CN116117677B - 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法 - Google Patents

一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116117677B
CN116117677B CN202310347178.2A CN202310347178A CN116117677B CN 116117677 B CN116117677 B CN 116117677B CN 202310347178 A CN202310347178 A CN 202310347178A CN 116117677 B CN116117677 B CN 116117677B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic
polishing
workpiece
processing area
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202310347178.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116117677A (zh
Inventor
田业冰
钱乘
马振
范增华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong University of Technology
Original Assignee
Shandong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong University of Technology filed Critical Shandong University of Technology
Priority to CN202310347178.2A priority Critical patent/CN116117677B/zh
Publication of CN116117677A publication Critical patent/CN116117677A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116117677B publication Critical patent/CN116117677B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/005—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes using a magnetic polishing agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B31/00—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
    • B24B31/10—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving other means for tumbling of work
    • B24B31/102—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving other means for tumbling of work using an alternating magnetic field
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B31/00—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
    • B24B31/10—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving other means for tumbling of work
    • B24B31/112—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor involving other means for tumbling of work using magnetically consolidated grinding powder, moved relatively to the workpiece under the influence of pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B31/00—Machines or devices designed for polishing or abrading surfaces on work by means of tumbling apparatus or other apparatus in which the work and/or the abrasive material is loose; Accessories therefor
