CN116180035A - Euv空白掩模版制造方法和监控系统、euv空白掩模版制造系统 - Google Patents

Euv空白掩模版制造方法和监控系统、euv空白掩模版制造系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种EUV空白掩模版制造方法和监控系统、EUV空白掩模版制造系统，在沉积EUV空白掩模版所需的多层反射膜、覆盖层和吸收层等膜层的过程中，能够在线实时监控EUV空白掩模版样品表面的反射率，进而根据监测结果实时调整沉积工艺参数，最终提高所制造的EUV空白掩模版的良率，降低生产成本。

Description

EUV空白掩模版制造方法和监控系统、EUV空白掩模版制造 系统
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种EUV空白掩模版制造方法和监控系统、EUV空白掩模版制造系统。
背景技术
随着大数据、人工智能和无人驾驶汽车技术商业化等应用对高性能半导体的需求不断增长，极紫外（Extreme Ultra Violet，以下称为“EUV”。）曝光技术作为下一代半导体制造技术受到关注。该技术的实际应用将使半导体器件进一步小型化，并制造出比现有体积更小、更快且需要更小功率的处理器。
EUV光是指软X射线区或真空紫外线区的波段的光，具体而言，是波长为在0.2nm～100nm波段的光。在光刻工艺中采用波长为13.5nm的EUV光，以便能够将非常小的图案(例如，纳米级图案)从掩模转移到半导体晶圆。由于大多数材料在13.5nm波长下具有高吸收性，因此EUV光刻系统一般采用一系列的凹面镜、平面反射镜等光学元件和反射型EUV掩模，该反射型EUV掩模选择性地反射和吸收EUV光，且在反射型EUV掩模的吸收层中的图案，会通过从反射型EUV掩模表面反射EUV光而转移到半导体晶圆。
目前，在EUV空白掩模版制造过程中，业界大部分采用IBD（离子束沉积）或PVD（磁控溅射）来沉积多层反射膜、覆盖层、吸收层等EUV膜层，且只依赖于沉积设备的控制稳定性来控制形成的EUV膜层的性能，EUV空白掩模版的最终性能是否符合要求，是在出腔后通过QC测试来确认性能。一旦在制造过程中工艺条件、设备稳定性等等发生变化，就会导致EUV空白掩模版的性能达不到要求。这也严重限制了EUV空白掩模版的良率提高以及生产成本的降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种EUV空白掩模版制造方法和监控系统、EUV空白掩模版制造系统，能够提高EUV空白掩模版的制造良率，并降低生产成本。
为实现上述目的，本发明提供一种EUV空白掩模版制造方法，其包括以下步骤：
S1，在衬底上沉积相应的膜以形成多层反射膜，并在沉积多层反射膜的过程中，在线监测所述多层反射膜表面对相应的EUV光产生的第一反射率，并根据所述第一反射率的监测结果在线调整沉积所述多层反射膜的工艺参数，直至所述第一反射率达到第一目标反射率；
S2，在所述多层反射膜上沉积覆盖层，在沉积所述覆盖层的过程中，在线监测所述覆盖层表面对相应的EUV光产生的第二反射率以及对相应的DUV光产生的第三反射率，并根据所述第二反射率和/或所述第三反射率的监测结果在线调整沉积所述覆盖层的工艺参数，直至所述第二反射率达到第二目标反射率，且所述第三反射率达到第三目标反射率；
S3，在所述覆盖层上沉积吸收层，在沉积所述吸收层的过程中，在线监测所述吸收层表面对相应的EUV光产生的第四反射率，并根据所述第四反射率的监测结果在线调整沉积所述吸收层的工艺参数，直至所述第四反射率达到第四目标反射率。
可选地，所述EUV空白掩模版制造方法在步骤S1之后且在步骤S2之前，还包括步骤S4：在所述覆盖层上沉积缓冲层，在沉积所述缓冲层的过程中，在线监测所述缓冲层表面对相应的DUV光产生的第五反射率，并根据所述第五反射率的监测结果在线调整沉积所述缓冲层的工艺参数，直至所述第五反射率达到第五目标反射率；
和/或，在步骤S2之后且在步骤S3之前，还包括步骤S5：在所述吸收层上沉积减反层，并在沉积所述减反层的过程中，在线监测所述减反层表面对相应的EUV光产生的第六反射率以及对相应的DUV光产生的第七反射率，并根据所述第六反射率和/或所述第七反射率的监测结果在线调整沉积所述减反层的工艺参数，直至所述第六反射率达到第六目标反射率，且所述第七反射率达到第七目标反射率。
可选地，述步骤S1、S2、S3、S4和S5在同一沉积腔室中实现，且所述步骤S1、S2、S3和S5使用同一EUV光源产生相应的EUV光，所述步骤S2、S4和步骤S5使用同一DUV光源产生相应的光。
可选地，所述EUV空白掩模版制造方法还包括：执行步骤S1之前，还执行步骤S0:在所述衬底背向所述多层反射膜的表面上形成背面导电层；和/或，在执行步骤S5之后还执行步骤S6：在所述减反层上涂覆光阻层。
基于同一发明构思，本发明还提供一种监控系统，用于监控EUV空白掩模版的制造，其包括：
EUV光源和EUV反射监测单元，均工作在真空度高于10-7torr的超高真空环境中，所述EUV光源用于在所述沉积腔室中沉积EUV空白掩模版样品所需的相应膜层时，向所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上入射EUV光，所述EUV反射监测单元用于接收所述EUV空白掩模版样品上反射的EUV光，以在线监测所述EUV空白掩模版样品对所述EUV光的反射率，且所述EUV反射监测单元监测到的反射率用于在线调整沉积相应膜层的工艺参数；
DUV光源和DUV反射监测单元，均设置所述沉积腔室的外部，所述DUV光源用于在所述沉积腔室中沉积EUV空白掩模版样品所需的相应膜层时，向所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上入射DUV光，所述DUV反射监测单元用于接收所述EUV空白掩模版样品反射的DUV光，以在线监测所述EUV空白掩模版样品对所述DUV光的反射率，且所述EUV反射监测单元监测到的反射率用于在线调整沉积相应膜层的工艺参数。
