CN116191627A

CN116191627A - 一种充电器供电电路

Info

Publication number: CN116191627A
Application number: CN202310347177.8A
Authority: CN
Inventors: 白晋鹏; 白书萁
Original assignee: Siweiqi Semiconductor Technology Wuxi Co ltd
Current assignee: Siweiqi Semiconductor Technology Wuxi Co ltd
Priority date: 2023-04-03
Filing date: 2023-04-03
Publication date: 2023-05-30

Abstract

本发明涉及一种供电电路，第一功率管(NPN1)的基极接第一驱动单元输出端；所述第一驱动单元可输出高电平、低电平和高阻状态信号，控制第一功率管(NPN1)分别处于正常导通、关闭和基极悬空导通状态；第一驱动单元的第一控制端(X1)接所述直流稳压单元的第一输出端(W1),当直流稳压单元的VCC电源管脚电压稳定在设定值时，控制第一功率管(NPN1)关闭；所述第一驱动单元的第二控制端接入控制信号(SW1),当控制信号(SW1)低电平时，第一驱动单元输出高阻状态信号，第一功率管(NPN1)处于基极悬空导通状态。本发明无需辅助绕组供电，增加充电器控制芯片电压适用范围，有效提高工作可靠性。

Description

一种充电器供电电路

技术领域

本发明涉及一种充电器供电电路。

背景技术

现代快充技术的发展，普通充电器输出电压范围需要4倍以上，都是由变压器辅助绕组供电，辅助绕组供电输出范围是4倍，而现有充电器副边控制芯片的VCC电压范围大都只有3倍，并且内部采用高压mos管，成本过高。鉴于此，目前充电器内部开始采用功率三极管，而功率三级管驱动由于存在驱动电流损耗和关断损耗，一直制约其在大功率领域的使用。

发明内容

本发明的发明目的在于提供一种充电器供电电路，无需辅助绕组供电，增加充电器控制芯片电压适用范围，有效提高工作可靠性。

实现本发明目的的技术方案：

一种供电电路，包括变压器、第一功率管(NPN1)、第一开关管(N1)，所述第一功率管(NPN1)发射极与第一开关管(N1)漏极连接的公共端接直流稳压单元的VCC电源管脚，所述VCC电源管脚经第一电容(C1)接地,所述变压器的原边绕组(LP)接第一功率管(NPN1)的集电极，第一功率管(NPN1)的基极接第一驱动单元输出端；所述第一驱动单元可输出高电平、低电平和高阻状态信号，控制第一功率管(NPN1)分别处于正常导通、关闭和基极悬空导通状态；

所述第一驱动单元的第一控制端(X1)接所述直流稳压单元的第一输出端(W1),当直流稳压单元的VCC电源管脚电压稳定在设定值时，所述直流稳压单元的第一输出端(W1)可通过第一驱动单元，控制第一功率管(NPN1)关闭；

所述第一驱动单元的第二控制端接入控制信号(SW1),当控制信号(SW1)高电平时，第一驱动单元输出高电平，控制第一功率管(NPN1)处于正常导通状态；当控制信号(SW1)低电平时，第一驱动单元输出高阻状态信号，第一功率管(NPN1)处于基极悬空导通状态。

进一步地，包括第二驱动单元，第一开关管(N1)基极接所述第二驱动单元，所述第二驱动单元的控制端接入控制信号(SW1)；当控制信号(SW1)高电平时，第二驱动单元控制第一开关管(N1)导通；当控制信号(SW1)低电平时，第二驱动单元控制第一开关管(N1)关闭。

进一步地，包括第三驱动单元、第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)，所述第一功率管(NPN1)发射极与第一开关管(N1)漏极连接的公共端经第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)，接直流稳压单元的VCC电源管脚；所述第一PMOS管(P1)的源极和第二PMOS管(P2)的源极相连，所述第一PMOS管(P1)的基极和第二PMOS管(P2)的栅极相连，并与第三驱动单元输出端连接，所述第三驱动单元可根据直流稳压单元输出信号，控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)关闭。

进一步地，所述第三驱动单元的第一控制端(X2)接所述直流稳压单元的第二输出端(W2)，所述第三驱动单元的第二控制端(X3)接入控制信号(SW1)；当控制信号(SW1)低电平时，第三驱动单元控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)导通。

