CN116232247A - 射频功率放大电路以及射频功率放大模组 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种射频功率放大电路以及射频功率放大模组，该射频功率放大电路包括：功率放大模块,所述功率放大模块包括输入端、第一输出端和第二输出端，所述功率放大模块的第二输出端用于接地；变压模块，包括相互耦合的第一线圈和第二线圈；所述第一线圈的第一端与所述第一输出端相连接，所述第一线圈的第二端用于接地；反馈模块，包括相互连接的第三线圈和反馈单元；所述第三线圈与所述第二线圈相互耦合，所述反馈单元连接于所述输入端。本申请通过加入反馈模块，反馈模块连接于功率放大模块的输入端，反馈模块与寄生电容均向输入端传输信号，且寄生电容向输入端传输的干扰信号会被反馈模块削弱，减少了寄生电容对功率放大器的线性度的影响。

Description

射频功率放大电路以及射频功率放大模组

技术领域

本申请涉及射频功率放大技术领域，更具体地，涉及一种射频功率放大电路以及射频功率放大模组。

背景技术

功率放大器是现代无线通信系统中关键的模块，其主要用于将小功率的射频电信号放大，然后将放大后的射频电信号通过天线辐射。

但功率放大器中的射频放大电路工作时，射频放大电路中的功率放大模块中会产生寄生电容，该寄生电容会影响功率放大器的线性度。

发明内容

鉴于上述问题，本申请提出了一种射频功率放大电路以及射频功率放大模组，以改善上述问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频功率放大电路，该放大电路包括：功率放大模块,功率放大模块包括输入端、第一输出端和第二输出端，功率放大模块的第二输出端用于接地；变压模块，包括相互耦合的第一线圈和第二线圈；第一线圈的第一端与第一输出端相连接，第一线圈的第二端用于接地；反馈模块，包括相互连接的第三线圈和反馈单元；第三线圈与第二线圈相互耦合，反馈单元连接于输入端。

可选地，第一输出端上的第一信号通过功率放大模块的寄生电容后形成第二信号，第二信号传输至输入端，反馈模块用于输出与第二信号的相位差处于第一预设范围内的第三信号。

可选地，第一预设范围包括[170°，190°]。

可选地，第一线圈的第一端的射频信号与第三线圈的第一端的射频信号的相位差处于第二预设范围内，第三线圈的第二端用于接地；反馈单元包括电容子单元，电容子单元连接于第三线圈和功率放大模块的输入端之间；其中，电容子单元包括至少一个电容。

可选地，第二预设范围包括[170°，190°]。

可选地，电容子单元包括多个电容以及多个第一开关；多个电容与多个第一开关一一对应；其中，多个电容并联连接；每个电容与对应的第一开关串联连接。

可选地，电容子单元包括可调谐电容，可调谐电容的第一端与第三线圈连接，可调谐电容的第二端与功率放大模块的输入端连接，可调谐电容的控制端用于连接外部调谐电压。

可选地，可调谐电容包括第一MOS电容和第二MOS电容；第一MOS电容的源极和漏极相连为可调谐电容的第一端，第二MOS电容的源极和漏极相连为可调谐电容的第二端；第一MOS电容的栅极与第二MOS电容的栅极连接为可调谐电容的控制端；或者，第一MOS电容的栅极为可调谐电容的第一端，第二MOS电容的栅极为可调谐电容的第二端；第一MOS电容的源极和漏极相连，并与第二MOS电容的源极和漏极相连后连接为可调谐电容的控制端。

可选地，电容子单元的电容值与功率放大模块的功率呈正相关关系。

可选地，第一线圈的第一端的射频信号与第三线圈的第一端的射频信号的相位差处于第三预设范围内，第三线圈的第二端用于接地；反馈单元包括电感子单元，电感子单元连接于第三线圈和功率放大模块的输入端之间；其中，电感子单元包括至少一个电感。