可选地，在沉积所述EUV空白掩模版样品的多层反射膜和吸收层的阶段，所述EUV光源和所述EUV反射监测单元均工作，且所述EUV反射监测单元所监测到的反射率用于在线调整沉积所述多层反射膜和所述吸收层的工艺参数；在沉积所述覆盖层的阶段，所述EUV光源、所述EUV反射监测单元、所述DUV光源和所述DUV反射监测单元均工作，且所述EUV反射监测单元和所述DUV反射监测单元所监测到的反射率共同用于在线调整沉积所述覆盖层的工艺参数。
可选地，在所述覆盖层和所述吸收层之间沉积缓冲层的阶段，所述EUV光源、所述EUV反射监测单元暂停工作，所述DUV光源和所述DUV反射监测单元还均工作，所述DUV反射监测单元所监测到的反射率用于在线调整沉积所述缓冲层的工艺参数；
和/或，在所述吸收层上沉积减反层的阶段，所述EUV光源、所述EUV反射监测单元、所述DUV光源和所述DUV反射监测单元还均工作，所述EUV反射监测单元和所述DUV反射监测单元所监测到的反射率共同用于在线调整沉积所述减反层的工艺参数。
可选地，所述EUV光源为同步辐射源、自由电子激光器、激光等离子体光源、放电等离子体光源或激光辅助放电等离予体光源。
可选地，所述同步辐射源包括沿光路依次布设的储存环、吸收腔室、反射镜室、光栅室、反射镜室和滤波室，所述滤波室出射的EUV光入射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上，且从储存环到滤波室的任意相邻两者之间设有第一真空控制阀门，在需要所述EUV光源工作时，各个所述第一真空控制阀门均打开。
可选地，所述的监控系统还包括第一反射单元，工作在所述超高真空环境中，并用于将所述EUV光源出射的EUV光反射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上。
可选地，所述的监控系统还包括：
第二反射单元，用于将所述DUV光源出射的DUV光反射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上；
和/或，第三反射单元，用于将所述EUV空白掩模版样品上反射的DUV光反射到所述DUV反射监测单元中。
可选地，所述沉积腔室的腔壁上设有相应的透明区域，以方便所述DUV光源出射的DUV光入射到沉积腔室内以及所述EUV空白掩模版样品上反射的DUV光从所述沉积腔室内穿出；所述EUV反射监测单元设置在一真空监测腔室中且所述真空监测腔室和所述沉积腔室之间设有第二真空控制阀门，在所述EUV光源和所述EUV反射监测单元工作时所述第二真空控制阀门打开，连通所述真空监测腔室和所述沉积腔室。
基于同一发明构思，本发明还提供一种EUV空白掩模版制造系统，其包括沉积腔室和如本发明所述的监控系统。
可选地，所述的EUV空白掩模版制造系统还包括系统总控制装置、进样室、机械手和真空缓冲腔；所述进样室用于放置制造EUV空白掩模版所需的衬底，所述机械手用于将所述进样室中的衬底经所述真空缓冲腔上片到所述沉积腔室中，所述系统总控制装置电性连接所述监控系统，并用于将所述监控系统的所监测到的反射率与相应的目标反射率进行比对，并根据比对结果在线调整所述沉积腔室中对应的沉积工艺参数。
与现有技术相比，本发明的技术方案，在沉积EUV空白掩模版所需的多层反射膜、覆盖层和吸收层等膜层的过程中，能够在线实时监控EUV空白掩模版样品表面的反射率，进而根据监测结果实时调整沉积工艺参数，最终提高所制造的EUV空白掩模版的良率，降低生产成本。
附图说明
本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法的流程示意图。
图2是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S1中的第一反射率随多层反射膜对数变化的曲线示意图。
图3是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S2中的第二反射率随覆盖层厚度的曲线示意图。
图4是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S2中的第三反射率随覆盖层厚度的曲线示意图。
图5是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S4中的第五反射率随缓冲层厚度的曲线示意图。
图6是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S3中的第四反射率随吸收层厚度的曲线示意图。
图7是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S5中的第五反射率随减反层厚度的曲线示意图。
图8是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法中的步骤S5中的第六反射率随减反层厚度的曲线示意图。
图9是本发明具体实施例的EUV空白掩模版制造方法所制造的EUV空白掩模版的剖面结构示意图。
图10是本发明具体实施例的监控系统的结构示意图。
图11是本发明具体实施例的监控系统与系统总控制装置的连接示意图。
其中，各附图中的附图标记如下：
