CN116110360A - 一种超材料全频带吸声结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及降噪领域，具体提供了一种超材料全频带吸声结构，包括多个呈周期性排列的吸声单元，吸声单元包括并联设置的低频吸声体和中高频吸声体，低频声波和中高频声波分别直接入射至低频吸声体和中高频吸声体内；低频吸声体包括位于低频声波入射处的低频声波入射口和位于低频吸声腔体内且并联设置的亥姆霍兹共振器阵列；中高频吸声体整体嵌入低频吸声体的表层且低频吸声体的低频吸声腔体位于中高频吸声体中高频吸声腔体的侧部和下部，中高频吸声体包括位于中高频声波入射处的高频声波入射口和填充至中高频吸声腔体内的多孔吸声材料。本发明通过中高频吸声体和低频吸声体组合的方式，可在全频带实现高效吸声，最大程度的降噪。

Description

一种超材料全频带吸声结构

技术领域

本发明涉及降噪技术领域，尤其涉及一种超材料全频带吸声结构。

背景技术

吸声结构可作为吸声体、消声器和各类吸隔声结构使用，被广泛应用于消声室、建筑、车辆、舱室等声学场景及风机、压缩机、风洞等设备进出口管道的气动噪声控制场景中。目前随着社会的发展和进步，人们对声环境质量、装备噪声源控制和实验室本底噪声控制的要求不断提高，因此对吸声结构提出了更高的性能要求，吸声结构正朝着高性能、全频带、轻量化的方向发展。

传统的吸声结构可分为多孔材料吸声结构和共振吸声结构两大类，对于500Hz以上的中高频噪声，其波长短、传播能力弱，使用多孔材料吸声结构可以实现较好的吸声性能；但对于500Hz以下的低频段噪声，其波长大、传播能力强，使用多孔材料吸声结构的吸声性能较差。目前，低频段噪声的吸声通常是采用共振吸声结构，如微穿孔板共振吸声结构、薄板共振吸声结构、亥姆霍兹共振器等。现有技术中，有如下专利涉及吸声结构：

1、专利号为“202011631352.9”，专利名称为“一种全频带超构吸声体”的发明专利，包括框体以及固定设于框体内的吸声体，吸声体沿声源传播方向依次布置有前面板、高频吸声体、中频共振腔、阻抗匹配层与低频吸声体。其中，高频吸声体由若干微穿孔板串联排列组成，中频共振腔为规则四棱柱，低频吸声体为共鸣腔阵列的平板吸声结构；该吸声体的环境抗性好，使用寿命长，结构紧凑，厚度薄，全频带吸声性能良好，可用于静音室、半消声室和全消声室，但仍存在如下不足：

1）高频吸声体、中频共振腔与低频吸声体为串联布置的三层结构，且高频吸声体由若干微穿孔板串联排列组成，会占用较大的厚度空间；2）高频吸声体基于多层微穿孔板共振吸声原理，虽然可以拓宽吸声带宽，但带宽仍然有限，难以完全覆盖高频区域，且存在显著的吸声低谷；3）中频噪声在经过高频吸声体时存在层层反射，低频噪声经过高频吸声体和中频共振腔时也存在层层反射，因此上一层结构会对下一层结构的吸声性能产生较大的负面影响，因此中低频的吸声性能有限。

2、专利号为“202110183801.6”，专利名称为“一种多单元超构表面阵列和宽频声衬单元结构”的发明专利，包括穿孔板、中间空气层以及多单元超构表面阵列，其中多单元超构表面阵列由多个具有内延孔和空腔组成的内延孔式亥姆霍兹共鸣器组成。该专利可实现有效的宽带阻抗调制，提高基于多共振单元非局域耦合的宽频声衬单元结构的使用范围，但仍然存在如下不足：1）由穿孔板吸声层和多单元超构表面阵列串联而成的两层结构，会占用较大的厚度空间；2）只能在2~3个倍频程范围内实现宽频吸声，难以同时在低、中、高频范围内实现全频带吸声。