    • B24B31/12—Accessories; Protective equipment or safety devices; Installations for exhaustion of dust or for sound absorption specially adapted for machines covered by group B24B31/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，属于磁场辅助复合抛光技术领域。为解决当前磁场辅助抛光过程中面临的材料去除率低、无法实现精准定域抛光的难题，采用具有磁引导效应的抛光介质，利用加工区域内不同磁极配置产生的磁场引导抛光介质中氧化物精准作用于工件加工区域，进行定域侵蚀，弱化工件加工区域的材料硬度；结合磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质对侵蚀区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在磁场的耦合下形成“增强柔性仿形粒子簇”，以“增强柔性仿形粒子簇”的方式去除定域侵蚀的工件表面材料。本发明可应用于复杂结构、微细结构、螺旋结构等具有复杂结构特征零部件的定域高效抛光。

Description

一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法
技术领域
本发明属于磁场辅助复合抛光技术领域，具体涉及一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法。
背景技术
面向航空航天、5G通讯、生物医疗等高端装备的性能需求，从而对直接决定高端装备性能的零部件的表面质量提出了严苛的要求。抛光作为改善零部件表面质量的最终工序，决定着高端装备产品的性能。现有抛光技术主要有化学抛光、电化学抛光、超声波抛光、激光抛光、离子束抛光、磁场辅助抛光等。其中化学抛光利用化学物质的浸蚀作用对工件表面凹凸不平区域进行选择性溶解，以消除表面缺陷，提高表面质量。因其具有抛光效率高、装置结构简单、不受工件结构限制、影响抛光效果因素少等优势被广泛应用。磁场辅助抛光技术主要有磁力研磨、磁流变抛光技术、磁射流抛光技术、磁性剪切增稠抛光技术等，利用磁场对高导磁率磁性介质的超距作用实现零部件表面的抛光，具有游离磨料的柔性和可控性等优势。其中磁性剪切增稠抛光采用具有“磁化增强”与“剪切增稠”双重效应的智能复合材料的新型抛光介质对零部件表面进行抛光，具有可控性强、磨粒把持力大、工件复杂型面自适应性好、抛光去除函数稳定、工件起始表面质量影响弱等优点，因此具有非常广阔的应用前景。为了进一步保证零部件表面的抛光质量，提高抛光效率，结合化学抛光与磁性剪切增稠抛光的优势，开展新型磁性剪切增稠化学抛光方法，具有重要的理论意义与实际应用价值。
发明内容
本发明围绕当前磁场辅助抛光过程中面临的材料去除率低、无法实现精准定域抛光的难题，提出一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法。通过加工区域内的磁场引导具有磁引导效应的抛光介质，实现加工区域的定域侵蚀；结合磁场以及运动场下，抛光介质在毫秒内形成的“增强柔性仿形粒子簇”，利用“增强柔性仿形粒子簇”去除定域侵蚀的工件表面材料，实现工件的定域高效抛光。
本发明的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，具有磁引导效应的抛光介质包括磨粒、磁性颗粒、氧化剂、分散介质、分散相、磁性包裹体和添加剂，所述磁性包裹体包括磁性颗粒和氧化剂；磨粒选用金刚石、立方氮化硼、碳化硅或氧化铝，磁性颗粒选用羰基铁粉、四氧化三铁或球墨铸铁；氧化剂提供腐蚀工件表面的作用，包括过氧化氢、过硫酸铵或硝酸钠；分散介质选用聚乙二醇、去离子水或矿物油；分散相选用二氧化硅、羟丙基二淀粉磷酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯；添加剂选用过氧化钠、氨基硅氧烷、乙酸或碳酸氢钠。
本发明的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法所提供的抛光方法：
（1）将工件浸入到具有磁引导效应的抛光介质中，使工件表面与抛光介质相接触；
（2）在加工区域内配置不同分布与极性的磁极，通过改变加工区域磁极的配置方式，进而改变生成磁场的作用形式；磁性颗粒在磁场的作用下形成磁偶极子并相互约束形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场引导磁性包裹体移动到加工区域；移动到加工区域的磁性包裹体受到“柔性仿形粒子簇”和工件接触面的挤压而破裂，氧化剂被定域释放到工件加工区域的接触面，工件加工区域的接触面迅速与氧化剂发生化学反应并生成氧化膜；
（3）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在“柔性仿形粒子簇”中产生“增强粒子簇”，形成“增强柔性仿形粒子簇”，当形成的剪切应力超过氧化膜的临界屈服应力时，工件加工区域接触面的氧化膜被“增强柔性仿形粒子簇”中磨粒去除，氧化膜去除后，工件加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体的引导、氧化剂的定域释放、氧化膜的生成与去除，反复进行以上过程，从而实现工件的定域高效抛光。
本发明的有益效果是：1、本发明所述的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，抛光介质中含有磁引导效应的磁性包裹体，能够利用不同分布与极性的磁极产生的磁场引导磁性包裹体中氧化剂定域侵蚀工件加工区域表面，有效避免对非加工区域表面的侵蚀。2、本发明所述的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，抛光介质具有磁性黏弹性流体的特性，可通过调控磁场和抛光工艺参数控制作用于工件表面的应力，减小甚至避免对工件表面或亚表面产生损伤。
附图说明
图1是抛光介质的组成成分初始分布状态微观示意图。
图2是磁引导磁性包裹体定域移动微观示意图。
