CN116100458A - 研磨装置及研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够在工件的研磨过程中正确地测定在半导体器件的制造中使用的工件的膜厚的研磨装置及研磨方法。处理系统构成为基于通过以下的计算公式计算出的相对反射率数据来确定工件的膜厚。相对反射率数据＝MD1/[BD1·k]。其中，MD1是表示由第一分光器(27)测定出的来自工件(W)的反射光的强度的第一强度测定数据，BD1是第一基准强度数据，k是第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化率，该第二强度测定数据表示在工件(W)的研磨过程中由第二分光器(28)测定出的光源的光的强度。

Description

研磨装置及研磨方法

技术领域

本发明涉及一种用于对在晶片、基板、面板等半导体器件的制造中使用的工件进行研磨的研磨装置及研磨方法，尤其是涉及一种基于来自工件的反射光所包含的光学信息来确定工件的膜厚的技术。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，各种材料在硅晶片上重复形成为膜状，从而形成层叠构造。为了形成该层叠构造，使最上层的表面平坦的技术变得重要。作为这样的平坦化的一种手段，使用化学机械研磨(CMP)。

化学机械研磨(CMP)由研磨装置执行。一般而言，这种研磨装置具备：支承研磨垫的研磨台、保持具有膜的晶片的研磨头以及将研磨液(例如，浆料)向研磨垫上供给的研磨液供给喷嘴。研磨装置一边使研磨头和研磨台分别旋转，一边从研磨液供给喷嘴向研磨垫上供给研磨液。研磨头通过将晶片的表面按压于研磨垫，在晶片与研磨垫之间存在研磨液的状态下，对形成晶片的表面的膜进行研磨。

为了测定绝缘膜、硅层等非金属膜的厚度(以下，简称为膜厚)，一般而言，研磨装置具备光学式膜厚测定装置。该光学式膜厚测定装置构成为：将从光源发出的光导向晶片的表面，通过解析来自晶片的反射光的光谱来确定晶片的膜厚。研磨装置能够基于确定的膜厚来结束晶片的研磨或者变更晶片的研磨条件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-194427号公报

发明所要解决的技术问题

然而，来自晶片的反射光的光谱即使在相同条件下(例如，相同膜厚、相同测定点)也存在波动。这样的光谱的波动与膜厚的测定结果的不稳定相关，妨碍晶片研磨过程中的正确的膜厚的监测。只要是测定静止的晶片的膜厚的膜厚测定装置，通过重复测定相同测定点处的膜厚，计算得到的多个测定值的平均值，就能够获得稳定的膜厚测定结果。然而，上述的光学式膜厚测定装置一边使晶片旋转，一边动态测定晶片的膜厚，因此无法进行这样的处理。

发明内容

因此，本发明提供一种能够在工件的研磨过程中正确地测定在晶片、基板、面板等半导体器件的制造中使用的工件的膜厚的研磨装置及研磨方法。

用于解决技术问题的技术手段

本发明人发现来自工件的反射光的光谱不稳定的理由有以下两个。

第一个理由是光源每次发光时光源的光量变化。尤其是，在通过放电而发光的闪光光源中，由于放电变动，每次发光的光量容易变化。通常，在工件的研磨过程中，每当研磨台旋转一圈时，光源多次闪光并向工件上的多个测定点照射光。照射到这些测定点的光的量存在细微波动。

第二个理由是光源每次发光时光通过光纤光缆的光路变化。光源与光纤光缆连结，光通过光纤光缆而导向工件。照射直径较小的光源每次发光时，向光纤光缆的端面的不同位置照射，其结果是，光通过光纤光缆内的不同部位而导向工件。这样的光纤光缆内的光路的不同使来自工件的反射光的光谱产生波动。

在一方式中，提供一种用于研磨工件的研磨装置，具备：研磨台，该研磨台支承研磨垫；研磨头，该研磨头将所述工件按压于所述研磨垫并研磨所述工件；光源，该光源发光；投光光纤光缆，该投光光纤光缆与所述光源连结，并且将所述光导向所述工件；受光光纤光缆，该受光光纤光缆接收来自所述工件的反射光；第一分光器，该第一分光器与所述受光光纤光缆连结；第二分光器，该第二分光器与所述光源直接连结；以及处理系统，该处理系统具备存储程序的存储装置和根据所述程序所包含的指令来执行运算的运算装置，所述存储装置在内部存储了第一基准强度数据、第二基准强度数据以及用于计算相对反射率数据的计算公式，该第一基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第一分光器测定出的光的基准强度，该第二基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第二分光器测定出的所述光源的光的基准强度，所述处理系统构成为基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚，所述计算公式表示如下：

所述相对反射率数据＝MD1/[BD1·k]，

其中，MD1是表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的所述反射光的强度的第一强度测定数据，BD1是所述第一基准强度数据，k是第二强度测定数据相对于所述第二基准强度数据的变化率，该第二强度测定数据表示在所述工件的研磨过程中由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度。

在一方式中，所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据分别是表示多个波长下的光的多个强度的数据，所述变化率k是分别与所述多个波长对应的多个变化率。

在一方式中，所述处理系统构成为：在对于所述第一基准强度数据、所述第一强度测定数据、所述第二基准强度数据以及所述第二强度测定数据执行插值，而使所述第一基准强度数据和所述第一强度测定数据的所述多个波长与所述第二基准强度数据和所述第二强度测定数据的所述多个波长一致后，计算多个所述变化率k。

在一方式中，所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据的所述多个波长是由整数构成的多个波长。

在一方式中，所述变化率k是所述第二强度测定数据的代表强度值相对于所述第二基准强度数据的代表强度值的变化率。

在一方式中，所述第一分光器和所述第二分光器构成为同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和所述光源的所述光的强度。

