CN116165070A - 薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置 - Google Patents

薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置 Download PDF

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Abstract

本公开实施例涉及一种薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置。该检测方法包括：提供基底，基底上形成有待测薄膜，在厚度方向上，待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，厚度方向为垂直于基底的方向，深度为检测点与待测薄膜背离基底的表面之间的距离；向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线；根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小。可以用来检测任意厚度的待检测薄膜的杨氏模量，并且不需要对待测薄膜进行裂片等人工操作，可以进行待检测薄膜杨氏模量的在线检测。

Description

薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置
技术领域
本公开实施例涉及杨氏模量检测技术领域，特别是涉及一种薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置。
背景技术
刻蚀形成具有高深宽比的沟槽时，使用的硬掩膜（hard mask）的杨氏模量的大小直接影响到晶圆的翘曲程度。典型的量测杨氏模量的方法是MPG（Metal Pulse G），但是MPG量测只能量测厚度大于500nm的薄膜的杨氏模量，无法直接测量厚度小于500nm的薄膜的杨氏模量，而薄膜的杨氏模量和薄膜的厚度之间具有一定的关系，薄膜尺寸越小杨氏模量变化越大，随着半导体结构的如何检测薄膜的杨氏模量成为急需解决的问题。
发明内容
本公开实施例提供了一种薄膜杨氏模量的检测方法和检测装置，可以在线量测薄膜的杨氏模量。
一种薄膜杨氏模量的检测方法，包括：
提供基底，基底上形成有待测薄膜，在厚度方向上，待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，厚度方向为垂直于基底的方向，深度为检测点与待测薄膜背离基底的表面之间的距离；
向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线；
根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，提供基底，所述基底上形成有待测薄膜，包括：
提供基底，所述基底上形成有初始待测薄膜；
向初始待测薄膜中掺入杂质离子，以得到待测薄膜，所述杂质离子的掺杂浓度和掺杂深度之间具有第三关系曲线；
根据第三关系曲线，得到第一关系曲线。
在其中一个实施例中，采用离子注入工艺向初始待测薄膜中掺入杂质离子；
其中，离子注入工艺的注入深度小于初始待测薄膜的厚度。
在其中一个实施例中，根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
向待测薄膜施加第一压力，得到第一压力对应的第一电阻；
根据第一压力、第一电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度；
根据第一压力和第一深度，得到待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，根据第一压力、第一电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度，包括：
根据第二关系曲线得到待测薄膜的最小电阻，及最小电阻对应的中间压力；
根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度。
在其中一个实施例中，根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度，包括：
根据第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的深度D1和深度D2，深度D1小于或等于深度D2；
当第一压力小于或等于中间压力时，深度D1为第一深度；
当第一压力大于中间压力时，深度D2为第一深度。
在其中一个实施例中，根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小，还包括：
向待测薄膜施加第二压力，得到第二压力对应的第二电阻；
根据第二压力、第二电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第二电阻对应的第二深度；
根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量，包括：
根据第一压力和第一深度得到第一杨氏模量；
根据第二压力和第二深度得到第二杨氏模量；
得到第一杨氏模量和第二杨氏模量的平均值，所述平均值即为待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值，包括：
通过测试探针向待测薄膜施加下压力，并得到下压力对应的电阻值。
在其中一个实施例中，待测薄膜包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，在厚度方向上，第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；
向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线，包括：
向第一待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B1；
向第二待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B2；
根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小，包括：
向第一待测薄膜施加第三压力，得到第三压力对应的第三电阻；
根据第三压力、第三电阻、第一关系曲线A1和第二关系曲线B1，得到第三电阻对应的第三深度；
向第二待测薄膜施加第四压力，得到第四压力对应的第四电阻；
根据第四压力、第四电阻、第一关系曲线A2和第二关系曲线B2，得到第四电阻对应的第四深度；
根据第三压力、第三深度、第四压力和第四深度，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，第一关系曲线A1和第二关系曲线A2相同，所述根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小，包括：
