CN115971640A - 掩模制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及掩模制造方法，一实施例的掩模制造方法包括如下步骤：准备包括彼此面对的第一表面和第二表面的预备掩模片；向所述预备掩模片的所述第一表面照射第一激光来形成包括从所述第一表面凹陷的凹陷部及与所述凹陷部相邻且从所述第一表面突出的突出部的掩模支撑部；以及向所述预备掩模片的所述第二表面照射第二激光来形成与所述突出部相邻并贯通所述预备掩模片的开口部，从而可以用于制造能够改善在被沉积面处的沉积区域的精度及可靠度的掩模。

Description

掩模制造方法
技术领域
本发明涉及一种掩模制造方法，更详细而言，涉及一种利用激光加工法 的掩模制造方法。
背景技术
显示面板包括多个像素。各个像素包括诸如晶体管之类的驱动元件及诸 如有机发光元件之类的显示元件。显示元件可以在基板上堆叠电极及多样的 功能层而形成。
构成显示元件的功能层利用具有贯通自身而形成的开放区域的掩模被图 案化而提供。此时，可以根据掩模的开放区域的形状等来控制被图案化的功 能层的形状。据此，为了改善被图案化的功能层的沉积品质，需要针对被加 工成开放区域的精度较高的掩模及这种掩模的制造方法的开发技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于改善形成在对象基板上的功能层的沉积 品质的掩模制造方法。
一实施例提供一种掩模制造方法，所述掩模制造方法包括如下步骤：准 备包括彼此面对的第一表面和第二表面的预备掩模片；向所述预备掩模片的 所述第一表面照射第一激光来形成包括从所述第一表面凹陷的凹陷部及与所 述凹陷部相邻且从所述第一表面突出的突出部的掩模支撑部；以及向所述预 备掩模片的所述第二表面照射第二激光来形成与所述突出部相邻并贯通所述 预备掩模片的开口部。
所述第一激光可以包括沿第一方向依次提供的多个脉冲激光，在形成所 述掩模支撑部的步骤中，所述多个脉冲激光中相邻的所述脉冲激光的至少一 部分可以彼此重叠。
相邻的所述脉冲激光的脉冲重叠率可以为80％以上，所述脉冲重叠率可 以是第一脉冲激光的第一脉冲宽度与第二脉冲激光的第二脉冲宽度的重叠比 率，所述第一脉冲宽度及所述第二脉冲宽度分别可以是在Imax/e2的强度 (intensity)下的所述第一脉冲激光和所述第二脉冲激光的截面处的直径，Imax可以是所述第一脉冲激光和所述第二脉冲激光的最大强度。
相邻的所述脉冲激光的脉冲重叠率可以为80％以上，所述脉冲重叠率可 以由以下式1表示：
[式1]
Figure BDA0003888925750000021
在所述式1中，v是所述第一激光的扫描速度，PS是所述第一激光的在 Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲激光的截面处的直径，f是所述第一激光的 频率。
形成所述掩模支撑部的步骤可以包括如下步骤：第一线照射步骤，沿着 在第一方向上延伸的虚拟的第一线照射所述第一激光；以及第二线照射步骤， 在与所述第一方向不同的第二方向上移动所述预备掩模片之后，沿着在所述 第一方向上延伸的虚拟的第二线追加照射所述第一激光。
所述第二线照射步骤可以反复9次以上。
所述第一激光可以包括沿所述第一方向依次提供的多个脉冲激光，在所 述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在所述第一 方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的第二线脉冲激光的线重叠率 可以为70％以上。所述线重叠率是所述第一线脉冲激光的在所述第二方向上 的脉冲宽度与所述第二线脉冲激光的在所述第二方向上的脉冲宽度的重叠比 率，所述脉冲宽度是在Imax/e2的强度(intensity)下的所述第一线脉冲激光和 所述第二线脉冲激光的截面处的直径。
所述第一激光可以包括沿所述第一方向依次提供的多个脉冲激光，在所 述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在所述第一 方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的第二线脉冲激光的线重叠率 可以为70％以上，所述线重叠率可以由以下式2表示：
[式2]
Figure BDA0003888925750000022
在所述式2中，△X是所述预备掩模片在所述第二方向上的移动距离， PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲宽度。
所述第一激光及所述第二激光中的每一个可以是具有飞秒(10-15)至皮 秒(10-12)的脉冲宽度的脉冲激光。
所述第一激光的波长可以是400nm至600nm。
所述第一激光的频率可以是10kHz至1000kHz。
所述第一激光的光束大小可以是10μm至100μm。
所述第一激光的强度可以是1.25GW/m2以上。
在平面上，所述开口部可以是四边形形状，所述突出部可以沿着所述开 口部的一边平行地形成。
