵的操作被去除。
另外，在含氟基团(例如，F*)与氨气(NH3)反应以产生蚀刻剂的过程中，产生氟自由基(free radical)(参照化学式3)。然而，这种氟自由基在处理空间101中蚀刻基板W上的硅层。
NH3+F*→NH4F*+F*(自由基) (化学式3)
总之，蚀刻剂蚀刻氧化层(硅氧化物)，且氟自由基蚀刻硅层。
然而，根据干法清洗的目的，存在硅层与氧化层之间的蚀刻选择比不应高的情况，以及相反地硅层与氧化层之间的蚀刻选择比应该高的情况。
再次参照图1，在根据本发明第一实施例的基板处理装置1中，在第二空间302内形成包含镍的第一涂层710，以调节氟自由基的量。因此，可以调节硅层的蚀刻量，进而可以调节硅层与氧化层之间的选择比。
具体而言，第一涂层710设置在第二空间302内，而不设置在处理空间101内。例如，第一涂层710形成在喷头350的面向第二空间302的第一表面(即，上表面)，而不形成在喷头350的面向处理空间101的第二表面(即，下表面)。这种第一涂层710可以包含镍。由于镍在第二空间302中与氟自由基反应以产生氟化镍(NiF2)(参照化学式4)，因此镍起到减少氟自由基的量的作用。
Ni+F*→NiF2 (化学式4)
即，第二空间302内的镍的量越多，氟自由基的量减少，而镍的量越少，氟自由基的量增多。
第一涂层710可以是镍合金。例如，第一涂层710可以包括镍-铝合金或镍-磷合金。在镍合金中，当铝或磷与镍的比例低(即，镍含量高)时，氟自由基的量减少，使得硅层被蚀刻得少。相反，当铝或磷与镍的比例高(即，镍的含量低)时，氟自由基的量增加，使得硅层被蚀刻得多。总之，在镍合金中，当铝或磷与镍的比例为第一比例时，硅层在基板W上被蚀刻第一蚀刻量。另一方面，在镍合金中，当铝或磷与镍的比例为大于第一比例的第二比例时，硅层在基板W上被蚀刻大于第一蚀刻量的第二蚀刻量。
另外，在处理空间101中不形成包含镍的涂层。由于镍还与氢族元素反应良好，因此也可能容易吸引蚀刻剂(NH4F*或NH4F*.HF*)。结果，如果在处理空间101中形成包含镍的涂层，则可能无法蚀刻期望的目标量的氧化层。即，为了稳定地蚀刻氧化层，在处理空间101中不形成包含镍的涂层。例如，喷头350的下表面(第二表面)、工艺腔室100的内侧壁和/或底表面可以由诸如铝的与蚀刻剂具有低反应性的材料形成。同样地，支承基板W的支承模块200的表面上可以不形成有包含镍的涂层，且该表面可以由铝形成。
在根据本发明第一实施例的基板处理装置中，通过在第二空间302内形成包含镍的第一涂层710，可以调节处理空间101中的硅层的蚀刻量。即，可以通过使用包含镍的第一涂层710来调节氧化层与硅层之间的蚀刻选择比。
图4是用于说明根据本发明第二实施例的基板处理装置的概念图。图5是用于说明根据本发明第三实施例的基板处理装置的概念图。为了便于描述，将主要描述与利用图1至图3描述的内容不同之处。
首先，参照图4，在根据本发明第二实施例的基板处理装置2中，在离子阻挡件340的面向第二空间302的第三表面(即，下表面)上还可以形成第二涂层720。第二涂层720可以包含镍并且也可以是镍合金。第二涂层720可以包括镍-铝合金或镍-磷合金。
参照图5，在根据本发明第三实施例的基板处理装置3中，侧壁345位于离子阻挡件340与喷头350之间。在面对第二空间302的侧壁345上可以进一步形成第三涂层730。第三涂层730可以包含镍并且也可以是镍合金。第三涂层730可以包括镍-铝合金或镍-磷合金。
如前所述，在镍合金中，当铝或磷与镍的比例低(即，镍含量高)时，氟自由基的量减少，使得硅层被蚀刻得少。相反，当铝或磷与镍的比例高(即，镍含量低)时，氟自由基的量增加，使得硅层被蚀刻得多。即，在镍合金中，当铝或磷与镍的比例为第一比例时，硅层在基板W上被蚀刻第一蚀刻量。另一方面，在镍合金中，当铝或磷与镍的比例为大于第一比例的第二比例时，硅层在基板W上被蚀刻大于第一蚀刻量的第二蚀刻量。
与图示不同，也可以在构成第二空间302的喷头350的上表面、离子阻挡件340的下表面以及侧壁345上都形成包含镍的镀层710、720、730。
硅层的蚀刻量可以根据在构成第二空间302的喷头350的上表面、离子阻挡件340的下表面以及侧壁345中形成多少镀层710、720和730而确定。例如，当在构成第二空间302的整个表面(即，100％)上形成镀层时，可以使硅层的蚀刻量最小化。另一方面，当仅在构成第二空间302的表面中的50％的表面上形成镀层时，可以将硅层的蚀刻量减少为一半。另一方面，当仅在构成第二空间302的表面中的30％的表面上形成镀层时，可以将硅层的蚀刻量减少到70％。
图6是用于说明根据本发明第四实施例的基板处理装置的概念图。图7是用于说明根据本发明第五实施例的基板处理装置的概念图。图8是用于说明根据本发明第六实施例的基板处理装置的概念图。为了便于描述，将主要描述与利用图1至图5描述的内容不同之处。
参照图6，在根据本发明第四实施例的基板处理装置4中，第二涂层720a被图案化，使得在离子阻挡件340的第三表面(即，下表面)的一部分上形成第二涂层720a，而在第三表面的另一部分上不形成第二涂层。如图所示，第一涂层710可以形成在喷头350的第一表面上。