3、专利号为“201811528044.6”，专利名称为“内置穿孔板式亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声结构”的发明专利，包括刚性的框架，框架内设有至少两个空腔共振器，共振器中至少有一个为内置穿孔板式亥姆霍兹共振器，亥姆霍兹共振器内部设置有将其内腔分割为至少两个腔室的隔板，隔板上开设有通孔。厚度较大的空腔共振器进行空间折叠，其下端延伸至厚度较小的空腔共振器下方。该发明中每个单元的吸声峰值具有不同的频段，通过多个单元并列耦合的方式可以在低频范围内形成连续的更宽的吸声频带，能够有效的进行降噪，但仍存在如下不足：

1）只能在2~3个倍频程范围内实现宽频吸声，难以同时在低、中、高频范围内实现全频带吸声；2）亥姆霍兹共振器是一种基本的声学单元，其由封闭的共振腔和连接的颈管组成，当声波入射时，颈管内的空气可以看成一个质量整体做振动，封闭腔内的空气因颈管内空气的振动而作胀缩变化，因此亥姆霍兹共振器可以视为具有阻尼项的弹簧-质量系统，当声波的入射频率达到系统的固有频率时，共振器发生共振，表现为具有良好的吸声效果，但亥姆霍兹共振器仍存在一些缺点，如吸声频带较为狭窄、频率选择性太强、所需腔深较大、体积较大等，这将使得其在实际应用中受到限制，基于上述亥姆霍兹共振器的吸声原理，本专利中的吸声结构对高频噪声的吸声能力不足。

4、专利号为“201811418984.X”，专利名称为“一种曲折空腔微穿孔板宽带吸声结构”的包括底板、侧壁、隔板、盖板、微穿孔，侧壁与底板和盖板紧密连接，围成整体吸声背腔；隔板置于吸声背腔内部，将整体背腔隔离成多个曲折串联的子空腔，这些串联的子空腔一起构成曲折空腔；盖板上设置有一种或多种不同尺寸的微穿孔。本发明可在不增加微穿孔板背腔厚度的条件下，既提高复合吸声结构的低频吸声系数，又有效拓宽了吸声频带，且构造简单，制备成本低，应用价值高，应用范围广，但仍存在如下不足：1）所设计曲折空腔的延伸方向仅为竖向，且局限于单个吸声体内部，没有涉及不同吸声体之间的嵌套组合；2）吸声体比较单一，只能在1~2个倍频程范围内实现宽频吸声，难以同时在低、中、高频范围内实现全频带吸声，尤其对高频噪声的吸声能力不足。

综上所述，现有的吸声结构存在低频段吸声效率低下及阻抗失配等问题，只能通过大幅提高材料厚度或重量来控制低频噪声，因此，如何在有限的厚度空间内，设计一种可在全频带（包含低频）内实现高效吸声的吸声结构，是当下亟需解决的问题。

发明内容

本发明为解决上述问题，提供了一种超材料全频带吸声结构，设有并联的低频吸声体和中高频吸声体，低频声波和中高频声波分别直接入射至低频吸声体和中高频吸声体内，可使得低频吸声体和中高频吸声体各自达到预期的吸声目标并在全频带实现高效吸声。

为达到上述目的，本发明提出如下技术方案：一种超材料全频带吸声结构，包括多个呈周期性排列的吸声单元，吸声单元包括并联设置的低频吸声体和中高频吸声体，低频声波和中高频声波分别直接入射至低频吸声体和中高频吸声体内；低频吸声体包括位于低频声波入射处的低频声波入射口和位于低频吸声腔体内且并联设置的亥姆霍兹共振器阵列；中高频吸声体包括位于中高频声波入射处的高频声波入射口和填充至中高频吸声腔体内的多孔吸声材料。

优选的，低频吸声体和中高频吸声体分别包括上板一和上板二，低频声波入射口和高频声波入射口分别设于上板一和上板二上，上板一和上板二中声波的入射面在同一平面上；中高频吸声体整体嵌入低频吸声体的表层且低频吸声体的低频吸声腔体位于中高频吸声体中高频吸声腔体的侧部和下部。