在平面上，所述突出部可以形成为在所述开口部的外廓构成包围所述开 口部的闭合曲线(closed curve)。
一实施例提供一种利用包括支撑单元以及布置于所述支撑单元上部的激 光提供单元的激光加工装置的掩模制造方法，所述支撑单元包括能够在第一 方向及与所述第一方向正交的第二方向中的每一个方向上移动的工作台。在 一实施例中，包括如下步骤：在所述工作台上提供包括彼此面对的第一表面 和第二表面的预备掩模片；使所述工作台在所述第一方向上移动的同时，向 所述预备掩模片的所述第一表面照射第一激光来形成包括从所述第一表面凹 陷的凹陷部及与所述凹陷部相邻且从所述第一表面突出的突出部的掩模支撑 部；以及向所述预备掩模片的所述第二表面照射第二激光来形成与所述突出 部相邻并贯通所述预备掩模片的开口部。
提供所述预备掩模片的步骤可以包括如下步骤：将所述预备掩模片拉伸 并固定于掩模框架；以及以使固定于所述掩模框架的所述预备掩模片的所述 第一表面与所述激光提供单元相邻的方式将所述预备掩模片安置于所述工作 台上。
形成所述掩模支撑部的步骤可以反复如下步骤：与所述预备掩模片的形 成为所述开口部的预备开口区域的一侧面平行地沿着所述第一方向照射所述 第一激光。
所述第一激光包括具有1.25GW/m2以上的强度且沿第一方向依次提供的 多个脉冲激光。形成所述掩模支撑部的步骤可以包括如下步骤：第一线照射 步骤，沿着在所述第一方向上延伸的虚拟的第一线照射所述第一激光；以及 第二线照射步骤，在所述第二方向上移动所述预备掩模片之后，沿着在所述 第一方向上延伸的虚拟的第二线追加照射所述第一激光，其中，所述脉冲激 光中相邻的脉冲激光的脉冲重叠率可以为80％以上。所述脉冲重叠率可以由 以下式1表示：
[式1]
Figure BDA0003888925750000041
在所述式1中，v是所述第一激光的扫描速度，PS是所述第一激光的在 Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲激光的截面处的直径，f是所述第一激光的 频率。
在所述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在 所述第一方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的所述第二线脉冲激 光的线重叠率可以为70％以上，所述线重叠率可以由以下式2表示：
[式2]
Figure BDA0003888925750000042
在所述式2中，△X是所述预备掩模片的在所述第二方向上的移动距离， PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲宽度。
一实施例的掩模制造方法包括重叠而提供的激光照射步骤，从而可以用 于制造包括以预定高度以下形成的突出部的掩模，以能够提高沉积的功能层 的沉积精度。
并且，一实施例的掩模制造方法包括向上表面及下表面均照射激光的步 骤，从而可以用于制造开放区域的尺寸精度优异且能够最小化沉积区域处的 阴影区域的掩模。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的平面图。
图2是针对根据一实施例的显示装置的一部分的剖面图。
图3是针对一实施例的掩模的分解立体图。
图4是针对一实施例的掩模的剖面图。
图5是针对一实施例的掩模的一部分的剖面图。
图6a是针对一实施例的掩模的立体图。
图6b是针对一实施例的掩模的一部分的立体图。
图6c是针对一实施例的掩模的立体图。
图6d是针对一实施例的掩模的一部分的立体图。
图7是示出一实施例的掩模制造方法的流程图。
图8a是针对一实施例的掩模制造方法的一步骤的流程图。
图8b是针对一实施例的掩模制造方法的一步骤的流程图。
图9是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图10是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图11a是示出根据一实施例的激光加工装置的立体图。
图11b是示意性地示出根据一实施例的激光提供单元的图。
图12a是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图12b是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图13是示出激光的脉冲重叠度的图。
图14是示出激光的线重叠度的图。
图15a是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图15b是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的步骤的图。
图16a是示出利用现有的掩模的比较例的沉积面的图像。
图16b是示出利用通过一实施例的掩模制造方法制造的掩模的实施例的 沉积面的图像。
附图标记说明
MK：掩模                   MS：掩模片
FR：掩模框架               OP：开口部
MC：开放区域               MS-EP：突出部