在一方式中，还具备直结光纤光缆，该直结光纤光缆将所述光源和所述第二分光器直接连结。

在一方式中，提供一种用于研磨工件的研磨装置，具备：研磨台，该研磨台支承研磨垫；研磨头，该研磨头将所述工件按压于所述研磨垫并研磨所述工件；光源，该光源发光；投光光纤光缆，该投光光纤光缆与所述光源连结，并且将所述光导向所述工件；受光光纤光缆，该受光光纤光缆接收来自所述工件的反射光；第一分光器，该第一分光器与所述受光光纤光缆连结；第二分光器，该第二分光器与所述光源直接连结；以及处理系统，该处理系统具备存储程序的存储装置和根据所述程序所包含的指令来执行运算的运算装置，所述存储装置在内部存储了多个不同的第一基准强度数据和多个不同的第二基准强度数据，该第一基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第一分光器测定出的光的基准强度，该第二基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第二分光器测定出的所述光源的光的基准强度，所述多个不同的第一基准强度数据和所述多个不同的第二基准强度数据以一对一的对应关系相关联，所述处理系统构成为：获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的所述反射光的强度，获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示在所述工件的研磨过程中由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，从所述多个不同的第二基准强度数据选择与所述第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据，确定与选择出的所述第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据，通过将所述第一强度测定数据除以确定出的所述第一基准强度数据来计算相对反射率数据，基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

在一方式中，所述第一分光器和所述第二分光器构成为在所述工件的研磨过程中，同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和所述光源的所述光的强度。

在一方式中，所述研磨装置还具备直结光纤光缆，该直结光纤光缆将所述光源和所述第二分光器直接连结，所述投光光纤光缆的端部和所述直结光纤光缆的端部被捆绑而构成主干光纤光缆，所述主干光纤光缆与所述光源连接。

在一方式中，提供一种用于研磨工件的研磨方法，在所述工件的研磨前，使从光源发出的光通过投光光纤光缆和受光光纤光缆而导向第一分光器，并且由所述第一分光器测定所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的第一基准强度数据，在所述工件的研磨前，通过第二分光器测定从所述光源发出的所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的第二基准强度数据，所述第二分光器与所述光源直接连结，一边使研磨台旋转，一边将所述工件按压于所述研磨台上的研磨垫而研磨所述工件，在所述工件的研磨过程中，获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的反射光的强度，在所述工件的研磨过程中，获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，计算所述第二强度测定数据相对于所述第二基准强度数据的变化率，通过将所述第一基准强度数据乘以所述变化率，计算修正后的第一基准强度数据，通过将所述第一强度测定数据除以所述修正后的第一基准强度数据，计算相对反射率数据，基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

在一方式中，所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据分别是表示多个波长下的光的多个强度的数据，所述变化率k是分别与所述多个波长对应的多个变化率。

在一方式中，还包含如下的工序：在计算所述多个变化率前，对于所述第一基准强度数据、所述第一强度测定数据、所述第二基准强度数据以及所述第二强度测定数据执行插值，而使所述第一基准强度数据和所述第一强度测定数据的所述多个波长与所述第二基准强度数据和所述第二强度测定数据的所述多个波长一致。

在一方式中，所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据的所述多个波长是由整数构成的多个波长。

在一方式中，所述变化率是所述第二强度测定数据的代表强度值相对于所述第二基准强度数据的代表强度值的变化率。

在一方式中，在所述工件的研磨过程中，所述第一分光器和所述第二分光器同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和来自所述光源的所述光的强度。

在一方式中，提供一种用于研磨工件的研磨方法，在所述工件的研磨前，使从光源重复发出的光通过投光光纤光缆和受光光纤光缆而导向第一分光器，并且由所述第一分光器测定所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的多个不同的第一基准强度数据，通过第二分光器测定从所述光源重复发出的所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的多个不同的第二基准强度数据，并且所述第二分光器与所述光源直接连结，将所述多个不同的第一基准强度数据和所述多个不同的第二基准强度数据以一对一的对应关系相关联，一边使研磨台旋转，一边将所述工件按压于所述研磨台上的研磨垫而研磨所述工件，在所述工件的研磨过程中，获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的反射光的强度，在所述工件的研磨过程中，获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，从所述多个不同的第二基准强度数据中选择与所述第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据，确定与选择出的所述第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据，通过将所述第一强度测定数据除以确定出的所述第一基准强度数据，计算相对反射率数据，基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

在一方式中，在所述工件的研磨过程中，所述第一分光器和所述第二分光器同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和来自所述光源的所述光的强度。

发明的效果

第二基准强度数据是原来的基准数据，第二强度测定数据是研磨时的基准数据。根据本发明，使用第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化率来修正第一基准强度数据。进一步，通过将在工件的研磨过程中得到的第一强度测定数据除以修正后的第一基准强度数据而得到相对反射率数据。通过这样的计算，从相对反射率数据去除光源的光量的波动。其结果是，能够根据相对反射率数据确定正确的膜厚。

另外，根据本发明，从多个不同的第二基准强度数据中选择与第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据。多个不同的第二基准强度数据是因在光纤光缆内前进的光的光路不同而引起的不同的数据。与第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据是反映这样的光路的不同的数据。因此，与选择出的第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据也是反映光路的不同的数据。通过将第一强度测定数据除以第一基准强度数据，能够计算去除了光纤光缆内的光路的不同的相对反射率数据。其结果是，能够根据相对反射率数据确定正确的膜厚。