优选的，上板二上的吸声表面面积占上板一与上板二的吸声表面面积之和的60%-80%，多孔吸声材料的厚度为10-100mm。

优选的，低频吸声腔体由上板一、底板和外侧板围合而成；低频吸声腔体内包括将低频吸声腔体分隔成单独的子腔体的内侧板，并联设置的亥姆霍兹共振器阵列由多个子腔体共同形成；子腔体内包括或不包括将子腔体分隔成串联连通的曲折式腔体的分隔板。

优选的，低频声波入射口为设于上板一上的多个通孔，在通孔内设置不同内径和长度的内插管，通过内插管调控所需的不同共振吸声频率及吸声峰值。

优选的，内插管包括一个或两个或沿横向或纵向均布的多个；内插管的内径和长度沿横向或纵向相同或不同；内插管通过焊接或粘结或过盈配合或采用外接管替代的方式连接于通孔内；多个内插管的形状为圆形、方形、矩形或多边形中的至少一种。

优选的，上板一为穿孔板结构且穿孔板上的穿孔一为低频声波入射口，上板一的穿孔率为1%~20%、孔径为0.8~5 mm、板厚为0.8~3 mm。

优选的，子腔体包括子腔体一，子腔体一内不包括分隔板，子腔体一呈“1字型”、“正L型”、“反L型”或“正L和反L组合型”。

优选的，将分隔板设于部分子腔体一内并形成子腔体二，分隔板设于底板、外侧板或内侧板上，分隔板横向或纵向设置且通过将分隔板在横向或纵向上延伸以增加子腔体二的整体腔深。

优选的，在子腔体内设置至少一个阻隔板，通过阻隔板将子腔体分隔成两个以上独立的封闭腔，每个封闭腔对应的上板一上均设有低频声波入射口。

本发明有益效果是：

1、本发明中包括低频吸声体，通过设置不同内径、长度的内插管阵列或设置不同孔径、穿孔率的穿孔板阵列，并通过分隔板和阻隔板将低频吸声腔体分隔成子腔体一或折叠式空腔阵列排布的子腔体二，可在紧凑的空间内实现多种不同深度的吸声空腔，在通道截面积固定的情况下，不同的空腔深度也同时表征着不同的空腔体积，从而可以调控出所需声抗，且可大幅度降低共振频率，可并以最佳方式耦合实现最优声阻抗和低频宽带高效吸声；本发明中可根据需求设置不同内径、长度的内插管，当空腔深度越大（或体积越大）、内插管越长时，共振频率越低，反之当空腔深度越小（或体积越小）、内插管越短时，共振频率越高。

2、本发明中包括中高频吸声体，中高频吸声体整体嵌入低频吸声体的表层，将高性能多孔吸声材料填充至中高频吸声体的高频吸声腔体内，在不影响低频吸声体吸声效果的基础上，覆盖尽量多的高频吸声表面面积，设置好适宜的高频吸声面板即上板二的厚度及上板二上的高频声波入射口的尺寸，可根据需要调控所需声抗且有效降低共振频率，并精准调控出所需的不同共振吸声频率及其吸声峰值，以最佳方式耦合实现低频宽带的高效吸声。

3、本发明通过并联设置的低频吸声体和中高频吸声体，可避免低频声波在进入低频吸声体前的传播路径受阻，中高频吸声体对低频吸声体的吸声效果没有负面影响，使低频吸声体、中高频吸声体各自可达到预期的吸声设计目标。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的吸声结构的立体结构示意图。

图2是本发明实施例一提供的吸声结构的俯视结构示意图。

图3是本发明实施例一提供的吸声结构的部分结构示意图。

图4是本发明实施例二提供的吸声结构的立体结构示意图。

图5是本发明实施例三提供的吸声结构的立体结构示意图。

图6是本发明实施例三提供的吸声结构的剖视结构示意图。

图7是本发明实施例三提供的子腔体的结构示意图。

图8是本发明实施例三提供的吸声结构的吸声系数曲线示意图。

图9是本发明实施例四提供的吸声结构的立体结构示意图。

图10是本发明实施例五提供的吸声结构的俯视结构示意图。

附图标记：低频吸声体1、中高频吸声体2、低频声波入射口3、高频声波入射口4、上板一5、上板二6、底板7、外侧板8、内侧板9、分隔板10、内插管11、子腔体一12、子腔体二13、阻隔板14、封闭腔15、多孔吸声材料16。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-10及具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。