MS-GP：凹陷部
具体实施方式
本发明可以进行多样的变更，可以具有多种形态，因此，在附图中例示 特定实施例，并且在本文中进行详细说明。然而，这并不是为了将本发明限 定于特定的公开形态，并且应当理解为包括包含于本发明的思想及技术范围 的所有变更、等同物至替代物。
在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一 构成要素“之上”或者与另一构成要素“连接”或“结合”时，表示其可以 直接布置在另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们 之间也可以布置有第三构成要素。
另外，在本申请中，“直接布置”可以表示在层、膜、区域、板等的部分 与另一部分之间不存在追加的层、膜、区域、板等。例如，“直接布置”可以 表示在两个层或两个部件之间不使用粘合部件等追加部件的情况下布置。
相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚 度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。
“和/或”这一表述包括相关的构成可以定义的一个以上的所有组合。
第一、第二等术语可以用于说明多样的构成要素，但上述的构成要素不 应被上述的术语限定。上述的术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进 行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素 可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构 成要素。只要在语境中没有明确表示不同含义，单数的表述便包括复数的表 述。
并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的 构成的相关关系。上述的术语为相对概念，以附图中表示的方向为基准而被 说明。在本说明书中，“布置在……上”这一表述不仅可以表示布置在一个部 件的上部，还可以表示布置在下部的情况。
只要没有被不同地定义，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语 和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同 的含义。并且，诸如通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应当被解释 为具有与在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且只要在此没有明示性 地定义则不应被解释为过度理想的或者过于形式性的含义。
“包括”或者“具有”等术语应当被理解为用于指定说明书中所记载的 特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先 排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或 者其组合的存在或者附加的可能性。
以下，参照附图对根据本发明的一实施例的掩模制造方法进行说明。
图1是示出显示装置的一实施例的平面图。图2是针对一实施例的显示 装置的剖面图。图2可以是与图1的I-I'线对应的剖面图。
图1及图2所示的显示装置DD可以包括多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。显示装置DD可以包括彼此区分的第一发光区域PXA-R、第二发光 区域PXA-G以及第三发光区域PXA-B。例如，第一发光区域PXA-R可以是 发出红色光的红色发光区域，第二发光区域PXA-G可以是发出绿色光的绿色 发光区域，并且第三发光区域PXA-B可以是发出蓝色光的蓝色发光区域。当 从由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2定义的平面上观察时，第一发光区 域PXA-R、第二发光区域PXA-G及第三发光区域PXA-B可以彼此被区分而 不重叠，并且在相邻的发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B之间可以布置有非 发光区域NPXA。
图1及图2所示的显示装置的一实施例可以包括利用通过后述的一实施 例的掩模制造方法制造的掩模来提供的至少一个功能层。例如，包括在图1 及图2所示的显示装置的功能层中，以与多个发光区域PXA-R、PXA-G、 PXA-B整体重叠的方式提供的公共层形态的功能层可以利用通过后述的一实 施例的掩模制造方法制造的掩模来提供。