附图说明

图1是表示研磨装置的一实施方式的示意图。

图2是表示光学式膜厚测定装置的详细结构的剖视图。

图3是表示从第一强度测定数据生成的光谱的图。

图4是表示从修正后的第一基准强度数据生成的光谱的图。

图5是表示从相对反射率数据生成的光谱的图。

图6是说明用于研磨工件的研磨方法的一实施方式的流程图。

图7是表示由第一分光器和第二分光器测定的光的强度及其波长的图表。

图8是表示通过插值而使由第一分光器测定的光强度的波长和由第二分光器测定的光强度的波长一致的状态的图表。

图9是表示主干光纤光缆的端面处的光的入射点的位置和投光光纤光缆及直结光纤光缆内的光的光路的示意图。

图10是说明用于研磨工件的研磨方法的一实施方式的流程图。

图11是表示研磨装置的其他实施方式的示意图。

符号说明

1 研磨头

2 研磨垫

2a 研磨面

3 研磨台

5 研磨液供给喷嘴

6 研磨台马达

9 动作控制部

10 头轴

20 光学式膜厚测定装置

22 光源

25 光学传感器头

27 第一分光器

28 第二分光器

30 处理系统

31 投光光纤光缆

32 受光光纤光缆

33 直结光纤光缆

35 主干光纤光缆

40 光路切换装置

W 工件

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示研磨装置的一实施方式的示意图。如图1所示，研磨装置具备支承研磨垫2的研磨台3、将具有膜的工件W按压于研磨垫2的研磨头1、使研磨台3旋转的研磨台马达6、用于向研磨垫2上供给浆料等研磨液的研磨液供给喷嘴5以及用于控制研磨装置的动作的动作控制部9。研磨垫2的上表面构成对工件W进行研磨的研磨面2a。作为工件W的例子，可以列举半导体器件的制造中使用的晶片、基板、面板等。

研磨头1与头轴10连结，头轴10与未图示的研磨头马达连结。研磨头马达使研磨头1与头轴10一同向箭头所示方向旋转。研磨台3与研磨台马达6连结，研磨台马达6构成为使研磨台3和研磨垫2向箭头所示方向旋转。研磨头1、研磨头马达以及研磨台马达6与动作控制部9连接。

工件W按如下这样被研磨。一边使研磨台3和研磨头1向图1的箭头所示方向旋转，一边从研磨液供给喷嘴5向研磨台3上的研磨垫2的研磨面2a供给研磨液。在工件W通过研磨头1旋转的同时，在研磨液存在于研磨垫2上的状态下工件W被研磨头1按压于研磨垫2的研磨面2a。工件W的表面通过研磨液的化学作用、研磨液所包含的磨粒及研磨垫2的机械作用而被研磨。

动作控制部9具备：存储有程序的存储装置9a；以及根据程序所包含的指令来执行运算的处理装置9b。动作控制部9由至少一台计算机构成。存储装置9a具备RAM等主存储装置以及硬盘驱动器(HDD)、固态硬盘(SSD)等辅助存储装置。作为处理装置9b的例子，可列举CPU(中央处理装置)、GPU(图形处理单元)。但是，动作控制部9的具体结构不限于这些例子。

研磨装置具备测定工件W的膜的厚度的光学式膜厚测定装置20。光学式膜厚测定装置20具备：发光的光源22；向工件W照射光源22的光并接收来自工件W的反射光的光学传感器头25；与光学传感器头25连结的第一分光器27；与光源22直接连结的第二分光器28；以及基于来自工件W的反射光的相对反射率数据来确定工件W的膜的厚度的处理系统30。光学传感器头25配置于研磨台3内，与研磨台3一同旋转。也可以设置与第一分光器27和光源22连接的多个光学传感器头25。

处理系统30具备：存储有程序的存储装置30a；以及根据程序所包含的指令来执行运算的运算装置30b。处理系统30由至少一台计算机构成。存储装置30a具备RAM等主存储装置以及硬盘驱动器(HDD)、固态硬盘(SSD)等辅助存储装置。作为运算装置30b的例子，可列举CPU(中央处理装置)、GPU(图形处理单元)。但是，处理系统30的具体结构不限于这些例子。

动作控制部9和处理系统30也可以分别由多个计算机构成。例如，动作控制部9和处理系统30也可以分别由边缘服务器和云服务器的组合构成。在一实施方式中，动作控制部9和处理系统30也可以由一台计算机构成。

图2是表示光学式膜厚测定装置20的详细结构的剖视图。光学式膜厚测定装置20具备：与光源22连结的投光光纤光缆31；与第一分光器27连结的受光光纤光缆32；以及将光源22和第二分光器28直接连结的直结光纤光缆33。投光光纤光缆31的顶端31a和受光光纤光缆32的顶端32a构成光学传感器头25。即，投光光纤光缆31将光源22的光导向研磨垫2上的工件W，受光光纤光缆32接收来自工件W的反射光并向第一分光器27传递。直结光纤光缆33的一端与光源22连结，另一端与第二分光器28连结。

第一分光器27和第二分光器28与处理系统30连接。投光光纤光缆31、受光光纤光缆32、直结光纤光缆33、光源22、第一分光器27以及第二分光器28安装于研磨台3，与研磨台3和研磨垫2一同一体地旋转。由投光光纤光缆31的顶端31a和受光光纤光缆32的顶端32a构成的光学传感器头25与研磨垫2上的工件W的表面相对配置。光学传感器头25的位置是研磨台3和研磨垫2每旋转一圈时横穿研磨垫2上的工件W的表面的位置。研磨垫2具有位于光学传感器头25的上方的通孔2b。每当研磨台3旋转一圈时，光学传感器头25通过通孔2b向工件W照射光，并且通过通孔2b接收来自工件W的反射光。

光源22是在较短的时间间隔内重复发光的闪光光源。作为光源22的例子，可列举氙气闪光灯。光源22与动作控制部9电连接，接收从动作控制部9发送的触发信号而发光。更具体而言，当光学传感器头25横穿研磨垫2上的工件W的表面期间，光源22接收多个触发信号而多次发光。因此，每当研磨台3旋转一圈时，向工件W上的多个测定点照射光。