实施例一

一种超材料全频带吸声结构，如图1、2所示，包括多个呈周期性排列的吸声单元，吸声单元包括并联设置的低频吸声体1和中高频吸声体2，低频声波和中高频声波分别直接入射至低频吸声体1和中高频吸声体2内；低频吸声体1和中高频吸声体2分别包括上板一5和上板二6，低频声波入射口3和高频声波入射口4分别设于上板一5和上板二6上，上板一5和上板二6中声波的入射面在同一平面上；上板一5和上板二6可为一体式面板结构，也可为分体式组合面板结构，上板一5和上板二6可根据需要设置成直面或弧面，本实施例中的上板一5和上板二6为直面结构；中高频吸声体2整体嵌入低频吸声体1的表层且低频吸声体1的低频吸声腔体位于中高频吸声体2中高频吸声腔体的侧部和下部，以此在不额外增加整体结构厚度的情况下，即可通过低频吸声体1和中高频吸声体2实现全频带吸声。

中高频吸声体2包括位于中高频声波入射处的高频声波入射口4和填充至中高频吸声腔体内的多孔吸声材料16；上板二6为穿孔板，高频声波入射口4即为该穿孔板的穿孔二，该穿孔板的板厚为0.5~3 mm，孔径为0.8~5 mm，穿孔率不低于30%，该穿孔二的形状为圆形、方形或多边形，多个穿孔二整体呈正方形、长方形或等边三角形的形式进行排布；本实施例中的穿孔二为圆形且整体呈长方形形状排布。

多孔吸声材料16为离心玻璃棉、聚氨酯吸音棉、三聚氰胺吸音棉、毛毡、泡沫铝中的一种或几种；为了防止中高频吸声体2内部的多孔吸声材料16溢出，且使得多孔吸声材料16可承受外界施加的压力载荷，在多孔吸声材料16的上表面覆盖一层穿孔护面板，穿孔护面板即为上板二16，既可选择采用本实施例中的穿孔板结构，也可根据实际需求选择采用铝纤维板或金属网结构；在不影响低频吸声体吸声效果的基础上，上板二6上的吸声表面面积占上板一5与上板二6的吸声表面面积之和的60%-80%，多孔吸声材料16的厚度为10-100mm。

如图1所示，低频吸声体1包括位于低频声波入射处的低频声波入射口3和位于低频吸声腔体内且并联设置的亥姆霍兹共振器阵列；低频吸声腔体由上板一5、底板7和外侧板8围合而成；低频吸声腔体内包括将低频吸声腔体分隔成单独的子腔体的内侧板9，并联设置的亥姆霍兹共振器阵列由多个子腔体共同形成，该亥姆霍兹共振器阵列具有亚波长厚度和声波操纵能力，通过声阻抗的最佳匹配，可在较小结构厚度下实现低频噪声的完美吸收；如图1所示，子腔体包括子腔体一12，子腔体一12呈图1中e处所示的“1字型”、f处所示的“正L型”、g处所示的“反L型”或h处所示的“正L和反L组合型”，其中“正L型”、“反L型”或“正L和反L组合型”结构为折叠式空腔结构；通过多个不同形状的子腔体一12适应不同频率特性的共振吸声特性，通过紧凑的折叠式空腔设计，可形成不同深度和体积的低频吸声子腔体一12；子腔体一12经过横向及竖向的折叠后，其腔体深度相比于结构厚度可以增大2~5倍，且子腔体一12在经过图1中的横向及竖向延伸后，本领域技术人员还可根据实际情况再将子腔体一12继续往纵向延伸至隔壁空腔以使得子腔体一12呈现出前后多层或左右多层的立体空间分布，延伸后的总低频吸声腔体深度相比于结构厚度可以增大10倍或10倍以上。