另外，在图1及以下附图中示出了第一方向轴DR1至第四方向轴DR4， 并且本说明书中说明的第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3 及第四方向轴DR4指示的方向是相对的概念，可以被转换为其他方向。并且， 由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3及第四方向轴DR4 指示的方向可以被说明为第一方向至第四方向，并且可以使用相同的附图标 记。在本说明书中，第一方向轴DR1和第二方向轴DR2可以彼此正交，并 且第三方向轴DR3和第四方向轴DR4可以分别是针对由第一方向轴DR1和 第二方向轴DR2定义的平面的法线方向。第四方向轴DR4的方向可以定义 为与第三方向轴DR3的方向彼此对向(opposing)的方向。
在图1所示的显示装置DD中，示出了发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B 以条纹形态排列。即，在图1所示的显示装置DD中，多个第一发光区域PXA-R、 多个第二发光区域PXA-G及多个第三发光区域PXA-B可以分别沿第二方向 轴DR2整齐排列。并且，可以沿第一方向轴DR1以第一发光区域PXA-R、 第二发光区域PXA-G及第三发光区域PXA-B的顺序交替排列。
另外，发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的排列形态不限于图1所示的 排列形态，第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G及第三发光区域 PXA-B的排列顺序可以根据在显示装置DD中所要求的显示品质的特性而多 样地组合而提供。例如，发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的排列形态可以 具有
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排列形态或菱形排列形态。并且，发光区域PXA-R、PXA-G、 PXA-B的面积、在平面上的形状可以根据在显示装置DD中所要求的显示品 质的特性而多样地调整或变形而提供。
以与具有这种多样的形态的排列的发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B 及布置于发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B之间的非发光区域NPXA整体 重叠的方式提供为公共层的功能层可以利用通过后述的根据一实施例的掩模 制造方法制造的掩模来提供。
参照图2，显示装置DD可以包括显示面板DP及布置于显示面板DP上 的光学层PP。显示面板DP可以包括多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3。光 学层PP可以布置于显示面板DP上，以控制由外部光引起的在显示面板DP 处的反射光。例如，光学层PP可以包括偏光层或滤色器层。另外，与附图所 示的内容不同，在一实施例的显示装置DD中可以省略光学层PP。
在光学层PP上可以布置有基础基板BL。基础基板BL可以是提供供光 学层PP布置的基础表面的部件。基础基板BL可以是无机层、有机层或复合 材料层。并且，与图示的内容不同，在一实施例中，可以省略基础基板BL。
在一实施例中，显示面板DP可以包括基础层BS、设置于基础层BS上 的电路层DP-CL以及显示元件层DP-ED。并且，显示面板DP可以包括布置 于显示元件层DP-ED上的封装层TFE。
在根据一实施例的显示装置DD中，显示面板DP可以是在显示元件层 DP-ED中包括有机电致发光元件的有机电致发光(Organic Electroluminescence)显示面板。即，后述的根据一实施例的掩模可以在形成 有机电致发光(Organic Electroluminescence)显示面板的显示元件层DP-ED 的功能层中的一部分时使用。
在一实施例中，电路层DP-CL可以布置于基础层BS上，并且电路层 DP-CL可以包括多个晶体管(未图示)。晶体管(未图示)可以分别包括控制 电极、输入电极及输出电极。并且，电路层DP-CL可以包括多个绝缘层。
封装层TFE可以覆盖发光元件ED-1、ED-2、ED-3。封装层TFE可以密 封显示元件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。
发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的每一个可以包括第一电极EL1、空穴 传输区域HTR、发光层EML-R、EML-G、EML-B、电子传输区域ETR及第 二电极EL2。在图2中，在像素定义膜PDL中定义的开口部OH内布置有发 光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML-R、EML-G、EML-B，并且空穴传 输区域HTR、电子传输区域ETR以及第二电极EL2可以在整个发光元件ED-1、 ED-2、ED-3中提供为公共层。在显示装置DD的发光元件ED-1、ED-2、ED-3 中，提供为公共层的空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR及第二电极EL2 中的至少一个可以利用通过后述的一实施例的掩模制造方法制造的掩模来提 供。
