CN116057777A - 包括弯曲天线的设备、封装和/或衬底 - Google Patents

Abstract

一种衬底，包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到衬底的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于衬底的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从衬底的表面偏移。衬底包括被耦合到衬底的表面的第一天线电介质层、被耦合到第一天线电介质层的天线接地互连件，以及被耦合到天线接地互连件的第二天线电介质层。天线接地互连件被配置成被耦合到地。弯曲天线被耦合到第二天线电介质层。

Description

包括弯曲天线的设备、封装和/或衬底

优先权要求

本专利申请要求2020年08月25日提交的、题目为“DEVICE,PACKAGE AND/ORSUBSTRATE COMPRISING CURVED ANTENNA”的美国申请号17/002,594的优先权，该申请被转让给本申请的受让人并且在此通过引用明确并入本文。

技术领域

各种特征涉及具有天线的设备、封装和/或衬底，但更具体地涉及包括弯曲天线的设备、封装和/或衬底。

背景技术

图1图示了包括衬底102、裸片103和裸片105的封装100。裸片103和裸片105被耦合到衬底102。衬底102包括至少一个电介质层120和多个互连件122。衬底102还包括第一天线150和第二天线160。第一天线150和第二天线160两者被嵌入在衬底102中。第一天线150和第二天线160两者是平面天线。第一天线150和第二天线160可以均由衬底102中的互连件定义。

持续需要提供包括具有改进的发射和接收性能的天线的设备、封装和/或衬底。

发明内容

各种特征涉及具有天线的设备、封装和/或衬底，但更具体地涉及包括弯曲天线的设备、封装和/或衬底。

一个示例提供了一种衬底，衬底包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到衬底的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于衬底的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从衬底的表面偏移。

另一个示例提供了一种天线设备，天线设备包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到天线设备的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于天线设备的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从天线设备的表面偏移。

另一个示例提供了一种封装，封装包括衬底和被耦合到衬底的第一天线设备。第一天线设备包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到天线设备的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于天线设备的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从天线设备的表面偏移。

另一个示例提供了一种方法，方法形成至少一个电介质层。方法在至少一个电介质层中和至少一个电介质层之上形成多个互连件。方法在至少一个电介质层的表面之上形成弯曲天线。弯曲天线相对于至少一个电介质层的表面弯曲。弯曲天线的至少一部分从至少一个电介质层的表面偏移。

附图说明

当结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、性质和优点将变得明显，其中相同的附图标记始终对应地标识。

图1图示了包括衬底的封装的轮廓图，其中天线被嵌入在衬底中。

图2图示了包括具有弯曲天线的衬底的示例性封装的轮廓图。

图3图示了针对平面天线的示例性天线增益的视图。

图4图示了针对弯曲天线的示例性天线增益的视图。

图5图示了包括具有弯曲天线的衬底的示例性封装的轮廓图。

图6图示了包括具有弯曲天线的衬底的示例性封装的轮廓图。

图7图示了包括天线设备的示例性封装的轮廓图，该天线设备包括弯曲天线。

图8图示了包括弯曲天线的示例性天线设备的轮廓图。

图9图示了包括弯曲天线的示例性天线设备的轮廓图。

图10图示了包括弯曲天线的示例性天线设备的轮廓图。

图11图示了几个示例性弯曲天线的平面图。

图12图示了几个示例性弯曲天线的轮廓图。

图13图示了几个示例性弯曲天线的平面图。

图14图示了几个示例性弯曲天线的轮廓图。

图15图示了几个示例性弯曲天线的平面图。

图16图示了几个示例性弯曲天线的轮廓图。

图17图示了几个示例性弯曲天线的平面图。

图18图示了几个示例性弯曲天线的轮廓图。

图19图示了用于制造弯曲天线的示例性序列。

图20图示了用于制造弯曲天线的另一个示例性序列。

图21A-图21B图示了用于制造弯曲天线的示例性序列。

图22A-图22B图示了用于制造弯曲天线的示例性序列。

图23图示了用于制造弯曲天线的方法的示例性流程图。

图24A-图24D图示了用于制造包括弯曲天线的分立天线设备的示例性序列

图25图示了用于制造包括弯曲天线的分立天线设备的方法的示例性流程图。

图26图示了可以集成本文描述的裸片、集成设备、集成无源设备(IPD)、无源组件、封装、衬底和/或设备封装的各种电子设备。

具体实施方式

在下面的描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各个方面的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践这些方面。例如，为了避免在不必要的细节中模糊各方面，可以以框图示出电路。在其他情况下，可以不详细示出众所周知的电路、结构和技术，以免模糊本公开的方面。

本公开描述了一种衬底，衬底包括至少一个电介质层、多个互连件和被耦合到衬底的表面的弯曲天线。弯曲天线相对于衬底的表面弯曲，使得弯曲天线的至少一部分从衬底的表面(例如，平坦表面)偏移(例如，垂直偏移)。弯曲天线被耦合到至少一个电介质层的表面。弯曲天线可以被耦合到多个互连件。弯曲天线可以包括凹形天线。凹形天线相对于衬底的表面可以是凹的。弯曲天线可以包括非线性表面。弯曲天线可以被实现在作为天线设备的一部分的衬底中。弯曲天线可以被实现在作为封装的一部分的衬底中，诸如封装内天线(AiP)。封装可以包括射频前端(RFFE)封装。衬底可以包括一个以上天线。例如，衬底可以包括几个天线，其中至少一个天线是弯曲天线。弯曲天线可以包括圆顶形状。如下面将进一步描述的，弯曲天线在特定方向上提供比类似尺寸的平面天线更好的天线增益，因此提供具有更好的方向性以及在一个或多个特定方向上具有更好的信号传输和/或接收的天线。在一些实施方式中，弯曲天线可靠近弯曲的天线接地互连件，弯曲的天线接地互连件被配置成被耦合到地。弯曲的天线接地互连件可以通过帮助防止来自其他互连件和/或天线的信号干扰通过弯曲天线的信号，来帮助改进弯曲天线的性能。

具有包括弯曲天线的衬底的示例性封装

图2图示了包括衬底202、集成设备203和集成设备205的封装200的轮廓图。集成设备203通过多个焊料互连件230被耦合到衬底202。集成设备205通过多个焊料互连件250被耦合到衬底202。衬底202包括至少一个电介质层220、多个互连件222和弯曲天线206。弯曲天线206可以被配置成被电耦合到集成设备203和/或集成设备205。例如，弯曲天线206可以被配置成通过多个互连件222和多个焊料互连件230被电耦合到集成设备203，并且弯曲天线206可以被配置成通过多个互连件222和多个焊料互连件250被电耦合到集成设备205。