图3是磁性包裹体中氧化剂定域释放微观示意图。
图4是氧化剂定域侵蚀微观示意图。
图5是“增强柔性仿形粒子簇”生成微观示意图。
图6是定域去除氧化膜微观示意图。
图中：1-磨粒，2-磁性颗粒，3-氧化剂，4-分散介质，5-分散相，6-磁性包裹体，7-添加剂，8-磁极，9-磁场，10-氧化膜，11-工件。
具体实施方式
实施例一
（1）磨粒1选用金刚石，磁性颗粒2选用羰基铁粉，氧化剂3选用过氧化氢；分散介质4选用聚乙二醇；分散相5选用二氧化硅；添加剂7选用过氧化钠和乙酸，利用羰基铁粉和过氧化氢制备磁性包裹体6，将磁性包裹体6与金刚石、羰基铁粉、聚乙二醇、二氧化硅、过氧化钠和乙酸混合制备成抛光介质；
（2）将工件11浸入到制备的抛光介质中；
（3）在加工区域内配置1行2列分布和极性N-S顺序排列的磁极8，磁极8生成固定的磁场9，羰基铁粉在磁场9的作用下形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场9引导磁性包裹体6移动到加工区域；
（4）磁性包裹体6受到“柔性仿形粒子簇”和工件11接触面的挤压而破裂，过氧化氢被定域释放到工件11加工区域的接触面，工件11加工区域的接触面迅速与过氧化氢发生化学反应并生成氧化膜10；
（5）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜10发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜10区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在“柔性仿形粒子簇”中产生“增强粒子簇”，形成“增强柔性仿形粒子簇”，当形成的剪切应力超过氧化膜10的临界屈服应力时，工件11加工区域接触面的氧化膜10被“增强柔性仿形粒子簇”中金刚石去除；
（6）氧化膜10区域的冲击载荷消失后，群聚现象逐渐消失，形成的“增强柔性仿形粒子簇”逐渐恢复为“柔性仿形粒子簇”；
（7）当氧化膜10去除后，工件11加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体6的引导、过氧化氢的定域释放、氧化膜10的生成和“增强柔性仿形粒子簇”去除氧化膜10，反复进行以上过程，从而实现工件11的定域高效抛光。
实施例二
（1）磨粒1选用立方氮化硼，磁性颗粒2选用四氧化三铁，氧化剂3选用过硫酸铵；分散介质4选用去离子水；分散相5选用羟丙基二淀粉磷酸酯；添加剂7选用过氧化钠和碳酸氢钠，利用四氧化三铁和过硫酸铵制备磁性包裹体6，将磁性包裹体6与立方氮化硼、四氧化三铁、去离子水、羟丙基二淀粉磷酸酯、过氧化钠和碳酸氢钠混合制备成抛光介质；
（2）将工件11浸入到制备的抛光介质中；
（3）在加工区域内配置1行2列分布和极性S-N顺序排列的磁极8，磁极8生成固定的磁场9，四氧化三铁在磁场9的作用下形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场9引导磁性包裹体6移动到加工区域；
（4）磁性包裹体6受到“柔性仿形粒子簇”和工件11接触面的挤压而破裂，过硫酸铵被定域释放到工件11加工区域的接触面，工件11加工区域的接触面迅速与过硫酸铵发生化学反应并生成氧化膜10；
（5）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜10发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜10区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在“柔性仿形粒子簇”中产生“增强粒子簇”，形成“增强柔性仿形粒子簇”，当形成的剪切应力超过氧化膜10的临界屈服应力时，工件11加工区域接触面的氧化膜10被“增强柔性仿形粒子簇”中立方氮化硼去除；
（6）氧化膜10区域的冲击载荷消失后，群聚现象逐渐消失，形成的“增强柔性仿形粒子簇”逐渐恢复为“柔性仿形粒子簇”；
（7）当氧化膜10去除后，工件11加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体6的引导、过硫酸铵的定域释放、氧化膜10的生成和“增强柔性仿形粒子簇”去除氧化膜10，反复进行以上过程，从而实现工件11的定域高效抛光。
实施例三
（1）磨粒1选用碳化硅，磁性颗粒2选用球墨铸铁，氧化剂3选用硝酸钠；分散介质4选用矿物油；分散相5选用聚甲基丙烯酸甲酯；添加剂7选用过氨基硅氧烷和碳酸氢钠，利用球墨铸铁和硝酸钠制备磁性包裹体6，将磁性包裹体6与碳化硅、球墨铸铁、矿物油、聚甲基丙烯酸甲酯、过氨基硅氧烷和碳酸氢钠混合制备成抛光介质；
（2）将工件11浸入到制备的抛光介质中；
（3）在加工区域内配置2行2列分布和极性N-N-S-S顺序排列的磁极8，磁极8生成固定的磁场9，球墨铸铁在磁场9的作用下形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场9引导磁性包裹体6移动到加工区域；
（4）磁性包裹体6受到“柔性仿形粒子簇”和工件11接触面的挤压而破裂，硝酸钠被定域释放到工件11加工区域的接触面，工件11加工区域的接触面迅速与硝酸钠发生化学反应并生成氧化膜10；
（5）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜10发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜10区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在“柔性仿形粒子簇”中产生“增强粒子簇”，形成“增强柔性仿形粒子簇”，当形成的剪切应力超过氧化膜10的临界屈服应力时，工件11加工区域接触面的氧化膜10被“增强柔性仿形粒子簇”中碳化硅去除；