向第一待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第五电阻；
向第二待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第六电阻；
根据第二关系曲线B1得到第一待测薄膜的最小电阻R1，及最小电阻R1对应的中间压力FR1；
根据第二关系曲线B2得到第二待测薄膜的最小电阻R2，及最小电阻R2对应的中间压力FR2；
根据第五压力、第五电阻、第六电阻、中间压力FR1和中间压力FR2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，根据第五压力、第五电阻、第六电阻、中间压力FR1和中间压力FR2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小，包括：
当第五压力小于或等于中间压力FR1，且第五压力小于或等于中间压力FR2时，第五电阻和第六电阻中阻值大的电阻对应的待测薄膜的杨氏模量大；
当第五压力小于或等于中间压力FR1，且第五压力大于中间压力FR2时，第一待测薄膜的杨氏模量大于第二待测薄膜的杨氏模量；
当第五压力大于中间压力FR1，且第五压力小于或等于中间压力FR2时，第一待测薄膜的杨氏模量小于第二待测薄膜的杨氏模量。
上述薄膜杨氏模量的检测方法中，待测薄膜在厚度方向上具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，通过向待测薄膜施加不同的下压力可以得到下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线，进而根据第二关系曲线和第一关系曲线可以监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，该检测方法可以用来检测任意厚度的待检测薄膜的杨氏模量，并且不需要对待测薄膜进行裂片等人工操作，可以进行待检测薄膜杨氏模量的在线检测。
本公开还提供一种薄膜杨氏模量的检测装置，所述检测装置用于检测待测薄膜的杨氏模量，在厚度方向上，待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，检测装置包括：
获取模块，用于获取第一关系曲线；
测试模块，用于向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上各下压力对应的电阻值；
运算模块，用于根据各下压力对应的电阻值，得到下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线，并根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，待测薄膜包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；
获取模块用于获取第一关系曲线A1和第一关系曲线A2，测试模块用于向第一待测薄膜和第二待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上各下压力对应的电阻值；运算模块用于根据各下压力对应的电阻值，得到第一待测薄膜对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B1，第二待测薄膜对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B2；运算模块还用于根据第一关系曲线A1和第二关系曲线B1，得到第一待测薄膜的杨氏模量，根据第一关系曲线A2和第二关系曲线B2，得到第二待测薄膜的杨氏模量；检测装置还包括：
判定模块，用于根据第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
上述薄膜杨氏模量的检测装置中，测试模块向待测薄膜施加不同的下压力，并得到在厚度方向上各下压力对应的电阻值，运算模块根据各下压力对应的电阻值，得到下压力对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线，并根据第一关系曲线和第二关系曲线，检测待测薄膜杨氏模量的大小，该检测装置可以用来检测任意厚度的待检测薄膜的杨氏模量，并且不需要对待测薄膜进行裂片等人工操作，可以进行待检测薄膜杨氏模量的在线检测。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中薄膜杨氏模量的检测方法的流程示意图；
图2为一实施例中形成有待测薄膜的基底的剖面示意图；
图3为一实施例中电阻值和深度之间的第一关系曲线的示意图；
图4为一实施例中电阻值和下压力之间的第二关系曲线的示意图；
图5为一实施例中提供形成有待测薄膜的基底的流程示意图；
图6为一实施例中掺杂浓度和掺杂深度之间的第三关系曲线的示意图；
图7为一实施例中根据第一关系曲线和第二关系曲线监测待测薄膜杨氏模量的流程示意图；
图8为一实施例中根据第一压力、第一电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度的流程示意图；
图9为一实施例中根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度的流程示意图；
图10为一实施例中根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜杨氏模量的大小的流程示意图；
图11为一实施例中根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量的流程示意图；
图12为一实施例中根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小的流程示意图；
图13为一实施例中根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小的流程示意图；
图14为一实施例中电阻值和下压力之间的第二关系曲线A2和第二关系曲线B2的示意图；
图15为一实施例中薄膜杨氏模量的检测装置的框架示意图。
附图标记说明：
102、基底；104、待测薄膜；106、获取模块；108、测试模块；110、运算模块；112、判定模块；202、检测点；204、杂质离子。
具体实施方式
为了便于理解本公开实施例，下面将参照相关附图对本公开实施例进行更全面的描述。附图中给出了本公开实施例的首选实施例。但是，本公开实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本公开实施例的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开实施例。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本公开实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开实施例的限制。
