CN116259953A - 一种天线结构和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种天线结构和电子设备，利用多个不同的工作模式产生对应的谐振，多个谐振频段可以使天线结构具有良好的工作带宽，同时，在工作频段内，具有良好的系统效率。天线结构可以包括：地板，第一辐射体以及和第一辐射体连接的第一接地件。天线结构还可以包括第二辐射体、第三辐射体，以及和第二辐射体连接的第二接地件、和第三辐射体连接的第三接地件。第一辐射体的第一端和第二辐射体的第一端之间形成第一缝隙，第二辐射体的第二端和第三辐射体的第二端之间形成第二缝隙。

Description

一种天线结构和电子设备

技术领域

本申请涉及无线通信领域，尤其涉及一种天线结构和电子设备。

背景技术

当前状态下，电子设备的通信频段在很长时间内还将出现第三代移动通信技术(3th generation wireless systems，3G)、第四代移动通信技术(4th generationwireless systems，4G)、第五代移动通信技术(5th generation wireless systems，5G)频段共存的局面，频段覆盖越来越广。

并且，对于例如笔记本等大尺寸的电子设备，由于架构原因，天线距离芯片较远，电信号在传输过程中损耗较大，需要进一步提升天线的效率，以使电子设备具备良好的通信性能。基于这些变化，电子设备上天线如何同时具备宽频带和高效率的辐射特性成为当务之急。

发明内容

本申请实施例提供了一种天线结构和电子设备，利用天线结构的多个不同的工作模式产生对应的谐振，多个谐振频段可以使天线结构其具有良好的工作带宽，同时，在工作频段内，具有良好的系统效率。

第一方面，提供了一种天线结构，包括：第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端之间形成第一缝隙，所述第二辐射体的第二端和所述第三辐射体的第一端之间形成第二缝隙，所述第三辐射体的第二端为开放端，所述第一辐射体包括第一接地点，所述第二辐射体包括第二接地点，所述第三辐射体包括第三接地点；所述地板与所述第一辐射体、所述第二辐射体和所述第三辐射体之间均具有间隙；第一接地件、第二接地件和第三接地件，所述第一接地件的第一端与所述第一辐射体在所述第一接地点耦合，所述第一接地件的第二端与所述地板耦合，所述第二接地件的第一端与所述第二辐射体在所述第二接地点耦合，所述第二接地件的第二端与所述地板耦合，所述第三接地件的第一端与所述第三辐射体在所述第三接地点耦合，所述第三接地件的第二端与所述地板耦合；其中，所述第一辐射体或所述第一接地件包括馈电点，所述第二辐射体通过所述第一缝隙与所述第一辐射体耦合，所述第三辐射体通过所述第二缝隙与所述第二辐射体耦合。

根据本申请实施例，天线结构包括由第一辐射体和第一接地件形成的主辐射(包括馈电点)枝节，以及第二辐射体和第二接地件、第三辐射体和第三接地件形成的T形枝节，可以使天线结构具有多个谐振模式，通过谐振模式产生的谐振，可以拓展天线结构的工作带宽，同时，在谐振的谐振频段内，均具有良好的系统效率。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体的第一端到所述第一接地点的距离d1、所述第二辐射体的第一端与所述第二接地点的距离d2、所述第二辐射体的第二端与所述第二接地点的距离d3、所述第三辐射体的第一端与所述第三接地点的距离d4以及所述第三辐射体的第二端与所述第三接地点的距离d5满足：d1×90％≤d2、d3、d4和/或d5≤d1×110％。

根据本申请实施例，d1、d2、d3、d4、d5可以大致相同，大致相同可以理解为误差在10％的范围内。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体的第一端到所述第一接地点的距离和所述第一接地件的长度之和为L1、所述第二辐射体的第一端到所述第二接地点的距离和所述第二接地件的长度之和为L2、所述第二辐射体的第二端到所述第二接地点的距离和所述第二接地件的长度之和为L3、所述第三辐射体的第二端到所述第三接地点的距离和所述第三接地件的长度之和为L4以及所述第三辐射体的第一端到所述第三接地点的距离和所述第三接地件的长度之和为L5均满足：小于或等于

λ为第一频段对应的波长。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，L1、L2、L3、L4、L5均满足：大于或等于

根据本申请实施例，L1、L2、L3、L4、L5可以大致相同，大致相同可以理解为误差在10％的范围内。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体中所述第一接地点至第一端的部分、所述第二辐射体和所述三辐射体用于共同产生第一谐振，第二谐振和第三谐振，所述第一谐振的频率低于所述第二谐振的频率，所述第二谐振的频率低于第三谐振的频率。

根据本申请实施例，第二谐振可以对应于天线结构的零波长谐振。第三谐振可以对应于天线结构的四分之一波长谐振。第以谐振可以对应于天线结构的负二分之一波长谐振。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在所述第一谐振覆盖的第一谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流反向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流反向；在所述第二谐振覆盖的第二谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流反向；在所述第三谐振覆盖的第三谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流同向。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括馈电单元；所述第一接地件包括馈电点，所述馈电单元在所述馈电点处耦合于所述第一接地件。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括馈电单元；所述第一辐射体包括馈电点，所述馈电单元在所述馈电点处耦合于所述第一辐射体。

根据本申请实施例，馈电点可以设置于接地件上，也可以设置于辐射体上，本申请实施例对此并不做限制。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括第四辐射体和第四接地件；所述第一辐射体还具有第二端，所述第一接地点设置于所述第一辐射体的第一端和所述第一辐射体的第二端之间；其中，所述第四辐射体的第一端与所述第一辐射体的第二端之间形成第三缝隙；所述第四辐射体的第二端为开放端；所述第四辐射体包括第四接地点，所述第四接地件的第一端与所述第四辐射体在所述第四接地点处耦合，所述第四接地件的第二端与所述地板耦合。

根据本申请实施例，第四辐射体和第四接地件可以用于产生第四谐振，以拓展天线结构的工作频段。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括第五辐射体和第五接地件；其中，所述第五辐射体的第一端与所述第三辐射体的第二端之间形成第四缝隙；所述第五辐射体的第二端为开放端；所述第五辐射体包括第五接地点，所述第五接地件的第一端与所述第五辐射体在所述第五接地点处连接，所述第五接地件的第二端接地。

根据本申请实施例，可以通过第三辐射体一侧增加的T形枝节，使天线结构产生新的谐振，通过新产生的谐振的谐振频段拓展天线结构的工作带宽。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体还具有第二端，所述第一接地点设置于所述第一辐射体的第一端和所述第一辐射体的第二端之间；所述第一辐射体的第二端与所述第一接地点之间的距离和所述第一辐射体的第一端与所述第一接地点之间的距离不同。

根据本申请实施例，第一辐射体的第二端与第一接地点之间的部分可以用于产生第五谐振，以拓展天线结构的工作频段。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一接地件包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一辐射体在所述第一接地点耦合，所述第二部分与所述地板耦合；所述第一部分所在的第一平面和所述第二部分所在的第二平面不同。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一缝隙的宽度小于或等于1mm，和/或，所述第二缝隙的宽度小于或等于1mm。

根据本申请实施例，第一辐射体的第一端的端部和第二辐射体的第一端的端部之间的距离小于或等于1mm。或者，也可以理解为第一缝隙的宽度的最小值小于或等于1mm。和/或，第二辐射体的第二端的端部和第三辐射体的第一端的端部之间的距离小于或等于1mm。或者，也可以理解为第二缝隙的宽度的最小值小于或等于1mm。第一缝隙和第二缝隙可以等效为电容，通过设置第一辐射体的第一端和第二辐射体的第一端之间的距离，以及第二辐射体的第二端和第三辐射体的第二端之间的距离可以使第二辐射体和第三辐射体上耦合到不同强度的能量，以使上述谐振模式产生的谐振的频率发生偏移。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体与所述第二辐射体在所述地板平面上的投影部分重叠。

根据本申请实施例，第一辐射体，第二辐射体和/或第三辐射体可以不位于同一平面内。在实际的设计或应用中，多个辐射体(例如，大于或等于3个辐射体)可以根据电子设备内的布局情况设置。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体与所述第二辐射体在所述地板平面上的投影不重叠。

根据本申请实施例，第一辐射体，第二辐射体和第三辐射体可以位于同一平面内。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一缝隙和/或所述第二缝隙呈折线状。

第二方面，提供了一种电子设备，包括：如第一方面中任一项所述的天线结构。

结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述电子设备还包括支撑板；所述第一辐射体和所述第三辐射体设置于所述支撑板的第一表面，所述第二辐射体设置于所述支撑板的第二表面；所述第一辐射体在所述第二表面的投影和所述第二辐射体部分重叠，所述第三辐射体在所述第二表面的投影和所述第二辐射体部分重叠。