另外，包括在电路层DP-CL的绝缘层或布置于发光元件ED-1、ED-2、 ED-3上的封装层TFE中的一部分也可以利用可称为开口掩模(Open mask) 的通过后述的一实施例的掩模制造方法制造的掩模来提供。
图3至图5是示例性地示出通过后述的一实施例的掩模制造方法制造的 根据一实施例的掩模的图。图3是示出一实施例的掩模的分解立体图。图4 是针对一实施例的掩模的剖面图，图5是示出一实施例的掩模的一部分的剖 面图。图4是与图3的II-II'线对应的剖面图，图5是示出图4的AA区域的 剖面图。
参照图3至图5说明的一实施例的掩模MK可以包括掩模支撑部SSP， 所述掩模支撑部SSP通过包括以使脉冲激光的至少一部分彼此重叠的方式重 复照射激光的步骤的一实施例的掩模制造方法形成。
参照图3至图5，一实施例的掩模MK可以包括掩模片MS以及掩模框 架FR。一实施例的掩模MK可以用于在作为被沉积面的对象基板形成包括相 同物质的公共层。根据一实施例的掩模MK可以对应于在形成提供为薄膜的 功能层时所使用的薄膜工艺用开口掩模。薄膜工艺用开口掩模可以是为了在 对象基板上对整个单独的一个显示装置堆叠相同材质的薄膜层而使用的掩模。
掩模框架FR可以支撑掩模片MS。例如，掩模框架FR可以在内侧定义 有框架开口FR-OP，并且在框架开口FR-OP内可以布置有掩模片MS。
掩模框架FR可以支撑掩模片MS的边缘部分。在一实施例中，掩模框 架FR可以布置于掩模片MS下部。掩模片MS可以安置于掩模框架FR。例 如，掩模框架FR可以在定义有框架开口FR-OP的内侧包括支撑掩模片MS 的支撑面SS，并且掩模片MS可以布置于支撑面SS上。然而，实施例不限 于此，掩模框架FR可以布置于掩模片MS的边缘的上部及下部而支撑掩模片 MS。
另外，掩模片MS可以固定到掩模框架FR。掩模片MS可以利用熔接等 的方法固定到掩模框架FR。
掩模框架FR可以利用包括铁(Fe)及镍(Ni)中的至少一种的金属材 料形成。例如，掩模框架FR可以包括铁和镍的合金。掩模框架FR可以包括 不锈钢(SUS)或殷瓦钢(Invar)等而制造。
掩模片MS可以包括至少一个开放区域MC。在一实施例中，掩模片MS 可以包括当从平面上观察时彼此隔开的多个开放区域MC。
多个开放区域MC可以在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2定义的 平面上整齐排列而定义。在图3中示出了5个开放区域MC沿第一方向轴DR1 彼此隔开而定义且2个开放区域MC沿第二方向轴DR2彼此隔开而定义的掩 模片MS的实施例。然而，这是示例性的，开放区域MC的数量不限于图示 的数量。开放区域MC可以沿着第一方向轴DR1及第二方向轴DR2中的一 个方向以具有预定间隔的方式排列。形成公共层形态的功能层的材料可以通 过多个开放区域MC中的每一个而沉积于对象基板。开放区域MC可以通过 在后述的一实施例的掩模制造方法中照射激光而形成贯通上表面及下表面的 开口部的制造步骤而形成。
掩模片MS可以利用包括铁(Fe)及镍(Ni)中的至少一种的金属材料 形成。例如，掩模片MS可以包括铁和镍的合金。掩模片MS可以包括不锈 钢(SUS)或殷瓦钢(Invar)等而制造。掩模片MS可以利用与掩模框架FR 相同的材料形成。然而，实施例不限于此。
掩模片MS可以具有5ppm/℃以下的热膨胀系数。并且，掩模框架FR也 可以具有与掩模片MS相似水平的热膨胀系数。据此，可以通过最小化在沉 积工艺中的掩模片MS的热变形来改善针对对象基板的沉积品质。
根据一实施例的掩模片MS可以具有沿着第一方向轴DR1及第二方向轴 DR2延伸的板(plate)形状。在一实施例中，当在由第一方向轴DR1及第二 方向轴DR2定义的平面上观察时，掩模片MS可以具有四边形形状。然而， 实施例不限于此，掩模片MS的形状可以根据作为被沉积的面的对象基板的 形状或支撑掩模片MS的掩模框架FR的形状等而变形为其他形状而提供。
并且，在一实施例的掩模片MS中，当从平面上观察时，开放区域MC 可以具有四边形形状。然而，实施例不限于此，开放区域MC的形状可以根 据沉积于对象基板而形成的功能层的形状而变形为具有多样的形状。
掩模片MS可以包括彼此面对的下表面(或第一表面)MS-DS及上表面 (或第二表面)MS-US，并且在掩模片MS可以定义有贯通上表面MS-US与 下表面MS-DS之间的开口部OP。借由贯通上表面MS-US与下表面MS-DS 之间的开口部OP，在掩模片MS可以定义有开放区域MC。
在一实施例的掩模MK中，掩模片MS可以包括开放区域MC及掩蔽区 域MSA。开放区域MC可以定义为掩蔽区域MSA之间的区域。开放区域 MC可以是与包括在一个显示装置DD(图1)的公共层形态的功能层的在平 面上的区域对应的区域。在一实施例的掩模MK中，开放区域MC可以与被 提供沉积材料的对象基板的沉积区域对应。沉积材料可以根据开放区域MC 的形状而被提供到对象基板上。
在本说明书中，开放区域MC的宽度可以定义为开口部OP中的与被提 供沉积材料的对象基板相邻的部分的开口区域的宽度。例如，在图3及图4 等所示的一实施例中，开放区域MC的与掩模片MS的下表面MS-DS相邻的 部分可以是开口区域。