第二分光器28通过直结光纤光缆33而与光源22直接连结。直结光纤光缆33从光源22向第二分光器28延伸。第二分光器28不与光学传感器头25连结且仅接收来自光源22的光。投光光纤光缆31的端部和直结光纤光缆33的端部被捆绑而构成一个主干光纤光缆35。主干光纤光缆35与光源22连结。即，主干光纤光缆35分支为投光光纤光缆31和直结光纤光缆33。因此，从光源22发出的光分支为两支光，分支后的两支光通过投光光纤光缆31和直结光纤光缆33而分别向光学传感器头25和第二分光器28传递。

此外，投光光纤光缆31、直结光纤光缆33也可以是分别捆绑了多个较细的光纤(裸光光纤)的结构。

由光源22发出的光同时向光学传感器头25和第二分光器28传递。即，光通过投光光纤光缆31向光学传感器头25传递，并且从光学传感器头25放射。光通过研磨垫2的通孔2b而入射于研磨垫2上的工件W。从工件W反射的光再次通过研磨垫2的通孔2b并被光学传感器头25接收。来自工件W的反射光通过受光光纤光缆32而向第一分光器27传递。同时，光源22的光不发送至光学传感器头25，而通过直结光纤光缆33向第二分光器28传递。

第一分光器27和第二分光器28构成为根据波长来分解光，并且遍及规定的波长范围测定各波长的反射光的强度。即，第一分光器27根据波长来分解来自工件W的反射光，并且遍及规定的波长范围测定各波长的反射光的强度，从而生成第一强度测定数据。同时，第二分光器28根据波长来分解光源22的光，并且遍及上述波长范围测定个波长的光的强度，从而生成第二强度测定数据。由光源22发出的光的强度通过第一分光器27和第二分光器28同时进行测定。第一强度测定数据和第二强度测定数据被送往处理系统30。

处理系统30的存储装置30a在内部存储有第一基准强度数据和第二基准强度数据，该第一基准强度数据表示在工件W的研磨前预先由第一分光器27测定的光的基准强度，该第二基准强度数据表示在工件W的研磨前预先由第二分光器28测定的光源22的光的基准强度。第一基准强度数据和第二基准强度数据是在工件W的研磨前预先获取的数据，另一方面，上述的第一强度测定数据和第二强度测定数据是在工件W的研磨过程中获取的数据。

第一基准强度数据、第二基准强度数据、第一强度测定数据以及第二强度测定数据分别表示上述规定的波长范围内的多个波长的光的多个强度。例如，第一强度测定数据表示来自工件W的反射光的多个波长的多个强度。由上述数据表示的光的多个强度也可以是相对于作为光强度的基准的黑准位(在遮光的条件下得到的背景强度)的相对强度。具体而言，也可以将从各波长的光强度的测定值减去黑准位得到的值作为各数据中包含的光强度。例如，当将波长λ下的光强度的测定值设为M(λ)时，各数据中包含的波长λ下的光强度E(λ)也可以用下式求得。

E(λ)＝M(λ)－D(λ)   (1)

在此，λ表示波长，D(λ)表示波长λ下的黑准位。

其中，由各数据表示的光强度并不限于该例，例如也可以是由第一分光器27和第二分光器28得到的光强度的测定值自身。

表示来自工件W的反射光的强度的第一强度测定数据包含工件W的膜厚的信息。换而言之，第一强度测定数据根据工件W的膜厚而变化。因此，如下所述，处理系统30通过对第一强度测定数据进行处理，能够确定工件W的膜厚。

相对于此，第一基准强度数据表示对于各波长预先测定的光的基准强度。第一基准强度数据例如通过从光学传感器头25向镜子照射光，并通过第一分光器27测定来自镜子的反射光的强度而得到。或者，第一基准强度数据也可以是在将未形成膜的硅晶片(裸晶片)存在水或者浆料的情况下在研磨垫2上进行水研磨或者浆料研磨时、或在将上述硅晶片(裸晶片)放置在研磨垫2上时由第一分光器27测定出的来自硅晶片的反射光的强度。

在本实施方式中，通过将第一强度测定数据除以第一基准强度数据来确定相对反射率数据。相对反射率数据是表示各波长的反射光的强度的指标。通过将第一强度测定数据除以第一基准强度数据，可以从实测强度去除装置的光学系、光源22固有的强度的波动等不需要的噪声。

第二基准强度数据和第二强度测定数据均是光源22的光强度的测定数据，与来自工件W的反射光无关。第二基准强度数据是表示光源22的光的基准强度的数据，第二强度测定数据是表示工件W的研磨过程中的光源22的光的强度的数据。在本实施方式中，第二基准强度数据和第二强度测定数据被用作排除因光源22的每个测定点的光量的变化而引起的相对反射率数据的波动的修正系数。

第二基准强度数据在工件W的研磨前与上述第一基准强度数据在相同的时间点获取。即，第一分光器27遍及规定的波长范围测定从光学传感器头25传递的光的强度，同时，第二分光器28遍及相同波长范围测定来自光源22的光的强度。

第二强度测定数据在工件W的研磨前与上述第一强度测定数据在相同的时间点获取。即，第一分光器27遍及规定的波长范围测定从光学传感器头25传递的来自工件W的反射光的强度，同时，第二分光器28遍及相同波长范围测定来自光源22的光的强度。

处理系统30的存储装置30a存储用于计算相对反射率数据的计算公式，处理系统30构成为基于相对反射率数据来确定工件W的膜厚。上述计算公式如下所示。

相对反射率数据＝MD1/[BD1·k]   (2)

在此，MD1是表示在工件W的研磨过程中由第一分光器27测定的来自工件W的反射光的强度的第一强度测定数据，BD1是表示在工件W的研磨前由第一分光器27测定的光的基准强度的上述第一基准强度数据，k是第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化率，该第二强度测定数据表示在工件W的研磨过程中由第二分光器28测定的光源22的光的强度。