结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述支撑板包括印刷电路板的一部分，或者所述支撑板包括绝缘支架。

结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述电子设备还包括绝缘壳体；所述第一辐射体、所述第二辐射体和所述第三辐射体设置于所述壳体上。

结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述电子设备还包括导电边框，所述导电边框具有第一位置、第二位置、第三位置和第四位置，所述边框在所述第二位置、所述第三位置和所述第四位置开设断缝；所述第一位置和所述第二位置之间的边框为第一边框，所述第二位置和所述第三位置之间的边框为第二边框，所述第三位置和所述第四位置之间的边框为第三边框；所述第一辐射体包括所述第一边框，所述第二辐射体包括所述第二边框，所述第三辐射体包括所述第三边框。

附图说明

图1是本申请实施例提供的电子设备10的示意图。

图2是本申请实施例提供的另一种电子设备10的示意图。

图3是本申请实施例提供的一种天线结构200的示意图。

图4是本申请实施例提供的一种天线结构200的示意图。

图5是图3所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图6是图3所示的天线结构200中电信号由馈电点传输至辐射体末端的相位变化曲线。

图7是图3所示天线结构200在4.2GHz的电流分布示意图。

图8是图3所示天线结构200在5.2GHz的电流分布示意图。

图9是图3所示天线结构200在6.5GHz的电流分布示意图。

图10是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图11是图10所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图12是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图13是图12所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图14是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图15是图14所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图16是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图17是图16所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图18是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图19是图18所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

图20是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。.

图21是图20所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

具体实施方式

以下，对本申请实施例可能出现的术语进行解释。

耦合：可理解为直接耦合和/或间接耦合，“耦合连接”可理解为直接耦合连接和/或间接耦合连接。直接耦合又可以称为“电连接”，理解为元器件物理接触并电导通；也可理解为线路构造中不同元器件之间通过印制电路板(printed circuit board，PCB)铜箔或导线等可传输电信号的实体线路进行连接的形式；“间接耦合”可理解为两个导体通过隔空/不接触的方式电导通。在一个实施例中，间接耦合也可以称为电容耦合，例如通过两个导电件间隔的间隙之间的耦合形成等效电容来实现信号传输。

辐射体：是天线中用于接收/发送电磁波辐射的装置。在某些情况下，狭义来理解“天线”即为辐射体，其将来自发射机的导波能量较变为无线电波，或者将无线电波转换为导波能量，用来辐射和接收无线电波。发射机所产生的已调制的高频电流能量(或导波能量)经馈电线传输到发射辐射体，通过辐射体将其转换为某种极化的电磁波能量，并向所需方向辐射出去。接收辐射体将来自空间特定方向的某种极化的电磁波能量又转换为已调制的高频电流能量，经馈电线输送到接收机输入端。

辐射体可以包括具有特定形状和尺寸的导体，例如线状、或片状等，本申请不限定具体的形状。在一个实施例中，线状辐射体可以简称为线天线。在一个实施例中，线状辐射体可以由导电边框实现，又可以称作为边框天线。在一个实施例中，线状辐射体可以由支架导体实现，又可以称作为支架天线。在一个实施例中，线状辐射体，或线天线的辐射体的线径(例如，包括厚度和宽度)远比波长(例如，介质波长)小(例如，小于波长的1/16)，长度可与波长(例如，介质波长)相比(例如，长度为波长的1/8附近，或1/8至1/4，或1/4至1/2，或更长)。线天线的主要形式有偶极子天线、半波振子天线、单极子天线、环天线、倒F天线(又称IFA，Inverted F Antenna)、平面倒F天线(又称PIFA，Planar Inverted F Antenna)。例如，对于偶极子天线而言，每个偶极子天线通常包括两个辐射枝节，每个枝节由馈电部从辐射枝节的馈电端进行馈电。例如，倒F天线(Inverted-FAntenna,IFA)可以看作是由单极子天线增加一个接地路径得到。IFA天线具有一个馈电点和一个接地点，由于其侧视图为倒F形，所以被称为倒F天线。在一个实施例中，片状辐射体可以包括微带天线，或贴片(patch)天线。在一个实施例中，片状辐射体可以由平面状导体(例如导电片或导电涂层等)实现。在一个实施例中，片状辐射体可以包括导电片，例如铜片等。在一个实施例中，片状辐射体可以包括导电涂层，例如银浆等。片状辐射体的形状包括圆形、矩形、环形等，本申请不限定具体的形状。微带天线的结构一般由介质基板、辐射体及地板构成，其中介质基板设置于辐射体与地板之间。

辐射体也可以包括形成在导体上的槽或者缝隙，例如，在接地的导体面上形成封闭或半封闭的槽或缝。在一个实施例中，开槽或开缝的辐射体可以简称为槽天线或缝隙天线。在一个实施例中，具有封闭槽或缝的辐射体可以简称为闭合槽天线。在一个实施例中，具有半封闭的槽或缝(例如在封闭的槽或缝上增设开口)的辐射体可以简称为开口槽天线。在一些实施例中，缝隙形状是长条形的。在一些实施例中，缝隙的长度约为半个波长(例如，介质波长)。在一些实施例中，缝隙的长度约为整数倍个波长(例如，一倍的介质波长)。在一些实施例中，缝隙可用跨接在它的一边或两边上的传输线馈电，由此，缝隙上激励有射频电磁场，并向空间辐射电磁波。在一个实施例中，槽天线或缝隙天线的辐射体可以由两端接地的导电边框实现，又可以称作为边框天线；在此实施例中，可以看作是，槽天线或缝隙天线包括线状辐射体，线状辐射体与地板间隔设置并在辐射体的两端接地，从而形成封闭或半封闭的槽或缝隙。在一个实施例中，槽天线或缝隙天线的辐射体可以由两端接地的支架导体实现，又可以称作为支架天线。

集总元件/器件：指元件大小远小于电路工作频率相对之波长时，对所有元件之统称。对于信号而言，不论任何时刻，元件特性始终保持固定，与频率无关。

分布元件/器件：与集总元件不同地，若元件大小与电路工作频率相对之波长差不多或更大的时候，则当信号通过元件之时，元件本身各点之特性将因信号之变化而有所不同，则此时不能将元件整体视为一特性固定之单一体，而应称为分布元件。

电容：可理解为集总电容和/或分布电容。集总电容指的是呈容性的元器件，例如电容元件；分布电容(或分布式电容)指的是两个导电件间隔一定间隙而形成的等效电容。

电感：可理解为集总电感和/或分布电感。集总电感指的是呈电感的元器件，例如电容元件；分布电感(或分布式电感)指的是通过一定长度的导电件而形成的等效电感，例如导体由于卷曲或旋转而形成的等效电感。

谐振/谐振频率：谐振频率又叫共振频率。谐振频率可以有一个频率范围，即，发生共振的频率范围。谐振频率可以是回波损耗特性小于-6dB的频率范围。共振最强点对应的频率就是中心频率点频率。中心频率的回波损耗特性可以小于-20dB。应可理解，若没有额外说明，本申请提到的天线/辐射体“产生第一谐振”中，第一谐振应为天线/辐射体所产生的基模谐振，或者，天线/辐射体在一定的天线模式下所产生的频率最低的谐振。

谐振频段：谐振频率的范围是谐振频段，谐振频段内任一频点的回波损耗特性可以小于-6dB或-5dB。

通信频段/工作频段：无论何种类型的天线，总是在一定的频率范围(频段宽度)内工作。例如，支持B40频段的天线，其工作频段包括2300MHz～2400MHz范围内的频率，或者是说，该天线的工作频段包括B40频段。满足指标要求的频率范围可以看作天线的工作频段。

谐振频段和工作频段可以相同或不同，或者其频率范围可以部分重叠。在一个实施例中，天线的一个或多个谐振频段可以覆盖该天线的一个或多个工作频段。

电长度：可以是指物理长度(即机械长度或几何长度)与所传输电磁波的波长之比，电长度可以满足以下公式：

其中，L为物理长度，λ为电磁波的波长。

波长：或者工作波长，可以是谐振频率的中心频率对应的波长或者天线所支持的工作频段的中心频率。例如，假设B1上行频段(谐振频率为1920MHz至1980MHz)的中心频率为1955MHz，那工作波长可以为利用1955MHz这个频率计算出来的波长。不限于中心频率，“工作波长”也可以是指谐振频率或工作频段的非中心频率对应的波长。

应理解，波长(工作波长)可以理解为电磁波在介质中的波长，例如，辐射体产生的电磁波在介质中传输的波长与真空中传输的波长满足以下公式：

其中，λ_ε为电磁波在介质中的波长，λ_c为电磁波在真空中的波长，ε_r为介质层中介质的相对介电常数。本申请实施例中的波长，通常指的是介质波长，可以是谐振频率的中心频率对应的介质波长，或者天线所支持的工作频段的中心频率对应的介质波长。例如，假设B1上行频段(谐振频率为1920MHz至1980MHz)的中心频率为1955MHz，那波长可以为利用1955MHz这个频率计算出来的介质波长。不限于中心频率，“介质波长”也可以是指谐振频率或工作频段的非中心频率对应的介质波长。为便于理解，本申请实施例中提到的介质波长可以简单地通过辐射体的一侧或多侧所填充介质的相对介电常数来计算。

端/点：天线辐射体的第一端/第二端/馈电端/接地端/馈电点/接地点/连接点中的“端/点”，并不能狭义的理解为一定是一个点，还可以认为是天线辐射体上包括第一端点的一段辐射体；也不能狭义的理解为一定是与其他辐射体断开的端点或端部，还可以认为是连续的辐射体上的某个点或者某一段。在一个实施例中，“端/点”可以包括该天线辐射体在第一缝隙处的端点，例如，天线辐射体的第一端可以认为是是辐射体上距离该缝隙处5mm(例如，2mm)以内的一段辐射体。在一个实施例中，“端/点”可以包括天线辐射体上耦合连接其他导电结构的连接/耦合区域，例如，馈电端/馈电点可以是天线辐射体上耦合连接馈电结构或馈电电路的耦合区域(例如，与馈电电路的一部分面对面的区域)，又例如，接地端/接地点可以是天线辐射体上耦合连接接地结构或接地电路的连接/耦合区域。

开放端、封闭端：在一些实施例中，开放端/封闭端例如是相对是否接地而言的，封闭端接地，开放端不接地，。在一些实施例中，开放端/封闭端或者例如是相对于其他导电体而言的，封闭端电连接其他导电体，开放端不电连接其他导电体。在一个实施例中，开放端还可以称作开口端、或开路端。在一个实施例中，封闭端还可以称作接地端、或短路端。应可理解，在一些实施例中，可以通过开放端耦合连接其他导电体，以传递耦合能量(可以理解为传递电流)。

本申请实施例中提及的电流同向/反向分布，应理解为在同一侧的导体上主要电流的方向为同向/反向的。例如，在呈弯折状或呈环状的导体上激励同向分布电流(例如，电流路径也是弯折的或环状的)时，应可理解，例如，环状导体中两侧的导体上(例如围绕一缝隙的导体，在该缝隙两侧的导体上)激励的主要电流虽然从方向上看为反向的，其仍然属于本申请中对于同向分布电流的定义。在一个实施例中，一个导体上的电流同向可以指该导体上的电流无反向点。在一个实施例中，一个导体上的电流反向可以指该导体上的电流至少有一个反向点。在一个实施例中，两个导体上的电流同向可以指这两个导体上的电流均无反向点，且在同一方向上流动。在一个实施例中，两个导体上的电流反向可以指这两个导体上的电流均无反向点，且在相反的方向上流动。可以相应地理解多个导体上的电流同向/反向。

本申请实施例中提及的中间或中间位置等这类关于位置、距离的限定，均表示一定的范围。例如，导体的中间(位置)可以是指导体上包括中点的一段导体部分，例如，导体的中间(位置)可以是指导体上距离中点小于预定阈值(例如，1mm，2mm，或2.5mm)的一段导体部分。

天线系统效率(total efficiency)：指在天线的端口处输入功率与输出功率的比值。

天线辐射效率(radiation efficiency)：指天线向空间辐射出去的功率(即有效地转换电磁波部分的功率)和输入到天线的有功功率之比。其中，输入到天线的有功功率＝天线的输入功率-损耗功率；损耗功率主要包括回波损耗功率和金属的欧姆损耗功率和/或介质损耗功率。辐射效率是衡量天线辐射能力的值，金属损耗、介质损耗均是辐射效率的影响因素。

本领域技术人员可以理解，效率一般是用百分比来表示，其与dB之间存在相应的换算关系，效率越接近0dB，表征该天线的效率越优。

天线回波损耗：可以理解为经过天线电路反射回天线端口的信号功率与天线端口发射功率的比值。反射回来的信号越小，说明通过天线向空间辐射出去的信号越大，天线的辐射效率越大。反射回来的信号越大，说明通过天线向空间辐射出去的信号越小，天线的辐射效率越小。

天线回波损耗可以用S11参数来表示，S11属于S参数中的一种。S11表示反射系数，此参数能够表征天线发射效率的优劣。S11参数通常为负数，S11参数越小，表示天线回波损耗越小，天线本身反射回来的能量越小，也就是代表实际上进入天线的能量就越多，天线的系统效率越高；S11参数越大，表示天线回波损耗越大，天线的系统效率越低。

需要说明的是，工程上一般以S11值为-6dB作为标准，当天线的S11值小于-6dB时，可以认为该天线可正常工作，或可认为该天线的发射效率较好。

地，或地板：可泛指电子设备(比如手机)内任何接地层、或接地板、或接地金属层等的至少一部分，或者上述任何接地层、或接地板、或接地部件等的任意组合的至少一部分，“地”可用于电子设备内元器件的接地。一个实施例中，“地”可以是电子设备的电路板的接地层，也可以是电子设备中框形成的接地板或屏幕下方的金属薄膜形成的接地金属层。一个实施例中，电路板可以是印刷电路板(printed circuit board，PCB)，例如具有8、10、12、13或14层导电材料的8层、10层或12至14层板，或者通过诸如玻璃纤维、聚合物等之类的介电层或绝缘层隔开和电绝缘的元件。

上述任何接地层、或接地板、或接地金属层由导电材料制得。一个实施例中，该导电材料可以采用以下材料中的任一者：铜、铝、不锈钢、黄铜和它们的合金、绝缘基片上的铜箔、绝缘基片上的铝箔、绝缘基片上的金箔、镀银的铜、绝缘基片上的镀银铜箔、绝缘基片上的银箔和镀锡的铜、浸渍石墨粉的布、涂覆石墨的基片、镀铜的基片、镀黄铜的基片和镀铝的基片。本领域技术人员可以理解，接地层/接地板/接地金属层也可由其它导电材料制得。

接地：是指通过任何方式与上述地/地板实现耦合。在一个实施例中，接地可以是通过实体接地，例如通过中框的部分结构件实现边框上特定位置的实体接地(或者称为，实体地)。在一个实施例中，接地可以是通过器件接地，例如通过串联或并联的电容/电感/电阻等器件接地(或者称为，器件地)。

下面将结合附图，对本申请实施例的技术方案进行描述。

如图1所示，电子设备10可以包括：盖板(cover)13、显示屏/模组(display)15、印刷电路板(printed circuit board，PCB)17、中框(middle frame)19和后盖(rear cover)21。应理解，在一些实施例中，盖板13可以是玻璃盖板(cover glass)，也可以被替换为其他材料的盖板，例如PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)材料盖板等。

其中，盖板13可以紧贴显示模组15设置，可主要用于对显示模组15起到保护、防尘作用。

在一个实施例中，显示模组15可以包括液晶显示面板(liquid crystal display，LCD)，发光二极管(light emitting diode，LED)显示面板或者有机发光半导体(organiclight-emitting diode，OLED)显示面板等，本申请实施例对此并不做限制。

中框19主要起整机的支撑作用。图1中示出PCB17设于中框19与后盖21之间，应可理解，在一个实施例中，PCB17也可设于中框19与显示模组15之间，本申请实施例对此并不做限制。其中，印刷电路板PCB17可以采用耐燃材料(FR-4)介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，也可以采用Rogers和FR-4的混合介质板，等等。这里，FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板是一种高频板。PCB17上承载电子元件，例如，射频芯片等。在一个实施例中，印刷电路板PCB17上可以设置一金属层。该金属层可用于印刷电路板PCB17上承载的电子元件接地，也可用于其他元件接地，例如支架天线、边框天线等，该金属层可以称为地板，或接地板，或接地层。在一个实施例中，该金属层可以通过在PCB17中的任意一层介质板的表面蚀刻金属形成。在一个实施例中，用于接地的该金属层可以设置在印刷电路板PCB17上靠近中框19的一侧。在一个实施例中，印刷电路板PCB17的边缘可以看作其接地层的边缘。可以在一个实施例中，金属中框19也可用于上述元件的接地。电子设备10还可以具有其他地板/接地板/接地层，如前所述，此处不再赘述。