可选地，第三预设范围包括[-10°，10°]。

可选地，电感子单元包括多个电感以及多个第二开关；多个电感与多个第二开关一一对应；其中，多个电感并联连接；每个电感与对应的第二开关串联连接。

可选地，电感子单元的电感值与功率放大模块的功率呈正相关关系。

可选地，第二线圈的第一端连接于信号输出端，第二线圈的第二端接地。

可选地，功率放大模块包括放大晶体管；放大晶体管为HBT管，放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，放大晶体管的基极用于接收输入信号，放大晶体管的发射极用于接地；变压模块连接于放大晶体管的集电极；反馈单元连接于放大晶体管的基极；或者，放大晶体管为MOS管，放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，放大晶体管的栅极用于接收输入信号，放大晶体管的漏极用于接地；变压模块连接于放大晶体管的源极；反馈单元连接于放大晶体管的栅极。

第二方面，本申请实施例还提供了一种射频功率放大模组，包括如第一方面的射频功率放大电路。

可选地，射频功率放大模组还包括基板；射频功率放大电路的第一线圈、第二线圈以及第三线圈设置于基板。

可选地，基板包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；第二金属层设置于第一金属层和第三金属层之间；其中，第一线圈设置于第一金属层；第二线圈设置于第二金属层；第三线圈设置于第三金属层。

本申请提供一种射频功率放大电路以及射频功率放大模组，该射频功率放大电路包括：功率放大模块,功率放大模块包括输入端、第一输出端和第二输出端，功率放大模块的第二输出端用于接地；变压模块，包括相互耦合的第一线圈和第二线圈；第一线圈的第一端与第一输出端相连接，第一线圈的第二端用于接地；反馈模块，包括相互连接的第三线圈和反馈单元；第三线圈与第二线圈相互耦合，反馈单元连接于输入端。本申请通过加入反馈模块，反馈模块连接于功率放大模块的输入端，通过反馈模块反馈至功率放大模块的输入端的信号与通过功率放大模块的寄生电容反馈至功率放大模块的输入端的信号的相位差处于预设范围内(例如：180°)，因此通过功率放大模块的寄生电容向输入端传输的干扰信号会被反馈模块削弱，减少了寄生电容对功率放大器的线性度的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例及附图，都属于本申请保护的范围。

图1是本申请实施例提供的一种射频功率放大电路的结构示意图。

图2是本申请实施例提供的一种射频功率放大电路的另一结构示意图。

图3是本申请实施例提供的一种射频功率放大电路的又一结构示意图。

图4是本申请实施例提供的一种反馈单元的结构示意图。

图5是本申请实施例提供的一种反馈单元的另一结构示意图。

图6是本申请实施例提供的一种反馈单元的又一结构示意图。

图7是本申请实施例提供的一种射频放大电路的再一结构示意图。

图8是本申请实施例提供的一种反馈单元的再一结构示意图。

图9是本申请实施例提供的一种射频功率放大模组的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

功率放大器是现代无线通信系统中关键的模块，其主要用于将小功率的射频电信号放大，然后将放大后的射频电信号通过天线辐射。

但功率放大器中的射频放大电路工作时，射频放大电路中的功率放大模块中会产生寄生电容，并且寄生电容的容值会随着射频放大电路的功率而增大，因此该寄生电容会严重影响功率放大器的线性度。

为了改善上述问题，发明人提出了本申请提供的射频功率放大电路以及射频功率放大模组，该射频功率放大电路包括：功率放大模块,功率放大模块包括输入端、第一输出端和第二输出端，功率放大模块的第二输出端用于接地；变压模块，包括相互耦合的第一线圈和第二线圈；第一线圈的第一端与第一输出端相连接，第一线圈的第二端用于接地；反馈模块，包括相互连接的第三线圈和反馈单元；第三线圈与第二线圈相互耦合，反馈单元连接于输入端。本申请通过加入反馈模块，反馈模块连接于功率放大模块的输入端，通过反馈模块减少了寄生电容对功率放大器的线性度的影响。

下面将通过具体实施例对本申请实施例提供的射频功率放大电路进行详细说明。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种射频功率放大电路的结构示意图。如图1所示，图1中的射频功率放大电路100包括功率放大模块110、变压模块120、反馈模块130。