弯曲天线206可以位于衬底202的表面(例如，第一表面、顶表面)之上。例如，弯曲天线206可以位于至少一个电介质层220的表面之上。弯曲天线206可以被耦合到多个互连件222。衬底202可以包括天线电介质层260。天线电介质层260可以形成和定位在至少一个电介质层220的表面之上。天线电介质层260可以位于弯曲天线206和衬底202的表面之间。例如，天线电介质层260可以位于弯曲天线206和衬底202的至少一个电介质层220之间。天线电介质层260可以包括与至少一个电介质层220相同的材料。天线电介质层260包括非线性的轮廓形状。例如，天线电介质层260包括弯曲轮廓形状。弯曲天线206可以被耦合到天线电介质层260的弯曲轮廓形状和/或形成在天线电介质层260的弯曲轮廓形状之上。弯曲天线206的形状可以由天线电介质层260的弯曲轮廓形状的形状来定义。弯曲天线206相对于衬底202的表面弯曲，使得弯曲天线206的至少一部分从衬底202的表面(例如，衬底202的电介质层220的表面，衬底202的平坦表面)偏移(例如，垂直偏移)。弯曲天线206包括非线性形状和/或非线性表面。如图2中所示，弯曲天线206包括凹形。凹形可以包括圆顶形状。然而，弯曲天线206的形状和/或曲率可以随着不同实施方式而变化。尽管示出了一个弯曲天线，但是衬底202可以包括几个天线，其中天线中的至少一个天线是弯曲天线。例如，衬底202可以包括弯曲天线和/或平面天线的几种组合。在一些实施方式中，所有天线可以是弯曲天线(例如，具有相同曲线或不同曲线的弯曲天线)。

弯曲天线206可以是用于信号传输和/或接收的部件。即，弯曲天线206可以被配置成针对至少一个频率发射至少一个信号和/或针对至少一个频率接收至少一个信号。如下面将进一步描述的，与具有类似尺寸和/或形状的平面天线相比，弯曲天线提供更好的方向性和更好的天线增益。

封装200可以是封装内天线(AiP)。封装200可以是射频(RF)封装。封装200(或本公开中描述的封装中的任何封装)可以是射频前端(RFFE)封装的一部分。封装200可以被配置成提供无线保真(WiFi)通信和/或蜂窝通信(例如，2G、3G、4G、5G)。封装200可以被配置成支持全球移动通信系统(GSM)、通用移动电信系统(UMTS)和/或长期演进(LTE)。封装200可以被配置成发射和接收具有不同频率和/或通信协议的信号。

集成设备(例如，203、205)可以包括裸片(例如，裸露裸片)。集成设备可以包括射频(RF)设备、模拟设备、无源设备、滤波器、电容器、电感器、天线、发射器、接收器、表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、发光二极管(LED)集成设备、硅(Si)基集成设备、碳化硅(SiC)基集成设备、GaAs基集成设备、GaN基集成设备、存储器、功率管理处理器和/或其组合。

图3和图4图示了针对两个类似尺寸的天线的天线增益，其中一个天线是平面天线，而另一个天线是弯曲天线。图3图示了具有大约5毫米(mm)的宽度的平面天线306。平面天线306不从表面(例如，衬底的表面)偏移(例如，不垂直偏移)。图3图示出，平面天线306在特定方向上的最大天线增益是大约4.5dBi。天线增益可以指示与各向同性天线相比，天线在特定方向上发射的功率。各向同性天线是在所有方向上均等辐射的理论天线。更高的天线增益(dBi)意味着天线在特定方向上的方向性更好。

图4图示了具有大约4毫米(mm)的宽度的弯曲天线406。然而，弯曲天线406的总表面宽度可以是大约5mm。弯曲天线406的至少一部分从表面(例如，衬底的表面)偏移(例如，垂直偏移)。在该示例中，弯曲天线406的一些部分可以从表面偏移(例如，垂直偏移)多达0.1mm。图4图示出，弯曲天线406在特定方向上的最大天线增益是大约5.2dBi。因此，弯曲天线406在某些方向上比平面天线306更好地接收和/或发射信号，并且提供更好的方向性，即使弯曲天线406和平面天线306具有类似的占地面积形状和表面积。尽管弯曲天线406可能由于从表面的偏移而实际上更厚，但是垂直方向上的尺寸的增加被横向方向上的尺寸的减小所抵消。在该示例中，实现了更好的天线增益(并且因此实现了更好的方向性)，并且天线的有效占地面积减小1mm，而厚度增加了仅0.1mm。弯曲天线406可以表示本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。例如，弯曲天线406可以表示弯曲天线206。

不同的实施方式可以具有不同的天线配置、设计、形状和/或尺寸。图5图示了包括具有不同天线配置的衬底的封装的另一个示例。图5图示了包括衬底502、集成设备203和集成设备205的封装500的轮廓图。封装500类似于图2的封装200。衬底502类似于衬底202，并且因此包括与衬底202相似或相同的组件。

衬底502包括至少一个电介质层220、多个互连件222、第一天线电介质层570、天线接地互连件508、第二天线电介质层560和弯曲天线506。第一天线电介质层570被耦合到衬底502的表面和/或形成在衬底502的表面之上。例如，第一天线电介质层570被耦合到衬底502的至少一个电介质层220的表面和/或形成在衬底502的至少一个电介质层220的表面之上。第一天线电介质层570包括弯曲轮廓形状(例如，非线性轮廓形状)。天线接地互连件508被耦合到第一天线电介质层570的弯曲轮廓形状和/或形成在第一天线电介质层570的弯曲轮廓形状之上。天线接地互连件508具有可以由第一天线电介质层570的弯曲轮廓形状定义的弯曲形状。天线接地互连件508可以被配置成被耦合到地。天线接地互连件508可以被耦合到来自多个互连件222的一个或多个互连件。第二天线电介质层560被耦合到天线接地互连件508和/或形成在天线接地互连件508之上。第二天线电介质层560可以包括弯曲轮廓形状。弯曲天线506被耦合到第二天线电介质层560的弯曲轮廓和/或形成在第二天线电介质层560的弯曲轮廓之上。弯曲天线506的形状可以由第二天线电介质层560的弯曲轮廓的形状来定义。天线接地互连件508和弯曲天线506可以位于衬底502的表面之上(例如，位于至少一个电介质层220的表面之上)。天线接地互连件508和/或弯曲天线506可以被耦合到来自多个互连件222的相应互连件。天线接地互连件508的使用有助于将弯曲天线506与其他信号隔离和/或屏蔽，这又有助于弯曲天线506更好地发射和/或接收信号。

尽管示出了一个弯曲天线，但是衬底502可以包括几个天线，其中天线中的至少一个天线是弯曲天线。衬底502可以包括图2和图5的天线设计的组合。因此，衬底可以包括来自图2和图5的各种天线设计的几种组合。

图6图示了包括具有不同天线配置的衬底的封装的另一个示例。图6图示了包括衬底602、集成设备203和集成设备205的封装600的轮廓图。封装600类似于图5的封装500。衬底602类似于衬底502，并且因此包括与衬底502相似或相同的组件。

衬底602包括至少一个电介质层220、多个互连件222、空隙670、天线接地互连件608、天线电介质层660和弯曲天线506。

天线接地互连件608被耦合到衬底602的表面和/或形成在衬底602的表面之上。空隙670位于天线接地互连件608和衬底602的表面(例如，至少一个电介质层220的表面)之间。空隙可以是没有固体材料的至少一个区域。空隙可以包括腔。空隙可以由气体(例如，空气)占据。空隙670的尺寸和/或形状可以变化。例如，空隙670可以占据电介质层220和天线接地互连件608之间的空间中的部分空间或全部空间。天线接地互连件608具有弯曲形状和/或弯曲轮廓表面。天线接地互连件608包括至少一个开口609。天线接地互连件608可以被配置成被耦合到地。天线接地互连件608可以被耦合到来自多个互连件222的互连件。天线电介质层660被耦合到天线接地互连件608和/或形成在天线接地互连件608之上。第二天线电介质层660可以包括弯曲轮廓形状。弯曲天线506被耦合到天线电介质层660的弯曲轮廓和/或形成在天线电介质层660的弯曲轮廓之上。弯曲天线506的形状可以由天线电介质层660的弯曲轮廓的形状来定义。天线接地互连件608和弯曲天线506可以位于衬底602的表面之上(例如，位于至少一个电介质层220的表面之上)。天线接地互连件608和/或弯曲天线506可以被耦合到来自多个互连件222的相应互连件。天线接地互连件608的使用有助于将弯曲天线506与其他信号隔离和/或屏蔽，这又有助于弯曲天线506更好地发射和/或接收信号。空隙670可以由提供非常好的电介质性质(例如，低电介质常数)的气体(例如，空气)占据，这有助于最小化信号耦合和电介质损耗(例如，最小化功率损耗)。空隙670还可以帮助密封空隙670下方的任何微机电系统(MEMS)设备，诸如使用弯曲天线的SAW滤波器和/或BAW滤波器、加速度计、陀螺仪(用于无线感测)。

尽管示出了一个弯曲天线，但是衬底602可以包括几个天线，其中天线中的至少一个天线是弯曲天线。衬底602可以包括图2和图5-图6的天线设计的组合。因此，衬底可以包括来自图2和图5-图6的各种天线设计的几种组合。在一些实施方式中，当衬底(例如，202、502、602)包括几个天线时，天线中的所有天线可以是弯曲天线(例如，具有不同、相似或相同的设计、尺寸和/或形状)。

可以以各种方式实现弯曲天线设计。在一些实施方式中，弯曲天线可以被实现为天线设备的一部分。图7图示了包括多个分立天线设备的封装700的轮廓图，其中分立天线设备中的至少一些分立天线设备包括弯曲天线。封装700可以是封装内天线(AiP)。封装700可以是射频(RF)封装。封装700可以是射频前端(RFFE)封装的一部分。封装700可以被配置成提供无线保真(WiFi)通信和/或蜂窝通信(例如，2G、3G、4G、5G)。封装200可以被配置成支持全球移动通信系统(GSM)、通用移动电信系统(UMTS)和/或长期演进(LTE)。封装700可以被配置成发射和接收具有不同频率和/或通信协议的信号。

封装700包括衬底702、集成设备203、集成设备205、无源设备704、第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770和第四天线设备780。衬底702包括至少一个电介质层720和多个互连件722。衬底702包括第一表面(例如，顶表面)和第二表面(例如，底表面)。集成设备203通过多个焊料互连件230被耦合到衬底702的第二表面。集成设备205通过多个焊料互连件250被耦合到衬底702的第二表面。集成设备203和第二集成设备205可以包括裸片(例如，处理器裸片、存储器裸片)。无源设备704通过多个焊料互连件740被耦合到衬底702的第二表面。无源设备可以包括电容器或电感器。例如，无源设备704是电容器。连接器714被耦合到衬底702的第二表面。

封装700可以包括密封层710。密封层710可以形成在衬底702的第二表面之上。密封层710可以将集成设备203、第二集成设备205和无源设备704密封。密封层710可以包括模具、树脂和/或环氧树脂。密封层710可以是用于密封的部件。

封装700可以包括连接器714。连接器714可以被配置成允许封装700被电耦合到一个或多个其他设备。不同的实施方式可以使用不同类型的连接来将封装700电耦合到其他设备。例如，封装700可以通过接线和/或柔性互连件被耦合到其他设备。可以通过连接器714为封装700提供功率。

图7图示出第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770和第四天线设备780被耦合到衬底702的第一表面。第一天线设备750通过多个第一焊料互连件752被耦合到衬底702的第一表面。第二天线设备760通过多个第二焊料互连件762被耦合到衬底702的第一表面。第三天线设备770通过多个第三焊料互连件772被耦合到衬底702的第一表面。第四天线设备780通过多个第四焊料互连件782被耦合到衬底702的第一表面。第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770和第四天线设备780可以均是分立天线设备。天线设备(例如，750、760、770、780)中的每个天线设备可以包括至少一个天线，诸如弯曲天线和/或平面天线。例如，第一天线设备750包括弯曲天线705，第二天线设备760包括弯曲天线706，第三天线设备770包括弯曲天线707，并且第四天线设备780包括平面天线708。

第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770、第四天线设备780和/或其组合可以被配置成提供无线保真(WiFi)通信和/或蜂窝通信(例如，2G、3G、4G、5G)。第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770、第四天线设备780和/或其组合可以被配置成支持全球移动通信系统(GSM)、通用移动电信系统(UMTS)和/或长期演进(LTE)。在一些实施方式中，天线设备(例如，750、760、770、780)中的一个或多个天线设备可以被配置为接近传感器。当特定天线设备被配置成作为接近传感器操作时，该特定天线设备可以能够检测一个或多个对象(例如，手、手指)在特定天线设备附近的放置和/或移动。

第一天线设备750、第二天线设备760、第三天线设备770、第四天线设备780和/或其组合可以被配置成发射和接收具有不同频率和/或通信协议的信号。第一天线设备750可以是用于第一信号传输和/或接收的部件。第二天线设备760可以是用于第二信号传输和/或接收的部件。第三天线设备770可以是用于第三信号传输和/或接收的部件。第四天线设备780可以是用于第四信号传输和/或接收的部件。第一信号、第二信号、第三信号和/或第四信号可以具有相同或不同的性质。例如，信号可以具有相同或不同的频率和/或通信协议。信号可以是模拟信号或数字信号。

使用分立天线设备的一个优点是能够设计和配置封装以满足蜂窝网络运营商的特定操作要求，而不必重新设计整个衬底。因此，各种分立的天线设备可以被混合和匹配在一起，以与不同的蜂窝网络操作件一起工作。天线设备(例如，750、760、770、780)可以与衬底702分立，因为天线设备在与衬底702的制造分开的过程期间被制造。分立天线设备的另一个优点是它们不受衬底702的大小、尺寸和制造限制的限制。例如，如下面将进一步描述的，天线设备可以部分地悬垂在衬底702之上。

不同的实施方式可以使用相同或不同类型的天线设备。天线设备可以具有相同的尺寸、形状和/或配置，或者它们可以具有不同的尺寸、形状和/或配置。

包括弯曲天线的示例性分立天线设备

图8图示了天线设备800。天线设备800可以表示本公开中描述的天线设备(例如，750、760、770、780)中的任何天线设备。天线设备800可以被耦合到封装的衬底。天线设备800可以是在与用于制造衬底(例如，封装衬底)的过程分开的制造过程期间被制造的分立天线设备。

天线设备800包括第一电介质层802、第二电介质层810、第三电介质层812、阻焊层822、多个互连件830、天线电介质层260和弯曲天线206。第一电介质层802可以是芯层。第二电介质层810形成在第一电介质层802的第一表面之上。第三电介质层812形成在第一电介质层802的第二表面之上。多个互连件830可以位于和形成在第一电介质层802、第二电介质层810和/或第三电介质层812中和第一电介质层802、第二电介质层810和/或第三电介质层812之上。多个互连件830可以包括过孔、垫和/或迹线。天线电介质层260位于天线设备800的表面(例如，第二电介质层810的表面)之上。弯曲天线206被耦合到天线电介质层260并且形成在天线电介质层260之上。弯曲天线206和天线电介质层260可以以与如图2中描述的在衬底之上形成弯曲天线206类似的方式，形成在天线设备800的电介质层之上。天线设备800可以包括一个或多个天线(例如，弯曲天线)。阻焊层822形成在第三电介质层812之上。天线设备800可以包括多个焊料互连件840。多个焊料互连件840被耦合到多个互连件830。天线设备800的电介质层(例如，802、810、812)可以由与衬底202的电介质层220相同、相似或不同的材料制成。电介质层的示例包括有机电介质材料和/或陶瓷。在一些实施方式中，电介质层中的一些电介质层可以被认为是相同电介质层的一部分。

图9图示了包括弯曲天线的天线设备900。设备900包括与天线设备800相同或相似的组件。天线设备900包括第一电介质层802、第二电介质层810、第三电介质层812、阻焊层822、多个互连件830、第一天线电介质层570、天线接地互连件508、第二天线电介质层560和弯曲天线506。第一天线电介质层570、天线接地互连件508、第二天线电介质层560和弯曲天线506可以以与如图5中描述的在衬底之上形成弯曲天线506类似的方式，形成在天线设备900的电介质层之上。天线设备900可以包括一个或多个天线(例如，弯曲天线)。

图10图示了包括弯曲天线的天线设备1000。设备1000包括与天线设备900相同或相似的组件。天线设备1000包括第一电介质层802、第二电介质层810、第三电介质层812、阻焊层822、多个互连件830、空隙670、天线接地互连件608、至少一个开口609、天线电介质层660和弯曲天线506。空隙670、天线接地互连件608、至少一个开口609、天线电介质层660和弯曲天线506可以以与如图6中描述的在衬底之上形成弯曲天线506类似的方式，形成在天线设备1000的电介质层之上。天线设备1000可以包括一个或多个天线(例如，弯曲天线)。

天线设备(例如，800、900、1000)可以被配置成提供无线保真(WiFi)通信和/或蜂窝通信(例如，2G、3G、4G、5G)。第一天线设备350、第二天线设备360、第三天线设备370、第四天线设备380和/或其组合可以被配置成支持全球移动通信系统(GSM)、通用移动电信系统(UMTS))和/或长期演进(LTE)。

图2、图5、图6、图8、图9和图10图示了衬底的表面可以是什么的示例。然而，不同的实施方式可以不同地定义衬底的表面(例如，平坦表面)。在一些实施方式中，衬底的表面可以包括电介质层的表面、电介质层之上的互连件的表面和/或互连件和电介质层之上的阻焊层的表面。

弯曲天线的示例性布置

弯曲天线可以被不同地布置在衬底和/或天线设备之上。图11-图18图示了用于衬底和/或天线设备的弯曲天线的可能布置和/或配置的示例。

图11图示了被耦合到电介质层1102(例如，衬底的电介质层、天线设备的电介质层)并且形成在电介质层1102之上的弯曲天线1106和弯曲天线1116的平面图(例如，俯视图)。图12图示了弯曲天线1106和弯曲天线1116的轮廓图。弯曲天线1106包括在电介质层1102之上的矩形占地面积。弯曲天线1116包括在电介质层1102之上的椭圆形占地面积。弯曲天线1106和/或弯曲天线1116可以包括圆顶形状(例如，矩形圆顶形状、椭圆圆顶形状)。

图13图示了被耦合到电介质层1102(例如，衬底的电介质层、天线设备的电介质层)并且形成在电介质层1102之上的弯曲天线1306和弯曲天线1316的平面图(例如，俯视图)。图14图示了弯曲天线1306和弯曲天线1316的轮廓图。弯曲天线1306包括在电介质层1102之上的圆形占地面积。弯曲天线1316包括在电介质层1102之上的方形占地面积。弯曲天线1306和/或弯曲天线1316可以包括圆顶形状(例如，半圆圆顶形状)。图13和图14还图示了弯曲天线1326和弯曲天线1336。弯曲天线1326和弯曲天线1336可以是相同天线的一部分或者可以是单独的天线。弯曲天线1316和弯曲天线1336可以共同具有混合圆顶形状。

图15图示了被耦合到电介质层1102(例如，衬底的电介质层、天线设备的电介质层)并且形成在电介质层1102之上的弯曲天线1506和弯曲天线1516的平面图(例如，俯视图)。图16图示了弯曲天线1506和弯曲天线1516的轮廓图。弯曲天线1506和弯曲天线1516可以是相同天线的一部分或者可以是单独的天线。弯曲天线1506和弯曲天线1516可以共同具有混合圆顶形状。

图17图示了被耦合到电介质层1102(例如，衬底的电介质层、天线设备的电介质层)并且形成在电介质层1102之上的弯曲天线1706和天线1716的平面图(例如，俯视图)。图18图示了弯曲天线1706和天线1716的轮廓图。弯曲天线1106包括在电介质层1102之上的椭圆形占地面积。天线1716包括在电介质层1102之上的矩形占地面积。弯曲天线1706可以包括圆顶形状。天线1716可以包括与电介质层1102没有任何垂直偏移的平面天线。

图11-图18中所示的天线的布置是示例性的。不同的实施方式可以包括具有不同组合和/或不同数目的天线(例如，不同数目的弯曲天线)的不同布置。布置的示例包括天线(例如，弯曲天线、平面天线)的1x4阵列。1x4阵列可以被配置成实现5G毫米(mm)波应用。1x4阵列可以被实现在5G毫米波射频前端(RFFE)封装中。

用于制造弯曲天线的示例性序列

图19图示了用于提供或制造弯曲天线的示例性序列。在一些实施方式中，图19的序列可以用于提供或制造图2和/或图8的弯曲天线206，或本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。

应当注意，图19的序列可以组合一个或多个阶段，以简化和/或阐明用于提供或制造弯曲天线的序列。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，过程中的一个或多个过程可以被代替或替换。

如图19中所示，阶段1图示了在提供电介质层220之后的状态。电介质层220可以是衬底或天线设备的电介质层。电介质层220可以包括预浸料或聚酰亚胺。然而，电介质层220可以包括其他材料。

阶段2图示了在电介质层220的表面之上形成天线电介质层260之后的状态。可以使用沉积过程来形成天线电介质层260。天线电介质层260可以包括聚合物(例如，富含溶剂的聚合物层)。

阶段3图示了在天线电介质层260被加热以形成包括弯曲轮廓形状(例如，圆顶形状、非线性轮廓形状)的天线电介质层260之后的状态。

阶段4图示了在弯曲天线206形成在天线电介质层260的弯曲轮廓之上并且被耦合到天线电介质层260的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲天线206。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成弯曲天线206，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成弯曲天线206。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成弯曲天线206的金属。弯曲天线206采用天线电介质层260的弯曲轮廓的形状。弯曲天线206可以被形成为使得弯曲天线206被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。弯曲天线206可以位于电介质层220的表面之上。

用于制造弯曲天线的示例性序列

不同的实施方式可以不同地制造弯曲天线。图20图示了用于提供或制造弯曲天线的另一个示例性序列。在一些实施方式中，图20的序列可以用于提供或制造图2和/或图8的弯曲天线206，或本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。

应当注意，图20的序列可以组合一个或多个阶段，以简化和/或阐明用于提供或制造弯曲天线的序列。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，过程中的一个或多个过程可以被代替或替换。

如图20中所示，阶段1图示了在提供电介质层220之后的状态。电介质层220可以是衬底或天线设备的电介质层。电介质层220可以包括预浸料或聚酰亚胺。然而，电介质层220可以是其他材料。

阶段2图示了在电介质层220的表面之上形成天线电介质层260之后的状态。可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层260。天线电介质层260在直接图案化之后可以被固化。天线电介质层260的直接图案化和固化可以形成天线电介质层260的弯曲轮廓形状(例如，圆顶形状、非线性轮廓形状)。

阶段3图示了在弯曲天线206形成在天线电介质层260的弯曲轮廓之上并且被耦合到天线电介质层260的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲天线206。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成弯曲天线206，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成弯曲天线206。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成弯曲天线206的金属。弯曲天线206采用天线电介质层260的弯曲轮廓的形状。弯曲天线206可以被形成为使得弯曲天线206被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。弯曲天线206可以位于电介质层220的表面之上。

用于制造弯曲天线的示例性序列

图21A-图21B图示了用于提供或制造弯曲天线的另一个示例性序列。在一些实施方式中，图21A-图21B的序列可以用于提供或制造图5和/或图9的弯曲天线506，或本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。

应当注意，图21A-图21B的序列可以组合一个或多个阶段，以简化和/或阐明用于提供或制造弯曲天线的序列。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，过程中的一个或多个过程可以被代替或替换。

如图21A中所示，阶段1图示了在提供电介质层220之后的状态。电介质层220可以是衬底或天线设备的电介质层。电介质层220可以包括预浸料或聚酰亚胺。然而，电介质层220可以是其他材料。

阶段2图示了在电介质层220的表面之上形成第一天线电介质层570之后的状态。可以不同地形成第一天线电介质层570。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

阶段3图示了在天线接地互连件508形成在第一天线电介质层570的弯曲轮廓之上并且被耦合到第一天线电介质层570的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲的天线接地互连件508。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成天线接地互连件508，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成天线接地互连件508。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成天线接地互连件508的金属。天线接地互连件508采用天线电介质层570的弯曲轮廓的形状。天线接地互连件508可以被形成为使得天线接地互连件508被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。天线接地互连件508可以位于电介质层220的表面之上。天线接地互连件508可以被配置成被耦合到地。

如图21B中所示，阶段4图示了在天线接地互连件508的表面之上形成第二天线电介质层560之后的状态。可以不同地形成第二天线电介质层560。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

阶段5图示了在弯曲天线506形成在第二天线电介质层560的弯曲轮廓之上并且耦合到第二天线电介质层560的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲天线506。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成弯曲天线506，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成弯曲天线506。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成弯曲天线506的金属。弯曲天线506采用天线电介质层560的弯曲轮廓的形状。弯曲天线506可以被形成为使得弯曲天线506被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。弯曲天线506可以位于电介质层220之上。

用于制造弯曲天线的示例性序列

图22A-图22B图示了用于提供或制造弯曲天线的另一个示例性序列。在一些实施方式中，图22A-图22B的序列可以用于提供或制造图6和/或图10的弯曲天线606，或本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。

应当注意，图22A-图22B的序列可以组合一个或多个阶段，以简化和/或阐明用于提供或制造弯曲天线的序列。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，过程中的一个或多个过程可以被代替或替换。

如图22A中所示，阶段1图示了在提供电介质层220之后的状态。电介质层220可以是衬底或天线设备的电介质层。电介质层220可以包括预浸料或聚酰亚胺。然而，电介质层220可以是其他材料。

阶段2图示了在电介质层220的表面之上形成第一天线电介质层570之后的状态。可以不同地形成第一天线电介质层570。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

阶段3图示了在天线接地互连件608形成在第一天线电介质层570的弯曲轮廓之上并且被耦合到第一天线电介质层570的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲的天线接地互连件608。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成天线接地互连件608，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成天线接地互连件608。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成天线接地互连件608的金属。天线接地互连件608采用天线电介质层570的弯曲轮廓的形状。天线接地互连件608可以被形成为使得天线接地互连件608被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。天线接地互连件608可以位于电介质层220之上。

阶段4图示了在天线接地互连件608中形成至少一个开口609之后的状态。可以使用激光过程(例如，激光烧蚀)来形成至少一个开口609。至少一个开口609可以穿过天线接地互连件608。

如图22B中所示，阶段5图示了在去除第一天线电介质层570的至少一些部分，在电介质层220和天线接地互连件608之间留下空隙670之后的状态。注意，不是所有的第一天线电介质层570都可以被去除。因此，在电介质层220和天线接地互连件608之间可以存在空隙670和第一天线电介质层570的组合。不同的实施方式可以不同地去除天线电介质层570的至少一部分。例如，天线电介质层570的至少一部分可以被溶解。

阶段6图示了在天线接地互连件608的表面之上形成天线电介质层660之后的状态。可以不同地形成天线电介质层660。开口609的尺寸可以足够小，使得天线电介质层660不穿过至少一个开口609。然而，在一些实施方式中，天线电介质层660的一些部分可以穿过至少一个开口609并且形成在空隙670中。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

阶段7图示了在弯曲天线506形成在天线电介质层660的弯曲轮廓之上并且被耦合到天线电介质层660的弯曲轮廓之后的状态。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲天线506。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成弯曲天线506，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成弯曲天线506。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成弯曲天线506的金属。弯曲天线506采用天线电介质层660的弯曲轮廓的形状。弯曲天线506可以被形成为使得弯曲天线506被耦合到在电介质层220中和/或之上的一个或多个互连件。弯曲天线506可以位于电介质层的表面(例如，衬底的表面、天线设备的表面)之上。

用于制造弯曲天线的方法的示例性流程图

在一些实施方式中，制造弯曲天线包括几个过程。图23图示了用于提供或制造弯曲天线的方法2300的示例性流程图。在一些实施方式中，图23的方法2300可以用于提供或制造本公开中描述的弯曲天线206、506或606。方法可以用于提供或制造用于衬底和/或天线设备的弯曲天线。然而，方法2300可以用于提供或制造本公开中描述的弯曲天线中的任何弯曲天线。

应当注意，图23的方法可以组合一个或多个过程，以简化和/或阐明用于提供或制造弯曲天线的方法。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。

方法(在2305处)形成包括弯曲轮廓形状的天线电介质层(例如，260、570)。不同的实施方式可以不同地形成天线电介质层。天线电介质层可以形成在电介质层(例如，衬底的电介质层、天线设备的电介质层)的表面之上并且被耦合到该电介质层的表面。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

方法(在2310处)形成被配置为天线接地互连件(例如，508、608)或弯曲天线(例如，206)的互连件。天线接地互连件(例如，508、608)或弯曲天线(例如，206)可以形成在天线电介质层(例如，260、570)之上。天线接地互连件可以具有弯曲形状。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲的天线接地互连件(例如，508、608)。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成天线接地互连件，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成天线接地互连件。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成天线接地互连件的金属。可以使用相同的过程或类似的过程来形成弯曲天线。图19的阶段4和图20、图21A和图22B的阶段3图示了形成天线接地互连件或弯曲天线的示例。当方法形成弯曲天线(例如，206)时，方法可以停止形成任何另外的天线电介质层或天线互连件。

方法(在2315处)可以可选地在天线接地互连件(例如，608)中形成至少一个开口(例如，609)。可以使用激光过程(例如，激光烧蚀)来形成至少一个开口609。图22A的阶段4图示了在天线接地互连件中形成至少一个开口的示例。

方法(在2320处)可以可选地去除天线电介质层(例如，570)中的至少一些天线电介质层，以在天线接地互连件与衬底或天线设备的电介质层之间产生空隙(例如，670)。不同的实施方式可以不同地去除天线电介质层。例如，天线电介质层570的至少一部分可以被溶解或去除浮渣。图22B的阶段5图示了去除天线电介质层的至少一些部分的示例。

方法(在2325处)形成包括弯曲轮廓的天线电介质层(例如，560)。不同的实施方式可以不同地形成天线电介质层。天线电介质层可以形成在天线接地互连件(例如，508、608)之上并且被耦合到天线接地互连件。图19和图20图示和描述了用于形成天线电介质层的不同方法。可以使用沉积过程和加热过程来形成天线电介质层，如图19中描述的，或者可以使用直接图案化过程(例如，喷嘴滴、喷头)来形成天线电介质层，如图20中描述的。

方法(在2330处)形成弯曲天线(例如，506)。弯曲天线(例如506)可以形成在天线电介质层(例如560)之上。可以使用沉积过程、图案化过程和/或镀覆过程来形成弯曲天线(例如，506)。例如，可以使用半增材过程(SAP)来形成弯曲天线，半增材过程(SAP)可以沉积铜、镍和/或金来形成弯曲天线。在另一个示例中，可以使用减材过程来沉积和图案化形成弯曲天线的金属。图21B的阶段5和图22B的阶段7图示了形成弯曲天线的示例。

用于制造包括弯曲天线的天线设备的示例性序列

图24A-图24D图示了用于提供或制造分立天线设备的示例性序列。在一些实施方式中，图24A-图24D的序列可以用于提供或制造图8的天线设备800，或本公开中描述的天线设备中的任何天线设备。

应当注意，图24A-图24D的序列可以组合一个或多个阶段，以简化和/或阐明用于提供或制造天线设备的序列。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。在一些实施方式中，在不脱离本公开的精神的情况下，过程中的一个或多个过程可以被代替或替换。

如图24A中所示，阶段1图示了在提供第一电介质层802之后的状态。第一电介质层802可以是芯层。第一电介质层802可以是硅、玻璃、石英或其组合。

阶段2图示了在第一电介质层802中形成一个或多个腔2401之后的状态。可以使用激光过程或光蚀刻过程来在第一电介质层802中形成腔2401。

阶段3图示了在第一电介质层802中和之上形成多个互连件2402之后的状态。可以使用镀覆过程来形成多个互连件2402。多个互连件2402可以包括迹线、过孔和/或垫。多个互连件2402可以包括一个或多个金属层(例如，种子层+金属层)。

如图24B中所示，阶段4图示了在第一电介质层802的第一表面之上形成第二电介质层810之后，以及在第一电介质层802的第二表面之上形成第三电介质层812之后的状态。可以使用层压过程来形成第二电介质层810和第三电介质层812。第二电介质层810和/或第三电介质层812可以是可光蚀刻电介质层。

阶段5图示了在第三电介质层812中形成一个或多个腔2403之后的状态。可以使用激光过程或光蚀刻过程来在第三电介质层812中形成腔2403。

如图24C中所示，阶段6图示了在第三电介质层812中和之上形成多个互连件2412之后的状态。可以使用镀覆过程来形成多个互连件2412。多个互连件2412可以包括迹线、过孔和/或垫。多个互连件2412可以包括一个或多个金属层(例如，种子层+金属层)。注意，互连件可以形成在第二电介质层810中和/或之上。

阶段7图示了在电介质层810之上形成弯曲天线506之后的状态。除了弯曲天线506之外，空隙670、天线接地互连件、天线电介质层660和至少一个开口609可以形成在电介质层810之上。图22A-图22B图示了形成弯曲天线506、空隙670、天线接地互连件608、天线电介质层660和至少一个开口609的示例。不同的实施方式可以形成弯曲天线的不同配置。例如，图19、图20和/或图21A-图21B中描述的弯曲天线可以形成在电介质层810之上。

如图24D中所示，阶段8图示了在第三电介质层812之上形成阻焊层822之后的状态。可以使用沉积过程来形成阻焊层。

如图24D中所示，阶段9图示了在第二阻焊层822的腔中提供多个焊料互连件840之后的状态。多个焊料互连件840可以通过回流过程被耦合到多个互连件830。多个互连件830可以表示多个互连件2402和2412。阶段8和/或阶段9可以图示图8的天线设备800。

图24A-图24D图示了用于制造天线设备的序列的示例。然而，不同的实施方式可以使用不同的过程和/或序列来形成互连件。在一些实施方式中，可以使用化学气相沉积(CVD)过程和/或物理气相沉积(PVD)过程来形成互连件。可以使用溅射过程、喷涂和/或镀覆过程来形成互连件。

用于制造分立天线设备的方法的示例性流程图

在一些实施方式中，制造分立天线设备包括几个过程。图25图示了用于提供或制造分立天线设备的方法2500的示例性流程图。在一些实施方式中，图25的方法2500可以用于提供或制造本公开中描述的图8的天线设备800。然而，方法2500可以用于提供或制造本公开中描述的天线设备中的任何天线设备。

应当注意，图25的序列可以组合一个或多个过程，以简化和/或阐明用于提供或制造天线设备的方法。在一些实施方式中，过程的顺序可以被改变或修改。

方法(在2505处)形成一个或多个电介质层(例如，402、410、412)。根据正在制造的天线设备的类型，电介质层可以包括芯层和/或陶瓷层。形成电介质层可以包括沉积过程、层压过程和/或包括提供一个或多个电介质膜。

方法(在2510处)在电介质层(例如，802、810、812)中和之上形成多个互连件(例如，1202、1212)。可以使用镀覆过程来形成互连件。然而，可以使用其他过程来形成互连件。在一些实施方式中，可以使用化学气相沉积(CVD)过程和/或物理气相沉积(PVD)过程来形成互连件。此外，可以使用溅射过程、粘贴过程和/或喷涂来形成互连件。在一些实施方式中，可以在形成每个电介质层之后形成多个互连件。图24A-图24C的阶段1-6图示和描述了形成电介质层和多个互连件的示例。

方法(在2515处)形成至少一个弯曲天线。不同的实施方式可以形成不同的弯曲天线设计和配置。弯曲天线可以相对于至少一个电介质层的表面弯曲。弯曲天线的至少一部分从至少一个电介质层的表面偏移(例如，垂直偏移)。图19、图20、图21A-图21B和图22A-图22B图示和描述了形成至少一个弯曲天线的不同示例。

方法(在2520处)在电介质层(例如，802、810)之上形成阻焊层(例如，822)。可以使用沉积过程来形成阻焊层。图24D的阶段8图示了形成阻焊层的示例。

方法(在2525处)将多个焊料互连件(例如，840)耦合到多个互连件(例如，830)。可以使用回流过程来将多个焊料互连件耦合到多个互连件。图24D的阶段9图示了耦合到天线设备的互连件的焊料互连件的示例。

在一些实施方式中，数个天线设备形成在晶片和/或载体之上。在这种情况下，晶片或载体被切割(例如，单片化、切)成数个分立天线设备。可以使用机械过程(例如，锯切)和/或激光过程(例如，激光烧蚀)来切割晶片或载体。

示例性电子设备

图26图示了可以与上述设备、集成设备、集成电路(IC)封装、集成电路(IC)设备、半导体设备、集成电路、裸片、中介层、封装、堆叠封装(PoP)、系统级封装(SiP)或片上系统(SoC)中的任一个集成的各种电子设备。例如，移动电话设备2602、膝上型计算机设备2604、固定位置终端设备2606、可穿戴设备2608或机动交通工具2610可以包括如本文描述的设备2600。例如，设备2600可以是本文描述的任何设备和/或集成电路(IC)封装。图26中图示的设备2602、2604、2606和2608以及交通工具2610仅是示例性的。其他电子设备也可以以设备2600为特征，包括但不限于包括以下项的一组设备(例如，电子设备)：移动设备、手持个人通信系统(PCS)单元、诸如个人数字助理之类的便携式数据单元、支持全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如读表装备的固定位置数据单元、通信设备、智能电话、平板计算机、计算机、可穿戴设备(例如手表、眼镜)、物联网(IoT)设备、服务器、路由器、在机动交通工具(例如，自动交通工具)中实现的电子设备，或存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备或其任何组合。

在图2-图20、图21A-图21B、图22A-图22BC、图23、图24A-图24D和/或图25-图26中图示的组件、过程、特征和/或功能中的一个或多个可以被重新布置和/或组合成单个组件、过程、特征或功能，或者被体现在若干组件、过程或功能中。在不背离本公开的情况下，还可以添加附加的元件、组件、过程和/或功能。还应当注意，图2-图20、图21A-图21B、图22A-图22BC、图23、图24A-图24D和/或图25-图26及其在本公开中的对应描述不限于裸片和/或IC。在一些实施方式中，图2-图20、图21A-图21B、图22A-图22BC、图23、图24A-图24D和/或图25-图26及其对应描述可以被用来制造、创建、提供和/或生产设备和/或集成设备。在一些实施方式中，设备可以包括裸片、集成设备、集成无源设备(IPD)、裸片封装、集成电路(IC)设备、设备封装、集成电路(IC)封装、晶片、半导体设备、堆叠封装(PoP)设备、散热设备和/或中介层。

注意，本公开中的附图可以表示各种部件、组件、对象、设备、封装件、集成设备、集成电路和/或晶体管的实际表示和/或概念表示。在一些情况下，这些附图可以不是按比例绘制的。在一些情况下，为了清楚起见，可以未示出所有组件和/或部件。在一些情况下，附图中的各个部件和/或组件的位置、定位、大小和/或形状可以是示例性的。在一些实施方式中，附图中的各种组件和/或部件可以是可选的。

词语“示例性”在本文中用来意指“用作示例、实例或说明”。本文中被描述为“示例性”的任何实现或方面不一定被解释为优于或胜于本公开的其他方面。同样，术语“方面”并不要求本公开的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。术语“耦合”在本文中被用来指代两个对象之间的直接或间接耦合(例如，机械耦合)。例如，如果对象A与对象B物理接触，而对象B与对象C接触，则对象A和C仍可以被视为彼此耦合-即使它们没有直接相互物理接触。术语“电耦合”可以意指两个对象直接或间接耦合在一起，以使电流(例如，信号、电源、地)可以在两个对象之间传播。电耦合的两个对象可能具有或可能不具有在两个对象之间传播的电流。电磁耦合可以意指来自一个电路和/或组件的信号会影响另一个电路和/或组件的信号。电磁耦合可能引起串扰。电磁耦合可以是信号耦合的一种形式。术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”(和/或大于第四的任何内容)的使用是任意的。所描述的任何组件可以是第一组件、第二组件、第三组件或第四组件。例如，被称为第二组件的组件可以是第一组件、第二组件、第三组件或第四组件。术语“顶部”和“底部”是任意的。位于顶部的组件可以位于位于底部的组件之上。顶部组件可以被认为是底部组件，反之亦然。术语“密封”意指对象可以部分密封或完全密封另一个对象。进一步注意，如在本申请中在一个组件位于另一个组件之上的上下文中使用的术语“之上”可以被用来意指在另一个组件上和/或在另一个组件中(例如，在组件的表面上或被嵌入在组件中)的组件。因此，例如，在第二组件之上的第一组件可以意指(1)第一组件在第二组件之上，但是不直接接触第二组件，(2)第一组件在第二组件上(例如，在第二组件的表面上)，和/或(3)第一组件在(例如，嵌入在)第二组件中。本公开中使用的术语“大约‘X值’”或“近似X值”意指‘X值’的10％以内。例如，大约1或近似1的值将意指在0.9-1.1范围内的值。

在一些实施方式中，互连件是允许或促进两个点、元件和/或组件之间的电连接的设备或封装的元件或组件。在一些实施方式中，互连件可以包括迹线、过孔、垫、柱、再分布金属层和/或凸块下金属化(UBM)层/互连件。在一些实施方式中，互连件是导电材料，该导电材料可以被配置成为信号(例如，数据信号)、地和/或功率提供电路径。互连件可以是电路的一部分。互连件可以包括一个以上元件或组件。互连件可以由一个或多个互连件定义。不同的实施方式可以使用不同的过程和/或序列来形成互连件。在一些实施方式中，可以使用化学气相沉积(CVD)过程、物理气相沉积(PVD)过程、溅射过程、喷涂和/或镀覆过程来形成互连件。

此外，应当注意，本文中包含的各种公开可以被描述为过程，该过程被描绘为流程图、流程图表、结构图或框图。尽管流程图可以将操作描述为顺序过程，但是许多操作可以并行或同时执行。此外，可以重新布置操作的顺序。一个过程在其操作完成时终止。

在不背离本公开的情况下，本文描述的本公开的各种特征可以被实现在不同的系统中。应当注意，本公开的上述方面仅仅是示例并且不应当被解释为限制本公开。本公开的各方面的描述旨在是说明性的，而不是限制权利要求的范围。因此，本教导可以容易地被应用于其他类型的装置，并且许多备选、修改和变型对于本领域技术人员来说将是明显的。

Claims (42)

1.一种衬底，包括：

至少一个电介质层；

多个互连件；以及

弯曲天线，被耦合到所述衬底的表面，

其中所述弯曲天线相对于所述衬底的所述表面弯曲，并且

其中所述弯曲天线的至少一部分从所述衬底的所述表面偏移。

2.根据权利要求1所述的衬底，

其中所述弯曲天线被耦合到所述至少一个电介质层的表面，并且

其中所述弯曲天线被耦合到所述多个互连件。

3.根据权利要求1所述的衬底，

其中所述弯曲天线包括凹形天线，并且

其中所述凹形天线相对于所述衬底的所述表面是凹的。

4.根据权利要求1所述的衬底，还包括位于所述弯曲天线和所述至少一个电介质层之间的天线电介质层，

其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层的轮廓，并且

其中所述弯曲天线的形状由所述天线电介质层的所述轮廓的形状定义。

5.根据权利要求1所述的衬底，还包括：

第一天线电介质层，被耦合到所述衬底的所述表面；

天线接地互连件，被耦合到所述第一天线电介质层，所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；以及

第二天线电介质层，被耦合到所述天线接地互连件，

其中所述弯曲天线被耦合到所述第二天线电介质层。

6.根据权利要求5所述的衬底，其中所述天线接地互连件包括弯曲的天线接地互连件。

7.根据权利要求1所述的衬底，还包括：

天线接地互连件，被耦合到所述衬底的所述表面，其中所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；

空隙，位于所述天线接地互连件和所述衬底的所述表面之间；以及

天线电介质层，被耦合到所述天线接地互连件，其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层。

8.根据权利要求7所述的衬底，其中所述天线接地互连件包括至少一个开口。

9.根据权利要求7所述的衬底，其中所述天线接地互连件包括弯曲的天线接地互连件，所述弯曲的天线接地互连件相对于所述衬底的所述表面至少部分地偏移。

10.根据权利要求1所述的衬底，其中所述弯曲天线包括圆顶形状。

11.根据权利要求1所述的衬底，还包括被耦合到所述衬底的所述表面的第二天线。

12.根据权利要求11所述的衬底，其中所述第二天线包括与所述弯曲天线不同的形状。

13.根据权利要求11所述的衬底，其中所述第二天线包括第二弯曲天线。

14.根据权利要求11所述的衬底，其中所述弯曲天线和所述第二天线包括混合圆顶形状。

15.根据权利要求1所述的衬底，还包括：

第二天线，被耦合到所述衬底的所述表面；

第三天线，被耦合到所述衬底的所述表面；以及

第四天线，被耦合到所述衬底的所述表面，

其中所述弯曲天线、所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线被布置成1×4阵列。

16.根据权利要求15所述的衬底，其中所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线中的至少一个包括弯曲天线。

17.根据权利要求15所述的衬底，其中所述弯曲天线、所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线中的至少一个被配置成用于接收和/或发射5G毫米波信号。

18.根据权利要求15所述的衬底，其中所述衬底被实现在射频前端(RFFE)封装中。

19.根据权利要求15所述的衬底，其中所述弯曲天线、所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线位于所述衬底的第一表面之上。

20.根据权利要求1所述的衬底，其中所述衬底被合并到选自由以下项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动交通工具中的设备。

21.一种天线设备，包括：

至少一个电介质层；

多个互连件；以及

弯曲天线，被耦合到所述天线设备的表面，

其中所述弯曲天线相对于所述天线设备的所述表面弯曲，并且

其中所述弯曲天线的至少一部分从所述天线设备的所述表面偏移。

22.根据权利要求21所述的天线设备，

其中所述弯曲天线被耦合到所述至少一个电介质层的表面，并且

其中所述弯曲天线被耦合到所述多个互连件。

23.根据权利要求21所述的天线设备，

其中所述弯曲天线包括凹形天线，并且

其中所述凹形天线相对于所述天线设备的所述表面是凹的。

24.根据权利要求21所述的天线设备，还包括位于所述弯曲天线和所述至少一个电介质层之间的天线电介质层，

其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层的轮廓，并且

其中所述弯曲天线的形状由所述天线电介质层的所述轮廓的形状定义。

25.根据权利要求21所述的天线设备，还包括：

第一天线电介质层，被耦合到所述天线设备的所述表面；

天线接地互连件，被耦合到所述第一天线电介质层，其中所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；以及

第二天线电介质层，被耦合到所述天线接地互连件，其中所述弯曲天线被耦合到所述第二天线电介质层。

26.根据权利要求25所述的天线设备，其中所述天线接地互连件包括弯曲的天线接地互连件。

27.根据权利要求21所述的天线设备，还包括：

天线接地互连件，被耦合到所述天线设备的所述表面，其中所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；

空隙，位于所述天线接地互连件和所述天线设备的所述表面之间；以及

天线电介质层，被耦合到所述天线接地互连件，其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层。

28.根据权利要求27所述的天线设备，其中所述天线接地互连件包括至少一个开口。

29.根据权利要求27所述的天线设备，其中所述天线接地互连件包括弯曲的天线接地互连件，所述弯曲的天线接地互连件相对于所述天线设备的所述表面至少部分地偏移。

30.根据权利要求21所述的天线设备，其中所述弯曲天线包括圆顶形状。

31.一种封装，包括：

衬底；以及

第一天线设备，被耦合到所述衬底，其中所述第一天线设备包括：

至少一个电介质层；

多个互连件；以及

弯曲天线，被耦合到所述天线设备的表面，

其中所述弯曲天线相对于所述天线设备的所述表面弯曲，并且

其中所述弯曲天线的至少一部分从所述天线设备的所述表面偏移。

32.根据权利要求31所述的封装，还包括：

第二天线设备，包括被耦合到所述第二天线设备的表面的第二天线；

第三天线设备，包括被耦合到所述第三天线设备的表面的第三天线；以及

第四天线设备，包括被耦合到所述第四天线设备的表面的第四天线，

其中所述第一天线设备、所述第二天线设备、所述第三天线设备和所述第四天线设备被布置成1×4阵列。

33.根据权利要求31所述的封装，其中所述封装包括射频前端(RFFE)封装。

34.根据权利要求31所述的封装，其中所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线中的至少一个包括弯曲天线。

35.根据权利要求31所述的封装，其中所述弯曲天线、所述第二天线、所述第三天线和所述第四天线中的至少一个被配置成用于接收和/或发射5G毫米波信号。

36.一种方法，包括：

形成至少一个电介质层；

在所述至少一个电介质层中和所述至少一个电介质层之上形成多个互连件；以及

在所述至少一个电介质层的表面之上形成弯曲天线，

其中所述弯曲天线相对于所述至少一个电介质层的所述表面弯曲，并且

其中所述弯曲天线的至少一部分从所述至少一个电介质层的所述表面偏移。

37.根据权利要求36所述的方法，还包括：在所述至少一个电介质层之上形成天线电介质层，

其中所述弯曲天线形成在所述天线电介质层之上，

其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层的轮廓，并且

其中所述弯曲天线的形状由所述天线电介质层的所述轮廓的形状定义。

38.根据权利要求36所述的方法，还包括：

在所述至少一个电介质层的所述表面之上形成第一天线电介质层；

在所述第一天线电介质层之上形成天线接地互连件，其中所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；以及

在所述天线接地互连件之上形成第二天线电介质层，其中所述弯曲天线形成在所述第二天线电介质层之上。

39.根据权利要求38所述的方法，其中所述天线接地互连件包括弯曲的天线接地互连件。

40.根据权利要求36所述的方法，还包括：

在所述至少一个电介质层的所述表面之上形成第一天线电介质层；

在所述第一天线电介质层之上形成天线接地互连件，其中所述天线接地互连件被配置成被耦合到地；

通过去除所述第一天线电介质层中的至少一些第一天线电介质层，在所述天线接地互连件和所述至少一个电介质层的所述表面之间产生空隙；以及

在所述天线接地互连件之上形成天线电介质层，其中所述弯曲天线被耦合到所述天线电介质层。

41.根据权利要求36所述的方法，其中所述至少一个电介质层、所述多个互连件和所述弯曲天线是衬底的一部分。

42.根据权利要求36所述的方法，其中所述至少一个电介质层、所述多个互连件和所述弯曲天线是天线设备的一部分。

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