参照图7，在根据本发明第五实施例的基板处理装置5中，第一涂层710a被图案化，使得在喷头350的第一表面(即，上表面)的一部分上形成第一涂层710a，而在第一表面的另一部分上不形成第一涂层。如图所示，第二涂层720可以形成在离子阻挡件340的第三表面上。
参照图8，在根据本发明第六实施例的基板处理装置6中，第三涂层730a被图案化，使得在离子阻挡件340与喷头350之间的侧壁345的一部分上形成第三涂层730a，而在侧壁345的另一部分上不形成第三涂层。
如前所述，硅层的蚀刻量可以根据在构成第二空间302的喷头350的上表面、离子阻挡件340的下表面以及侧壁345中形成多少镀层710、720和730来确定。
图9是用于说明根据本发明第七实施例的基板处理装置的概念图。为了便于描述，将主要描述与利用图1至图3描述的内容不同之处。
参照图9，根据本发明第七实施例的基板处理装置7的气体供给模块500还可以包括第三气体供给模块530。
第三气体供给模块530可通过喷头350的第三供给孔351附加供给第三气体G3。此外，尽管未在附图中示出，但是喷头350上可以设置有面向处理空间101的单独的供给孔，以通过第三气体供给模块530的单独的供给孔供给第三气体G3。例如，第三气体G3可以是氮气(N2)。
氮(N2)气体可以降低硅氧化物的蚀刻率并提高均匀度。这是因为蚀刻剂(NH4F*.HF*)与N2反应使得HF*减少的同时NH4F*的量增加。
图10是用于说明本发明的一些实施例的基板处理方法的流程图。
参照图1和图10，提供基板处理装置1(S110)。
具体地，基板处理装置1包括：第一空间301，布置在电极330与离子阻挡件340之间；第二空间302，布置在离子阻挡件340与喷头350之间；以及处理空间101，位于喷头350的下方，并用于处理基板W。特别是，第一涂层710形成在喷头350的面向第二空间302的第一表面(即，上表面)上，而不形成在喷头350的面向处理空间101的第二表面(即，下表面)上。该第一涂层710包含镍。
接着，向第二空间302提供含氮及氢的气体(S120)。具体地，含氮及氢的气体可以是氨气，但不限于此。
接着，向第一空间301提供含氟气体，以在第一空间301内形成等离子体(S130)。
例如，含氟气体可以是三氟化氮(NF3)，但不限于此。高频电源311被提供给电极330，以在第一空间301中将第一气体G1激发为等离子体的形式。形成诸如基团、离子和/或电子的等离子体馏出物。
接着，等离子体的馏出物中的氟基团穿过离子阻挡件340而被提供到第二空间302(S140)。离子被离子阻挡件340过滤，而剩余的等离子体馏出物(特别是，含氟基团)可以穿过离子阻挡件340。
接着，提供到第二空间302的氟基团与含氮及氢的气体进行反应而形成蚀刻剂(S150)。特别是，通过第一涂层710去除在形成蚀刻剂时产生的氟自由基的至少一部分。具体地，作为等离子体馏出物的含氟基团(F*等)与氨气(NH3)进行反应而形成能够容易与硅氧化物(SiO2)反应的蚀刻剂(例如NH4F*)。另一方面，在含氟基团(例如，F*)与氨气(NH3)进行反应以产生蚀刻剂的过程中，产生氟自由基(free radical)。形成在第二空间302内的、包含镍的第一涂层710去除氟自由基的至少一部分。即，第一涂层710可以调节氟自由基的量。因此，可以调节硅层的蚀刻量，从而可以调节硅层与氧化层之间的选择比。
以上参照附图对本发明的实施例进行了说明，但本发明所属技术领域的普通技术人员应当理解，在不变更其技术思想或必要特征的情况下，能够以其他具体形态实施本发明。因此，应理解为上述实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包括：
第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；
第二空间，布置在所述离子阻挡件与喷头之间；
处理空间，位于所述喷头的下方，并用于处理基板；
第一供给孔，用于向所述第一空间提供用于产生等离子体的第一气体；
第二供给孔，用于向所述第二空间提供与所述等离子体的馏出物混合的第二气体；以及
第一涂层，形成在所述喷头的面向所述第二空间的第一表面上，而不形成在所述喷头的面向所述处理空间的第二表面上，并且包含镍。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：
第二涂层，形成在所述离子阻挡件的面向所述第二空间的第三表面上，并且包含镍。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述第二涂层被图案化，使得在所述第三表面的一部分上形成所述第二涂层，且在所述第三表面的另一部分上不形成所述第二涂层。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第二空间还包括布置在所述离子阻挡件与所述喷头之间的侧壁，以及
所述基板处理装置还包括第三涂层，所述第三涂层形成在面向所述第二空间的所述侧壁上且包含镍。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述第三涂层被图案化，使得在所述侧壁的一部分上形成所述第三涂层，且在所述侧壁的另一部分上不形成所述第三涂层。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一涂层被图案化，使得在所述第一表面的一部分上形成所述第一涂层，且在所述第一表面的另一部分上不形成所述第一涂层。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在安装于所述处理空间内且支承所述基板的支承模块的表面上不形成包含镍的涂层。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在围绕所述处理空间的工艺腔室的内侧壁和底表面上不形成包含镍的涂层。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一气体为含氟气体，所述第二气体为含氮及氢的气体，所述基板包括暴露的硅层和氧化层。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一涂层为镍-铝合金层或镍-磷合金层。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述第一气体包括三氟化氮，所述第二气体包括氨，并且所述基板包括暴露的硅层和氧化层，
当所述第一涂层的铝或磷与所述镍的比例为第一比例时，所述硅层被蚀刻第一蚀刻量，
当所述第一涂层的铝或磷与所述镍的比例为大于所述第一比例的第二比例时，所述硅层被蚀刻大于所述第一蚀刻量的第二蚀刻量。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二供给孔在所述离子阻挡件上朝向所述第二空间设置，或者在所述喷头上朝向所述第二空间设置。
13.一种基板处理装置，包括：
第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；
第二空间，布置在所述离子阻挡件与喷头之间；
处理空间，位于所述喷头的下方，并用于处理暴露硅层和氧化层的基板；
支承模块，设置在所述处理空间内，并用于支承所述基板；
第一供给孔，用于向所述第一空间提供用于产生等离子体的三氟化氮；
第二供给孔，用于向所述第二空间提供与所述等离子体的馏出物混合的氨气；以及
涂层，形成在所述喷头的上表面和所述离子阻挡件的下表面中的至少一个上，且不形成在所述喷头的下表面和所述支承模块的表面上，
其中，所述涂层包括镍-铝合金层或镍-磷合金层，且所述硅层被蚀刻的蚀刻量根据铝或磷与镍的比例而改变。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
当所述涂层的铝或磷与所述镍的比例为第一比例时，所述硅层被蚀刻第一蚀刻量，
当所述涂层的铝或磷与所述镍的比例为大于所述第一比例的第二比例时，所述硅层被蚀刻大于所述第一蚀刻量的第二蚀刻量。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，
所述第二空间还包括布置在所述离子阻挡件与所述喷头之间的侧壁，以及
所述基板处理装置还包括附加涂层，所述附加涂层形成在面向所述第二空间的所述侧壁上且包含镍。
16.一种基板处理方法，包括：
提供基板处理装置，所述基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡件之间；第二空间，布置在所述离子阻挡件与喷头之间；处理空间，位于所述喷头的下方，并用于处理基板；以及第一涂层，形成在所述喷头的面向所述第二空间的第一表面上，不形成在所述喷头的面向所述处理空间的第二表面上，并且包含镍；
向所述第二空间提供含氮及氢的气体；
向所述第一空间提供含氟气体，以在所述第一空间内形成等离子体；
使所述等离子体的馏出物中的氟基团穿过所述离子阻挡件而被提供到所述第二空间；
通过使提供到所述第二空间的氟基团与所述含氮及氢的气体进行反应而形成蚀刻剂，其中，形成所述蚀刻剂时所产生的氟自由基中的至少一部分被所述第一涂层去除。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，所述基板处理装置还包括：
第二涂层，形成在所述离子阻挡件的面向所述第二空间的第三表面上且包含镍。
18.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
所述第二空间还包括布置在所述离子阻挡件与所述喷头之间的侧壁，以及
所述基板处理装置还包括第三涂层，所述第三涂层形成在面向所述第二空间的所述侧壁上且包含镍。
19.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
所述第一涂层为镍-铝合金层或镍-磷合金层，所述含氟气体包括三氟化氮，所述含氮及氢的气体包括氨，且所述基板包括暴露的硅层和氧化层。
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中，
当所述第一涂层的氮或磷与所述镍的比例为第一比例时，所述硅层被蚀刻第一蚀刻量；当所述第一涂层的氮或磷与所述镍的比例为大于所述第一比例的第二比例时，所述硅层被蚀刻大于所述第一蚀刻量的第二蚀刻量。
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