可以理解，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，可以将第一关系曲线称为第二关系曲线，且类似地，可将第二关系曲线称为第一关系曲线。第一关系曲线和第二关系曲线两者都是关系曲线，但其不是同一关系曲线。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本公开的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
图1为一实施例中薄膜杨氏模量的检测方法的流程示意图，图2为一实施例中形成有待测薄膜的基底的剖面示意图，图3为一实施例中电阻值和深度之间的第一关系曲线的示意图，图4为一实施例中电阻值和下压力之间的第二关系曲线的示意图，如图1-图4所示，在本实施例中，提供一种薄膜杨氏模量的检测方法，包括：
S102，提供形成有待测薄膜的基底，待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线。
具体的，提供基底102，基底102上形成有待测薄膜104，在厚度方向（Y方向）上，待测薄膜104具有不同的电阻值R，电阻值R和深度D之间具有第一关系曲线，厚度方向为垂直于基底102的方向，图示中用Y方向表示厚度方向，深度D为检测点202与待测薄膜104背离基底102的表面之间的距离，其中，检测点202位于待检测薄膜104中的任意位置。该基底102可以采用未掺杂的单晶硅、掺杂有杂质的单晶硅、绝缘体上硅（SOI）、绝缘体上层叠硅（SSOI）、绝缘体上层叠锗化硅（S-SiGeOI）、绝缘体上锗化硅（SiGeOI）以及绝缘体上锗（GeOI）等。作为示例，在本实施例中，基底102的构成材料选用单晶硅。
S104，向待测薄膜施加不同的下压力，并得到电阻值和下压力之间的第二关系曲线。
具体的，向待测薄膜104施加不同的下压力F，并得到在厚度方向（Y方向）上下压力F对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线。
S106，根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜杨氏模量的大小。
具体的，根据电阻值R和深度D之间的第一关系曲线、电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线，监测待测薄膜104杨氏模量E的大小。
上述薄膜杨氏模量的检测方法中，待测薄膜104在厚度方向上具有不同的电阻值R，电阻值R和深度D之间具有第一关系曲线，通过向待测薄膜104施加不同的下压力F可以得到下压力F对应的电阻值R和下压力FF之间的第二关系曲线，进而根据第二关系曲线和第一关系曲线可以检测待测薄膜104杨氏模量的大小，该检测方法可以用来检测任意厚度的待检测薄膜104的杨氏模量，并且不需要对待测薄膜104进行裂片等人工操作，可以进行待检测薄膜104杨氏模量的在线检测。
图5为一实施例中提供形成有待测薄膜的基底的流程示意图，图6为一实施例中掺杂浓度和掺杂深度之间的第三关系曲线的示意图，如图2、图5、图6所示，在其中一个实施例中，提供基底102，所述基底102上形成有待测薄膜104，包括：
S202，提供形成有初始待测薄膜的基底。
具体的，提供基底102，基底102上形成有初始待测薄膜。
S204，向初始待测薄膜中掺入杂质离子，以得到待测薄膜。
通过掺杂工艺，向初始待测薄膜中掺入杂质离子204，以得到待测薄膜104，所述杂质离子204的掺杂浓度N和掺杂深度L之间具有第三关系曲线，通过掺入杂质离子204使得待测薄膜104在厚度方向上具有不同的电阻值R；掺杂深度L为Y方向上杂质离子204与待测薄膜104背离基底102的表面之间的距离，掺杂浓度N为待测薄膜104中掺杂深度L对应的杂质离子204的浓度，可以理解的是，掺杂深度L小于或等于待测薄膜104在Y方向上的厚度T。
S206，根据第三关系曲线，得到第一关系曲线。
杂质离子204会影响待测薄膜104的导电性，即检测点202对应的杂质离子204越多，测得到电阻值R越小，根据杂质离子204的掺杂浓度N和掺杂深度L之间的第三关系曲线,可以得到待测薄膜104中检测点202的深度D（等同于掺杂深度L）对应的掺杂浓度N，以及掺杂浓度N对应的电阻值R，进而得到电阻值R和深度D之间的第一关系曲线。
在其中一个实施例中，采用离子注入工艺向初始待测薄膜中掺入杂质离子；其中，离子注入工艺的注入深度小于初始待测薄膜的厚度，即杂质离子仅注入到初始待测薄膜中。
图7为一实施例中根据第一关系曲线和第二关系曲线监测待测薄膜杨氏模量的流程示意图，如图7所示，在其中一个实施例中，根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测所述待测薄膜104杨氏模量E的大小，包括：
S302，向待测薄膜施加第一压力，得到第一压力对应的第一电阻。
向待测薄膜104施加第一压力F1后，得到第一压力F1对应的检测点202的第一电阻R01，其中，检测点202的第一深度D01小于或等于待测薄膜104的厚度T。
S304，根据第一压力、第一电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度。
根据第一压力F1、第一电阻R01、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻R01对应的第一深度D01。
S306，根据第一压力和第一深度，得到待测薄膜的杨氏模量。
根据第一压力F1和第一深度D01，可以得到待测薄膜104的杨氏模量E，即杨氏模量等于第一压力F1和第一深度D01的比值。
图8为一实施例中根据第一压力、第一电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度的流程示意图，如图8所示，在其中一个实施例中，根据第一压力F1、第一电阻R01、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻R01对应的第一深度D01，包括：
S402，根据第二关系曲线得到待测薄膜的最小电阻，及最小电阻对应的中间压力。
根据第二关系曲线，得到待测薄膜104的最小电阻Rmin，以及最小电阻Rmin对应的中间压力Fmid。
S404，根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度。
根据中间压力Fmid、第一压力F1、第一电阻R01和第一关系曲线，得到第一电阻R01对应的第一深度D01。
图9为一实施例中根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度的流程示意图，如图9所示，在其中一个实施例中，根据中间压力Fmid、第一压力F1、第一电阻R01和第一关系曲线，得到第一电阻R01对应的第一深度D01，包括：
S502，根据第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的深度D1和深度D2。
根据最小电阻Rmin和第一关系曲线，可以得到最小电阻Rmin对应的中间深度；根据第一电阻R01和第一关系曲线，得到第一电阻R01对应的深度D1和深度D2，其中，深度D1小于或等于深度D2，即深度D1小于或等于中间深度，且深度D2大于或等于中间深度。