（6）氧化膜10区域的冲击载荷消失后，群聚现象逐渐消失，形成的“增强柔性仿形粒子簇”逐渐恢复为“柔性仿形粒子簇”；
（7）当氧化膜10去除后，工件11加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体6的引导、硝酸钠的定域释放、氧化膜10的生成和“增强柔性仿形粒子簇”去除氧化膜10，反复进行以上过程，从而实现工件11的定域高效抛光。
实施例四
（1）磨粒1选用氧化铝，磁性颗粒2选用羰基铁粉，氧化剂3选用过氧化氢；分散介质4选用聚乙二醇；分散相5选用二氧化硅；添加剂7选用过氧化钠和乙酸，利用羰基铁粉和过氧化氢制备磁性包裹体6，将磁性包裹体6与氧化铝、羰基铁粉、聚乙二醇、二氧化硅、过氧化钠和乙酸混合制备成抛光介质；
（2）将工件11浸入到制备的抛光介质中；
（3）在加工区域内配置2行2列分布和极性N-S-N-S顺序排列的磁极8，磁极8生成固定的磁场9，羰基铁粉在磁场9的作用下形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场9引导磁性包裹体6移动到加工区域；
（4）磁性包裹体6受到“柔性仿形粒子簇”和工件11接触面的挤压而破裂，过氧化氢被定域释放到工件11加工区域的接触面，工件11加工区域的接触面迅速与过氧化氢发生化学反应并生成氧化膜10；
（5）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜10发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜10区域产生冲击载荷，抛光介质发生剪切增稠的群聚现象，在“柔性仿形粒子簇”中产生“增强粒子簇”，形成“增强柔性仿形粒子簇”，当形成的剪切应力超过氧化膜10的临界屈服应力时，工件11加工区域接触面的氧化膜10被“增强柔性仿形粒子簇”中氧化铝去除；
（6）氧化膜10区域的冲击载荷消失后，群聚现象逐渐消失，形成的“增强柔性仿形粒子簇”逐渐恢复为“柔性仿形粒子簇”；
（7）当氧化膜10去除后，工件11加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体6的引导、过氧化氢的定域释放、氧化膜10的生成和“增强柔性仿形粒子簇”去除氧化膜10，反复进行以上过程，从而实现工件11的定域高效抛光。
本发明的上述具体实施方式仅用于示例性说明或解释本发明的原理，不构成对本发明保护范围的限制。因此，在不偏离本发明所述原理以及保护范围的前提下，对本发明进行修改、修饰、等同替换、等效结构以及等效流程变更等，均应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，其特征在于：所述方法通过以下步骤实现：
（1）制备具有磁引导效应的抛光介质，所述抛光介质由磨粒（1）、磁性颗粒（2）、氧化剂（3）、分散介质（4）、分散相（5）、磁性包裹体（6）和添加剂（7）混合而成，所述磁性包裹体（6）包括磁性颗粒（2）和氧化剂（3），磨粒（1）选用金刚石、立方氮化硼、碳化硅或氧化铝，磁性颗粒（2）选用羰基铁粉、四氧化三铁或球墨铸铁；氧化剂（3）选用过氧化氢、过硫酸铵或硝酸钠；分散介质（4）选用聚乙二醇、去离子水或矿物油；分散相（5）选用二氧化硅、羟丙基二淀粉磷酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯；添加剂（7）包括过氧化钠、氨基硅氧烷、乙酸或碳酸氢钠；
（2）将工件（11）浸入到具有磁引导效应的抛光介质中，使工件（11）表面与抛光介质相接触；
（3）在加工区域内配置不同分布与极性的磁极（8），通过改变加工区域磁极（8）的配置方式，进而改变生成磁场（9）的作用形式；磁性颗粒（2）在磁场（9）的作用下形成磁偶极子并相互约束形成“柔性仿形粒子簇”，同时磁场（9）引导磁性包裹体（6）移动到加工区域；移动到加工区域的磁性包裹体（6）受到“柔性仿形粒子簇”和工件（11）接触面的挤压而破裂，氧化剂（3）被定域释放到工件（11）加工区域的接触面，工件（11）加工区域的接触面迅速与氧化剂（3）发生化学反应并生成氧化膜（10）；
（4）磁性剪切增稠化学抛光系统驱动抛光介质与氧化膜（10）发生接触、碰撞、挤压作用时，对生成的氧化膜（10）区域产生冲击载荷，当形成的剪切应力超过氧化膜（10）的临界屈服应力时，工件（11）加工区域接触面的氧化膜（10）被“增强柔性仿形粒子簇”中磨粒（1）去除；氧化膜（10）去除后，工件（11）加工区域的原始表面重新暴露于抛光介质中，继续进行磁性包裹体（6）的引导、氧化剂（3）的定域释放、氧化膜（10）的生成与去除，反复进行以上过程，从而实现工件（11）的定域高效抛光。
2.根据权利要求1所述的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，其特征在于：抛光介质中磁性包裹体（6）具有磁引导效应。
3.根据权利要求1所述的一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法，其特征在于：磁性包裹体（6）受到挤压而破裂的压力可以进行设定。
CN202310347178.2A 2023-04-04 2023-04-04 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法 Active CN116117677B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310347178.2A CN116117677B (zh) 2023-04-04 2023-04-04 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310347178.2A CN116117677B (zh) 2023-04-04 2023-04-04 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116117677A CN116117677A (zh) 2023-05-16