第二强度测定数据对于第二基准强度数据的变化不依赖于工件W的膜厚变化，而仅依赖于光源22的光量的变化。因此，通过将变化率k乘以第一基准强度数据，第一基准强度数据被修正(即，光源22的光量的变化反映于第一基准强度数据)。由于第一强度测定数据MD1与第二强度测定数据同样地反映光源22的光量的变化，因此通过将第一强度测定数据MD1除以修正后的第一基准强度数据，去除(取消)光源22的光量的变化。其结果是，处理系统30能够根据相对反射率数据确定正确的膜厚。

图3表示从第一强度测定数据生成的光谱，图4表示从修正后的第一基准强度数据生成的光谱，图5表示从通过将第一强度测定数据除以修正后的第一基准强度数据而得出的相对反射率数据生成的光谱。从相对反射率数据生成的光谱的形状根据工件W的膜厚而变化。处理系统30从由上述计算公式得出的相对反射率数据生成图5所示的光谱，并且基于该光谱来确定工件W的膜厚。

基于光谱来确定工件W的膜厚的方法中使用公知的技术。例如，处理系统30从参照光谱库中确定与光谱形状最接近的参照光谱，并且确定与该确定的参照光谱相关联的膜厚。在另一例中，处理系统30对光谱执行傅里叶变换，并且根据得到的频率光谱确定膜厚。

图6是说明用于研磨工件W的研磨方法的一实施方式的流程图。

在步骤101中，在工件W的研磨前，通过使从光源22发出的光通过投光光纤光缆31和受光光纤光缆32而导向第一分光器27，并且由第一分光器27测定光的强度，从而生成表示光的基准强度的第一基准强度数据。处理系统30从第一分光器27获取第一基准强度数据，并将该第一基准强度数据存储于存储装置30a内。

在步骤102中，在工件W的研磨前，通过使从光源22发出的光通过直结光纤光缆33而导向第二分光器28，并且由第二分光器28测定光的强度，从而生成表示光源22的光的基准强度的第二基准强度数据。处理系统30从第二分光器28获取第二基准强度数据，并将该第二基准强度数据存储于存储装置30a内。上述步骤101中的第一分光器27进行的光的强度的测定和上述步骤102中的第二分光器28进行的光的强度的测定同时进行。

在步骤103中，一边使研磨台3旋转，一边通过研磨头1将工件W按压于研磨垫2并开始工件W的研磨。

在步骤104中，在工件W的研磨过程中，处理系统30获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由第一分光器27测定的来自工件W的反射光的强度。

在步骤105中，在工件W的研磨过程中，处理系统30获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由第二分光器28测定的来自光源22的光的强度。上述步骤104中的第一分光器27进行的反射光的强度的测定和上述步骤105中的第二分光器28进行的光源22的光的强度的测定同时进行。

在步骤106中，处理系统30计算第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化率。

在步骤107中，处理系统30通过将第一基准强度数据乘以变化率来计算修正后的第一基准强度数据。

在步骤108中，处理系统30通过将第一强度测定数据除以修正后的第一基准强度数据来计算相对反射率数据。

在步骤109中，处理系统30基于相对反射率数据确定工件W的膜厚。

上述计算公式中使用的变化率k也可以是与多个波长对应的多个变化率，也可以是对多个波长定义的一个变化率。与多个波长对应的多个变化率k(λ)也可以用下式求得。

k(λ)＝MV2(λ)/BV2(λ)、λ＝λLL～λHL   (3)

在此，λ表示光的波长，k(λ)表示波长λ下的变化率，MV2(λ)表示第二强度测定数据中包含的波长λ下的光的强度，BV2(λ)表示第二基准强度数据中包含的波长λ下的光的强度，λLL表示由第一分光器27和第二分光器28测定的光强度的波长范围的下限值，λHL表示上述波长范围的上限值。波长λ是从下限值λLL至上限值λHL中的任意波长。

根据该实施方式，由于按照各波长计算变化率，因此能够进一步正确地修正第一基准强度数据。

上述计算公式(2)能使用公式(3)而表示如下。

R(λ)＝MV1(λ)/[BV1(λ)·k(λ)]、λ＝λLL～λHL   (4)

在此，R(λ)表示波长λ下的相对反射率，MV1(λ)表示第一强度测定数据MD1中包含的波长λ下的反射光的强度，BV1(λ)表示第一基准强度数据BD1中包含的波长λ下的光的基准强度。

上述公式(3)、(4)包含的MV1(λ)、BV1(λ)、MV2(λ)以及BV2(λ)是由第一分光器27和第二分光器28测定的波长λ下的光强度。第一分光器27和第二分光器28分别构成为根据波长分解光，并且测定各波长的光的强度。然而，有因第一分光器27和第二分光器28的机械性差异而在由第一分光器27测定的强度的波长和由第二分光器28测定的强度的波长之间存在差异的情况。对于这一点，参照图7进行说明。

图7是表示由第一分光器27和第二分光器28测定的光的强度及其波长的图表。第一分光器27测定波长λ1、λ2、λ3的光的强度MV1(λ1)、MV1(λ2)、MV1(λ3)，第二分光器28也同样测定波长λ1、λ2、λ3的光的强度MV2(λ1)、MV2(λ2)、MV2(λ3)。然而，如图7所示，实际上由于第一分光器27和第二分光器28的机械性差异，在由第一分光器27测定的光强度的波长λ1、λ2、λ3和由第二分光器28测定的光强度的波长λ1、λ2、λ3之间存在些许差异。这样的波长的差异会对相对反射率数据的精度产生不利影响。

因此，在一实施方式中，处理系统30构成为对于第一基准强度数据、第一强度测定数据、第二基准强度数据以及第二强度测定数据执行插值，从而使第一基准强度数据和第一强度测定数据的多个波长与第二基准强度数据和第二强度测定数据的多个波长一致。处理系统30在实施了插值后，计算多个变化率k并进一步计算相对反射率数据。

图8是表示通过插值而使由第一分光器27测定的光强度的波长λ1、λ2、λ3和由第二分光器28测定的光强度的波长λ1、λ2、λ3一致的状态的图表。在该例中，插值后的第一强度测定数据的多个波长λ1、λ2、λ3和插值后的第二强度测定数据的多个波长λ1、λ2、λ3是由整数构成的多个波长。即，处理系统30对第一强度测定数据执行插值，计算由整数构成的多个波长λ1、λ2、λ3的光强度MV1(λ1)、MV1(λ2)、MV1(λ3)，并进一步对第二强度测定数据执行插值，计算由整数构成的多个波长λ1、λ2、λ3的光强度MV2(λ1)、MV2(λ2)、MV2(λ3)。其结果是，波长在第一强度测定数据与第二强度测定数据之间一致。

同样，插值后的第一基准强度数据的多个波长λ1、λ2、λ3和插值后的第二基准强度数据的多个波长λ1、λ2、λ3是由整数构成的多个波长。即，处理系统30对第一基准强度数据执行插值，计算由整数构成的多个波长λ1、λ2、λ3的光强度BV1(λ1)、BV1(λ2)、BV1(λ3)，并进一步对第二强度测定数据执行插值，计算由整数构成的多个波长λ1、λ2、λ3的光强度BV2(λ1)、BV2(λ2)、BV2(λ3)。其结果是，波长在第一基准强度数据与第二基准强度数据之间一致。

由此，由第一分光器27和第二分光器28测定的光强度的波长范围内的波长全部相同。

在一实施方式中，变化率k也可以是对于多个波长设定的一个变化率。在该情况下，不需要进行上述的插值。处理系统30确定第二基准强度数据的代表强度值和第二强度测定数据的代表强度值，并且计算第二强度测定数据的代表强度值相对于第二基准强度数据的代表强度值的变化率k。作为代表强度值的例子，可列举与多个波长对应的多个强度的平均值、极大值、最大值等。

根据以上说明的实施方式，处理系统30能够去除光源22的发光的波动，同时也能够去除光源22随时间的光量变化。即，光源22的发光的波动和光源22随时间的光量变化均能够表示为第二强度测定数据相对于第二基准强度数据的变化。因此，处理系统30通过使用上述的计算公式执行数据处理，不仅能够排除光源22的发光的波动，还能够排除光源22随时间的光量变化。

接着，对研磨装置的其他实施方式进行说明。由于没有特别地说明的本实施方式的结构和动作与参照图1及图2说明的实施方式相同，因此省略其重复的说明。

如图2所示，光源22与主干光纤光缆35连接，由光源22发出的光首先向主干光纤光缆35的端面入射，随后向投光光纤光缆31和直结光纤光缆33分配。图9是表示主干光纤光缆35的端面35a处的光的入射点的位置和投光光纤光缆31及直结光纤光缆33内的光的光路的示意图。如图9所示，由光源22发出的光的入射点S比主干光纤光缆35的端面35a小，入射点S位于主干光纤光缆35的端面35a内。

在工件W的研磨过程中，光源22在较短时间间隔内重复发光。主干光纤光缆35的端面35a内的光的入射点S的位置并不恒定，而随着光源22每次发光而变化。在投光光纤光缆31内前进的光的光路(即，投光光纤光缆31内的光的点位置)P1和在直结光纤光缆33内前进的光的光路P2随着主干光纤光缆35的端面35a内的光的入射点S的位置而变化。图9中虚线所示的圆表示光的入射点S的位置的变化和与此对应的光路P1、P2变化的情形。这样的投光光纤光缆31和直结光纤光缆33内的光路P1、P2的变化使来自工件W的反射光的光谱产生变化。

尽管投光光纤光缆31内的光路P1和直结光纤光缆33内的光路P2产生变化，但是这些光纤光缆31、33内的光路P1、P2的位置之间存在一对一的关系。换而言之，在投光光纤光缆31内前进的光的光路P1的位置与在直结光纤光缆33内前进的光的光路P2的位置唯一地对应。表示在工件W的研磨过程中由第二分光器28测定的光源22的光的强度的第二强度测定数据随着在直结光纤光缆33内前进的光的光路P2而变化，即随着在主干光纤光缆35的端面35a内的光的入射点S的位置而变化。因此，表示在工件W的研磨过程中由第一分光器27测定的来自工件W的反射光的强度的第一强度测定数据也与第二强度测定数据保持一对一关系地变化。

在本实施方式中，在工件W的研磨前，一边使光源2重复发光，一边通过第一分光器27和第二分光器28测定光的强度，生成多个第一基准强度数据和多个第二基准强度数据。第二基准强度数据在工件W的研磨前与第一基准强度数据在相同时间点获取。即，第一分光器27遍及规定的波长范围测定从光学传感器头25传递的光的强度，同时，第二分光器28遍及相同波长范围测定来自光源22的光的强度。

每当光源22发光时，在主干光纤光缆35的端面35a内的光的入射点S的位置变化，因此生成多个不同的第一基准强度数据和多个不同的第二基准强度数据。包含多个不同的第一基准强度数据和多个不同的第二基准强度数据的参照库存储于处理系统30的存储装置30a内。多个不同的第一基准强度数据和多个不同的第二基准强度数据按一对一的对应关系相关联。

处理系统30在工件W的研磨过程中获取表示由第一分光器27测定的来自工件W的反射光的强度的第一强度测定数据，并且获取表示由第二分光器28测定的光源22的光的强度的第二强度测定数据。第二强度测定数据在工件W的研磨过程中与第一强度测定数据在相同时间点获取。即，第一分光器27遍及规定的波长范围测定来自工件W的反射光的强度，同时，第二分光器28遍及相同波长范围测定来自光源22的光的强度。

处理系统30从参照库中包含的多个不同的第二基准强度数据中选择与第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据，并且确定与选择出的第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据。“最一致”不仅包含最类似，还包含完全一致。作为选择与第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据的方法(即，判定强度数据的类似性的方法)，能够使用曲线拟合、再生判别的方法。

来自工件W的反射光的光谱受到投光光纤光缆31内的光路的影响。因此，在从第一强度测定数据和第一基准强度数据计算相对反射率时，如果使用通过不同的光路的光的强度数据进行计算，则受到光路的影响而无法进行正确的膜厚测定。另一方面，由于第一基准强度数据和第二基准强度数据以及第一强度测定数据和第二强度测定数据分别是通过相同的光路的光的强度数据，因此分别存在对应关系。因此，从多个第二基准强度数据中选择如下第二基准强度数据：该第二基准强度数据在与第二强度测定数据之间，被认为在直结光纤光缆33内通过了同样的光路且在光谱具有相似性。进一步得到与选择的第二基准强度数据对应的(同时测定的)第一基准强度数据。由此，通过在第一强度测定数据和得到的第一基准强度数据之间计算相对反射率，能够不受到光路的影响，提高膜厚测定精度。

处理系统30通过将第一强度测定数据除以确定出的第一基准强度数据来计算相对反射率数据，并且基于相对反射率数据来确定工件W的膜厚。通过这样的除法，从相对反射率数据去除在主干光纤光缆35的端面35a内的光的入射点S的位置变化。其结果是，处理系统30能够根据相对反射率数据确定正确的膜厚。

图10是说明用于研磨工件W的研磨方法的一实施方式的流程图。

在步骤201中，在工件W的研磨前，通过使从光源22重复发出的光通过投光光纤光缆31和受光光纤光缆32而导向第一分光器27，并且由第一分光器27测定光的强度，从而生成表示光的基准强度的多个不同的第一基准强度数据。处理系统30从第一分光器27获取上述多个不同的第一基准强度数据，并将该多个不同的第一基准强度数据存储于存储装置30a内。

在步骤202中，在工件W的研磨前，通过使从光源22重复发出的光通过直结光纤光缆33而导向第二分光器28，并且由第二分光器28测定光的强度，从而生成表示光源22的光的基准强度的多个不同的第二基准强度数据。处理系统30从第二分光器28获取上述多个不同的第二基准强度数据，并将该多个不同的第二基准强度数据存储于存储装置30a内。上述步骤201中的第一分光器27进行的光的强度的测定和上述步骤202中的第二分光器28进行的光的强度的测定同时进行。

在步骤203中，一边使研磨台3旋转，一边通过研磨头1将工件W按压于研磨垫2并开始工件W的研磨。

在步骤204中，在工件W的研磨过程中，处理系统30获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由第一分光器27测定的来自工件W的反射光的强度。

在步骤205中，在工件W的研磨过程中，处理系统30获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由第二分光器28测定的来自光源22的光的强度。上述步骤204中的第一分光器27进行的反射光的强度的测定和上述步骤205中的第二分光器28进行的光源22的光的强度的测定同时进行。

在步骤206中，处理系统30从上述多个不同的第二基准强度数据中选择与第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据。

在步骤207中，处理系统30确定与选择出的第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据。

在步骤208中，处理系统30通过将第一强度测定数据除以确定出的第一基准强度数据来计算相对反射率数据。

在步骤209中，处理系统30基于相对反射率数据确定工件W的膜厚。

在以上说明的实施方式中，虽然设置了一个光学传感器头25，但是本发明并不限定于上述实施方式，也可以在研磨台3内设置多个光学传感器头25。例如，如图11所示，也可以是构成多个光学传感器头25的受光光纤光缆32经由光开关或者快门等光路切换装置40而与第一分光器27连结。多个光学传感器头25的位置并没有特别地限定，例如也可以在通过工件W的中心和边缘部的位置配置多个光学传感器头25。在图11所示的实施方式中，虽然设置了两个光学传感器头25，但是也可以设置三个或者更多的光学传感器头25。

上述实施方式是以具有本发明所属技术领域中的通常的知识的人员能实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的种种变形例只要是本领域人员当然就能够实施，本发明的技术思想也可以适用于其它的实施方式。因此，本发明不限于所记载的实施方式，按照权利要求的范围所定义的技术思想解释为最宽的范围。

Claims (18)

1.一种研磨装置，用于研磨工件，该研磨装置的特征在于，具备：

研磨台，该研磨台支承研磨垫；

研磨头，该研磨头将所述工件按压于所述研磨垫并研磨所述工件；

光源，该光源发光；

投光光纤光缆，该投光光纤光缆与所述光源连结，并且将所述光导向所述工件；

受光光纤光缆，该受光光纤光缆接收来自所述工件的反射光；

第一分光器，该第一分光器与所述受光光纤光缆连结；

第二分光器，该第二分光器与所述光源直接连结；以及

处理系统，该处理系统具备存储程序的存储装置和根据所述程序所包含的指令来执行运算的运算装置，

所述存储装置在内部存储了第一基准强度数据、第二基准强度数据以及用于计算相对反射率数据的计算公式，该第一基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第一分光器测定出的光的基准强度，该第二基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第二分光器测定出的所述光源的光的基准强度，

所述处理系统构成为基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚，

所述计算公式表示如下：

所述相对反射率数据＝MD1/[BD1·k]，

其中，MD1是表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的所述反射光的强度的第一强度测定数据，BD1是所述第一基准强度数据，k是第二强度测定数据相对于所述第二基准强度数据的变化率，该第二强度测定数据表示在所述工件的研磨过程中由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度。

2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据分别是表示多个波长下的光的多个强度的数据，

所述变化率k是分别与所述多个波长对应的多个变化率。

3.根据权利要求2所述的研磨装置，其特征在于，

所述处理系统构成为：在对于所述第一基准强度数据、所述第一强度测定数据、所述第二基准强度数据以及所述第二强度测定数据执行插值，而使所述第一基准强度数据和所述第一强度测定数据的所述多个波长与所述第二基准强度数据和所述第二强度测定数据的所述多个波长一致后，计算多个所述变化率k。