在一实施例的掩模MK中，掩模片MS可以包括布置于下表面MS-DS 的掩模支撑部SSP。掩模支撑部SSP可以是使掩模MK与对象基板的沉积面 保持间隙(Gap)以使掩模MK与对象基板的沉积面能够以恒定的间隔保持 的部分。掩模支撑部SSP可以是用于防止作为沉积面的对象基板被压印的部 分。掩模支撑部SSP可以通过在后述的一实施例的掩模制造方法中执行向预 备掩模片的第一表面重复照射第一激光的步骤而形成。即，掩模支撑部SSP 可以通过重复照射第一激光而使激光的峰值重叠，从而在预备掩模片的一表 面引起变形而形成。
在根据一实施例的掩模片MS中，掩模支撑部SSP可以包括从下表面 MS-DS突出的突出部MS-EP及从下表面MS-DS凹陷的凹陷部MS-GP。即， 一实施例的掩模片MS可以包括彼此面对的上表面MS-US和下表面MS-DS 的间隔均匀的基础部MS-BS、布置于基础部MS-BS的下表面MS-DS并突出 的突出部MS-EP以及从下表面MS-DS向上表面MS-US方向凹陷的凹陷部MS-GP。掩模片MS的多个开放区域MC可以定义于基础部MS-BS。
突出部MS-EP可以是布置于掩模片MS的下表面MS-DS并沿作为与下 表面MS-DS隔开的方向的第四方向轴DR4的方向突出而形成的部分。并且， 凹陷部MS-GP可以是从掩模片MS的下表面MS-DS凹陷并沿作为上表面 MS-US方向的第三方向轴DR3的方向凹入而定义的部分。
突出部MS-EP可以与开口部OP相邻而布置。突出部MS-EP可以与由 开口部OP定义的开放区域MC相邻。突出部MS-EP可以分别布置于一个开 放区域MC的两侧。另外，实施例不限于此，突出部MS-EP可以在相邻的开 放区域MC之间提供为一个，或者可以提供为三个以上的多个。
在利用一实施例的掩模MK的沉积工艺中，突出部MS-EP可以与作为沉 积面的对象基板相邻，基础部MS-BS可以与对象基板隔开而布置。突出部 MS-EP可以与对象基板接触，基础部MS-BS可以从对象基板隔开与突出部 MS-EP的厚度相当的距离而布置。
在一实施例中，突出部MS-EP的厚度tEP可以是0.1μm以上且10μm以 下。例如，突出部MS-EP的厚度tEP可以是1μm以上且10μm以下。在突出 部MS-EP的厚度tEP小于0.1μm的情况下，由于不能确保与对象基板的隔开 距离，因此在沉积工艺时可能出现因掩模片MS而导致的对象基板的压印现 象。并且，在突出部MS-EP的厚度tEP大于10μm的情况下，由于对象基板与 开放区域MC的隔开距离变大，因此在被定义为沉积区域的部分中，将出现 宽广的未充分提供沉积物质的阴影(Shadow)区域。据此，在突出部MS-EP 的厚度tEP为0.1μm以上且10μm以下的情况下，对象基板的表面不会被损坏， 并且可以呈现形成沉积品质优异的的薄膜的效果。
在一实施例的掩模制造方法的情况下，可以利用重叠的脉冲激光来引导 掩模片的变形而形成保持10μm以下的较薄的厚度的突出部MS-EP。据此， 可以改善利用根据一实施例的掩模制造的薄膜的沉积品质。
在一实施例中，掩模片MS的基础部MS-BS的厚度tMS可以是20μm以 上且200μm以下。基础部MS-BS的厚度tMS可以对应于掩模片MS的上表面 MS-US与下表面MS-DS之间的间隔。即，一实施例的掩模片MS可以包括 与基础部MS-BS相比相对较薄的厚度的突出部MS-EP，从而能够在保护对象 基板的表面的同时改善沉积面边缘的品质。另外，沉积面边缘可以对应于沉 积区域与非沉积区域之间的边界。可以说沉积面边缘处的阴影区域的面积越 小，沉积面边缘的品质越得到改善。
在一实施例的掩模片MS中，突出部底面EP-BS可以具有朝从掩模片 MS的下表面MS-DS隔开的方向鼓起的曲面。在图5中，突出部MS-EP示出 为具有一个突出形态的突出部底面EP-BS，但实施例不限于此，在突出部 MS-EP的最大厚度tEP保持为10μm以下的范围内，可以提供多样的形状的突 出部MS-EP。
一实施例的掩模片MS包括定义在下表面MS-DS的凹陷部MS-GP。在 一实施例的掩模片MS的下表面MS-DS可以布置有多个凹陷部MS-GP。凹 陷部MS-GP可以与突出部MS-EP相邻而布置。突出部MS-EP可以与掩模片 MS的开口部OP相邻而布置，并且凹陷部MS-GP可以与突出部MS-EP相邻 且从开口部OP隔开而布置。
在一实施例的掩模片MS中，掩模支撑部SSP的凹陷部MS-GP的一侧 可以与相邻的突出部MS-EP的一侧连接。根据一实施例的掩模制造方法，凹 陷部MS-GP和突出部MS-EP可以在相同的工艺中形成。根据一实施例的掩 模片MS的凹陷部MS-GP可以通过在一实施例的掩模制造方法中向预备掩模 片的第一表面照射激光而形成，并且突出部MS-EP可以通过重复照射激光而 使与凹陷部MS-GP相邻的部分的掩模片变形并连接于凹陷部MS-GP而形成。
凹陷部MS-GP可以具有以掩模片MS的下表面MS-DS为基准而与突出 部MS-EP彼此上下对称的形状。然而，实施例不限于此，凹陷部MS-GP的 形状可以是无定形的形状，或者多个凹陷部MS-GP中的每一个的形状可以是 随机的形状。