其中，电子设备10还可以包括电池(图中未示出)。电池可以设置于设于中框19与后盖21之间，或者可设于中框19与显示模组15之间，本申请实施例对此并不做限制。在一些实施例中，PCB17分为主板和子板，电池可以设于所述主板和所述子板之间，其中，主板可以设置于中框19和电池的上边沿之间，子板可以设置于中框19和电池的下边沿之间。

电子设备10还可以包括边框11，边框11可以由金属等导电材料形成。边框11可以设于显示模组15和后盖21之间并绕电子设备10的外围周向延伸。边框11可以具有包围显示模组15的四个侧边，帮助固定显示模组15。在一种实现方式中，金属材料制成的边框11可以直接用作电子设备10的金属边框，形成金属边框的外观，适用于金属工业设计(industrialdesign，ID)。在另一种实现方式中，边框11的外表面还可以为非金属材料，例如塑料边框，形成非金属边框的外观，适用于非金属ID。

中框19可以包括边框11，包括边框11的中框19作为一体件，可以对整机中的电子器件起支撑作用。盖板13、后盖21分别沿边框的上下边沿盖合从而形成电子设备的外壳或壳体(housing)。在一个实施例中，盖板13、后盖21、边框11和/或中框19，可以统称为电子设备10的外壳或壳体。应可理解，“外壳或壳体”可以用于指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任一个的部分或全部，或者指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任意组合的部分或全部。

中框19上的边框11可以至少部分地作为天线辐射体以收/发射频信号，作为辐射体的这一部分边框，与中框19的其他部分之间可以存在间隙，从而保证天线辐射体具有良好的辐射环境。在一个实施例中，中框19在作为辐射体的这一部分边框处可以设置孔径，以利于天线的辐射。

或者，可以不将边框11看做中框19的一部分。在一个实施例中，边框11可以和中框19连接并一体成型。在另一实施例中，边框11可以包括向内延伸的突出件，以与中框19相连，例如，通过弹片、螺丝、焊接等方式相连。边框11的突出件还可以用来接收馈电信号，使得边框11的至少一部分作为天线的辐射体收/发射频信号。作为辐射体的这一部分边框，与中框30之间可以存在间隙42，从而保证天线辐射体具有良好的辐射环境，使得天线具有良好的信号传输功能。

其中，后盖21可以是金属材料制成的后盖；也可以是非导电材料制成的后盖，如玻璃后盖、塑料后盖等非金属后盖；还可以是同时包括导电材料和非导电材料制成的后盖。在一个实施例中，包括导电材料的后盖21可以替代中框19，与边框11作为一体件，对整机中的电子器件起支撑作用。

在一个实施例中，中框19，和/或后盖21中的导电部分，可以作为电子设备10的参考地，其中，电子设备的边框11、PCB17等可以通过与中框的电连接实现接地。

电子设备10的天线还可以设置于边框11内。当电子设备10的边框11为非导电材料时，天线辐射体可以位于电子设备10内并延边框11设置。例如，天线辐射体贴靠边框11设置，以尽量减小天线辐射体占用的体积，并更加的靠近电子设备10的外部，实现更好的信号传输效果。需要说明的是，天线辐射体贴靠边框11设置是指天线辐射体可以紧贴边框11设置，也可以为靠近边框11设置，例如天线辐射体与边框11之间能够具有一定的微小缝隙。

电子设备10的天线还可以设置于外壳内，例如支架天线、毫米波天线等(图1中未示出)。设置于壳体内的天线的净空可以由中框、和/或边框、和/或后盖、和/或显示屏中任一个上的开缝/开孔来得到，或者由任几个之间形成的非导电缝隙/孔径来得到，天线的净空设置可以保证天线的辐射性能。应可理解，天线的净空可以是由电子设备10内的任意导电元器件来形成的非导电区域，天线通过该非导电区域向外部空间辐射信号。在一个实施例中，天线40的形式可以为基于柔性主板(flexible printed circuit，FPC)的天线形式，基于激光直接成型(laser-direct-structuring，LDS)的天线形式或者微带天线(microstrip disk antenna，MDA)等天线形式。在一个实施例中，天线也可采用嵌设于电子设备10的屏幕内部的透明结构，使得该天线为嵌设于电子设备10的屏幕内部的透明天线单元。

图1仅示意性的示出了电子设备10包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大小和实际构造不受图1限定。

应理解，在本申请的实施例中，可以认为电子设备的显示屏所在的面为正面，后盖所在的面为背面，边框所在的面为侧面。

应理解，在本申请的实施例中，认为用户握持(通常是竖向并面对屏幕握持)电子设备时，电子设备所在的方位具有顶部、底部、左侧部和右侧部。应理解，在本申请的实施例中，认为用户握持(通常是竖向并面对屏幕握持)电子设备时，电子设备所在的方位具有顶部、底部、左侧部和右侧部。

由于射频芯片(RF IC)通常设置在电子设备的PCB上，而天线的辐射体会根据电子设备的实际布局进行设置。在一些大尺寸的电子还设备中，例如笔记本电脑，由于各个部件的布局原因，RF IC设置于键盘处，天线设置于转轴以及外壳的边沿，如图2所示。由于天线距离RFIC较远，在电信号在由RF IC传输至天线的过程中损耗过大，会使天线的辐射性能变差，因此，需要天线提升效率，以使其具有良好的辐射性能。

同时，随着通信频段的增多，例如，在WiFi 6E的架构下，在2.4GHz频段(2.4GHz-2.483GHz)和5GHz频段(5.15GHz-5.85GHz)的基础上，新增了6GHz频段(5.925GHz-7.125GHz)，天线进一步拓展工作带宽。因此，电子设备上天线如何同时具备宽频带和高效率的辐射特性成为当务之急。

本申请实施例提供了一种天线结构和电子设备，该天线结构利用该天线结构利用多个不同的工作模式产生对应的谐振，多个谐振频段可以使天线结构具有良好的工作带宽，同时，在工作频段内，具有良好的系统效率。

图3是本申请实施例提供的一种天线结构200的示意图。

如图所示，天线结构200可以包括地板201，第一辐射体210，第二辐射体220，第三辐射体230，第一接地件240，第二接地件250和第三接地件260。

其中，地板201与第一辐射体210、第二辐射体220和第三辐射体230之间均具有间隙。

第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间可以形成第一缝隙202。在一个实施例中，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端相对且互不接触。

在一个实施例中，第一辐射体210的第一端为开放端。在一个实施例中，第二辐射体220的第一端也为开放端。

第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端之间可以形成第二缝隙203。在一个实施例中，第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端相对且互不接触。

在一个实施例中，第三辐射体230的第二端为开放端。具体地，第三辐射体230的第二端不接地。在一个实施例中，第三辐射体230的第二端与地板201之间不设有(例如，电连接，或间接耦合)任何电子元件。在一个实施例中，第二辐射体220的第二端也为开放端。

在一个实施例中，第一辐射体210，第二辐射体220和第三辐射体230可以位于同一平面内。在一个实施例中，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端可以在第一方向上形成第一缝隙202。第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端之间可以在第一方向上形成第二缝隙203。第一方向可以为第一辐射体210的长度的延伸方向。

第一辐射体210包括第一接地点211，第二辐射体220包括第二接地点221，第三辐射体230包括第三接地点231。第一接地件240的第一端与第一辐射体210在第一接地点211耦合，第一接地件240的第二端与地板201耦合，以通过地板201接地。第二接地件250的第一端与第二辐射体220在第二接地点221耦合，第二接地件250的第二端与地板201耦合，以通过地板201接地。第三接地件260的第一端与第三辐射体230在第三接地点231耦合，第三接地件360的第二端与地板201耦合，以通过地板201接地。

应理解，为了论述的简洁，本申请实施例的附图仅以直接电连接为例进行说明，在实际的应用中，也可以通过间接耦合的方式实现，间接耦合的结构与电连接的结构不同，可以根据实际需要对本申请的结构进行替换，以通过间接的方式实现耦合，本申请对此并不做限定。

在一个实施例中，第一接地件240，第二接地件250和第三接地件260可以位于同一平面内。在一个实施例中，由于电子设备内的布局空间，第一接地件240，第二接地件250和第三接地件260可以位于不同的平面。

天线结构200的工作频段可以包括第一频段。在一个实施例中，第一频段可以包括WiFi中的部分频段，例如，5GHz频段(5.15GHz-5.85GHz)和6GHz频段(5.925GHz-7.125GHz)。