1，进样室；2，真空缓冲腔；3，机械手；4-PVD靶；5’，基板；5，EUV空白掩模版样品；6，同步存储环；7，吸收室；8，反射镜室一；9，光阑室；10，反射镜室二； 11，滤波室；12，第一反射单元；13，EUV反射监测单元；14，DUV光源； 15-1，第二反射单元，15-2，第三反射单元；16，DUV反射监测单元；17，沉积腔室；17-1，透明区域；18，真空监测室；18-1，第二真空控制阀门；20，EUV光源；20-1，第一真空控制阀门；21，系统总控制装置；30，衬底；31，多层反射膜；32，覆盖层；33，缓冲层；34，吸附层；35，减反层；36，光阻层；37，背面导电层。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为"在…上"、"连接到"其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、连接其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为"直接在…上"、"直接连接到"其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。尽管可使用术语上、第二等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的上元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“在……之上”、“在上面”、“上面的”、“顶面上”、“底面上”、“正面上”、“背面上”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“底面上”、“背面上”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”或“顶”或者“正”。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的"一"、"一个"和"所述/该"也意图包括复数形式，除非上下文清楚的指出另外的方式。还应明白术语“包括”用于确定可以特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语"和/或"包括相关所列项目的任何及所有组合。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1和图9，本发明一实施例提供一种EUV空白掩模版制造方法，其包括以下步骤：
S1，在衬底30上沉积相应的膜以形成多层反射膜31，并在沉积多层反射膜31的过程中，在线监测所述多层反射膜31表面对相应的EUV光产生的第一反射率，并根据所述第一反射率的监测结果在线调整沉积所述多层反射膜31的工艺参数，直至所述第一反射率达到第一目标反射率；
S2，在所述多层反射膜31上沉积覆盖层32，在沉积所述覆盖层32的过程中，在线监测所述覆盖层32表面对相应的EUV光产生的第二反射率以及对相应的DUV光产生的第三反射率，并根据所述第二反射率和/或所述第三反射率的监测结果在线调整沉积所述覆盖层32的工艺参数，直至所述第二反射率达到第二目标反射率，且所述第三反射率达到第三目标反射率；
S3，在所述覆盖层32上沉积吸收层34，在沉积所述吸收层34的过程中，在线监测所述吸收层34表面对相应的EUV光产生的第四反射率，并根据所述第四反射率的监测结果在线调整沉积所述吸收层34的工艺参数，直至所述第四反射率达到第四目标反射率。
其中，在步骤S1中，提供的衬底30可以是任意合适的热膨胀系数小于或等于5ppb/℃（即为5*10-9/℃）的低热膨胀系数的衬底，例如，衬底30可以为石英玻璃基板，其材料是合成石英玻璃材料，其为低正热膨胀系数，且在相应的EUV光刻工艺的曝光温度下的热膨胀系数CTE例如为小于或等于5ppb/℃。
另外，在步骤S1中，在衬底30上形成的多层反射膜31要求对13.5nm波长的极紫外光具有高于60%的反射率。本实施例中，多层反射膜31主要由第一反射膜（未图示）和第二反射膜（未图示）成对地交替层叠而成（即周期性排列堆叠而成），第一反射膜和第二反射膜可以分别选择合适的材料和厚度，且可以进一步选择两层反射膜堆叠的合适对数，使得多层反射膜31具有最大的反射率。例如第一反射膜的材料为硅（Si）或铍(Be)且第二反射膜的材料为钼（Mo）或钌(Ru)，或者，第一反射膜的材料为Mo或钌(Ru)且第二反射膜的材料为铍(Be)或Si。再例如，第一反射膜和第二反射膜的膜厚各约为2.5nm~4nm，两层反射膜堆叠的对数为40~60。作为一种具体示例，第一反射膜为Si且每层Si的厚度为4.0nm，第二反射膜为Mo且每层Mo的厚度为2.8nm，且Mo层和Si层共形成40~60对的叠层。
在步骤S1中，可以通过溅射（PVD）、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、等离子体增强CVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）、等离子体增强ALD （PEALD）、IBD（Ion BeamDeposition，离子束沉积）、JVD（Jet Vapor Deposition，喷射气相沉积）等任意合适的沉积工艺来交替形成第一反射膜和第二反射膜，进而形成所需的多层反射膜（Multi-Layers，ML）31。多层反射膜31又称反射镜，第一反射膜和第二反射膜两者的材料的介电常数差别较大且交替沉积，第一反射膜和第二反射膜两者中的高折射率材料（例如Si等）模拟晶体中的原子层，低折射率材料（例如Mo等）模拟原子层的间隙，以此构建一种人造周期结构来实现布拉格衍射，从而可以在EUV 波段获得高反射率。