在一些实施方式中，功率放大模块110包括输入端1101、第一输出端1102和第二输出端1103，功率放大模块110的第二输出端1103用于接地。

在一些实施方式中，变压模块120，包括相互耦合的第一线圈121和第二线圈122；第一线圈121的第一端1211与第一输出端1102相连接，第一线圈121的第二端1212用于接地。

在一些实施方式中，反馈模块130，包括相互连接的第三线圈131和反馈单元132；第三线圈131与第二线圈122相互耦合，反馈单元132连接于输入端1101。

在一些实施方式中，变压模块120中的第二线圈122的第一端连接于信号输出端，第二线圈的第二端接地。

可选地，第二线圈122的第一端可以与信号输出端直接连接，也可以与信号输入端间接连接。示例性地，第二线圈122的第一端可以与输出匹配电路连接后再连接于信号输出端。

可选地，变压模块120用于对功率放大模块110输出的信号进行阻抗转换，并通过信号输出端输出。

在一些实施方式中，功率放大模块110包括放大晶体管。

可选地，放大晶体管为异质结双极型晶体管(Heterojunction bipolartransistor，HBT)，放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，放大晶体管的基极用于接收输入信号，放大晶体管的发射极用于接地；变压模块120连接于放大晶体管的集电极；反馈单元130连接于放大晶体管的基极。

可选地，放大晶体管为场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)，放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，放大晶体管的栅极用于接收输入信号，放大晶体管的漏极用于接地；变压模块120连接于放大晶体管的源极；反馈单元130连接于放大晶体管的栅极。

在一些实施方式中，功率放大模块110在工作时，会产生寄生电容，尤其是放大晶体管的基极/栅极与集电极/源极之间的寄生电容，寄生电容会影响功率放大模块的线性度。

为了降低寄生电容对功率放大模块的线性度的影响，请再参阅图2，图2是本申请实施例提供的一种射频功率放大电路的另一结构示意图。如图2所示，图2中的射频功率放大电路包括功率放大模块110、变压模块120、反馈模块130。

在一些实施方式中，功率放大模块110包括放大晶体管111和寄生电容112；其中，图2中的放大晶体管110以NPN型三极管作为示例，但可以理解的是，本申请对放大晶体管110的具体类型不做限制，且因为寄生电容112并非电路设计时实际存在的电容，因此寄生电容112以虚线表示。

在一些实施方式中，放大晶体管111的输入端1101用于接收输入信号，放大晶体管111的第一输出端1102连接于第一线圈121的第一端1211，放大晶体管111的第二输出端1103用于接地。

在一些实施方式中，寄生电容112存在于放大晶体管111的输入端1101与放大晶体管111的第一输出端1102之间。

其余器件的连接关系可参阅说明书上述部分的介绍，在此不再赘述。

在一些实施方式中，第一输出端1102的第一信号通过功率放大模块110的寄生电容112后形成第二信号，第二信号传输至输入端1101，反馈模块130用于输出与第二信号的相位差处于第一预设范围内的第三信号。

通过控制第三信号与第二信号的相位差处于第一预设范围内，可以使第二信号与第三信号相互抵消，减轻寄生电容对功率放大模块110线性度的影响。

在一些实施方式中，第三信号的幅值与第二信号的幅值之比位于[0.8，1.2]的范围内。例如，幅值之比可以取值0.8、0.9、1.0、1.1、1.2等，具体可以根据实际需要进行选择，本申请对此不作限制。

在一些实施方式中，第一预设范围包括[170°，190°]，以使第三信号与第二信号可以相互抵消，可以理解的是第三信号与第二信号可以相互抵消包括第三信号与第二信号完全抵消(例如第三信号与第二信号相位差为180°且幅值完全相同)和第三信号与第二信号部分抵消(例如第三信号与第二信号相位差不为180°或幅值不相同)。

可选地，第三信号与第二信号的相位差可以取值170°、175°、180°、185°、190°等，具体可以根据实际需要进行选择，本申请对此不作限制。

在一些实施方式中，为了使得第三信号与第二信号的相位差处于第一预设范围内，请再参阅图3，图3是本申请实施例提供的一种射频放大电路的又一结构示意图。

如图3所示，图3中第一线圈121的第一端1211的射频信号与第三线圈1311的第一端1311的射频信号的相位差处于第二预设范围内，第三线圈的第二端1312用于接地；反馈单元132包括电容子单元，电容子单元连接于第三线圈131和功率放大模块111的输入端1101之间；其中，电容子单元包括至少一个电容。

在一些实施方式中，第二预设范围包括[170°，190°]。

可选地，第一线圈121的第一端1211的射频信号与第三线圈1311的第一端1311的射频信号的相位差可以取值170°、175°、180°、185°、190°等，具体可以根据实际需要进行选择，本申请对此不作限制。

具体地，图3所示的第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为0°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为180°，第三线圈131的第二端1312的射频信号的相位为0°。

可选地，第一线圈、第二线圈以及第三线圈的第一端的相位之间的关系还可以为：第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为180°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为180°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第二端1312的射频信号的相位为180°。

可选地，第一线圈、第二线圈以及第三线圈的第一端的相位之间的关系还可以为：第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为180°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第二端1312的射频信号的相位为180°。

优选地，第一线圈121的第一端1211的相位与第二线圈122的第一端1221的相位相同，第一线圈121的第一端1211的相位与第三线圈131的第一端1311的相位相反。

在一些实施方式中，第一线圈121的第一端1211的相位与第三线圈131的第一端1311的相位相反指的是第一线圈121的第一端1211与第三线圈131的第一端1311的相位差等于180°。

可以理解的是，第一线圈121的第一端1211，即第一输出端1102上的第一信号经过寄生电容112后会改变相位，形成第二信号，为了使得第二信号能与第三信号相互抵消，在第一线圈121的第一端1211的射频信号与第三线圈1311的第一端1311的射频信号的相位差处于第二预设范围内，即相位差在180°附近，反馈单元132包括至少一个电容，使得反馈单元132和寄生电容112对射频信号的相位改变方向相同，以减轻寄生电容对功率放大模块的影响。

在一些实施方式中，寄生电容112的电容值随着功率放大模块111的功率增大而增大，且寄生电容112的电容值会影响第二信号的幅值，因此设置电容子单元的电容值与功率放大模块110的功率呈正相关关系。

在一些实施方式中，为了使得电容子单元的电容值与功率放大模块110的功率呈正相关关系，电容子单元包括多个电容以及多个第一开关；多个电容与多个第一开关一一对应；其中，多个电容并联连接；每个电容与对应的第一开关串联连接。

请再参阅图4，图4是本申请实施例提供的一种反馈单元的结构示意图。图4中以电容子单元包括三个电容以及三个第一开关作为示例，如图4所示，图4中的反馈单元132包括：第一子开关13201、第二子开关13202、第三子开关13203、第一电容13204、第二电容13205以及第三电容13206。

在一些实施方式中，反馈单元132的第一端连接于第三线圈的第一端1311，反馈单元的第二端连接于功率放大模块的输入端1101。

在一些实施方式中，第一子开关13201和第一电容13204串联；第二子开关13202和第二电容13205串联；第三子开关13203和第三电容13206串联。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于高功率模式(High-Power Microwave，HPM)时，第一子开关13201、第二子开关13202和第三子开关13203均闭合，此时反馈单元132的电容值最大，等于第一电容13204的电容值加上第二电容13205的电容值加上第三电容13206的电容值。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于中功率模式(Medium-Power Microwave，MPM)时，将第一子开关13201、第二子开关13202和第三子开关13203中的其中一个断开，另外两个闭合；示例性地，当第一子开关13201和第二子开关13202闭合，第三子开关13203断开时，反馈单元132的电容值等于第一电容13204的电容值加上第二电容13205的电容值。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于低功率模式(Low-Power Microwave，LPM)时，将第一子开关13201、第二子开关13202和第三子开关13203中的其中两个断开，另外一个闭合；示例性地，当第一子开关13201闭合，第二子开关13202和第三子开关13203断开时，反馈单元的电容值等于第一电容13204的电容值，当第一电容13204的电容值小于或等于第二电容13205的电容值且第一电容13204的电容值小于或等于第三电容13206的电容值时，反馈单元132的电容值最小。

可以理解的是，本申请对第一电容13204、第二电容13205以及第三电容13206的具体电容值不做限制。

通过上述电路结构，可以使得反馈单元132的电容值尽可能的与寄生电容112的电容值相等，以使第二信号与第三信号的幅值尽可能的相等，从而削弱不同功率模式下的功率放大模块产生的寄生电容对功率放大模块的线性度的影响，改善了不同功率模式下的功率放大模块的线性度。

在一些实施方式中，电容子单元132包括可调谐电容，可调谐电容的第一端与第三线圈131连接，可调谐电容的第二端与功率放大模块的输入端1101连接，可调谐电容的控制端用于连接外部调谐电压。

具体地，通过外部调谐电压，可以改变可调谐电容的电容值，以削弱不同功率模式下的功率放大模块产生的寄生电容对功率放大模块的线性度的影响。

在一些实施方式中，可调谐电容包括第一MOS电容和第二MOS电容。

请再参阅图5，图5是本申请实施例提供的一种反馈单元的另一结构示意图。如图5所示，图5中的可调谐电容包括第一MOS电容N1以及第二MOS电容N2。

在一些实施方式中，第一MOS电容的N1源极和漏极相连为可调谐电容的第一端，第二MOS电容N2的源极和漏极相连为可调谐电容的第二端；第一MOS电容N1的栅极与第二MOS电容N2的栅极连接为可调谐电容的控制端。

请再参阅图6，图6是本申请实施例提供的一种反馈单元的又一结构示意图。如图6所示，图6中的可调谐电容包括第一MOS电容N1以及第二MOS电容N2。

在一些实施方式中，第一MOS电容的栅极为可调谐电容的第一端，第二MOS电容的栅极为可调谐电容的第二端；第一MOS电容的源极和漏极相连，并与第二MOS电容的源极和漏极相连后连接为可调谐电容的控制端。

在一些实施方式中，可调谐电容的第一端与第三线圈131的第一端1311连接，可调谐电容的第二端与功率放大模块的输入端1101连接。

进一步地，通过调整可调谐电容的控制端上的外部调谐电压Vb，可以调整可调谐电容的电容值。

在一些实施方式中，为了使得第三信号与第二信号的相位差处于第一预设范围内，请再参阅图7，图7是本申请实施例提供的一种射频放大电路的再一结构示意图。

如图7所示，图7中第一线圈121的第一端1211的射频信号与第三线圈1311的第一端1311的射频信号的相位差处于第三预设范围内，第三线圈的第二端1312用于接地；反馈单元132包括电感子单元，电感子单元连接于第三线圈131和功率放大模块110的输入端1101之间；其中，电感子单元包括至少一个电感。

可选地，第三预设范围包括[-10°，10°]，以使第二信号和第三信号可以相互抵消。

具体地，图7所示的第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为0°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为0°。

可选地，第一线圈、第二线圈以及第三线圈的第一端的相位之间的关系还可以为：第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为180°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为180°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为180°。

可选地，第一线圈、第二线圈以及第三线圈的第一端的相位之间的关系还可以为：第一线圈121的第一端1211的射频信号的相位为180°，第二线圈122的第一端1221的射频信号的相位为0°，第三线圈131的第一端1311的射频信号的相位为180°。

优选地，第一线圈121的第一端1211的相位、第二线圈122的第一端1221的相位以及第三线圈131的第一端1311的相位均相同。

可以理解的是，第一线圈121的第一端1211，即第一输出端1102上的第一信号经过寄生电容112后会改变相位，形成第二信号，为了使得第二信号能与第三信号相互抵消，在第一线圈121的第一端1211的射频信号与第三线圈1311的第一端1311的射频信号的相位差处于第三预设范围内，即相位差在0°附近时，反馈单元132包括至少一个电感，此时反馈单元132和寄生电容112对射频信号的相位改变方向相反，以控制第二信号和第三信号的相位差处于第一预设范围内，减轻寄生电容对功率放大模块的影响。

在一些实施方式中，寄生电容112的电容值随着功率放大模块111的功率增大而增大，且寄生电容112的电容值会影响第二信号的幅值，因此设置电感子单元的电感值与功率放大模块110的功率呈正相关关系。

在一些实施方式中，为了使得电感子单元的电感值与功率放大模块110的功率呈正相关关系，电感子单元包括多个电感以及多个第二开关；多个电感与多个第二开关一一对应；其中，多个电感并联连接；每个电感与对应的第二开关串联连接。

请再参阅图8，图8是本申请实施例提供的一种反馈单元的再一结构示意图。图8中以电感子单元包括三个电感以及三个第二开关作为示例，如图8所示，图8中的反馈单元132包括：第四子开关13207、第五子开关13208、第六子开关13209、第一电感13210、第二电感13211以及第三电感13212。

在一些实施方式中，反馈单元132的第一端连接于第三线圈的第一端1311，反馈单元的第二端连接于功率放大模块的输入端1101。

在一些实施方式中，第四子开关13207和第一电感13210串联；第五子开关13208和第二电感13211串联；第六子开关13209和第三电感13212串联。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于高功率模式(H igh-Power M icrowave，HPM)下时，可以使第四子开关13207、第五子开关13208和第六子开关13209中的其中两个断开，另外一个闭合；示例性地，当第四子开关13207闭合，第五子开关13208和第六子开关13209断开时，反馈单元的电感值等于第一电感13210的电感值，当第一电感13210的电感值大于或等于第二电感13211的电感值且第一电感13210的电感值大于或等于第三电感13212的电感值时，反馈单元132的电感值最大。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于中功率模式(Med i um-Power Microwave，MPM)下时，将第四子开关13207、第五子开关13208和第六子开关13209中的其中一个断开，另外两个闭合；示例性地，可以使第四子开关13207、第五子开关13208闭合，第六子开关13209断开。

在一些实施方式中，当功率放大模块处于低功率模式(Low-Power M icrowave，LPM)下时，可以使第四子开关13207、第五子开关13208和第六子开关13209均闭合，此时反馈单元132的电感值最小。

可以理解的是，本申请对第一电感13210、第二电感13211以及第三电感13212的具体电感值不做限制。

通过上述电路结构，可以使得反馈单元的电感值随寄生电容的电容值增大而增大，以使第二信号与第三信号的幅值尽可能的相等，从而削弱了不同功率模式下的功率放大模块产生的寄生电容对功率放大模块的线性度的影响，改善了不同功率模式下的功率放大模块的线性度。

在一些实施方式中，电感子单元可以采用可调谐电感，可调谐电感的第一端与第三线圈连接，可调谐电感的第二端与功率放大模块的输入端连接。

请再参阅图9，图9是本申请实施例提供的一种射频功率放大模组的结构示意图。如图9所示，该射频功率放大模组200包括上述的射频功率放大电路100。

在一些实施方式中，射频功率放大模组200还包括基板；射频功率放大电路100的第一线圈、第二线圈以及第三线圈设置于基板。

在一些实施方式中，基板包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；第二金属层设置于第一金属层和第三金属层之间；其中，第一线圈设置于第一金属层；第二线圈设置于第二金属层；第三线圈设置于第三金属层。

在一些实施方式中，各金属层之间相互绝缘。

通过将线圈设置在不同的金属层中，可以避免第一线圈和第三线圈相互干扰。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，所述放大电路包括：

功率放大模块,所述功率放大模块包括输入端、第一输出端和第二输出端，所述功率放大模块的第二输出端用于接地；

变压模块，包括相互耦合的第一线圈和第二线圈；所述第一线圈的第一端与所述第一输出端相连接，所述第一线圈的第二端用于接地；

反馈模块，包括相互连接的第三线圈和反馈单元；所述第三线圈与所述第二线圈相互耦合，所述反馈单元连接于所述输入端。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输出端上的第一信号通过所述功率放大模块的寄生电容后形成第二信号，所述第二信号传输至所述输入端，所述反馈模块用于输出与所述第二信号的相位差处于第一预设范围内的第三信号。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一预设范围包括[170°，190°]。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一线圈的第一端的射频信号与所述第三线圈的第一端的射频信号的相位差处于第二预设范围内，所述第三线圈的第二端用于接地；

所述反馈单元包括电容子单元，所述电容子单元连接于所述第三线圈和所述功率放大模块的输入端之间；其中，所述电容子单元包括至少一个电容。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第二预设范围包括[170°，190°]。

6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电容子单元包括多个电容以及多个第一开关；所述多个电容与所述多个第一开关一一对应；

其中，所述多个电容并联连接；每个所述电容与对应的所述第一开关串联连接。

7.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电容子单元包括可调谐电容，所述可调谐电容的第一端与所述第三线圈连接，所述可调谐电容的第二端与所述功率放大模块的输入端连接，所述可调谐电容的控制端用于连接外部调谐电压。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述可调谐电容包括第一MOS电容和第二MOS电容；

所述第一MOS电容的源极和漏极相连为所述可调谐电容的第一端，所述第二MOS电容的源极和漏极相连为所述可调谐电容的第二端；所述第一MOS电容的栅极与所述第二MOS电容的栅极连接为所述可调谐电容的控制端；

或者，所述第一MOS电容的栅极为所述可调谐电容的第一端，所述第二MOS电容的栅极为所述可调谐电容的第二端；所述第一MOS电容的源极和漏极相连，并与所述第二MOS电容的源极和漏极相连后连接为所述可调谐电容的控制端。

9.根据权利要求4-8任一项所述的电路，其特征在于，所述电容子单元的电容值与所述功率放大模块的功率呈正相关关系。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一线圈的第一端的射频信号与所述第三线圈的第一端的射频信号的相位差处于第三预设范围内，所述第三线圈的第二端用于接地；

所述反馈单元包括电感子单元，所述电感子单元连接于所述第三线圈和所述功率放大模块的输入端之间；其中，所述电感子单元包括至少一个电感。

11.根据权利要求10所述的电路，其特征在于，所述第三预设范围包括[-10°，10°]。

12.根据权利要求10所述的电路，其特征在于，所述电感子单元包括多个电感以及多个第二开关；所述多个电感与所述多个第二开关一一对应；

其中，所述多个电感并联连接；每个所述电感与对应的所述第二开关串联连接。

13.根据权利要求10-12任一项所述的电路，其特征在于，所述电感子单元的电感值与所述功率放大模块的功率呈正相关关系。

14.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二线圈的第一端连接于信号输出端，所述第二线圈的第二端接地。

15.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述功率放大模块包括放大晶体管；

所述放大晶体管为HBT管，所述放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，所述放大晶体管的基极用于接收所述输入信号，所述放大晶体管的发射极用于接地；

所述变压模块连接于所述放大晶体管的集电极；所述反馈单元连接于所述放大晶体管的基极；

或者，所述放大晶体管为MOS管，所述放大晶体管用于对输入信号进行放大处理以生成射频信号，所述放大晶体管的栅极用于接收所述输入信号，所述放大晶体管的漏极用于接地；

所述变压模块连接于所述放大晶体管的源极；所述反馈单元连接于所述放大晶体管的栅极。

16.一种射频功率放大模组，其特征在于，包括如权利要求1至15任一项所述的射频功率放大电路。

17.根据权利要求16所述的射频功率放大模组，其特征在于，所述射频功率放大模组还包括基板；所述射频功率放大电路的第一线圈、第二线圈以及第三线圈设置于所述基板。

18.根据权利要求17所述的射频功率放大模组，其特征在于，所述基板包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；所述第二金属层设置于所述第一金属层和所述第三金属层之间；

其中，所述第一线圈设置于所述第一金属层；所述第二线圈设置于所述第二金属层；所述第三线圈设置于所述第三金属层。

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