进一步地，当直流稳压单元的VCC电源管脚电压超过阈值时，所述直流稳压单元的第二输出端(W2)通过第三驱动单元，控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)关闭。

进一步地，直流稳压单元包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、跨导放大器(g1)、第一比较器(Cp1)、第四开关管(N4)、第二电容(C2)、第一恒流源(I1)，

第一电阻(R1)一端连接到VCC电源管脚，第一电阻(R1)的另一端接第二电阻(R2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)构成分压电阻，用于检测VCC电源管脚的电压；

跨导放大器(g1)的正端接第一基准电压信号(V1)，跨导放大器(g1)的输出端(Gout)连接到第一比较器(Cp1)的正端，第一比较器(Cp1)的负端接第二电容(C2)和第四开关管(N4)的漏极和第一恒流源(I1)，第一比较器(Cp1)输出端(W1)接第一驱动单元的第一控制端(X1)。

进一步地，直流稳压单元的第四开关管(N4)栅极接入控制信号(SW1)，控制信号(SW1)为高电平时，第二电容(C2)放电，一直放到零。

进一步地，直流稳压单元包括第二比较器(Cp2)，跨导放大器(g1)的负端接第二比较器(Cp2)的正端，第二比较器(Cp2)的负端接第二基准电压信号(V2)，第二比较器(Cp2)的输出端(W2)接第三驱动单元的第一控制端(X2)。

进一步地，所述第一驱动单元包括第一反相器(IN1)、第二反相器(IN2)、第三反相器(IN3)、第四反相器(IN4)、第一与非门单元(AND1)、第二与非门单元(AND2)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)，第一反相器(IN1)输入端连接控制信号(SW1)，第一反相器(IN1)输出端连接第二反相器(IN2)和第一与非门单元(AND1)的输入端，第二反相器(IN2)的输出端连接到第二NMOS管(N2)的栅极，第一与非门单元(AND1)、第二与非门单元(AND2)构成RS触发器，第一与非门单元(AND1)的输出端连接到第四反相器(IN4)的输入端，第二与非门单元(AND2)的输入端为第一驱动单元第一控制端(X1)，第三反相器(IN3)的输出端连接到第三NMOS管(N3)的栅极，所述第三NMOS管(N3)的漏极连接到第二NMOS管(N2)的源极和第一功率管(NPN1)的基极。

进一步地，所述第三驱动单元包括第七反相器(INV7)、第八反相器(INV8)、第三与非门单元(AND3),第七反相器(INV7)的输入端为第三驱动单元的第一控制端(X2)，第七反相器(INV7)的输出端接第三与非门单元(AND3)的第一输入端，第八反相器(INV8)的输入端为第三驱动单元的第二控制端(X3)，第八反相器(INV8)的输出端接第三与非门单元(AND3)的第二输入端，第三与非门单元(AND3)的输出端控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)导通或截止。

本发明具有的有益效果：

本发明所述变压器的原边绕组(LP)接第一功率管(NPN1)的集电极，第一功率管(NPN1)的基极接第一驱动单元输出端；所述第一驱动单元可输出高电平、低电平和高阻状态信号，控制第一功率管(NPN1)分别处于正常导通、关闭和基极悬空导通状态；所述第一驱动单元的第一控制端(X1)接所述直流稳压单元的第一输出端(W1),当直流稳压单元的VCC电源管脚电压稳定在设定值时，所述直流稳压单元的第一输出端(W1)可通过第一驱动单元，控制第一功率管(NPN1)关闭；所述第一驱动单元的第二控制端接入控制信号(SW1),当控制信号(SW1)高电平时，第一驱动单元输出高电平，控制第一功率管(NPN1)处于正常导通状态；当控制信号(SW1)低电平时，第一驱动单元输出高阻状态信号，第一功率管(NPN1)处于基极悬空导通状态。本发明利用第一功率管(NPN1)处于基极悬空导通状态时，第一功率管(NPN1)可继续导通的特性为外部VCC电容供电，利用Vcc稳压单元控制第一驱动单元，控制第一功率管(NPN1)NPN1的关断后的导通时间，无需辅助绕组供电，有效增加充电器控制芯片电压适用范围，提高工作可靠性。