CN116117677B true CN116117677B (zh) 2023-07-18

Family

ID=86310262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310347178.2A Active CN116117677B (zh) 2023-04-04 2023-04-04 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116117677B (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102717325B (zh) * 2012-06-08 2014-06-11 浙江工业大学 一种基于非牛顿流体剪切增稠效应的超精密曲面抛光方法
CN106584218B (zh) * 2017-01-03 2019-01-01 山东理工大学 一种微细结构化表面光整加工方法、介质及装置
CN108555698B (zh) * 2018-01-31 2020-02-21 湖南科技大学 一种高效超精密剪切增稠-化学协同抛光方法
CN110788743B (zh) * 2019-09-23 2021-11-09 湖南科技大学 一种磁场可控的缓释磁性物质稠化液流抛光垫及抛光方法
CN111716158B (zh) * 2020-06-03 2021-07-16 大连理工大学 一种内表面的抛光方法及装置
CN112008594B (zh) * 2020-08-31 2021-08-03 浙江工业大学 一种基于剪切膨胀效应的化学增强高效超精密抛光方法
CN113427389B (zh) * 2021-06-15 2022-10-28 浙江工业大学 一种圆柱滚子力流变抛光方法
CN113999616A (zh) * 2021-11-12 2022-02-01 山东理工大学 一种磁性剪切增稠抛光介质及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116117677A (zh) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111702566A (zh) 一种软脆光学材料的抛光方法
CN112123023A (zh) 基于非牛顿流体剪切流变效应的阶进式磨-抛加工方法
CN111607330A (zh) 一种剪切增稠抛光液
CN111515874A (zh) 一种基于剪切膨胀效应的高效超精密抛光方法
CN116494026B (zh) 一种面向硬脆元件的电化学催化原子级柔性抛光方法
CN108907906A (zh) 一种非牛顿幂律流体作为抛光介质的液浮抛光方法
CN116117677B (zh) 一种磁引导定阈释放磁性剪切增稠化学抛光方法
CN110328607B (zh) 一种利用电场效应增强加工区域酸碱度的锗平面镜化学抛光方法
EP4074868A1 (en) Solid electrolyte for dry electropolishing of metals with activity moderator
CN111748285A (zh) 一种含高铁酸盐的碳化硅抛光液及其制备方法和应用
Deng et al. Preparation and processing properties of magnetically controlled abrasive solidification orientation—solid-phase Fenton reaction lapping-polishing plate for single-crystal 4H-SiC
CN108346567A (zh) 一种芬顿与超声辅助变刚度气压砂轮抛光sic曲面方法
Feng et al. Advanced nonlinear rheology magnetorheological finishing: A review
CN109913133B (zh) 一种钇铝石榴石晶体的高效高质量化学机械抛光液
CN103433853B (zh) 一种粗糙度可控的光固化成形树脂原型件的抛光方法
CN110355613A (zh) 碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法
CN108178987B (zh) 一种抛光液及其制备方法
CN106625037B (zh) 一种高切向磨削力与低法向磨削力的磨削方法
CN116288638A (zh) 一种磁性剪切增稠电解抛光方法
CN117603625A (zh) 一种固结增强磁性剪切增稠抛光介质及其抛光方法
CN115895452A (zh) 复合型抛光液及其制备方法
CN108841328A (zh) 一种3d玻璃扫光液
Koroleva Final polishing of metals to obtain nanoroughened surface
CN109294450B (zh) 一种用于混合抛光液的机械分散方法
CN207155394U (zh) 一种基于磁流变效应的工件局部高精度抛光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant