CN116093908B - 一种低调光关断损耗的低浪涌电路 - Google Patents

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Abstract

一种低调光关断损耗的低浪涌电路，光耦U2的发光端阳极与主控单元U3的输出端连接，阴极接地，光耦U2的集电极连接有输入电压VDD，发射极接地；三极管Q1的基极与光耦U2的发射极连接，三极管Q1的集电极与输入电压VDD连接；驱动芯片U1的VCC端与三极管Q1的发射极连接；继电器K1的线圈端一端与三极管Q1的发射极连接，线圈端的另一端接地；输入端L相以及输入端N相，输入端L相通过热敏电阻NTC与负载电路连接，热敏电阻NTC的两端分别与继电器K1的第一导通端以及第二导通端连接，继电器K1的第二导通端与第四导通端连接，第三导通端通过电容CX1与输入端N相连接。

Description

一种低调光关断损耗的低浪涌电路
技术领域
本发明涉及大功率LED电源领域，尤其涉及一种低调光关断损耗的低浪涌电路。
背景技术
LED照明具有节能环保和寿命长的优点，相应LED电源也在不断发展变化，很多带辅助源输出的大功率高功率因数隔离LED电源调光关断后的功率高达几瓦，尤其是浪涌保护的NTC供给安规电容滤波的交流损耗和继电器损耗高达0.7-2W，满足不了大功率LED电源调光关断后的功率＜0.5W行业要求，不利于节能环保，而且开机浪涌电流大。
发明内容
为了更好解决上述问题，既不影响EMI，又不影响待机功耗，特提出下面发明电路可以很好的解决上述问题，为解决上述问题，本技术方案提供一种低调光关断损耗的低浪涌电路。
为实现上述目的，本技术方案如下：
一种低调光关断损耗的低浪涌电路，包括；
主控单元U3；
光耦U2，所述光耦U2的发光端阳极与所述主控单元U3的输出端连接，阴极接地，所述光耦U2的集电极连接有输入电压VDD，发射极接地；
三极管Q1，所述三极管Q1的基极与所述光耦U2的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与所述输入电压VDD连接；
驱动芯片U1，所述驱动芯片U1的VCC端与所述三极管Q1的发射极连接；
继电器K1，所述继电器K1的线圈端一端与所述三极管Q1的发射极连接，线圈端的另一端接地；
输入端L相以及输入端N相，所述输入端L相通过热敏电阻NTC与负载电路连接，所述热敏电阻NTC的两端分别与所述继电器K1的第一导通端以及第二导通端连接，所述继电器K1的第二导通端与第四导通端连接，第三导通端通过电容CX1与所述输入端N相连接。
进一步的说，所述光耦U2的发光端阴极通过电阻R5接地，所述光耦U2的发射极连接有电阻R3，所述电阻R3分别通过电阻R2以及二极管ZD1接地。
进一步的说，所述三极管Q1的发射极通过电容C1接地。
进一步的说，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1与所述继电器K1连接。
进一步的说，所述输入端L相连接有保险丝F1。
本申请有益效果为：
本申请在调光关断后通过MCU关断了继电器，更重要是断开了安规电容的连接，没有了K1继电器的耗电和CX1安规电容的交流滤波电流在NTC热敏电阻上的阻性损耗，从而节省了0.7-2W的功率，使大功率LED电源满足调光关断后的功率＜0.5W行业要求，而且开机浪涌电流小。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1所示，一种低调光关断损耗的低浪涌电路，包括；
主控单元U3；
光耦U2，所述光耦U2的发光端阳极与所述主控单元U3的输出端连接，阴极接地，所述光耦U2的集电极连接有输入电压VDD，发射极接地；
三极管Q1，所述三极管Q1的基极与所述光耦U2的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与所述输入电压VDD连接；
驱动芯片U1，所述驱动芯片U1的VCC端与所述三极管Q1的发射极连接；
继电器K1，所述继电器K1的线圈端一端与所述三极管Q1的发射极连接，线圈端的另一端接地；
输入端L相以及输入端N相，所述输入端L相通过热敏电阻NTC与负载电路连接，所述热敏电阻NTC的两端分别与所述继电器K1的第一导通（引脚4）端以及第二导通（引脚3）端连接，所述继电器K1的第二导通端与第四导通（引脚5）端连接，第三导通端（引脚6）通过电容CX1与所述输入端N相连接。
在本实施例中，所述光耦U2的发光端阴极通过电阻R5接地，所述光耦U2的发射极连接有电阻R3，所述电阻R3分别通过电阻R2以及二极管ZD1接地。
在本实施例中，所述三极管Q1的发射极通过电容C1接地。
在本实施例中，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1与所述继电器K1连接。
在本实施例中，所述输入端L相连接有保险丝F1。
本发明由于NTC负温度系数热敏电阻接在所有电容前，由于其电阻的限流作用，所以电源开机浪涌电流小，而且当内部调光关断后，U3 MCU第3脚输出低电位，U2光耦关断，Q1三极管关断，使U1驱动芯片和K1继电器供电关断而停止工作，U1驱动芯片和K1继电器从而无耗电，更重要的是安规电容CX1也被继电器断开，没有了因通过CX1安规电容的50-60Hz交流滤波电流在NTC热敏电阻上产生的损耗,从而节省了0.7-2W交流滤波电流在NTC热敏电阻上的阻性损耗和继电器损耗，使大功率LED电源调光关断后的功率满足了＜0.5W行业要求，实现了低调光关断损耗和开机低浪涌电流的要求。
当产品开机时，输入电源L和N通过防浪涌热敏电阻NT1给后级供电，后续辅助电源工作，经过延时，MCU U3输出电压给光耦U2的发光端上，使得发射极与集电极导通，从而电压VDD导通三极管Q1，电压VDD通过三极管Q1输出VDD1给驱动芯片U1以及继电器K1的线圈上，继电器吸合，继电器的3脚，4脚接通短路掉NTC进行工作，继电器的6脚，5脚接通，将X电容CX1接入AC输入的L相端。PFC开始工作，接着后级电路DC/DC工作。此时由于X电容接入电源L,N相之间，所以可以提高EMI差模抗干扰，当进行待机状态既调光关断时，VDD1输出0V,K1继电器释放，此时K1断开，后级辅助电源及控制电路通过NTC继续工作，这时X电容CX1悬空，由于没有X电容接入L,N之间，这时候功率因数相对较高，由前述待机功耗公式可知，这时候的待机功耗很低，低于规范要求的0.5W。
调光关断或进入待机工作状态时，PFC及DC/DC变换器停止工作，由于CX1断开所以此时的功率因数相对较高，由前述的待机功率计算公式可知，待机功耗输入电流I==P功率/(输入电压*待机效率*功率因数）。由于I大大降低，因而待机功耗=I*VIN也会降低很多。P功率通常指电源调光关断处于待机状态下的功率，输入电压指230V AC电压，此时效率由于PFC,DC/DC等主电路都不工作基本是一个定值。因而对待机功率影响最大的就是功率因数。实测表明此时待机功耗仅有0.4W。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用来限定本申请实施的范围，其他凡其原理和基本结构与本申请相同或近似的，均在本申请的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种低调光关断损耗的低浪涌电路，其特征在于，包括；
主控单元U3；
光耦U2，所述光耦U2的发光端阳极与所述主控单元U3的输出端连接，阴极接地，所述光耦U2的集电极连接有输入电压VDD，发射极接地；
三极管Q1，所述三极管Q1的基极与所述光耦U2的发射极连接，所述三极管Q1的集电极与所述输入电压VDD连接；
驱动芯片U1，所述驱动芯片U1的VCC端与所述三极管Q1的发射极连接；
继电器K1，所述继电器K1的线圈端一端与所述三极管Q1的发射极连接，线圈端的另一端接地；
输入端L相以及输入端N相，所述输入端L相通过热敏电阻NTC与负载电路连接，所述热敏电阻NTC的两端分别与所述继电器K1的第一导通端以及第二导通端连接，所述继电器K1的第二导通端与第四导通端连接，第三导通端通过电容CX1与所述输入端N相连接；
当产品开机时，输入端L相和输入端N相通过防浪涌的热敏电阻NTC给后级供电，后续辅助电源工作，经过延时，主控单元U3输出电压给光耦U2的发光端上，使得发射极与集电极导通，从而电压VDD导通三极管Q1，电压VDD通过三极管Q1输出VDD1给驱动芯片U1以及继电器K1的线圈上，继电器K1吸合，继电器K1接通短路掉热敏电阻NTC进行工作，继电器K1的第三导通端和第四导通端接通，将电容CX1接入AC输入的输入端L相上，PFC开始工作，接着后级电路DC/DC工作，此时由于电容CX1接入输入端L相以及输入端N相之间，所以可以提高EMI差模抗干扰，当进行待机状态，即调光关断时，电压VDD1输出0V，继电器K1释放，此时继电器K1断开，后级辅助电源及控制电路通过热敏电阻NTC继续工作，这时电容CX1悬空。
2.根据权利要求1所述的一种低调光关断损耗的低浪涌电路，其特征在于：所述光耦U2的发光端阴极通过电阻R5接地，所述光耦U2的发射极连接有电阻R3，所述电阻R3分别通过电阻R2以及二极管ZD1接地。
3.根据权利要求2所述的一种低调光关断损耗的低浪涌电路，其特征在于：所述三极管Q1的发射极通过电容C1接地。
4.根据权利要求3所述的一种低调光关断损耗的低浪涌电路，其特征在于：所述三极管Q1的发射极通过电阻R1与所述继电器K1连接。
5.根据权利要求1所述的一种低调光关断损耗的低浪涌电路，其特征在于：所述输入端L相连接有保险丝F1。
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