凹陷部MS-GP的厚度tGP可以是0.1μm以上且10μm以下。凹陷部MS-GP 的厚度tGP可以与相邻的突出部MS-EP的厚度tEP相似。然而，实施例不限于 此。
并且，在一实施例的掩模片MS中，从掩模片MS的下表面MS-DS突出 的突出部MS-EP的体积可以与相邻的凹陷部MS-GP的体积相似。即，根据 后述的一实施例的掩模制造方法，在重复照射第一激光的一个工艺步骤中同 时形成的突出部MS-EP和凹陷部MS-GP可以具有相似的体积。即，以从掩 模片MS的下表面MS-DS突出的方式形成的突出部MS-EP的体积可以与以 从掩模片MS的下表面MS-DS凹陷的方式形成的凹陷部MS-GP的体积相似。 然而，实施例不限于此，突出部MS-EP的体积可以大于相邻的凹陷部MS-GP 的体积。
参照图5，定义在掩模片MS的开口部OP可以在截面上具有梯形形状。 即，在由第一方向轴DR1和第三方向轴DR3定义的截面上，开口部OP可以 具有从掩模片MS的上表面MS-US朝向下表面MS-DS的方向宽度逐渐减小 的梯形形状。
掩模片MS的开口部OP可以根据一实施例的掩模制造方法利用第二激 光形成。通过利用第二激光形成开口部OP，可以提高定义开口部OP的掩模 片MS的开口侧面MS-SS的加工精度。即，利用激光制造的开口部OP的形 状及大小与加工前设计的开口部OP的形状及大小的一致程度高，从而能够 表现出高数值精度。即，在一实施例中，可以提供利用激光形成形状及大小 与所要求的开口部的形状及大小一致的开口部OP的掩模。
并且，在一实施例的掩模片MS中，也可以良好地表现出多个开口部OP 的排列形态的精度、在开口部OP之间定义的掩蔽区域MSA的数值精度等。
定义开口部OP的掩模片MS的开口侧面MS-SS可以相对于掩模片MS 的下表面MS-DS倾斜。掩模片MS的开口侧面MS-SS相对于掩模片MS的 下表面MS-DS的倾斜角θMS可以是30度以上且70度以下。例如，倾斜角θMS可以是30度至50度。在一实施例中，通过将开口侧面MS-SS的倾斜角θMS设定为30度以上且70度以下，可以增加针对掩模片大小的沉积区域的面积 的比率，并且可以最小化沉积区域中的阴影区域的形成。
随着利用激光形成开口部OP，在定义开口部OP的掩模片MS的开口侧 面MS-SS可能出现因激光束而导致的加工痕迹。例如，加工痕迹可以在开口 侧面MS-SS以波浪纹形态等出现。然而，根据激光加工的痕迹的形态不限于 此，与通过湿蚀刻(wet-etching)法加工开口部的情况相比，激光束痕迹可 以被区分而观察到。
并且，在掩模片MS的在开口部OP中暴露的开口侧面MS-SS可以形成 有氧化层。即，在开口侧面MS-SS可以形成有构成掩模片MS的金属材料的 氧化物层。即，与通过湿蚀刻(wet-etching)法加工开口部的情况相比，一 实施例的掩模片MS可以在暴露部分还包括氧化层。
另外，在图5等中所示的突出部MS-EP的形状仅是示例性的，突出部 MS-EP的形状并不限于图示的形状。在一实施例中，突出部MS-EP具有保持 预定厚度的突起形状，突出部MS-EP可以根据掩模片的变形程度以多样的形 态提供。
图6a是针对一实施例的掩模的立体图，图6b是示出一实施例的掩模的 一部分的立体图。并且，图6c是针对一实施例的掩模的立体图，图6d是示 出一实施例的掩模的一部分的立体图。图6b示出与图6a的BB区域对应的 部分。图6d示出与图6c的CC区域对应的部分。在图6a至图6d中，掩模 片MS、MS-c的下表面MS-DS被示出为朝向上部。
参照图6a及图6b，在根据一实施例的掩模MK中，可以在掩模片MS 定义有多个开放区域MC。多个开放区域MC可以在由第一方向轴DR1和第 二方向轴DR2定义的平面上彼此隔开而排列。
在平面上，各个开放区域MC可以是四边形形状。在一实施例中，与开 放区域MC相邻的突出部MS-EP及凹陷部MS-GP中的每一个是在平面上与 开放区域MC的一侧面平行的条纹形状。即，掩模支撑部SSP可以布置于各 个开放区域MC的至少一侧而形成。
参照图6a及图6b，在一实施例中，突出部MS-EP可以将一个开放区域 MC置于之间而在两侧分别布置为条纹形态。突出部MS-EP可以以与四边形 形状的开放区域MC的一侧边平行的形态布置，凹陷部MS-GP可以与突出部 MS-EP相邻而布置。在一实施例中，突出部MS-EP可以朝第四方向轴DR4 方向鼓起而突出，凹陷部MS-GP可以朝第三方向轴DR3方向凹陷。在一实 施例的掩模制造方法中，与四边形形状的开放区域MC的一侧边平行的形态 的突出部MS-EP可以与第一方向(Y轴方向Y(参照图11a))平行地提供激 光而形成。
图6a示出了突出部MS-EP和凹陷部MS-GP以与四边形形状的开放区域 MC的长边方向平行的方式将一个开放区域MC置于之间而分别布置于两侧 的实施例。即，尽管图6a示出了两个突出部MS-EP和两个凹陷部MS-GP布 置于相邻的开放区域MC之间，但是实施例不限于此。
例如，一个突出部MS-EP和一个凹陷部MS-GP可以布置于相邻的开放 区域MC之间，或者与图示的内容不同，三个以上的突出部MS-EP和三个以 上凹陷部MS-GP可以布置于相邻的开放区域MC之间，或者突出部和凹陷部 可以不布置于相邻的两个开放区域MC之间的区域，并且两个以上的开放区 域MC可以布置于彼此相邻的两个突出部MS-EP之间。另外，与图6a及图 6b中所示内容的不同，突出部MS-EP和凹陷部MS-GP也可以具有沿与四边 形形状的开放区域MC的短边平行的方向延伸的形状。