低频声波入射口3为设于上板一5上的多个通孔，如图3所示，在通孔内设置不同内径和长度的内插管11，通过内插管11调控所需的不同共振吸声频率及吸声峰值；内插管11包括一个或两个或沿横向或纵向均布的多个，内插管11的内径和长度沿横向或纵向相同或不同；内插管11通过焊接或粘结或过盈配合或采用外接管替代的方式连接于通孔内；多个内插管11的形状为圆形、方形、矩形或多边形中的至少一种；当子空腔一12的空腔深度越大或体积越大、内插管11越长时，共振频率越低，当空腔深度越小或体积越小、内插管11越短时，共振频率越高；如图3所示，本实施例中内插管11为均布的4个且为圆形，本领域技术人员也可根据需要设置其他数量、排布和形状的内插管11。

如图1所示，在子腔体内设置至少一个阻隔板14，通过阻隔板14将子腔体分隔成两个以上独立的封闭腔15，每个封闭腔15对应的上板一5上均设有低频声波入射口3；本实施例中在子腔体一12内设置了2个阻隔板14，通过阻隔板14将子腔体一12分隔成了三个独立的封闭腔15，每个封闭腔15对应的上板一5上各设有1个低频声波入射口3，通过封闭腔15调整低频声波的声质量和声阻，提高低频吸声效果。

同时，在低频吸声体1的子空腔一12内，可将吸声材料填充至部分腔体空间内，优选填充至子空腔一12通道的底部空间处，以进一步提高声阻，改善共振吸声低谷。

其中，低频吸声体1的材质为铝、钢、塑料或复合材料，不同的材质对低频吸声体1的吸声性能影响较小，但将严重影响低频吸声体1的结构强度、耐候性和使用寿命；同时低频吸声体1的骨架主体结构的成型方式为：铝材或塑料挤出成型、铝板或钢板胶粘、点焊或钎焊成型、塑料注塑成型或复合材料模压成型。

值得注意的是，由于低频声波和中高频声波通常是叠加在一起入射的，在实际使用时，低频吸声体1和中高频吸声体2内均可入射低频声波和中高频声波，只是只有入射至相应吸声体工作频率段范围内的声波频率成分才会被最大程度的吸收；本实施例中的全频带吸声结构通过中高频吸声体2对中高频声波进行最大程度的吸收，低频吸声体1对低频声波进行最大程度的吸收，从而实现对各类声波最大程度的整体吸声效果。

1、对于中高频吸声体2，中高频声波及低频声波均可以入射至内，只是低频声波难以在中高频吸声体2内被很好的吸收并会被中高频吸声体2的腔壁反射回去，但入射至中高频吸声体2内的高频声波此时可以被最大程度的吸收并且实现良好的中高频吸声效果。

2、对于低频吸声体1，部分的中高频声波也可以入射至低频吸声体1内，但是由于没在共振频率区间内而不能被很好地吸收，但入射至低频吸声体1内的低频声波此时可以被最大程度的吸收，从而实现良好的低频吸声效果。

实施例二

如图4所示，本实施例与实施例一的区别在于，上板一5为穿孔板结构且穿孔板上的穿孔一为低频声波入射口3，每个封闭腔15对应的上板一5上设有多个低频声波入射口3；上板一5的穿孔率为1%~20%、孔径为0.8~5 mm、板厚为0.8~3 mm。

实施例三

如图5-8所示，本实施例与实施例一的区别在于，子腔体内包括将子腔体分隔成串联连通的曲折式腔体的分隔板10，分隔板10位于部分子腔体一12内并形成子腔体二13，分隔板10设于底板7、外侧板8或内侧板9上，分隔板10可为一个、两个或多个，分隔板10可横向设置或纵向设置，或在分隔板10上叠加设置其他分隔板10；通过将分隔板10在横向或纵向上延伸可增加子腔体二13的整体腔深。

本实施例在部分子腔体一12内增设分隔板10后，子腔体共包括图7中a处所示的“1字形”子腔体一12、b处所示的“正L型”子腔体一12、c处所示的子腔体二13和d处所示的子腔体二14。

如图8所示，本实施例中的超材料吸声结构可在低、中、高频实现全频带的高效吸声，当吸声结构总厚度为300 mm时，即可实现50~20000 Hz的吸声系数均在0.8以上，且大部分频段的吸声系数在0.9以上；吸声结构总厚度为100 mm时，即可实现200~20000 Hz的吸声系数均在0.8以上，且大部分频段的吸声系数在0.9以上。