第一辐射体210的第一端到第一接地点211的距离和第一接地件240的长度之和为L1、第二辐射体220的第一端到第二接地点221的距离和与第二接地件250的长度之和为L2、第二辐射体220的第二端到第二接地点221的距离和第二接地件250的长度之和为L3、第三辐射体230的第一端到第三接地点231的距离和第三接地件260的长度之和为L4以及第三辐射体230的第二端到第三接地点231的距离和第三接地件260的长度之和为L5满足：L1、L2、L3、L4、L5≤3λ/10，λ为第一频段对应的波长。其中，第一频段对应的波长可以理解为第一频段的中心频率对应的真空波长，或者，也可以理解为第一频段中天线结构产生的谐振点对应的真空波长。

应理解，第一辐射体210的第一端到第一接地点211的距离和第一接地件240的长度之和也可以理解为第一辐射体210的第一端与第一接地件240的第二端之间的距离。

在一个实施例中，第一辐射体210或第一接地件240包括馈电点，馈电点接收相应的射频信号。

在一个实施例中，第二辐射体220通过第一缝隙与第一辐射体210耦合。第二辐射体220通过第一辐射体210耦合能量，以辐射射频信号。

在一个实施例中，第三辐射体230通过第二缝隙与第二辐射体220耦合。第三辐射体230通过第二辐射体220耦合能量，以辐射射频信号。

应理解，在本申请实施例提供的技术方案中，天线结构包括由第一辐射体和第一接地件形成的有源辐射枝节(包括馈电点)，以及第二辐射体220和第二接地件250形成的无源辐射枝节(不包括馈电点)；第三辐射体230和第三接地件260形成的形成的无源辐射枝节。在一个实施例中，无源辐射枝节均呈T形枝节。本申请实施例中的天线结构通过多个辐射体，提供多个谐振模式，通过谐振模式产生的谐振，可以拓展天线结构的工作带宽，同时，在谐振的谐振频段内，均具有良好的系统效率。

本申请实施例中的天线结构具有多个辐射体，可以看做具有超材料(Metamaterial，又称为meta)特性的天线结构(以下简称为meta天线结构，或meta天线)。在一个实施例中，该多个辐射体端对端依次排列，可以看做是形成metaline天线的结构，其是meta天线的一种形式，可以理解为多个辐射体在一个方向上组阵形成的meta天线结构。应可理解，将本申请实施例的天线结构看做具有meta天线的特性，是为了方便理解本申请的实施例，而并不用于限定本申请。

在一个实施例中，上述L1、L2、L3、L4、L5满足：L1、L2、L3、L4、L5≥λ/10。

在一个实施例中，上述L1、L2、L3、L4、L5满足：L1×90％≤L2、L3、L4和/或L5≤L1×110％。

应理解，L1、L2、L3、L4、L5可以大致相同，大致相同可以理解为误差在10％的范围内。

在一个实施例中，第一辐射体210的第一端到第一接地点211的距离d1、第二辐射体220的第一端与第二接地点221的距离d2、第二辐射体220的第二端与第二接地点221的距离d3、第三辐射体230的第一端与第三接地点231的距离d4以及第三辐射体230的第二端与第三接地点231的距离d5满足：d1×90％≤d2、d3、d4和/或d5≤d1×110％。

应理解，d1、d2、d3、d4、d5可以大致相同，大致相同可以理解为误差在10％的范围内。

在一个实施例中，第一接地点211位于第一辐射体210的第二端，第一辐射体210和第一接地件240形成L形结构。

在一个实施例中，天线结构200还包括馈电单元270。第一接地件240包括馈电点241。馈电单元240在馈电点241处耦合于第一接地件240，为天线结构240馈入电信号。

在一个实施例中，第一辐射体210、第二辐射体220和第三辐射体230可以用于共同产生第一谐振和第二谐振，第一谐振的频率低于第二谐振的频率。在一个实施例中，第一谐振的谐振频段和第二谐振的谐振频段可以包括第一频段。应理解，本申请实施例中的，“共同产生谐振”可以理解为，任一个辐射体的电长度变化均会对谐振产生影响。在一个实施例中，当减少一个辐射体时，则不能产生相同工作频段或邻近工作频段下的谐振，例如原有谐振偏离其中心频率的30％以上。

在一个实施例中，第一谐振可以对应于天线结构200的零波长谐振。在一个实施例中，第二谐振可以对应于天线结构200的四分之一波长谐振。应理解，上述谐振模式可以理解为由馈电点馈入的电信号由馈电点传输至辐射体末端(第三辐射体230的第二端)的相位变化值，由于180°相位可以对应于二分之一波长。因此，当电信号由馈电点传输至辐射体末端相位未发生变化或变化约为0°时，等效于电信号在该过程中经过的电长度为零，可以对应于上述零波长谐振。而当电信号由馈电点传输至辐射体末端相位滞后约90°时，等效于电信号在该过程中经过的电长度为四分之一波长，可以对应于上述四分之一波长谐振。

在一个实施例中，第一辐射体210、第二辐射体220和第三辐射体230还可以用于共同产生第三谐振，第三谐振的频率低于第一谐振的频率，第三谐振可以用于拓展天线结构200的通信频段。

在一个实施例中，第三谐振可以对应于天线结构200的负二分之一波长谐振。应理解，上述负二分之一波长谐振可以理解为，当电信号由馈电点传输至辐射体末端相位超前约180°，等效于电信号在该过程中经过的电长度为负二分之一波长。

在一个实施例中，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间的距离小于或等于1mm。或者，也可以理解为第一缝隙202的宽度小于或等于1mm。应理解，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间的距离可以理解为第一辐射体210的第一端的端部和第二辐射体220的第一端的端部之间的最小距离，下述实施例中端到端的距离也可以相应理解。第一缝隙202的宽度可以理解为第一缝隙202的宽度的最小值，下述实施例中缝隙的宽度也可以相应理解。

和/或，第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端之间的距离小于或等于1mm。或者，也可以理解为第二缝隙203的宽度小于或等于1mm。

应理解，第一缝隙和第二缝隙可以等效为电容，通过设置第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间的距离，以及第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端之间的距离可以使第二辐射体220和第三辐射体230上耦合到不同强度的能量，以使上述谐振模式产生的谐振的频率发生偏移。在一个实施例中，相邻的辐射体的端部之间还可以电连接电子元件271，如图4所示，以使缝隙等效的电容的电容值发生变化。

在一个实施例中，电子元件271可以电连接于缝隙两侧的辐射体之间。例如，电子元件271电连接于第一缝隙两侧的第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间。在一个实施例中，电子元件271与第一辐射体210或第二辐射体220的电连接点与第一缝隙之间的距离可以小于第一阈值。在一个实施例中，第一阈值可以是小于5mm的值，例如，第一阈值为2mm或1mm。应理解，在本申请实施例中，电连接于缝隙两侧的辐射体之间的电子元件均可以参照上述描述进行设置。

在一个实施例中，电子元件271可以包括电容。

在一个实施例中，第一接地件240、第二接地件250或第三接地件260的长度小于2mm。应理解，第一接地件240、第二接地件250或第三接地件260可以等效为电感，通过设置第一接地件240、第二接地件250或第三接地件260不同的长度，可以使上述谐振模式产生的谐振的频率发生偏移。在一个实施例中，接地件和地板201之间可以电连接有电子元件272，如图4所示，以使接地件等效的电感的电感值发生变化。

在一个实施例中，电子元件272可以在接地件的任意位置与接地件电连接，为了论述的简洁，本申请实施例仅以电子元件272电连接于接地件的第二端的端部与地板201之间为例进行说明，本申请实施例对此并不做限制。

在一个实施例中，电子元件272可以包括电感。

在一个实施例中，第一辐射体210的第一端与第一接地点211之间的距离L1、第二辐射体220的第一端与第二接地点221之间的距离、第二辐射体220的第二端与第二接地点221之间的距离、第三辐射体230的第一端与第三接地点231之间的距离以及第三辐射体230的第二端与第三接地点之间的距离可以不同，可以使上述谐振模式产生的谐振的频率发生偏移。

图5是图3所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图5所示，天线结构可以在4.2GHz、5.2GHz和6.5GHz附近产生谐振，可以对应于上述第三谐振、第一谐振和第二谐振。以S11<-6dB为界限，天线结构的工作频段可以包括5.15GHz-5.85GHz和5.925GHz-7.125GHz，可以对应于在WiFi的5GHz频段(5.15GHz-5.85GHz)以及WiFi 6E新增的6GHz频段(5.925GHz-7.125GHz)。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-3dB，具有良好的系统效率。

为了论述的简洁，在上述实施例中，以第一谐振和第二谐振的谐振频段包括WiFi的5GHz频段和6GHz频段为例进行说明，在实际的应用中，可以通过控制天线结构的辐射体或接地件的电参数，使第一谐振和第三谐振的谐振频段包括WiFi的5GHz频段和6GHz频段，本申请实施例对此并不做限制，可以根据实际的生产或者设计确定。

图6是图3所示的天线结构200中电信号由馈电点传输至辐射体末端(第三辐射体230的第二端)的相位变化曲线。

如图6所示，在第一谐振覆盖的第一谐振频率，或者说，覆盖的第一谐振频点(以5.09GHz为例)，电信号由由馈电点传输至辐射体末端相位变化约为0°(0°±45°)，等效于电信号在该过程中经过的电长度为零，可以对应于上述零波长谐振。

在第二谐振覆盖的第二谐振频率，或者说，覆盖的第二谐振频点(以6.24GHz为例)，电信号由由馈电点传输至辐射体末端相位滞后约90°(-90°±45°)，等效于电信号在该过程中经过的电长度为四分之一，可以对应于上述四分之一波长谐振。

在第三谐振覆盖的第三谐振频率，或者说，覆盖的第三谐振频点(以4.18GHz为例)，电信号由由馈电点传输至辐射体末端相位超前约180°(180°±45°)，等效于电信号在该过程中经过的电长度为负二分之一，可以对应于上述负二分之一波长谐振。

图7至图9是图3所示天线结构200的电流分布示意图。其中，图7是图3所示天线结构200在第三频段内的一谐振频点(例如，4.2GHz)的电流分布示意图。图8是图3所示天线结构200在第一频段内的一谐振频点(例如，5.2GHz)的电流分布示意图。图9是图3所示天线结构200在第二频段内的一谐振频点(例如，6.5GHz)的电流分布示意图。

如图7至图9所示，每个分支(辐射体由接地点至端部)上的电流均呈现四分之一波长模式，由接地点至端部的电流强度由大至小呈单向分布，且无电流反向点。在各个频段的电流分布中，在辐射体的接地点区域为电流强区，在相邻的辐射体之间的缝隙处电流弱区。

应理解，相邻的接地点之间的辐射体(例如，第一接地点至第二接地点之间的部分第一辐射体和第二辐射体)可以形成类似于槽天线的结构。因此，可以通过槽天线的电流模式对其进行分析。

而在接地点两侧的辐射体(例如，第二接地点两侧的第二辐射体)可以形成类似线天线的结构(例如，T形天线)。因此，可以通过线天线的电流模式对其进行分析。

在相邻的辐射体之间形成的缝隙(例如，第一辐射体的第一端和第二辐射体的第一端之间形成的第一缝隙)处，缝隙两侧的电流同向可以定义为槽天线的C模电流，缝隙两侧的电流反向可以定义为槽天线的D模电流。在辐射体的接地点处，接地点两侧的电流同向可以定义为线天线的D模电流，接地点两侧的电流反向可以定义为线天线的C模电流。

如图7所示，由第一辐射体的接地点至第三辐射体的第二端的电流模式为C-C-C-C(在第一缝隙两侧，第一辐射体和第二辐射体上的电流同向，在第二接地点两侧，第二辐射体上的电流反向，在第二缝隙两侧，第二辐射体和第三辐射体上的电流同向，在第三接地点两侧，第三辐射体上的电流反向)。

如图8所示，由第一辐射体的接地点至第三辐射体的第二端的电流模式为C-D-C-C(在第一缝隙两侧，第一辐射体和第二辐射体上的电流同向，在第二接地点两侧，第二辐射体上的电流同向，在第二缝隙两侧，第二辐射体和第三辐射体上的电流同向，在第三接地点两侧，第三辐射体上的电流反向)。

如图9所示，由第一辐射体的接地点至第三辐射体的第二端的电流模式为C-D-C-D(在第一缝隙两侧，第一辐射体和第二辐射体上的电流同向，在第二接地点两侧，第二辐射体上的电流同向，在第二缝隙两侧，第二辐射体和第三辐射体上的电流同向，在第三接地点两侧，第三辐射体上的电流同向)。

随着天线结构产生的工作频率由低频向高频移动过程中，电流分布中的D模电流占比逐渐增加。

在一个实施例中，第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体可以看做是呈meta天线结构，可以增加天线结构的辐射体口径，以增加天线结构的辐射口径。例如，以图9所示的电流分布为例，由第一辐射体的接地点至第三辐射体的第二端，辐射体上的电流均同向，且无电流反向点，使天线结构的工作模式呈四分之一波长模式。而第一辐射体的接地点至第三辐射体的第二端的电长度远大于四分之一波长，等效增大了天线结构的辐射口径，提升了天线结构的效率。

图10是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

如图10中的(a)所示，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端相向设置，第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端相向设置。

应理解，图3所示的天线结构200的一个实施例中，第一辐射体210、第二辐射体220和第三辐射体230中相邻的任意两个辐射体可以位于同一平面内。在一个实施例中，第一辐射体210和第二辐射体220在地板平面上的投影不重叠。

第二辐射体220和第三辐射体230之间可以具有类似的位置关系，此处不再赘述。

在另一实施例中，第一辐射体210、第二辐射体220和第三辐射体230中相邻的任意两个辐射体可以位于不同平面。在一个实施例中，第一辐射体210和第二辐射体220在地板平面上的投影部分重叠。

图10所示的天线结构200与图3所示的天线结构200的区别至少在于第一辐射体210，第二辐射体220和第三辐射体230中的至少两个相邻的辐射体不位于同一平面内。在图10所示的天线结构200中，第一辐射体210和第三辐射体230可以位于同一平面内。在一个实施例中，第一辐射体210和第二辐射体220可以不位于同一平面内，其在地板上的投影部分重叠。在一个实施例中，第二辐射体220和第三辐射体230可以不位于同一平面内，其在地板上的投影部分重叠.在一个实施例中，第一辐射体210，第二辐射体220和第三辐射体230可以均位于不同平面。应理解，为了论述的简洁，在本申请实施例仅以辐射体位于两个不同的平面内为例进行说明，在实际的设计或应用中，多个辐射体(例如，大于或等于3个辐射体)可以根据电子设备内的布局情况设置。

在一个实施例中，天线结构200还包括支撑板301。所述支撑板301为绝缘的支撑板。第一辐射体210和第三辐射体230设置于支撑板301的第一表面，第二辐射体220设置于支撑板301的第二表面。第一辐射体210在第二表面的投影和第二辐射体220部分重叠，第三辐射体230在第二表面的投影和第二辐射体220部分重叠。

在一个实施例中，支撑板301可以包括印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)的一部分。在一个实施例中，支撑板301可以包括绝缘支架，通常可以称为天线支架。在一个实施例中，基板301也可以是PCB中层叠设置的多层介质板中的至少一层介质板。

在一个实施例中，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端可以在第二方向上形成第一缝隙202，如图10中的(b)所示。第二辐射体220的第二端和第三辐射体230的第一端之间可以在第二方向上形成第二缝隙203。第二方向可以为垂直于第一辐射体210所在平面的方向。

应理解，当相邻辐射体在第二方向上形成缝隙时，缝隙的宽度可以理解为相邻辐射体在第二方向上的距离，或者，也可以理解为支撑板301在第二方向上的尺寸。

在一个实施例中，第一投影或第三投影与第二辐射体220部分重叠在第一方向上的尺寸可以小于或等于2mm，可以为第一辐射体210的长度的延伸方向。

图11是图10所示的天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图11所示，利用支撑板设置辐射体，相邻的辐射体之间在第二方向上形成缝隙，也可以使天线结构产生多个谐振，利用多个谐振的谐振频段拓展天线结构的工作频段。

并且，在上述谐振的谐振频段中，天线结构的系统效率均大于-4dB，具有良好的系统效率。

图12是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

如图12中的(a)所示，天线结构200还可以包括第四辐射体280和第四接地件290。

其中，第四辐射体280的第一端与第三辐射体230的第二端之间形成第四缝隙205，第四辐射体280的第二端为开放端。在一个实施例中，第四辐射体280的第一端与第三辐射体230的第二端相对且互不接触。第四辐射体280包括第四接地点，第四接地件290的第一端与第四辐射体280在第四接地点处连接，第四接地件290的第二端通过地板201接地。

应理解，图12所示的天线结构200与图3所示的天线结构200的区别仅在于第四辐射体280和第四接地件290。在图12所示的天线结构200中，第四辐射体280和第四接地件290可以用于增加天线结构200的谐振模式，使图12所示的天线结构200可以在图3所示的天线结构200的基础上产生额外的谐振模式，利用该谐振模式产生的谐振可以拓展天线结构200的工作频段。

在一个实施例中，第一缝隙202、第二缝隙203或第四缝隙205呈折线状。在一个实施例，形成缝隙202/203/205的两个辐射体相应的两端呈交指状。在一个实施例中，第一辐射体210的第一端设置有凹陷部，第二辐射体220的第一端设置有对应的凸起部，第一辐射体210的第一端和第二辐射体220的第一端之间形成的第一缝隙202可以呈折线状。应理解，在本申请实施例中，相邻的辐射体的端部之间形成的缝隙均可以根据实际的电子设备内部的布局设置，缝隙可以呈直线状、折线状或曲线状，缝隙各处的宽度也可以不相同，本申请实施例对此并不做限制。

应理解，当缝隙呈折线状时，依然满足上述实施例中的要求，例如，缝隙的宽度(缝隙的最小宽度)小于或等于1mm。

在一个实施例中，如图12中的(b)所示，第一接地件240的第一端沿第三方向(第三方向为由第一接地件240指向第一辐射体210的方向，例如，x方向)弯折。在弯折处将第一接地件240分为第一部分2401和第二部分2402，第一部分2401与第一辐射体210连接，第二部分2402接地。在一个实施例中，第一部分2401所在的第一平面和第二部分2402所在的第二平面不同。应理解，在本申请实施例中的接地件均可以呈折线状，由于电子设备内还需要设置其他部件，接地件呈折线状可以灵活适配电子设备不同的预留给天线结构的空间。

图13是图12所示天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图13所示，由于图12所示的天线结构200相较于图3所示的天线结构200增加了第四辐射体280和第四接地件290形成的T形枝节。因此，天线结构200的工作带宽增加，以S11<-4dB为界限，天线结构的工作频段可以包括WiFi的2.4GHz频段、5GHz频段以及6GHz频段。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-4dB，具有良好的系统效率。

图14是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

应理解，图12所示的天线结构200在图3所示的天线结构200的基础上增加了第四辐射体280和第四接地件290形成的T形枝节以拓展天线结构的谐振模式，从而增加天线结构的工作带宽。当天线结构200的净空(辐射体与地板201之间的距离)较小时，例如，小于1mm时，单个谐振的谐振频段较窄，可以在图12所示的天线结构200的基础上，在第四辐射体和第四接地件形成的T形枝节的一侧增加至少一个辐射体和接地件形成的T形枝节，如图14所示。图14所示的天线结构200，可以通过增加的T形枝节，多个T形枝节可以呈周期性排布，使天线结构产生新的谐振，通过新产生的谐振的谐振频段拓展天线结构的工作带宽。

应理解，图14所示的天线结构200仅作为举例使用，实际的应用中，天线结构200可以包括设置于第一辐射体210同一侧的N个辐射体和N个接地件形成的N个T形枝节，其中，N为大于或等于2的整数，N的数量可以根据实际的生产或设置决定。N个辐射体的末端为开放端，其中，末端可以理解为N个辐射体中距离第一辐射体210距离最远的辐射体的不与其他辐射体相邻的端。在一个实施例中，相邻的两个辐射体之间形成的缝隙的宽度(相邻的辐射体的端部之间的距离)均满足上述实施例中的要求，例如，小于或等于1mm。

在一个实施例中，馈电点241位于第一辐射体210上。馈电单元270与第一辐射体210在馈电点241处耦合，为天线结构200馈入电信号。

在一个实施例中，上述辐射体可以均设置于电子设备的绝缘壳体上。例如，设置于绝缘壳体的上表面或下表面，或者嵌设于绝缘壳体内。其中，绝缘壳体可以是绝缘后盖，或者绝缘前壳。

应理解，在上述实施例中，辐射体的位置仅作为举例使用，在实际的应用中，上述辐射体还可以设置于电子设备的绝缘边框内侧，以设置于电子设备内部并靠近外部空间的位置。在一个实施例中，上述辐射体还可以利用电子设备的边框实现。在一个实施例中，电子设备还包括导电边框，边框具有第一位置、第二位置、第三位置和第四位置。边框在第二位置、第三位置和第四位置开设断缝。第一位置和第二位置之间的边框为第一边框，第二位置和第三位置之间的边框为第二边框，第三位置和所述第四位置之间的边框为第三边框。第一辐射体包括第一边框，第二辐射体包括第二边框，第三辐射体包括第三边框。

图15是图14所示天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图15所示，以S11<-4dB为界限，由于天线结构的净空较小，单个谐振的谐振频段较窄，通过多个T形枝节，可以使天线结构产生多个谐振，利用多个谐振可以使天线结构的工作带宽增加，天线结构的工作频段可以包括WiFi的5GHz频段以及6GHz频段。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-5dB，具有良好的系统效率。

图16是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

如图16所示，天线结构200还可以包括第五辐射体310和第五接地件320。

其中，第五辐射体310的第一端与第一辐射体210的第二端之间形成第三缝隙204。在一个实施例中，第五辐射体310的第一端与第一辐射体210的第二端相对且互不接触。第五辐射体310包括第五接地点311，第五接地件320的第一端与第五辐射体310在第五接地点311处连接，第五接地件320的第二端通过地板201接地。在一个实施例中，第五接地点311位于第五辐射体310的第二端。

应理解，图16所示的天线结构200与图3所示的天线结构200的区别仅在于第五辐射体310和第五接地件320。在图16所示的天线结构200中，第五辐射体310和第五接地件320可以用于产生第四谐振，使天线结构200的工作频段可以包括第四频段，第四频段与上述第一频段、第二频段、第三频段均不相同，可以拓展天线结构200的工作频段。

在一个实施例中，第四谐振的谐振频段可以包括WiFi的2.4GHz频段(2.4GHz-2.483GHz)，天线结构200的工作频段可以包括WiFi的所有频段。

图17是图16所示天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图17所示，天线结构可以在2.4GHz、4.2GHz附近产生谐振，可以对应于上述第五谐振、第三谐振。由于第一谐振的谐振点和第二谐振的谐振点距离较近，在图17所示的S11中合成为一个谐振频段。以S11<-4dB为界限，天线结构的工作频段可以包括WiFi的2.4GHz频段、5GHz频段以及6GHz频段。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-5dB，具有良好的系统效率。

图18是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

如图18所示，第一辐射体210可以具有第二端，第一接地点211可以设置于第一辐射体210的第一端和第二端之间。

在一个实施例中，第一辐射体210的第二端与第一接地点211之间的距离和第一辐射体210的第一端与第一接地点211之间的距离可以不同。应理解，上述距离不同可以理解为第一辐射体210的第二端的端部与第一接地点211之间的距离和第一辐射体210的第一端的端部与第一接地点211之间的距离之差大于5mm。

在一个实施例中，第一辐射体210的第二端与第一接地点211之间的距离和第一辐射体210的第一端与第一接地点211之间的距离可以基本相同。应理解，上述距离基本相同可以理解为第一辐射体210的第二端的端部与第一接地点211之间的距离和第一辐射体210的第一端的端部与第一接地点211之间的距离相差10％以内。

应理解，图18所示的天线结构200与图3所示的天线结构200的区别至少在于第一接地点211第二侧(远离第二辐射体一侧)延伸部分辐射体。在图18所示的天线结构200中，第一辐射体210的第二端与第一接地点211之间的部分(较图3所示的天线结构200额外延伸的部分辐射体)可以用于产生第五谐振，使天线结构200的工作频段可以包括第四频段，第四频段与上述第一频段、第二频段、第三频段均不相同，可以拓展天线结构200的工作频段。

在一个实施例中，第一辐射体210的第二端的端部与第一接地点211之间的距离大于第一辐射体210的第一端的端部与第一接地点211之间的距离。

在一个实施例中，在第一辐射体210的第二端，远离第一辐射体210的第一端的一侧，还可以设置更多的辐射体。在一个实施例中，天线结构200还可以包括一个或多个T型枝节，依次设置在靠近第一辐射体210的第二端的那一侧，每个T型枝节设置有对应的接地点，耦合于对应的接地件。其中，每一个T型枝节的长度，和每一个对应的接地件长度，都适用于前述实施例的描述。应可理解，从图18的实施例出发，相当于在第一辐射体210的左侧可以设置该一个和多个T型枝节，其中，第一辐射体210左侧的T型枝节对应于，第一辐射体210的第二端与第一接地点211加上第一接地件240作为有源辐射体的谐振模式；第一辐射体210右侧的T型枝节对应于，第一辐射体210的第一端与第一接地点211加上第一接地件240作为有源辐射体的谐振模式。

在一个实施例中，第五谐振的谐振频段可以包括WiFi的2.4GHz频段(2.4GHz-2.483GHz)，天线结构200的工作频段可以包括WiFi的所有频段。

在一个实施例中，第一接地件240可以呈折线状，以使第一辐射体210与地板201之间的距离(净空)较小时，第一接地件240具有更长的电长度。在一个实施例中，第二接地件250或第三接地件260可以呈折线状。

在一个实施例中，第一接地件240、第二接地件250或第三接地件260的长度可以不同。

在一个实施例中，馈电点241可以设置于第一接地件240的第一端和第二端之间。

图19是图18所示天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图19所示，天线结构可以在2.4GHz、4.2GHz、4.8GHz和6.2GHz附近产生谐振，可以对应于上述第五谐振、第三谐振、第一谐振和第二谐振。以S11<-4dB为界限，天线结构的工作频段可以包括WiFi的2.4GHz频段、5GHz频段以及6GHz频段。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-5dB，具有良好的系统效率。

图20是本申请实施例提供的又一种天线结构200的示意图。

如图20所示，天线结构200还可以包括第六辐射体330和第六接地件340。

其中，第六辐射体330的第一端与第一辐射体210的第二端之间形成第五缝隙205，第六辐射体330的第二端为开放端。在一个实施例中，第六辐射体330的第一端与第一辐射体210的第二端相对且互不接触。第六辐射体330包括第六接地点331，第六接地件340的第一端与第六辐射体330在第六接地点331处连接，第六接地件340的第二端通过地板201接地。

第一辐射体210的第二端到第一接地点211的距离和第一接地件240的长度之和为L6、第六辐射体330的第一端到第六接地点331的距离和第六接地件340的长度之和为L7、第六辐射体330的第二端到第六接地点331的距离和第六接地件340的长度之和为L8：L6、L7、L8≤3λ/10，λ为第一频段对应的波长。

在一个实施例中，L6、L7、L8满足：L6、L7、L8≥λ/10。

在一个实施例中，L6、L7、L8满足：L1×90％≤L6、L7和/或L8≤L1×110％。

在一个实施例中，馈电点241位于第一辐射体210上。馈电单元270与第一辐射体210在馈电点241处耦合，为天线结构200馈入电信号。

应理解，图20所示的天线结构200与图18所示的天线结构200的区别仅在于第一辐射体的两端与第一接地点211之间的距离大致相同，且在图18所示的天线结构200的基础上增加第六辐射体330和第六接地件340形成的T形结构。在图20所示的天线结构200中，第一辐射体210的第二端与第一接地点211之间的部分以及第六辐射体330和第六接地件340形成的T形结构可以用于使天线结构产生新的谐振，利用新产生的谐振的谐振频段增加天线结构的工作带宽。

图21是图20所示天线结构200的S参数和系统效率的仿真结果图。

如图21所示，以S11<-4dB为界限，天线结构的工作频段可以包括4.9GHz-8.5GHz，具有较宽的工作带宽。

并且，在上述工作频段中天线结构的系统效率均大于-4dB，具有良好的系统效率。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种天线结构，其特征在于，包括：

第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射体的第一端和所述第二辐射体的第一端之间形成第一缝隙，所述第二辐射体的第二端和所述第三辐射体的第一端之间形成第二缝隙，所述第三辐射体的第二端为开放端，所述第一辐射体包括第一接地点，所述第二辐射体包括第二接地点，所述第三辐射体包括第三接地点；

地板，所述地板与所述第一辐射体、所述第二辐射体和所述第三辐射体之间均具有间隙；

第一接地件、第二接地件和第三接地件，所述第一接地件的第一端与所述第一辐射体在所述第一接地点耦合，所述第一接地件的第二端与所述地板耦合，所述第二接地件的第一端与所述第二辐射体在所述第二接地点耦合，所述第二接地件的第二端与所述地板耦合，所述第三接地件的第一端与所述第三辐射体在所述第三接地点耦合，所述第三接地件的第二端与所述地板耦合；

其中，所述第一辐射体或所述第一接地件包括馈电点，所述第二辐射体通过所述第一缝隙与所述第一辐射体耦合，所述第三辐射体通过所述第二缝隙与所述第二辐射体耦合。

2.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，

所述第一辐射体的第一端到所述第一接地点的距离d1、所述第二辐射体的第一端与所述第二接地点的距离d2、所述第二辐射体的第二端与所述第二接地点的距离d3、所述第三辐射体的第一端与所述第三接地点的距离d4以及所述第三辐射体的第二端与所述第三接地点的距离d5满足：d1×90％≤d2、d3、d4和/d5≤d1×110％。

3.根据权利要求1或2所述的天线结构，其特征在于，

所述天线结构的工作频段包括第一频段；

所述第一辐射体的第一端到所述第一接地点的距离和所述第一接地件的长度之和为L1、所述第二辐射体的第一端到所述第二接地点的距离和所述第二接地件的长度之和为L2、所述第二辐射体的第二端到所述第二接地点的距离和所述第二接地件的长度之和为L3、所述第三辐射体的第二端到所述第三接地点的距离和所述第三接地件的长度之和为L4以及所述第三辐射体的第一端到所述第三接地点的距离和所述第三接地件的长度之和为L5均满足：小于或等于

λ为第一频段对应的波长。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的天线结构，其特征在于，L1、L2、L3、L4、L5均满足：大于或等于

5.根据权利要求1至4中任一项所述的天线结构，其特征在于，L1、L2、L3、L4、L5满足：L1×90％≤L2、L3、L4和/或L5≤L1×110％。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的天线结构，其特征在于，所述第一辐射体、所述第二辐射体和所述三辐射体用于共同产生第一谐振，第二谐振和第三谐振，所述第一谐振的频率低于所述第二谐振的频率，所述第二谐振的频率低于第三谐振的频率。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的天线结构，其特征在于，

在所述第一谐振覆盖的第一谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流反向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流反向；

在所述第二谐振覆盖的第二谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流反向；

在所述第三谐振覆盖的第三谐振频率，所述第一缝隙两侧的所述第一辐射体和所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二接地点两侧的所述第二辐射体上的电流同向，在所述第二缝隙两侧的所述第二辐射体和所述第三辐射体上的电流同向，在所述第三接地点两侧的所述第三辐射体上的电流同向。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述天线结构还包括馈电单元；

所述第一接地件包括馈电点，所述馈电单元在所述馈电点处耦合于所述第一接地件。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述天线结构还包括馈电单元；

所述第一辐射体包括馈电点，所述馈电单元在所述馈电点处耦合于所述第一辐射体。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述天线结构还包括第四辐射体和第四接地件；

所述第一辐射体还具有第二端，所述第一接地点设置于所述第一辐射体的第一端和所述第一辐射体的第二端之间；

其中，所述第四辐射体的第一端与所述第一辐射体的第二端之间形成第三缝隙；

所述第四辐射体的第二端为开放端；

所述第四辐射体包括第四接地点，所述第四接地件的第一端与所述第四辐射体在所述第四接地点处耦合，所述第四接地件的第二端与所述地板耦合。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的天线结构，其特征在于，所述第一辐射体还具有第二端，所述第一接地点设置于所述第一辐射体的第一端和所述第一辐射体的第二端之间；所述第一辐射体的第二端与所述第一接地点之间的距离和所述第一辐射体的第一端与所述第一接地点之间的距离不同。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述第一接地件包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一辐射体在所述第一接地点耦合，所述第二弯折部分与所述地板耦合；

所述第一部分所在的第一平面和所述第二部分所在的第二平面不同。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述第一缝隙的宽度小于或等于1mm，和/或，所述第二缝隙的宽度小于或等于1mm。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述第一辐射体与所述第二辐射体在所述地板平面上的投影部分重叠。

15.根据权利要求1至13中任一项所述的天线结构，其特征在于，

所述第一辐射体与所述第二辐射体在所述地板平面上的投影不重叠。

16.根据权利要求15所述的天线结构，其特征在于，所述第一缝隙和/或所述第二缝隙呈折线状。

17.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1至16中任一项所述的天线结构。

18.根据权利要求17所述的电子设备，其特征在于，

所述电子设备还包括支撑板；

所述第一辐射体和所述第三辐射体设置于所述支撑板的第一表面，所述第二辐射体设置于所述支撑板的第二表面；

所述第一辐射体在所述第二表面的投影和所述第二辐射体部分重叠，所述第三辐射体在所述第二表面的投影和所述第二辐射体部分重叠。

19.根据权利要求18所述的电子设备，其特征在于，

所述支撑板包括印刷电路板的一部分，或者所述支撑板包括绝缘支架。

20.根据权利要求17所述的电子设备，其特征在于，

所述电子设备还包括绝缘壳体；

所述第一辐射体、所述第二辐射体和所述第三辐射体均设置于所述壳体上。

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