S504，当第一压力小于或等于中间压力时，深度D1为第一深度。
比较第一压力F1和中间压力Fmid，当第一压力F1小于中间压力Fmid时，判定第一深度D01小于最小电阻Rmin对应的中间深度，此时，深度D1为第一深度D01；当第一压力F1等于中间压力Fmid时，此时第一电阻R01等于最小电阻Rmin，深度D1和深度D2均等于中间深度，此时，深度D1和深度D2相等，且均为第一深度D01。
S506，当第一压力大于中间压力时，深度D2为第一深度。
比较第一压力F1和中间压力Fmid，当第一压力F1大于中间压力Fmid时，判定第一深度D01大于最小电阻Rmin对应的中间深度，此时，深度D2为第一深度D01。
图10为一实施例中根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜杨氏模量的大小的流程示意图，如图10所示，在其中一个实施例中，根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜104杨氏模量的大小，还包括：
S602，向待测薄膜施加第二压力，得到第二压力对应的第二电阻。
向待测薄膜104施加第二压力F2后，得到第二压力F2对应的检测点202的第二电阻R02，其中，检测点202的第二深度D02小于或等于待测薄膜104的厚度T。
S604，根据第二压力、第二电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第二电阻对应的第二深度。
具体地，根据第二电阻R02和第一关系曲线，得到第二电阻R02对应的深度D3和深度D4，其中，深度D3小于或等于深度D4；当第二压力F2小于或等于中间压力时，深度D3为第二深度D02；当第二压力F2大于中间压力时，深度D4为第二深度D02。
S606，根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量。
根据第一压力F1、第二压力F2、第一深度D01和第二深度D02，得到待测薄膜104的杨氏模量E。
图11为一实施例中根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量的流程示意图，如图11所示，在其中一个实施例中，根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量，包括：
S702，根据第一压力和第一深度得到第一杨氏模量。
得到第一压力F1和第一深度D01的比值EF1，该比值EF1为第一杨氏模量。
S704，根据第二压力和第二深度得到第二杨氏模量。
得到第二压力F2和第二深度D02的比值EF2，该比值EF2为第二杨氏模量。
S706，得到第一杨氏模量和第二杨氏模量的平均值，所述平均值即为待测薄膜的杨氏模量。
得到第一杨氏模量和第二杨氏模量的平均值，所述平均值即为待测薄膜104的杨氏模量E，即比值EF1和比值EF2的平均值为待测薄膜104的杨氏模量E。
可选的，也可以向待测薄膜104施加下压力F01、下压力F02、下压力F03等，并得到下压力F01对应的深度DF01、下压力F02对应的深度DF02、下压力F03对应的深度DF03，然后得到下压力F01和深度DF01的比值EF01、下压力F02和深度DF02的比值EF02、下压力F03和深度DF03的比值EF03，并将比值EF01、EF02和比值EF03的平均值作为待测薄膜104的杨氏模量E，其中，深度DF01、深度DF02、深度DF03均小于或等于待测薄膜104的厚度T，通过该方式可以得到精度更高的杨氏模量。
在其中一个实施例中，向待测薄膜104施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上下压力F对应的电阻值R，包括：通过测试探针向待测薄膜104施加下压力F，并得到下压力F对应的电阻值R，其中，下压力F对应的检测点202的深度D小于或等于待测薄膜104的厚度T。
在其中一个实施例中，待测薄膜104包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，在厚度方向（Y方向）上，第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；
向待测薄膜104施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上下压力F对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线，包括：
向第一待测薄膜施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上下压力F对应的电阻值和下压力F之间的第二关系曲线B1，其中，下压力F对应的检测点202的深度D小于或等于第一待测薄膜的厚度T1；
向第二待测薄膜施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上下压力F对应的电阻值和下压力F之间的第二关系曲线B2，其中，下压力F对应的检测点202的深度D小于或等于第二待测薄膜的厚度T2；
根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小。
图12为一实施例中根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小的流程示意图，如图12所示，在其中一个实施例中，根据第一关系曲线A1、第一关系曲线A2、第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小，包括：
S802，向第一待测薄膜施加第三压力，得到第三压力对应的第三电阻。
向第一待测薄膜施加第三压力F3之后，得到第三压力F3对应的检测点202的第三电阻R3，其中，第三压力F3对应的检测点202的深度D小于或等于第一待测薄膜的厚度T1。
S804，根据第三压力、第三电阻、第一关系曲线A1和第二关系曲线B1，得到第三电阻对应的第三深度；
S806，向第二待测薄膜施加第四压力，得到第四压力对应的第四电阻；
向第二待测薄膜施加第四压力F4，得到第四压力F4对应的检测点202的第四电阻R4；其中，第四压力F4对应的检测点202的深度D小于或等于第二待测薄膜的厚度T2。
S808，根据第四压力、第四电阻、第一关系曲线A2和第二关系曲线B2，得到第四电阻对应的第四深度；
S810，根据第三压力、第三深度、第四压力和第四深度，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
根据第三压力和第三深度得到第一待测薄膜的杨氏模量E1，根据第四压力和第四深度，得到第二待测薄膜的杨氏模量E2，通过比较杨氏模量E1和杨氏模量E2，判定第一待测薄膜和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
在其中一个实施例中，第一关系曲线A1和第二关系曲线A2相同，所述根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小。
图13为一实施例中根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小的流程示意图，如图13所示，在其中一个实施例中，第一关系曲线A1和第二关系曲线A2相同，根据第二关系曲线B1和第二关系曲线B2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小，包括：
S902，向第一待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第五电阻。
向第一待测薄膜施加第五压力F5，得到第五压力F5对应的检测点202的第五电阻R5，其中，检测点202的深度D小于或等于第一待测薄膜的厚度T1。
S904，向第二待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第六电阻。
向第二待测薄膜施加第五压力F5，得到第五压力F5对应的检测点202的第六电阻R6，其中，检测点202的深度D小于或等于第二待测薄膜的厚度T2。
S906，根据第二关系曲线B1得到第一待测薄膜的最小电阻R1，及最小电阻R1对应的中间压力FR1。
S908，根据第二关系曲线B2得到第二待测薄膜的最小电阻R2，及最小电阻R2对应的中间压力FR2。
S910，根据第五压力、第五电阻、第六电阻、中间压力FR1和中间压力FR2，判定第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
图14为一实施例中电阻值和下压力之间的第二关系曲线A2和第二关系曲线B2的示意图，如图14所示，在其中一个实施例中，第一关系曲线A1和第二关系曲线A2相同，根据第五压力、第五电阻、第六电阻、中间压力FR1和中间压力FR2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小，包括：
当第五压力F5小于或等于中间压力FR1，且第五压力F5小于或等于中间压力FR2时，第五电阻R5和第六电阻R6中阻值大的电阻对应的待测薄膜的杨氏模量大；示例性的，第五电阻R5大于第六电阻R6时，第一待测薄膜的杨氏模量E1大于第二待测薄膜的杨氏模量E2；第五电阻R5小于第六电阻R6时，第一待测薄膜的杨氏模量E1小于第二待测薄膜的杨氏模量E2；第五电阻R5等于第六电阻R6时，第一待测薄膜的杨氏模量E1等于第二待测薄膜的杨氏模量E2。
当第五压力F5小于或等于中间压力FR1，且第五压力F5大于中间压力FR2时，第一待测薄膜的杨氏模量E1大于第二待测薄膜的杨氏模量E2。
当第五压力F5大于中间压力FR1，且第五压力F5小于或等于中间压力FR2时，第一待测薄膜的杨氏模量E1小于第二待测薄膜的杨氏模量E2。
在其中一个实施例中，待测薄膜104的构成材料包括硅，基底102包括产品晶圆或测试晶圆。
应该理解的是，虽然图1、图5、图7、图8、图9、图11、图12、图13的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图5、图7、图8、图9、图11、图12、图13中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
图15为一实施例中薄膜杨氏模量的检测装置的框架示意图，如图2、图15所示，在本实施例中，提供一种薄膜杨氏模量的检测装置，所述检测装置用于检测待测薄膜104的杨氏模量，在厚度方向（Y方向）上，待测薄膜104具有不同的电阻值R，电阻值R和深度D之间具有第一关系曲线，检测装置包括：获取模块106、测试模块108和运算模块110；获取模块106用于获取第一关系曲线；测试模块108用于向待测薄膜104施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上各下压力F对应的电阻值R；运算模块110用于根据各下压力F对应的电阻值R，得到下压力F对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线，并根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜104杨氏模量E的大小。
示例性的，获取模块106包括存储器或单片机，通过执行存储器或单片机中存储的计算机程序获取电阻值R和深度D之间具有第一关系曲线；测试模块108包括测试设备，例如四探针电阻率测试仪；运算模块110包括存储器、单片机、比较器或运算器，通过执行存储器、单片机或比较器中存储的计算机程序根据各下压力F对应的电阻值R，得到下压力F对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线，并根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜104杨氏模量E的大小。
上述薄膜杨氏模量的检测装置中，测试模块108向待测薄膜104施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上各下压力F对应的电阻值R，运算模块110根据各下压力F对应的电阻值R，得到下压力F对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线，并根据第一关系曲线和第二关系曲线，监测待测薄膜104杨氏模量E的大小，该检测装置可以用来检测任意厚度的待检测薄膜104的杨氏模量E，并且不需要对待测薄膜104进行裂片等人工操作，可以进行待检测薄膜104杨氏模量E的在线检测。
在其中一个实施例中，待测薄膜104中掺有杂质离子204，杂质离子204的掺杂浓度N和掺杂深度L之间具有第三关系曲线，通过掺入杂质离子204使得待测薄膜104在厚度方向上具有不同的电阻值R；掺杂深度L为Y方向上杂质离子204与待测薄膜104背离基底102的表面之间的距离，掺杂浓度N为待测薄膜104中掺杂深度L对应的杂质离子204的浓度，可以理解的是，掺杂深度L小于或等于待测薄膜104在Y方向上的厚度T；获取模块106还用于获取第三关系曲线，运算模块110还用于根据第三关系曲线，得到第一关系曲线。
在其中一个实施例中，测试模块108用于向待测薄膜104施加第一压力F1后，得到第一压力F1对应的检测点202的第一电阻R01，其中，检测点202的第一深度D01小于或等于待测薄膜104的厚度T；运算模块110还用于根据第一压力F1、第一电阻R01、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第一电阻R01对应的第一深度D01，并根据第一压力F1和第一深度D01，可以得到待测薄膜104的杨氏模量E。
在其中一个实施例中，运算模块110还用于根据第二关系曲线得到待测薄膜的最小电阻，及最小电阻对应的中间压力；根据中间压力、第一压力、第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的第一深度。
在其中一个实施例中，运算模块110还用于根据第一电阻和第一关系曲线，得到第一电阻对应的深度D1和深度D2；运算模块110还用于在第一压力小于或等于中间压力时，将深度D1作为第一深度，在第一压力大于中间压力时，将深度D2作为第一深度。
在其中一个实施例中，测试模块108还用于向待测薄膜施加第二压力，得到第二压力对应的第二电阻；根据第二压力、第二电阻、第一关系曲线和第二关系曲线，得到第二电阻对应的第二深度；根据第一压力、第二压力、第一深度和第二深度，得到待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，运算模块110还用于根据第一压力和第一深度得到第一杨氏模量，根据第二压力和第二深度得到第二杨氏模量，得到第一杨氏模量和第二杨氏模量的平均值，所述平均值即为待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，待测薄膜104包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；获取模块106用于获取第一关系曲线A1和第一关系曲线A2，测试模块108用于向第一待测薄膜和第二待测薄膜施加不同的下压力F，并得到在厚度方向上各下压力F对应的电阻值R；运算模块110用于根据各下压力F对应的电阻值R，得到第一待测薄膜对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线B1，第二待测薄膜对应的电阻值R和下压力F之间的第二关系曲线B2；运算模块110还用于根据第一关系曲线A1和第二关系曲线B1，得到第一待测薄膜的杨氏模量E1，根据第一关系曲线A2和第二关系曲线B2，得到第二待测薄膜的杨氏模量E2。
如图15所示，在其中一个实施例中，检测装置还包括：判定模块112，用于根据第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2，判定第一待测薄膜的杨氏模量E1和第二待测薄膜的杨氏模量E2的大小。
在其中一个实施例中，测试模块108还用于向第一待测薄膜施加第三压力，得到第三压力对应的第三电阻，向第二待测薄膜施加第四压力，得到第四压力对应的第四电阻；运算模块110还用于根据第三压力、第三电阻、第一关系曲线A1和第二关系曲线B1，得到第三电阻对应的第三深度，根据第四压力、第四电阻、第一关系曲线A2和第二关系曲线B2，得到第四电阻对应的第四深度；根据第三压力、第三深度、第四压力和第四深度，得到第一待测薄膜的杨氏模量和第二待测薄膜的杨氏模量。
在其中一个实施例中，第一关系曲线A1和第二关系曲线A2相同，测试模块108还用于向第一待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第五电阻，向第二待测薄膜施加第五压力，得到第五压力对应的第六电阻；运算模块110还用于根据第二关系曲线B1得到第一待测薄膜的最小电阻R1，及最小电阻R1对应的中间压力FR1；根据第二关系曲线B2得到第二待测薄膜的最小电阻R2，及最小电阻R2对应的中间压力FR2；判定模块112还用于在第五压力小于或等于中间压力FR1，且第五压力小于或等于中间压力FR2时，判定第五电阻和第六电阻中阻值大的电阻对应的待测薄膜的杨氏模量大；示例性的，在第五电阻大于第六电阻时，判定第一待测薄膜的杨氏模量大于第二待测薄膜的杨氏模量；在第五电阻小于第六电阻时判定，第一待测薄膜的杨氏模量小于第二待测薄膜的杨氏模量；在第五电阻等于第六电阻时，判定第一待测薄膜的杨氏模量等于第二待测薄膜的杨氏模量。判定模块112还用于在第五压力小于或等于中间压力FR1，且第五压力大于中间压力FR2时，判定第一待测薄膜的杨氏模量大于第二待测薄膜的杨氏模量；在第五压力大于中间压力FR1，且第五压力小于或等于中间压力FR2时，判定第一待测薄膜的杨氏模量小于第二待测薄膜的杨氏模量。
本公开还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述任一项所述的检测方法的步骤。
本公开还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述的检测方法的步骤。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本公开实施例的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开实施例的保护范围。因此，本公开实施例专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种薄膜杨氏模量的检测方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有待测薄膜，在厚度方向上，所述待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，所述厚度方向为垂直于所述基底的方向，所述深度为检测点与待测薄膜背离所述基底的表面之间的距离；
向所述待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上所述下压力对应的电阻值和所述下压力之间的第二关系曲线；
根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小。
2.根据权利要求1所述的检测方法，根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
向所述待测薄膜施加第一压力，得到所述第一压力对应的第一电阻；
根据所述第一压力、所述第一电阻、所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，得到所述第一电阻对应的第一深度；
根据所述第一压力和所述第一深度，得到所述待测薄膜的杨氏模量。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，根据所述第一压力、所述第一电阻、所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，得到所述第一电阻对应的第一深度，包括：
根据所述第二关系曲线得到所述待测薄膜的最小电阻，及所述最小电阻对应的中间压力；
根据所述中间压力、所述第一压力、所述第一电阻和所述第一关系曲线，得到所述第一电阻对应的第一深度。
4.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，还包括：
向所述待测薄膜施加第二压力，得到所述第二压力对应的第二电阻；
根据所述第二压力、所述第二电阻、所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，得到所述第二电阻对应的第二深度；
根据所述第一压力、所述第二压力、所述第一深度和所述第二深度，得到所述待测薄膜的杨氏模量。
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述待测薄膜包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，在厚度方向上，所述第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，所述第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；
所述向所述待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上所述下压力对应的电阻值和所述下压力之间的第二关系曲线，包括：
向所述第一待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上所述下压力对应的电阻值和所述下压力之间的第二关系曲线B1；
向所述第二待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上所述下压力对应的电阻值和所述下压力之间的第二关系曲线B2；
所述根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据所述第一关系曲线A1、所述第一关系曲线A2、所述第二关系曲线B1和所述第二关系曲线B2，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，根据所述第一关系曲线A1、所述第一关系曲线A2、所述第二关系曲线B1和所述第二关系曲线B2，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小，包括：
向所述第一待测薄膜施加第三压力，得到所述第三压力对应的第三电阻；
根据所述第三压力、所述第三电阻、所述第一关系曲线A1和所述第二关系曲线B1，得到所述第三电阻对应的第三深度；
向所述第二待测薄膜施加第四压力，得到所述第四压力对应的第四电阻；
根据所述第四压力、所述第四电阻、所述第一关系曲线A2和所述第二关系曲线B2，得到所述第四电阻对应的第四深度；
根据所述第三压力、所述第三深度、所述第四压力和所述第四深度，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
7.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述第一关系曲线A1和所述第二关系曲线A2相同，所述根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小，包括：
根据所述第二关系曲线B1和所述第二关系曲线B2，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
8.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，根据所述第二关系曲线B1和所述第二关系曲线B2，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小，包括：
向所述第一待测薄膜施加第五压力，得到所述第五压力对应的第五电阻；
向所述第二待测薄膜施加所述第五压力，得到所述第五压力对应的第六电阻；
根据所述第二关系曲线B1得到所述第一待测薄膜的最小电阻R1，及所述最小电阻R1对应的中间压力FR1；
根据所述第二关系曲线B2得到所述第二待测薄膜的最小电阻R2，及最小电阻R2对应的中间压力FR2；
根据所述第五压力、所述第五电阻、所述第六电阻、所述中间压力FR1和所述中间压力FR2，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
9.一种薄膜杨氏模量的检测装置，其特征在于，所述检测装置用于检测待测薄膜的杨氏模量，在厚度方向上，所述待测薄膜具有不同的电阻值，所述电阻值和深度之间具有第一关系曲线，所述检测装置包括：
获取模块，用于获取所述第一关系曲线；
测试模块，用于向所述待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上各所述下压力对应的电阻值；
运算模块，用于根据各所述下压力对应的电阻值，得到所述下压力对应的电阻值和所述下压力之间的第二关系曲线，并根据所述第一关系曲线和所述第二关系曲线，监测所述待测薄膜杨氏模量的大小。
10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，所述待测薄膜包括第一待测薄膜和第二待测薄膜，所述第一待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A1，所述第二待测薄膜的电阻值和深度之间具有第一关系曲线A2；
所述获取模块用于获取所述第一关系曲线A1和所述第一关系曲线A2，所述测试模块用于向所述第一待测薄膜和所述第二待测薄膜施加不同的下压力，并得到在所述厚度方向上各所述下压力对应的电阻值；所述运算模块用于根据各所述下压力对应的电阻值，得到所述第一待测薄膜对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B1，所述第二待测薄膜对应的电阻值和下压力之间的第二关系曲线B2；所述运算模块还用于根据所述第一关系曲线A1和所述第二关系曲线B1，得到所述第一待测薄膜的杨氏模量，根据所述第一关系曲线A2和所述第二关系曲线B2，得到所述第二待测薄膜的杨氏模量；所述检测装置还包括：
判定模块，用于根据所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量，判定所述第一待测薄膜的杨氏模量和所述第二待测薄膜的杨氏模量的大小。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116972738A (zh) * 2023-07-31 2023-10-31 无锡物联网创新中心有限公司 Mems悬空薄膜结构悬空高度的检测方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030140684A1 (en) * 2002-01-31 2003-07-31 Broz Jerry J. Combined electrical test and mechanical test system for thin film characterization
US20050103120A1 (en) * 2003-10-14 2005-05-19 Northwestern University Determination of young's modulus and poisson's ratio of coatings from indentation data
US20060189008A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Koichi Kishiro Method for monitoring implantation depth of impurity
JP2007064799A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Pentel Corp 膜面抵抗測定器
JP2008216021A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 National Institute For Materials Science 薄膜のヤング率相当の機械特性の測定方法とそれに用いる装置
JP2012052885A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 固体物質試料の極表面弾性率の測定方法及びそれを用いた樹脂表面の対膜接着性評価方法
CN202486215U (zh) * 2012-03-07 2012-10-10 苏州市职业大学 粉末电阻率测试台
WO2013148204A1 (en) * 2012-03-27 2013-10-03 Syed Amanulla Syed Asif Microscope objective mechanical testing instrument
CN108507892A (zh) * 2018-03-19 2018-09-07 复旦大学 一种有机薄膜杨氏模量标准化测算方法
CN111103460A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 株洲中车时代电气股份有限公司 一种提高四探针rs测试准确性的方法
CN112097626A (zh) * 2020-10-23 2020-12-18 泉州师范学院 一种基于电阻法的金属薄膜厚度测量方法
US20220131021A1 (en) * 2019-03-15 2022-04-28 Trinamix Gmbh Optical sensor, method for selecting an optical sensor and detector for optical detection
CN116053158A (zh) * 2023-01-16 2023-05-02 浙江大学杭州国际科创中心 半导体薄膜掺杂深度测量方法和系统

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030140684A1 (en) * 2002-01-31 2003-07-31 Broz Jerry J. Combined electrical test and mechanical test system for thin film characterization
US20050103120A1 (en) * 2003-10-14 2005-05-19 Northwestern University Determination of young's modulus and poisson's ratio of coatings from indentation data
US20060189008A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Koichi Kishiro Method for monitoring implantation depth of impurity
JP2007064799A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Pentel Corp 膜面抵抗測定器
JP2008216021A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 National Institute For Materials Science 薄膜のヤング率相当の機械特性の測定方法とそれに用いる装置
JP2012052885A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 固体物質試料の極表面弾性率の測定方法及びそれを用いた樹脂表面の対膜接着性評価方法
CN202486215U (zh) * 2012-03-07 2012-10-10 苏州市职业大学 粉末电阻率测试台
WO2013148204A1 (en) * 2012-03-27 2013-10-03 Syed Amanulla Syed Asif Microscope objective mechanical testing instrument
CN108507892A (zh) * 2018-03-19 2018-09-07 复旦大学 一种有机薄膜杨氏模量标准化测算方法
CN111103460A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 株洲中车时代电气股份有限公司 一种提高四探针rs测试准确性的方法
US20220131021A1 (en) * 2019-03-15 2022-04-28 Trinamix Gmbh Optical sensor, method for selecting an optical sensor and detector for optical detection
CN112097626A (zh) * 2020-10-23 2020-12-18 泉州师范学院 一种基于电阻法的金属薄膜厚度测量方法
CN116053158A (zh) * 2023-01-16 2023-05-02 浙江大学杭州国际科创中心 半导体薄膜掺杂深度测量方法和系统

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NESTOR IGUIÑIZ等: "Revisiting the Buckling Metrology Method to Determine the Young’s Modulus of 2D Materials", ADVANCED MATERIALS, pages 1 - 6 *
刘畅等: "基于原子力显微镜的薄膜涂层界面观测及其变形特性", 上海交通大学学报, vol. 45, no. 10, pages 1485 - 1488 *
戴显英等: "SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究", 微电子学, vol. 34, no. 03, pages 250 - 253 *
王君雄等: "掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究", 真空, no. 06, pages 47 - 50 *
韩桂林等: "多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析", 半导体技术, no. 01, pages 32 - 34 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116972738A (zh) * 2023-07-31 2023-10-31 无锡物联网创新中心有限公司 Mems悬空薄膜结构悬空高度的检测方法
CN116972738B (zh) * 2023-07-31 2024-04-16 无锡物联网创新中心有限公司 Mems悬空薄膜结构悬空高度的检测方法

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