实施例四

如图9所示，本实施例与实施例三的区别在于，上板一5为穿孔板结构且穿孔板上的穿孔一为低频声波入射口3，每个封闭腔15对应的上板一5上设有多个低频声波入射口3；上板一5的穿孔率为1%~20%、孔径为0.8~5 mm、板厚为0.8~3 mm。

实施例五

本实施例与实施例三的区别在于，同一个吸声单元中，低频吸声体1和中高频吸声体2的规格和个数可以根据实际需要进行设计，其排布方式也可根据实际需求做出调整；且可根据实际需求设置多个吸声单元；通过多个吸声单元模块的组合铺设，实现大面积吸声；如图10所示，本实施例中设有A、B、C所示的三排吸声单元，每排包括三个吸声单元，一共包括九个吸声单元，本领域技术人员也可根据实际需求对吸声单元的数量和排布方式进行调整。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制。本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种超材料全频带吸声结构，其特征在于，包括多个呈周期性排列的吸声单元，所述吸声单元包括并联设置的低频吸声体（1）和中高频吸声体（2），低频声波和中高频声波分别直接入射至低频吸声体（1）和中高频吸声体（2）内；所述低频吸声体（1）包括位于低频声波入射处的低频声波入射口（3）和位于低频吸声腔体内且并联设置的亥姆霍兹共振器阵列；所述中高频吸声体（2）包括位于中高频声波入射处的高频声波入射口（4）和填充至中高频吸声腔体内的多孔吸声材料（16）。

2.根据权利要求1所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述低频吸声体（1）和中高频吸声体（2）分别包括上板一（5）和上板二（6），低频声波入射口（3）和高频声波入射口（4）分别设于上板一（5）和上板二（6）上，上板一（5）和上板二（6）中声波的入射面在同一平面上；所述中高频吸声体（2）整体嵌入低频吸声体（1）的表层且低频吸声体（1）的低频吸声腔体位于中高频吸声体（2）中高频吸声腔体的侧部和下部。

3.根据权利要求2所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述上板二（6）上的吸声表面面积占上板一（5）与上板二（6）的吸声表面面积之和的60%-80%，所述多孔吸声材料（16）的厚度为10-100mm。

4.根据权利要求3所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述低频吸声腔体由上板一（5）、底板（7）和外侧板（8）围合而成；低频吸声腔体内包括将低频吸声腔体分隔成单独的子腔体的内侧板（9），并联设置的亥姆霍兹共振器阵列由多个子腔体共同形成；子腔体内包括或不包括将子腔体分隔成串联连通的曲折式腔体的分隔板（10）。

5.根据权利要求4所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述低频声波入射口（3）为设于上板一（5）上的多个通孔，在所述通孔内设置不同内径和长度的内插管（11），通过内插管（11）调控所需的不同共振吸声频率及吸声峰值。

6.根据权利要求5所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述内插管（11）包括一个或两个或沿横向或纵向均布的多个；内插管（11）的内径和长度沿横向或纵向相同或不同；内插管（11）通过焊接或粘结或过盈配合或采用外接管替代的方式连接于通孔内；多个内插管（11）的形状为圆形、方形、矩形或多边形中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述上板一（5）为穿孔板结构且穿孔板上的穿孔一为低频声波入射口（3），上板一（5）的穿孔率为1%~20%、孔径为0.8~5 mm、板厚为0.8~3 mm。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，所述子腔体包括子腔体一（12），所述子腔体一（12）内不包括分隔板（10），子腔体一（12）呈“1字型”、“正L型”、“反L型”或“正L和反L组合型”。

9.根据权利要求8所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，将所述分隔板（10）设于部分子腔体一（12）内并形成子腔体二（13），所述分隔板（10）设于底板（7）、外侧板（8）或内侧板（9）上，分隔板（10）横向或纵向设置且通过将分隔板（10）在横向或纵向上延伸以增加子腔体二（13）的整体腔深。

10.根据权利要求9所述的超材料全频带吸声结构，其特征在于，在所述子腔体内设置至少一个阻隔板（14），通过阻隔板（14）将子腔体分隔成两个以上独立的封闭腔（15），每个封闭腔（15）对应的上板一（5）上均设有低频声波入射口（3）。

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