在步骤S1中，在沉积多层反射膜31的各层膜的过程中，将相应的EUV光入射到多层反射膜31表面上，并实时监测多层反射膜31表面对该EUV光的第一反射率，进而根据第一反射率的实时监测结果在线调整当前沉积多层反射膜31的相应膜的工艺参数，直至实时监测到的第一反射率达到第一目标反射率，停止多层反射膜31的沉积及工艺参数调整。其中，多层反射膜31的沉积过程中，工艺气体的流量、沉积腔室内的压力以及沉积时间等工艺参数均会影响多层反射膜31材料的反射率、消光系数和不同反射膜的厚度比例（例如Mo层和Si层的厚度比），进而影响监测到的第一反射率。因此在沉积多层反射膜31的过程中，根据监测到的第一反射率实时调整气体流量、压力和沉积时间等工艺参数，可以精确控制每层膜的沉积厚度，且调整多层反射膜31材料的折射率、消光系数和材料厚度比例等，进而使其具有最佳反射率，由此使得多层反射膜31在较少的多层反射膜对数（例如Mo层和Si层的对数）时就能达到较高的反射效果，或者使得多层反射膜31在沉积到所需厚度时能达到最佳的反射效果。例如，请结合图2，在沉积多层反射膜31的过程中所检测到的第一反射率会随着第一反射膜和第二反射膜的对数增大先逐渐增大，且增大速率变缓直至平稳，例如，在第一反射膜为Si，第二反射膜为Mo，每层Si的厚度约为4.0nm，每层Mo的厚度约为2.8nm且Mo层和Si层的对数达到40时，多层反射膜31的第一反射率就可以达到第一目标反射率73.4%，此时即可停止沉积。
在步骤S2中，可以在与步骤S1中相同的沉积腔室内，在多层反射膜31的顶面上通过相应材料的沉积来形成覆盖层（capping layer）32。其中，在后续掩模制造工艺中，多层反射膜31可能暴露于所述氧化和任何化学蚀刻剂，而覆盖层32有助于保护多层反射膜31免受氧化和任何化学蚀刻剂的影响，覆盖层32可以选择抵抗氧化和腐蚀的材料，并且具有与诸如氧气、氮气和水蒸气之类的常见气体种类的低化学反应性。覆盖层32的材料例如可以包括硅（Si）、钌（Ru）、钌合金(例如RuB、RuSi 或RuNb) 或氧化钌(例如RuO2或RuNbO) 中的至少一种，其可以是单层膜结构，也可以是多层膜层叠而成的结构，覆盖层32厚度例如为2nm至15nm。作为一种示例，覆盖层32是10nm。
在步骤S2中，在沉积覆盖层32的过程中，将相应的EUV光和DUV光均入射到覆盖层32表面上，并实时监测所述覆盖层32表面对该EUV光产生的第二反射率以及对该DUV光产生的第三反射率，进而根据第二反射率和/或第三反射率的实时监测结果，实时调整沉积覆盖层32的工艺参数，直至第二反射率达到第二目标反射率，且第三反射率达到第三目标反射率，停止覆盖层32的沉积和工艺参数调整。
其中，请参考图3和图4，覆盖层32的沉积过程中，工艺气体的流量、沉积腔室内的压力以及沉积时间等工艺参数均会影响覆盖层32材料的厚度、反射率、消光系数和材料组分比例等，进而对监测到的第二反射率产生很大影响，监测得到的第二反射率会随着覆盖层32的沉积厚度而呈阶梯式下降，而且覆盖层32的组分会对第三反射率产生较大影响，因此，在沉积覆盖层32时，根据监测到的第二反射率和第三反射率实时调整气体流量、压力和沉积时间等工艺参数，一方面控制覆盖层32的膜层组分稳定性，使得所监测到的第三反射率相对稳定且维持在第三目标反射率上，不会随着覆盖层32的沉积厚度的增加而剧烈变化，另一方面精确控制覆盖层32的沉积厚度，使覆盖层32最终能够具有较佳的EUV反射率。例如，覆盖层32为Si且厚度为10nm时，覆盖层32所在的堆叠结构能够对EUV光达到第二目标反射率70.5%，对DUV光达到第三目标反射率69.9%上。且在沉积Si形成覆盖层32的过程中，对DUV光的第三反射率一直稳定，不会随着覆盖层32的厚度增加而波动太大，这说明沉积的覆盖层32的硅纯度较好，由此在保证覆盖层32沉积过程中的硅纯度的基础上，进一步结合EUV光的监测结果，能够更加精确地控制覆盖层32的沉积厚度，使覆盖层32最终能够具有较佳的EUV反射率。
也就是说，在步骤S2中除了应用EUV光来监测覆盖层32的形成过程之外，还运用到DUV光进行监测的主要原因是：希望通过DUV光的监测结果保证沉积的覆盖层32的材料组分或者材料纯度，继而结合EUV光的监测结果，来更加精确地控制覆盖层32的沉积厚度，使覆盖层32最终能够具有较佳的EUV反射率。
在步骤S3中，可以在与步骤S1和S2中相同的沉积腔室内，在覆盖层32上通过相应材料的沉积来形成吸收层（Absorbing layer）34。其中，吸收层34选用在EUV波长中具有高吸收系数的材料，可以具有单层结构或多层结构。单层的吸收层34可使用的材料要兼顾EUV吸收、EUV减反以及对DUV检测波长具有一定反射率的特性。多层结构的吸收层34可以这些特性分开设计，例如至少有一层吸收层负责EUV吸收，至少有另一层吸收层负责EUV减反，至少还有一层负责对DUV检测波长具有一定反射率。吸收层34的材料例如包括钴(Co)、碲(Te)、铪(Hf)、镍（Ni）、钽（Ta）、铬（Cr）、钽基材料、铬基材料等中的至少一种。吸收层34的总厚度例如为50nm~75nm。
在步骤S3中，在沉积吸收层34的过程中，将相应的EUV光入射到吸收层34表面上，并实时监测所述吸收层34表面对该EUV光产生的第四反射率，进而根据第四反射率的实时监测结果，实时调整沉积吸收层34的工艺参数，直至第四反射率达到第四目标反射率，停止吸收层34的沉积和工艺参数调整。其中，请参考图6，吸收层34的沉积过程中，工艺气体的流量、沉积腔室内的压力以及沉积时间等工艺参数均会影响吸收层34材料的厚度、反射率、消光系数和材料组分比例等，进而对监测到的第四反射率产生很大影响，在线监测到的第四反射率会随着吸收层34的厚度增加而呈现波浪式变化，因此，在沉积吸收层34时，根据监测到的第四反射率实时调整气体流量、压力和沉积时间等工艺参数，能够精确控制吸收层34的沉积厚度，且可以同时调整吸收层34的反射率、消光系数和材料组分比例等，进而使吸收层34在相应厚度范围内具有更低的EUV反射率（即更大的EUV吸收率）。例如，请结合图6，在吸收层34为TaBN且厚度为75nm时，能够对EUV光达到第四目标反射率0.507%。
可选地，请参考图1和图9，本实施例的EUV空白掩模版制造方法，在步骤S2之后且在步骤S3之前，还可以执行步骤S4：可以在与步骤S1~S3相同的沉积腔室内，在所述覆盖层32上沉积相应的材料来形成缓冲层（buffer layer）33，其中，缓冲层33设置在覆盖层32上，具有与后续在其上形成的吸收层34不同的刻蚀特性，并且由此用作蚀刻停止层，以防止在对后续在对吸收层34进行图案化期间对覆盖层32的损坏。此外，缓冲层33还可以用作牺牲层，用于对吸收层34的缺陷进行聚焦离子束（focused-ion-beam，FIB）修复。
请参考图5，在步骤S4中，在沉积所述缓冲层33的过程中，工艺气体的流量、沉积腔室内的压力以及沉积时间等工艺参数均会影响缓冲层33材料的厚度、反射率、消光系数和材料组分比例等，在线监测所述缓冲层33表面对相应的DUV光产生的第五反射率，会监测到的第五反射率随着缓冲层33的厚度的增加逐渐下降，由此，进一步根据第五反射率的监测结果，在线调整沉积缓冲层33的工艺参数，直至第五反射率达到第五目标反射率。例如，在采用氮化铬CrN沉积缓冲层33至10nm时第五反射率达到第五目标反射率47.8%。
需要说明的是，在步骤S4中选用DUV光对缓冲层33的形成过程进行监测的主要原因是：一方面，在后续采用EUV光对EUV空白掩模版进行曝光以用于制造吸收层34中的所需图案的过程中，缓冲层33要么在吸收层34下方，要么随着吸收层34被刻蚀掉，该EUV光基本上照射不到缓冲层33，因此通过EUV光直接对缓冲层33的沉积过程进行监测的结果，对于改善EUV空白掩模版的最终性能的意义不大；另一方面，缓冲层33本身的材料特性对DUV光的反射强度高于其EUV光的反射强度，选用DUV光更容易监测到相应的反射率，进而来精确控制缓冲层33的沉积厚度，成本投入较小。
可选地，请参考图1和图9，本实施例的EUV空白掩模版制造方法，在步骤S3之后且在步骤S6之前，还执行步骤S5：在与步骤S1~S3相同的沉积腔室内，在吸收层34上沉积相应的材料来形成减反层（Anti-reflective layer）35。减反层35可以采用本领域中任意合适的减反材料。
在步骤S5中，在沉积所述减反层35的过程中，工艺气体的流量、沉积腔室内的压力以及沉积时间等工艺参数均会影响减反层35材料的厚度、反射率、消光系数和材料组分比例等，请参考图7和图8，在线监测所述减反层35表面对相应的EUV光产生的第六反射率以及对相应的DUV光产生的第七反射率，且监测到的第六反射率随着减反层35的厚度的增加呈波浪式变化，例如在沉积氮化钽TaN来形成减反层35，且减反层35的厚度为13nm时，第六反射率最低，且为0.00648%，监测到的第七反射率随着减反层35的厚度的增加呈先下降后升高的变化，在减反层35的厚度为16nm时，第七反射率达到最低至4.78%。由此，根据第六反射率和/或第七反射率的实时监测结果，在线调整沉积减反层35的工艺参数，可以合理控制减反层35的厚度，使得第六反射率达到第六目标反射率的同时，使得第七反射率达到第七目标反射率。
需要说明的是，在步骤S5中除了应用EUV光来监测减反层35的形成过程之外，还运用到DUV光进行监测的主要原因是：通常后续会使用DUV光对基于EUV空白掩模版而制造的EUV掩模中的掩模图形进行缺陷检测，因此需要减反层35本身对DUV光有一定的反射率，而且减反层35的材料特性通常对EUV光的反射率非常低，对DUV光的反射率会比其对EUV光的反射率更高，因此，运用DUV光和EUV光共同对监测减反层35的反射率，能够更加精确地控制减反层35的厚度。
最后，本实施例的制造方法，还可以在形成减反层35之后执行步骤S6：在减反层35上旋涂光阻层36，由此制成了EUV空白掩模版供下游掩模版厂商制版使用。光阻层36例如是正性光致抗蚀剂材料、负性光致抗蚀剂材料或混合性光致抗蚀剂材料。
另外，为本实施例的制造方法，还可以在执行步骤S1之前，先执行步骤S0：在与步骤S1~S5相同的沉积腔室内，在衬底30的背面上（即衬底30背向多层反射膜31的表面上）沉积相应的材料来形成背面导电层37。在本发明的其他实施例中，步骤S0（即背面导电层37的沉积）也可以在与步骤S1~S5不同的沉积腔室内完成。
背面导电层37的材料可以包括铬、铬基材料（例如氮化铬CrN或氮氧化铬CrON）、钽或钽基材料（例如硼化钽TaB、氧化钽TaO、氮化钽TaN、硼氧化钽TaBO或硼氮化钽TaBN等）中的至少一种导电材料。该背面导电层37一方面可以用于静电吸附，在后续步骤S1~S6，该背面导电层37能够让静电夹持装置(静电吸盘)对衬底背面进行静电吸附，且与衬底背面有较大的接触面，因此可以降低静电夹持装置对衬底的夹持力，进而产生较少的磨损和颗粒形成，由此减小污染风险；另一方面衬底背面和静电夹持装置之间的大面积接触还可以减少或抵消衬底正面上的应力，提高衬底正面上的平坦度，进而避免衬底的弯曲对后续的多层反射膜和吸收层等膜层的形成造成不利影响。
作为一种示例，按照图1的流程和图9所示的结构，在膜层沉积过程中，为了保证制造的EUV空白掩模版能够符合使用标准，在EUV 13.5nm情况下多层反射膜31的第一反射率保证不低于62.4%, 减反层35处的反射率小于等于0.6%。同时，为了保证缺陷量测时各层界面层处的反差比，在DUV检测波长下，具有一定的反射率，具体地说，在257nm波长下， 在覆盖层32处的反射率大于等于59.8%, 吸收层34和缓冲层33界面处的反射率大于等于42.1%，在减反层36界面处 的反射率为5.2%左右。
由上所述可知，本实施例的EUV空白掩模版制造方法，能够全自动完成EUV空白掩模版的制作，且通过实时监控提高了EUV空白掩模版的制造良率，降低成本。
此外，应当理解的是，本实施例的EUV空白掩模版制造方法仅仅举例说明了背面导电层37、多层反射膜31、覆盖层32、缓冲层33、吸附层34、减反层35和光阻层36的形成步骤，但是并不说明本发明的EUV空白掩模版制造方法仅仅包括这些膜层的形成步骤，其还可以包括其他任意所需膜层的形成步骤，例如在形成多层反射膜31之后且在形成光阻层36之前的任意合适步骤节点，还形成相移层（PSM）等等。
基于同一发明构思，本实施例还提供一种监控系统，用于在上述的EUV空白掩模版制造方法中实现相应的EUV反射率和DUV反射率的监测以及根据监测实时调整EUV空白掩模版制造方法的工艺参数，进而使得制造出的EUV空白掩模版具有较高的性能。
请参考图10，该监控系统包括EUV光源20、EUV反射监测单元13、DUV光源14和DUV反射监测单元16。
请进一步结合图1、图9和图10所示，EUV光源20和EUV反射监测单元13均设置在真空度高于10-7torr的超高真空环境中。在上述的EUV空白掩模版制造方法中，在沉积所述EUV空白掩模版样品的多层反射膜31、覆盖层32、吸收层34和减反层35等膜层的阶段（即步骤S1、S2、S3和S5中）， EUV光源20和EUV反射监测单元13均工作，EUV光源20用于根据需要向沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5上入射EUV光， EUV反射监测单元13用于接收EUV空白掩模版样品5上反射的EUV光，以在线监测EUV空白掩模版样品5对该EUV光的反射率。具体地，在执行步骤S1的阶段，EUV反射监测单元13所监测到的第一反射率用于在线调整沉积多层反射膜的工艺参数，直至达到第一目标反射率；在执行步骤S3的阶段，EUV反射监测单元13所监测到的第四反射率用于在线调整沉积吸收层的工艺参数，直至达到第四目标反射率。EUV光源20和EUV反射监测单元13均设置在真空度高于10-7torr的超高真空环境中可以降低EUV光传输过程中的损耗且保证EUV反射监测单元13的监测准确性。
请进一步结合图1、图9和图10所示，DUV光源14和DUV反射监测单元16均设置沉积腔室17的外部， 在上述的EUV空白掩模版制造方法中，在沉积EUV空白掩模版样品的覆盖层32、缓冲层33和减反层35等膜层的阶段（即步骤S2、S4和S5中），DUV光源14和DUV反射监测单元16均工作，DUV光源14用于向沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5上入射DUV光， DUV反射监测单元16用于接收EUV空白掩模版样品5反射的DUV光，以在线监测EUV空白掩模版样品5对该DUV光的反射率。具体地，在执行步骤S2的阶段，EUV光源20、EUV反射监测单元13、DUV光源14和DUV反射监测单元16均工作，DUV反射监测单元16所监测到的第三反射率和EUV反射监测单元13所监测到的第二反射率共同用于在线调整沉积覆盖层32的工艺参数，直至达到第二目标反射率和第三目标反射率；在执行步骤S4的阶段，EUV光源20、EUV反射监测单元13停止工作，DUV光源14和DUV反射监测单元16均工作，DUV反射监测单元16所监测到的第五反射率用于在线调整沉积缓冲层33的工艺参数，直至达到第五目标反射率。在执行步骤S5的阶段，EUV光源20、EUV反射监测单元13、DUV光源14和DUV反射监测单元16均工作，DUV反射监测单元16所监测到的第七反射率和EUV反射监测单元13所监测到的第六反射率共同用于在线调整沉积减反层35的工艺参数，直至达到第六目标反射率和第七目标反射率。
其中， EUV光源20可以为同步辐射源、自由电子激光器、激光等离子体光源、放电等离子体光源或激光辅助放电等离予体光源。作为一种示例，如图10所示，EUV光源20为同步辐射源，提供波长为13.5nm的EUV光，该同步辐射光源包括沿光路布设的储存环6、吸收腔室7、反射镜室一8、光栅室9、反射镜室二10和滤波室11。可选地，储存环6、吸收腔室7、反射镜室一8、光栅室9、反射镜室二10和滤波室11中任意相邻腔室之间均设有第一真空控制阀门20-1，由此，在需要EUV光源20工作时，可以将这些第一真空控制阀门20-1打开，形成超真空环境，保证EUV光源20输出的EUV光的质量，而且也可以在EUV光源20中的任意某腔室需要维修时关闭相应的第一真空控制阀门20-1，从而使其不影响EUV光源20中的其他腔室的真空度，降低维修成本。
可选地，本实施例的监控系统还包括第一反射单元12，用于将所述EUV光源20出射的EUV光反射到沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5上。第一反射单元12可以是平面反射镜，其可以和EUV反射监测单元13一同设置在一真空监测室18中，该真空监测室18可以设置在沉积腔室17的上方且真空监测室18和沉积腔室17之间设有第二真空控制阀门18-1，当需要EUV光源20和EUV反射监测单元13工作时，打开第一真空控制阀门20-1和第二真空控制阀门18-1，使得EUV光源20发出的EUV光经第一反射单元12反射到将到沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5上，EUV空白掩模版样品5上的反射光入射到EUV反射监测单元13。
可选地，本实施例的监控系统还包括：第二反射单元15-1，用于将DUV光源14出射的DUV光反射到沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5上；和/或，第三反射单元15-2，用于将EUV空白掩模版样品5上反射的DUV光反射到DUV反射监测单元16中。第二反射单元15-1和第三反射单元15-2可以设置在沉积腔室17的内部，也可以设置在沉积腔室17外部。
作为一种示例，第二反射单元15-1和第三反射单元15-2设置在沉积腔室外部，沉积腔室17的腔壁上设有相应的透明区域17-1，能方便第二反射单元15-1将DUV光源14出射的DUV光反射到沉积腔室17的EUV空白掩模版样品5上，以及方便EUV空白掩模版样品5上反射的光从沉积腔室17中穿出并入射到第三反射单元15-2上。
基于同一发明构思，请参考图10和图11，本实施例还提供一种EUV空白掩模版制造系统，其包括沉积腔室17和如本发明所述的监控系统。
可选地，所述的EUV空白掩模版制造系统还包括系统总控制装置21、进样室1、机械手3和真空缓冲腔2；所述进样室1用于放置制造EUV空白掩模版所需的基板5’（该基板5’可以是作为裸片的衬底30，也可以是背面上形成有背面导电层37的衬底30等等），所述机械手3用于将所述进样室1中的基板5’经所述真空缓冲腔2上片到所述沉积腔室17中，所述系统总控制装置21电性连接所述监控系统的DUV反射监测单元16和EUV反射监测单元13，并用于将DUV反射监测单元16和EUV反射监测单元13的所监测到的反射率与相应的目标反射率进行比对，并根据比对结果在线调整所述沉积腔室17中对应的沉积工艺参数。
其中，进样室1能够在打开后与大气环境连通，用于放置用于制造EUV空白掩模版的基板5’。真空缓冲腔2能够进样室1关闭后能够起到真空缓冲的作用，能够提高效率，真空缓冲腔2处的机械手用于在进样室1、真空缓冲腔2和/或沉积腔室17达到真空平衡后，将进样室1中的基板5’经真空缓冲腔2直接或分步上片到沉积腔室17中。其中，直接上片的过程是：将进样室1、真空缓冲腔2和沉积腔室13三者连通，待达到真空平衡后，真空缓冲腔2处的机械手将进样室1中的基板5’经真空缓冲腔2直接上片到沉积腔室17中。分步上片的过程是：首先连通进样室1和真空缓冲腔2，待进样室1和真空缓冲腔2达到真空平衡后，真空缓冲腔2处的机械手先将进样室1中的基板5’上片到真空缓冲腔2中；然后将进样室1和真空缓冲腔2之间关断，并抽真空至真空缓冲腔2和沉积腔室17达到真空平衡，打开真空缓冲腔2与沉积腔室17之间的阀门，真空缓冲腔2处的机械手再将基板5’上片到沉积腔室17中，之后真空缓冲腔2与沉积腔室17之间的阀门关闭。
进一步可选地，进样室1还可以用作卸样室，即待沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5的相应工艺结束后，可以采用与上片反相的操作来将借助机械手将沉积腔室17中生产出的EUV空白掩模版样品5下片到进样室1中。当然，在本发明的其他实施例中，也可以另设卸样室，待沉积腔室17中的EUV空白掩模版样品5的相应工艺结束后，将沉积腔室17中生产出的EUV空白掩模版样品5下片到该卸样室中。
应当理解的是，本发明的EUV空白掩模版制造方法，除了运用EUV光和DUV光对EUV空白掩模版的各层膜沉积过程进行在线反射率监控，并将监控结果反馈到沉积工艺调整上之外，还有一个更重要的改进点提供了一种全新的制造方法和监控方法，具体地，（1）沉积ML层的过程中运用EUV光监测反射率，继而调整沉积工艺参数，使ML层的反射率达到目标值；（2）沉积覆盖层的过程中运用EUV光和DUV光同时监测反射率，继而调整沉积工艺参数，使覆盖层沉积后的反射率达到目标值；（3）沉积缓冲层的过程中运用DUV光监测反射率，继而调整沉积工艺参数，使缓冲层沉积后的反射率达到目标值；（4）沉积吸收层的过程中运用EUV光监测反射率，继而调整沉积工艺参数，使吸收层沉积后的反射率达到目标值；（5）沉积减反层的过程中运用EUV光和DUV光同时监测反射率，继而调整沉积工艺参数，使减反层沉积后的反射率达到目标值。
另外，本发明的监控系统，能够集成到现有的整体式EUV掩膜制造系统中，相当于增设了EUV反射监测系统和DUV反射监测系统，且该监控系统在EUV空白掩模版的制造过程中能够根据当前沉积的膜层适应性地切换和使用DUV光和EUV光之一或者两者来进行监控，并将监控结果用于沉积工艺的参数调整上。
此外还应当注意的是，本实施例中，由于步骤S1、S2、S3、S4、S5中各膜层的沉积以及S0中的背面导电层37的沉积均在同一沉积腔室内执行的，因此这些步骤所需要的EUV光均通过同一EUV光源产生，所需要的DUV光均通过同一DUV光源产生，由此降低光源成本且简化设备结构。但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，在本发明的其他实施例中，还可以允许步骤S1、S2、S3、S4、S5中各膜层的沉积以及S0中的背面导电层37的沉积中至少有两个膜层的沉积是在不同的沉积腔室内执行的，此时，本发明的制造系统包括至少两个不同的沉积腔室，且进一步地，本发明的制造系统中，可以在各个沉积腔室外围还一一对应地设置本发明的监控系统，或者可以仅设置一个监控系统，且通过导轨等移动装置将该监控系统从一个沉积腔室处移动到另一个沉积腔室处，无论采用何种方式设置本发明的监控系统，此时的制造系统同样也能实现用EUV光和DUV光对EUV空白掩模版的各层膜沉积过程进行在线反射率监控，并将监控结果反馈到沉积工艺调整。
综上所述，本发明的技术方案，能够提高EUV空白掩模版的制造良率，并降低生产成本。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (14)

1.一种EUV空白掩模版制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底上沉积相应的膜以形成多层反射膜，并在沉积多层反射膜的过程中，在线监测所述多层反射膜表面对相应的EUV光产生的第一反射率，并根据所述第一反射率的监测结果在线调整沉积所述多层反射膜的工艺参数，直至所述第一反射率达到第一目标反射率；
S2，在所述多层反射膜上沉积覆盖层，在沉积所述覆盖层的过程中，在线监测所述覆盖层表面对相应的EUV光产生的第二反射率以及对相应的DUV光产生的第三反射率，并根据所述第二反射率和/或所述第三反射率的监测结果在线调整沉积所述覆盖层的工艺参数，直至所述第二反射率达到第二目标反射率，且所述第三反射率达到第三目标反射率；
S3，在所述覆盖层上沉积吸收层，在沉积所述吸收层的过程中，在线监测所述吸收层表面对相应的EUV光产生的第四反射率，并根据所述第四反射率的监测结果在线调整沉积所述吸收层的工艺参数，直至所述第四反射率达到第四目标反射率。
2.如权利要求1所述的EUV空白掩模版制造方法，其特征在于，在步骤S1之后且在步骤S2之前，还包括步骤S4：在所述覆盖层上沉积缓冲层，在沉积所述缓冲层的过程中，在线监测所述缓冲层表面对相应的DUV光产生的第五反射率，并根据所述第五反射率的监测结果在线调整沉积所述缓冲层的工艺参数，直至所述第五反射率达到第五目标反射率；
和/或，在步骤S2之后且在步骤S3之前，还包括步骤S5：在所述吸收层上沉积减反层，并在沉积所述减反层的过程中，在线监测所述减反层表面对相应的EUV光产生的第六反射率以及对相应的DUV光产生的第七反射率，并根据所述第六反射率和/或所述第七反射率的监测结果在线调整沉积所述减反层的工艺参数，直至所述第六反射率达到第六目标反射率，且所述第七反射率达到第七目标反射率。
3.如权利要求2所述的EUV空白掩模版制造方法，其特征在于，所述步骤S1、S2、S3、S4和S5在同一沉积腔室中实现，且所述步骤S1、S2、S3和S5使用同一EUV光源产生相应的EUV光，所述步骤S2、步骤S4和步骤S5使用同一DUV光源产生相应的光。
4.如权利要求2所述的EUV空白掩模版制造方法，其特征在于，在执行步骤S1之前，还执行步骤S0: 在所述衬底背向所述多层反射膜的表面上形成背面导电层；和/或，在执行步骤S5之后还执行步骤S6：在所述减反层上涂覆光阻层。
5.一种监控系统，用于监控EUV空白掩模版的制造，其特征在于，包括：
EUV光源和EUV反射监测单元，均工作在真空度高于10-7torr的超高真空环境中，所述EUV光源用于在沉积腔室中沉积EUV空白掩模版样品所需的相应膜层时，向所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上入射EUV光，所述EUV反射监测单元用于接收所述EUV空白掩模版样品上反射的EUV光，以在线监测所述EUV空白掩模版样品对所述EUV光的反射率，且所述EUV反射监测单元监测到的反射率用于在线调整沉积相应膜层的工艺参数；
DUV光源和DUV反射监测单元，均设置所述沉积腔室的外部，所述DUV光源用于在所述沉积腔室中沉积EUV空白掩模版样品所需的相应膜层时，向所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上入射DUV光，所述DUV反射监测单元用于接收所述EUV空白掩模版样品反射的DUV光，以在线监测所述EUV空白掩模版样品对所述DUV光的反射率，且所述EUV反射监测单元监测到的反射率用于在线调整沉积相应膜层的工艺参数。
6.如权利要求5所述的监控系统，其特征在于，在沉积所述EUV空白掩模版样品的多层反射膜和吸收层的阶段，所述EUV光源和所述EUV反射监测单元均工作，且所述EUV反射监测单元所监测到的反射率用于在线调整沉积所述多层反射膜和所述吸收层的工艺参数；在沉积所述覆盖层的阶段，所述EUV光源、所述EUV反射监测单元、所述DUV光源和所述DUV反射监测单元均工作，且所述EUV反射监测单元和所述DUV反射监测单元所监测到的反射率共同用于在线调整沉积所述覆盖层的工艺参数。
7.如权利要求6所述的监控系统，其特征在于，在所述覆盖层和所述吸收层之间沉积缓冲层的阶段，所述EUV光源和所述EUV反射监测单元暂停工作，所述DUV光源和所述DUV反射监测单元还均工作，所述DUV反射监测单元所监测到的反射率用于在线调整沉积所述缓冲层的工艺参数；
和/或，在所述吸收层上沉积减反层的阶段，所述EUV光源、所述EUV反射监测单元、所述DUV光源和所述DUV反射监测单元还均工作，所述EUV反射监测单元和所述DUV反射监测单元所监测到的反射率共同用于在线调整沉积所述减反层的工艺参数。
8.如权利要求6所述的监控系统，其特征在于，所述EUV光源为同步辐射源、自由电子激光器、激光等离子体光源、放电等离子体光源或激光辅助放电等离予体光源。
9.如权利要求8所述的监控系统，其特征在于，所述同步辐射源包括沿光路依次布设的储存环、吸收腔室、反射镜室一、光栅室、反射镜室二和滤波室，所述滤波室出射的EUV光入射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上，且从储存环到滤波室的任意相邻两者之间设有第一真空控制阀门，在需要所述EUV光源工作时，各个所述第一真空控制阀门均打开。
10.如权利要求5-9中任一项所述的监控系统，其特征在于，还包括第一反射单元，工作在所述超高真空环境中，并用于将所述EUV光源出射的EUV光反射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上。
11.如权利要求5-9中任一项所述的监控系统，其特征在于，还包括：
第二反射单元，用于将所述DUV光源出射的DUV光反射到所述沉积腔室中的EUV空白掩模版样品上；
和/或，第三反射单元，用于将所述EUV空白掩模版样品上反射的DUV光反射到所述DUV反射监测单元中。
12.如权利要求5-9中任一项所述的监控系统，其特征在于，所述沉积腔室的腔壁上设有相应的透明区域，以方便所述DUV光源出射的DUV光入射到沉积腔室内以及所述EUV空白掩模版样品上反射的DUV光从所述沉积腔室内穿出；所述EUV反射监测单元设置在一真空监测腔室中且所述真空监测腔室和所述沉积腔室之间设有第二真空控制阀门，在所述EUV光源和所述EUV反射监测单元工作时所述第二真空控制阀门打开，连通所述真空监测腔室和所述沉积腔室。
13.一种EUV空白掩模版制造系统，其特征在于，包括沉积腔室和如权利要求5-12中任一项所述的监控系统。
14.如权利要求13所述的EUV空白掩模版制造系统，其特征在于，还包括系统总控制装置、进样室、机械手和真空缓冲腔；所述进样室用于放置制造EUV空白掩模版所需的衬底，所述机械手用于将所述进样室中的衬底经所述真空缓冲腔上片到所述沉积腔室中，所述系统总控制装置电性连接所述监控系统，并用于将所述监控系统的所监测到的反射率与相应的目标反射率进行比对，并根据比对结果在线调整所述沉积腔室中对应的沉积工艺参数。
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