本发明包括第三驱动单元、第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)，所述第一功率管(NPN1)发射极与第一开关管(N1)漏极连接的公共端经第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)，接直流稳压单元的VCC电源管脚；所述第一PMOS管(P1)的源极和第二PMOS管(P2)的源极相连，所述第一PMOS管(P1)的基极和第二PMOS管(P2)的栅极相连，并与第三驱动单元输出端连接，所述第三驱动单元可根据直流稳压单元输出信号，控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)关闭。本发明采用第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)代替传统的内部集成二极管，大大降低续流时的导通损耗，导通压降为0.1V，比传统内部集成的二级管压降的0.6V降低了0.5V，降低损耗为60mW。为当下合封的sop封装，表面温度降低6-10°。

本发明所述第三驱动单元的第一控制端(X2)接所述直流稳压单元的第二输出端(W2)，所述第三驱动单元的第二控制端(X3)接入控制信号(SW1)；当控制信号(SW1)低电平时，第三驱动单元控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)导通。当直流稳压单元的VCC电源管脚电压超过阈值时，所述直流稳压单元的第二输出端(W2)通过第三驱动单元，控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)关闭。本发明当直流稳压单元的VCC电源管脚电压超过阈值时，第三驱动单元控制切断对VCC电源管脚电容充电电路，有效提高系统的安全性。

本发明直流稳压单元包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、跨导放大器(g1)、第一比较器(Cp1)、第四开关管(N4)、第二电容(C2)、第一恒流源(I1)，第一电阻(R1)一端连接到VCC电源管脚，第一电阻(R1)的另一端接第二电阻(R2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)构成分压电阻，用于检测VCC电源管脚的电压；跨导放大器(g1)的正端接第一基准电压信号(V1)，跨导放大器(g1)的输出端(Gout)连接到第一比较器(Cp1)的正端，第一比较器(Cp1)的负端接第二电容(C2)和第四开关管(N4)的漏极和第一恒流源(I1)，第一比较器(Cp1)输出端(W1)接第一驱动单元的第一控制端(X1)。直流稳压单元的第四开关管(N4)栅极接入控制信号(SW1)，控制信号(SW1)为高电平时，第二电容(C2)放电，一直放到零。直流稳压单元包括第二比较器(Cp2)，跨导放大器(g1)的负端接第二比较器(Cp2)的正端，第二比较器(Cp2)的负端接第二基准电压信号(V2)，第二比较器(Cp2)的输出端(W2)接第三驱动单元的第一控制端(X2)。所述第一驱动单元包括第一反相器(IN1)、第二反相器(IN2)、第三反相器(IN3)、第四反相器(IN4)、第一与非门单元(AND1)、第二与非门单元(AND2)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)，第一反相器(IN1)输入端连接控制信号(SW1)，第一反相器(IN1)输出端连接第二反相器(IN2)和第一与非门单元(AND1)的输入端，第二反相器(IN2)的输出端连接到第二NMOS管(N2)的栅极，第一与非门单元(AND1)、第二与非门单元(AND2)构成RS触发器，第一与非门单元(AND1)的输出端连接到第四反相器(IN4)的输入端，第二与非门单元(AND2)的输入端为第一驱动单元第一控制端(X1)，第三反相器(IN3)的输出端连接到第三NMOS管(N3)的栅极，所述第三NMOS管(N3)的漏极连接到第二NMOS管(N2)的源极和第一功率管(NPN1)的基极。

所述第三驱动单元包括第七反相器(INV7)、第八反相器(INV8)、第三与非门单元(AND3),第七反相器(INV7)的输入端为第三驱动单元的第一控制端(X2)，第七反相器(INV7)的输出端接第三与非门单元(AND3)的第一输入端，第八反相器(INV8)的输入端为第三驱动单元的第二控制端(X3)，第八反相器(INV8)的输出端接第三与非门单元(AND3)的第二输入端，第三与非门单元(AND3)的输出端控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)导通或截止。本发明通过上述直流稳压单元、第一驱动单元、第三驱动单元的具体电路结构，进一步保证工作的可靠性。

附图说明

图1是本发明供电电路的电路原理图；

图2是本发明第一驱动单元的电路原理图；

图3是本发明第二驱动单元的电路原理图；

图4是本发明第三驱动单元的电路原理图；

图5是本发明直流稳压单元的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。

如图1所示，本发明充电器供电电路包括变压器、第一功率管NPN1、第一开关管N1，所述第一功率管NPN1发射极与第一开关管N1漏极连接的公共端接直流稳压单元(VCC稳压单元)的VCC电源管脚，所述VCC电源管脚经第一电容C1接地,此为现有技术。

所述变压器的原边绕组LP接第一功率管NPN1的集电极，第一功率管NPN1的基极接第一驱动单元输出端；所述第一驱动单元可输出高电平、低电平和高阻状态信号，控制第一功率管NPN1分别处于正常导通、关闭和基极悬空导通状态。所述第一驱动单元的第一控制端X1接所述直流稳压单元的第一输出端W1,当直流稳压单元的VCC电源管脚电压稳定在设定值时，所述直流稳压单元的第一输出端W1可通过第一驱动单元，控制第一功率管NPN1关闭。所述第一驱动单元的第二控制端接入控制信号SW1,当控制信号SW1高电平时，第一驱动单元输出高电平，控制第一功率管NPN1处于正常导通状态；当控制信号SW1低电平时，第一驱动单元输出高阻状态信号，第一功率管NPN1处于基极悬空导通状态。

包括第二驱动单元，第一开关管N1基极接所述第二驱动单元，所述第二驱动单元的控制端接入控制信号SW1；当控制信号SW1高电平时，第二驱动单元控制第一开关管N1导通；当控制信号SW1低电平时，第二驱动单元控制第一开关管N1关闭。

包括第三驱动单元、第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，所述第一功率管NPN1发射极与第一开关管N1漏极连接的公共端经第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，接直流稳压单元的VCC电源管脚；所述第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极相连，所述第一PMOS管P1的基极和第二PMOS管P2的栅极相连，并与第三驱动单元输出端连接，所述第三驱动单元可根据直流稳压单元输出信号，控制第一PMOS管P1和第二PMOS管P2关闭。所述第三驱动单元的第一控制端X2接所述直流稳压单元的第二输出端W2，所述第三驱动单元的第二控制端X3接入控制信号SW1；当控制信号SW1低电平时，第三驱动单元控制第一PMOS管(P1)和第二PMOS管P2导通。当直流稳压单元的VCC电源管脚电压超过阈值时，所述直流稳压单元的第二输出端W2通过第三驱动单元，控制第一PMOS管P1和第二PMOS管P2关闭。

如图5所示，直流稳压单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、跨导放大器g1、第一比较器Cp1、第四开关管N4、第二电容C2、第一恒流源I1，第一电阻R1一端连接到VCC电源管脚，第一电阻R1的另一端接第二电阻R2、第一电阻R1和第二电阻R2构成分压电阻，用于检测VCC电源管脚的电压。跨导放大器g1的正端接第一基准电压信号V1，跨导放大器g1的输出端Gout连接到第一比较器Cp1的正端，第一比较器Cp1的负端接第二电容C2和第四开关管N4的漏极和第一恒流源I1，第一比较器Cp1输出端W1接第一驱动单元的第一控制端X1。直流稳压单元的第四开关管N4栅极接入控制信号SW1，控制信号SW1为高电平时，第二电容C2放电，一直放到零。直流稳压单元包括第二比较器Cp2，跨导放大器g1的负端接第二比较器Cp2的正端，第二比较器Cp2的负端接第二基准电压信号V2，第二比较器Cp2的输出端W2接第三驱动单元的第一控制端X2。

如图2所示，所述第一驱动单元包括第一反相器IN1、第二反相器IN2、第三反相器IN3、第四反相器IN4、第一与非门单元AND1、第二与非门单元AND2、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第二恒流源IREF1，第一反相器IN1输入端连接控制信号SW1，第一反相器IN1输出端连接第二反相器IN2和第一与非门单元AND1的输入端，第二反相器IN2的输出端连接到第二NMOS管N2的栅极，第一与非门单元AND1、第二与非门单元AND2构成RS触发器，第一与非门单元AND1的输出端连接到第四反相器IN4的输入端，第二与非门单元AND2的输入端为第一驱动单元第一控制端X1，第三反相器IN3的输出端连接到第三NMOS管N3的栅极，所述第三NMOS管N3的漏极连接到第二NMOS管N2的源极和第一功率管NPN1的基极。

如图4所示，所述第三驱动单元包括第七反相器INV7、第八反相器INV8、第三与非门单元AND3,第七反相器INV7的输入端为第三驱动单元的第一控制端X2，第七反相器INV7的输出端接第三与非门单元AND3的第一输入端，第八反相器INV8的输入端为第三驱动单元的第二控制端X3，第八反相器INV8的输出端接第三与非门单元AND3的第二输入端，第三与非门单元AND3的输出端控制第一PMOS管P1和第二PMOS管P2导通或截止。

如图3所示，所述第二驱动单元包括第五反相器IN5、第六反相器IN6，第五反相器IN5输入端连接控制信号SW1，输出端连接到第六反相器IN6的输入端；第六反相器IN6输出端连接到第一开关管N1的栅极，控制开关管第一开关管N1的导通截止。

下面进一步详细说明本发明工作原理。

本发明利用第一功率管(高压功率管)NPN1的关断恢复时间内，第一功率管NPN1为继续导通的特性为外部VCC电容供电，利用直流稳压单元控制第一驱动单元，进而控制第一功率管NPN1的关断后的导通时间，关断后的导通时间越长，通过第一PMOS管P1和第二PMOS管P2给电容C1充电时间越长，VCC电压越高，关断后的导通时间越短，通过第一PMOS管P1和第二PMOS管P2给电容C1充电时间越短，由于内部消耗，VCC电压越低，当芯片内部消耗电流等于供电电流时，达到平衡，VCC电源管脚电压稳定在5V。

所述的控制信号SW1为高电平时，控制第一驱动单元开启第一功率管NPN1，所述的控制信号SW1为高电平时，控制第二驱动单元输出高电平，开关管N1打开。

所述的控制信号SW1为高电平时，控制第三驱动单元输出高电平，控制P1、P2关闭，防止对VCC管脚放电，此时变压器原边绕组LP开始储能。

所述的控制信号SW1输出低电平时，控制第一驱动单元输出高阻态，第一功率管NPN1处于基极悬空导通状态，第一功率管NPN1继续维持导通。

所述的控制信号SW1为低电平时，控制第二驱动单元输出低电平，第一开关管N1关闭。

所述的控制信号SW1为低电平时，控制第三驱动单元输出低电平，控制第一PMOS管P1和第二PMOS管P2打开，对VCC电源管脚充电，此时变压器原边绕组LP继续储能，完成对VCC电源管脚的充电，具体充电时间的长短受控于直流稳压单元。

直流稳压单元中，控制信号SW1为高电平时，电容C2放电，一直放到零。第一电阻R1和第二电阻R2构成分压电阻检测的电压为Vc1＊R2/(R2+R1)。设vd1＝Vc1＊R2/(R2+R1)。经过跨导放大器g1线性放大之后输出电压为Gout＝(v1－vd1)＊gm1，gm1为导放大器g1的跨导。

vd1越低，表明Vcc偏低，跨导放大器g1输出电压Gout越高。

vd1越高，表明Vcc偏高，跨导放大器g1输出电压Gout越低。

控制信号SW1为高电平时，电容C2放电，一直放到零此时处于正常储能阶段。

控制信号SW1输出低电平时，第一恒流源I1给电容C2充电，电容C2电压从0充电到电压Gout，第一比较器CP1输出端W1(直流稳压单元的第一输出端W1)为低电平，控制第一驱动单元里面的RS触发器，锁定DRV输出为零，将第一功率管NPN1彻底关断，关闭供电功能。

Vcc偏低，跨导放大器g1输出电压Gout越高，第一恒流源I1给电容C2充电时间越长，供电时间越长，增加Vc电压。

Vcc偏高，跨导放大器g1输出电压Gout越低，第一恒流源I1给电容C2充电时间越短，供电时间越短，降低Vc电压。达到平衡时，电源脚VCC稳定在5V。

第三驱动单元控制第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的导通截止，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2为同步整流功率管，代替传统的内部集成二极管，大大降低续流时的导通损耗，导通压降为0.1V，比传统内部集成的二级管压降的0.6V降低了0.5V，降低损耗为60mW。为当下合封的sop封装，表面温度降低6-10°。通过直流稳压单元实现真正的过压保护，当Vcc电压高于5.2V时，彻底关闭第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，从而彻底关闭自供电回路，实现零能量传输到VCC，大大提升系统的供电安全。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。

Claims

1.一种充电器供电电路，包括变压器、第一功率管、第一开关管，所述第一功率管发射极与第一开关管漏极连接的公共端接直流稳压单元的VCC电源管脚，所述VCC电源管脚经第一电容接地,其特征在于：

所述变压器的原边绕组接第一功率管的集电极，第一功率管的基极接第一驱动单元输出端；所述第一驱动单元用于输出高电平、低电平和高阻状态信号，控制第一功率管分别处于正常导通、关闭和基极悬空导通状态；

所述第一驱动单元的第一控制端接所述直流稳压单元的第一输出端,当直流稳压单元的VCC电源管脚电压稳定在设定值时，所述直流稳压单元的第一输出端通过第一驱动单元，控制第一功率管关闭；

所述第一驱动单元的第二控制端接入控制信号,当控制信号为高电平时，第一驱动单元输出高电平，控制第一功率管处于正常导通状态；当控制信号为低电平时，第一驱动单元输出高阻状态信号，第一功率管处于基极悬空导通状态。

2.根据权利要求1所述的充电器供电电路，其特征在于：包括第二驱动单元，第一开关管的基极接所述第二驱动单元，所述第二驱动单元的控制端接入所述控制信号；当所述控制信号为高电平时，第二驱动单元控制第一开关管导通；当所述控制信号为低电平时，第二驱动单元控制第一开关管关闭。

3.根据权利要求1所述的充电器供电电路，其特征在于：包括第三驱动单元、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一功率管发射极与第一开关管漏极连接的公共端经第一PMOS管和第二PMOS管，接直流稳压单元的VCC电源管脚；所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极相连，所述第一PMOS管的基极和第二PMOS管的栅极相连，并与第三驱动单元输出端连接，所述第三驱动单元用于根据所述直流稳压单元的输出信号，控制第一PMOS管和第二PMOS管关闭。

4.根据权利要求3所述的充电器供电电路，其特征在于：所述第三驱动单元的第一控制端接所述直流稳压单元的第二输出端，所述第三驱动单元的第二控制端接入所述控制信号；当所述控制信号为低电平时，第三驱动单元控制所述第一PMOS管和第二PMOS管导通。

5.根据权利要求4所述的充电器供电电路，其特征在于：当直流稳压单元的VCC电源管脚电压超过预定阈值时，所述直流稳压单元的第二输出端通过第三驱动单元，控制所述第一PMOS管和第二PMOS管关闭。

6.根据权利要求1所述的充电器供电电路，其特征在于：所述直流稳压单元包括第一电阻、第二电阻、跨导放大器、第一比较器、第四开关管、第二电容、第一恒流源，

第一电阻一端连接到VCC电源管脚，第一电阻的另一端接第二电阻，所述第一电阻和第二电阻构成分压电阻，用于检测VCC电源管脚的电压；

跨导放大器的正端接第一基准电压信号，跨导放大器的输出端连接到第一比较器的正端，第一比较器的负端接第二电容和第四开关管的漏极和第一恒流源，第一比较器输出端接第一驱动单元的第一控制端。

7.根据权利要求6所述的充电器供电电路，其特征在于：直流稳压单元的第四开关管栅极接入所述控制信号，当所述控制信号为高电平时，第二电容放电且一直放到零。

8.根据权利要求6所述的充电器供电电路，其特征在于：所述直流稳压单元包括第二比较器，跨导放大器的负端接第二比较器的正端，第二比较器的负端接第二基准电压信号，第二比较器的输出端接第三驱动单元的第一控制端。

9.根据权利要求1所述的充电器供电电路，其特征在于：所述第一驱动单元包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一与非门单元、第二与非门单元、第二NMOS管、第三NMOS管，第一反相器输入端连接所述控制信号，第一反相器输出端连接第二反相器和第一与非门单元的输入端，第二反相器的输出端连接到第二NMOS管的栅极，第一与非门单元、第二与非门单元构成RS触发器，第一与非门单元的输出端连接到第四反相器的输入端，第二与非门单元的输入端为第一驱动单元第一控制端第三反相器的输出端连接到第三NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的漏极连接到第二NMOS管的源极和第一功率管的基极。

10.根据权利要求4所述的充电器供电电路，其特征在于：所述第三驱动单元包括第七反相器、第八反相器、第三与非门单元,第七反相器的输入端为第三驱动单元的第一控制端，第七反相器的输出端接第三与非门单元的第一输入端，第八反相器的输入端为第三驱动单元的第二控制端，第八反相器的输出端接第三与非门单元的第二输入端，第三与非门单元的输出端控制第一PMOS管和第二PMOS管导通或截止。