4.根据权利要求3所述的研磨装置，其特征在于，

所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据的所述多个波长是由整数构成的多个波长。

5.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，

所述变化率k是所述第二强度测定数据的代表强度值相对于所述第二基准强度数据的代表强度值的变化率。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

所述第一分光器和所述第二分光器构成为同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和所述光源的所述光的强度。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的研磨装置，其特征在于，

还具备直结光纤光缆，该直结光纤光缆将所述光源和所述第二分光器直接连结。

8.一种研磨装置，用于研磨工件，该研磨装置的特征在于，具备：

研磨台，该研磨台支承研磨垫；

研磨头，该研磨头将所述工件按压于所述研磨垫并研磨所述工件；

光源，该光源发光；

投光光纤光缆，该投光光纤光缆与所述光源连结，并且将所述光导向所述工件；

受光光纤光缆，该受光光纤光缆接收来自所述工件的反射光；

第一分光器，该第一分光器与所述受光光纤光缆连结；

第二分光器，该第二分光器与所述光源直接连结；以及

处理系统，该处理系统具备存储程序的存储装置和根据所述程序所包含的指令来执行运算的运算装置，

所述存储装置在内部存储了多个不同的第一基准强度数据和多个不同的第二基准强度数据，该第一基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第一分光器测定出的光的基准强度，该第二基准强度数据表示在所述工件的研磨前由所述第二分光器测定出的所述光源的光的基准强度，

所述多个不同的第一基准强度数据和所述多个不同的第二基准强度数据以一对一的对应关系相关联，

所述处理系统构成为：

获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的所述反射光的强度，

获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示在所述工件的研磨过程中由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，

从所述多个不同的第二基准强度数据选择与所述第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据，

确定与选择出的所述第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据，

通过将所述第一强度测定数据除以确定出的所述第一基准强度数据来计算相对反射率数据，

基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

9.根据权利要求8所述的研磨装置，其特征在于，

所述第一分光器和所述第二分光器构成为在所述工件的研磨过程中，同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和所述光源的所述光的强度。

10.根据权利要求8或9所述的研磨装置，其特征在于，

所述研磨装置还具备直结光纤光缆，该直结光纤光缆将所述光源和所述第二分光器直接连结，

所述投光光纤光缆的端部和所述直结光纤光缆的端部被捆绑而构成主干光纤光缆，

所述主干光纤光缆与所述光源连接。

11.一种研磨方法，用于研磨工件，该研磨方法的特征在于，

在所述工件的研磨前，使从光源发出的光通过投光光纤光缆和受光光纤光缆而导向第一分光器，并且由所述第一分光器测定所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的第一基准强度数据，

在所述工件的研磨前，通过第二分光器测定从所述光源发出的所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的第二基准强度数据，所述第二分光器与所述光源直接连结，

一边使研磨台旋转，一边将所述工件按压于所述研磨台上的研磨垫而研磨所述工件，

在所述工件的研磨过程中，获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的反射光的强度，

在所述工件的研磨过程中，获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，

计算所述第二强度测定数据相对于所述第二基准强度数据的变化率，

通过将所述第一基准强度数据乘以所述变化率，计算修正后的第一基准强度数据，

通过将所述第一强度测定数据除以所述修正后的第一基准强度数据，计算相对反射率数据，

基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

12.根据权利要求11所述的研磨方法，其特征在于，

所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据分别是表示多个波长下的光的多个强度的数据，

所述变化率k是分别与所述多个波长对应的多个变化率。

13.根据权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，

还包含如下的工序：在计算所述多个变化率前，对于所述第一基准强度数据、所述第一强度测定数据、所述第二基准强度数据以及所述第二强度测定数据执行插值，而使所述第一基准强度数据和所述第一强度测定数据的所述多个波长与所述第二基准强度数据和所述第二强度测定数据的所述多个波长一致。

14.根据权利要求13所述的研磨方法，其特征在于，

所述第一基准强度数据、所述第二基准强度数据、所述第一强度测定数据以及所述第二强度测定数据的所述多个波长是由整数构成的多个波长。

15.根据权利要求11所述的研磨方法，其特征在于，

所述变化率是所述第二强度测定数据的代表强度值相对于所述第二基准强度数据的代表强度值的变化率。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的研磨方法，其特征在于，

在所述工件的研磨过程中，所述第一分光器和所述第二分光器同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和来自所述光源的所述光的强度。

17.一种研磨方法，用于研磨工件，该研磨方法的特征在于，

在所述工件的研磨前，使从光源重复发出的光通过投光光纤光缆和受光光纤光缆而导向第一分光器，并且由所述第一分光器测定所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的多个不同的第一基准强度数据，

通过第二分光器测定从所述光源重复发出的所述光的强度，从而生成表示所述光的基准强度的多个不同的第二基准强度数据，并且所述第二分光器与所述光源直接连结，

将所述多个不同的第一基准强度数据和所述多个不同的第二基准强度数据以一对一的对应关系相关联，

一边使研磨台旋转，一边将所述工件按压于所述研磨台上的研磨垫而研磨所述工件，

在所述工件的研磨过程中，获取第一强度测定数据，该第一强度测定数据表示由所述第一分光器测定出的来自所述工件的反射光的强度，

在所述工件的研磨过程中，获取第二强度测定数据，该第二强度测定数据表示由所述第二分光器测定出的所述光源的光的强度，

从所述多个不同的第二基准强度数据中选择与所述第二强度测定数据最一致的第二基准强度数据，

确定与选择出的所述第二基准强度数据相关联的第一基准强度数据，

通过将所述第一强度测定数据除以确定出的所述第一基准强度数据，计算相对反射率数据，

基于所述相对反射率数据来确定所述工件的膜厚。

18.根据权利要求17所述的研磨方法，其特征在于，

在所述工件的研磨过程中，所述第一分光器和所述第二分光器同时测定来自所述工件的所述反射光的强度和来自所述光源的所述光的强度。

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