参照图6c及图6d，在根据一实施例的掩模片MS-c定义有多个开放区域 MC，并且与开放区域MC相邻的突出部MS-EPc及凹陷部MS-GPc可以分别 形成为在平面上构成包围开放区域MC的闭合曲线(closed curve)。例如，突 出部MS-EPc及凹陷部MS-GPc可以分别在平面上具有单闭合曲线(simple closed curve)的形态。
在图6c及图6d所示的一实施例中，在平面上，各个开放区域MC是四 边形形状，并且从平面上来看，突出部MS-EPc可以在这种各个开放区域MC 的外廓以沿着开放区域MC的形状形成四边形形态的线的方式布置。突出部 MS-EPc可以与开放区域MC隔开预定间隔而形成。并且，凹陷部MS-GPc 可以在突出部MS-EPc的外廓沿着突出部MS-EPc的形状而定义。凹陷部 MS-GPc可以定义为与突出部MS-EPc相邻。即，掩模支撑部SSP-c可以以包 围开放区域MC的方式形成于开放区域MC的外廓。
另外，包括在掩模片的掩模支撑部的布置形态不限于图6a至图6d所示 的布置形态，在起到支撑掩模片的支撑功能的范围内，掩模支撑部的布置形 态及形状可以多样地改变。
以下，参照图7至图15b等对一实施例的掩模制造方法进行说明。在针 对一实施例的掩模制造方法的说明中，将不再对与参照图1至图6d等说明的 内容相同的内容进行说明，并以不同之处为主进行说明。
图7是示出一实施例的掩模制造方法的流程图。图8a和图8b分别是示 出针对一实施例的掩模制造方法的一步骤的流程图。
一实施例的掩模制造方法可以包括预备掩模片提供步骤(S100)、形成掩 模支撑部的步骤(S300)以及形成开口部的步骤(S500)。并且，一实施例的 掩模制造方法还可以包括掩模片清洗步骤(S700)。形成掩模支撑部的步骤 (S300)及形成开口部的步骤(S500)的顺序可以改变。即，在预备掩模片 提供步骤(S100)之后，可以先执行形成开口部的步骤(S500)，然后再执行 形成掩模支撑部的步骤(S300)。
在一实施例的掩模制造方法中，预备掩模片提供步骤(S100)可以包括 拉伸预备掩模片并将其固定于掩模框架的步骤(S110)及将预备掩模片安置 于工作台上的步骤(S120)。
形成掩模支撑部的步骤(S300)可以是向预备掩模片的第一表面重复照 射第一激光而形成包括从第一表面凹陷的凹陷部及与凹陷部相邻且从第一表 面突出的突出部的掩模支撑部的步骤。
形成掩模支撑部的步骤(S300)可以包括第一线照射步骤(S310)及第 二线照射步骤(S330)。第二线照射步骤(S330)可以重复多次(S330-1、 S330-2、……、S330-m)。在此，m可以是9以上的整数。
第一线照射步骤(S310)可以是沿着在第一方向上延伸的虚拟的第一线 照射所述第一激光的步骤，第二线照射步骤(S330)可以是向与第一方向不 同的第二方向移动预备掩模片之后，沿着在第一方向上延伸的虚拟的第二线 追加照射第一激光的步骤。即，在形成掩模支撑部的步骤中，可以多次执行 与第一方向平行地照射第一激光的步骤。随后对包括第一线照射步骤(S310) 及第二线照射步骤(S330)的形成掩模支撑部的步骤(S300)进行更加详细 的说明。
形成开口部的步骤(S500)可以是向所述预备掩模片的第二表面照射第 二激光而形成与所述掩模支撑部的突出部相邻且贯通预备掩模片的开口部的 步骤。
清洗步骤(S700)可以在形成掩模支撑部及开口部之后执行。清洗步骤 (S700)可以是利用清洗溶液去除激光加工时形成的氧化膜的步骤。并且， 清洗步骤(S700)可以包括利用吸入器具等来去除在掩模制造工艺中产生的 粉尘等的步骤。即，清洗步骤(S700)可以包括去除在制造工艺中产生的氧 化膜或粉尘等的步骤。
图9和图10是示例性地示出一实施例的掩模制造方法的一步骤的图。图 9示例性地示出图8a的拉伸预备掩模片并将其固定于掩模框架的步骤(S110)。 图10示例性地示出图8a的将预备掩模片安置于工作台上的步骤(S120)。
参照图7至图10，预备掩模片提供步骤(S100)可以包括提供包括彼此 面对的第一表面DS及第二表面US的预备掩模片P-MS的步骤。预备掩模片 P-MS可以对应于被加工成掩模之前的状态的被加工部件。预备掩模片P-MS 可以包括铁和镍的合金。预备掩模片P-MS可以包括殷瓦钢(Invar)而形成。 预备掩模片P-MS的热膨胀系数可以是5ppm/℃以下。并且，预备掩模片P-MS 的厚度可以是20μm以上且200μm以下。
拉伸预备掩模片并将其固定于掩模框架的步骤(S110)可以包括对预备 掩模片P-MS施加拉伸力TS而拉伸预备掩模片P-MS后将其固定于掩模框架 FR的步骤。预备掩模片P-MS可以通过拉伸后焊接等的方法固定于掩模框架 FR。
将预备掩模片安置于工作台上的步骤(S120)可以是在预备掩模片P-MS 固定在掩模框FR的状态下，以使预备掩模片P-MS的第一表面DS暴露于外 部的方式将预备掩模片P-MS布置于工作台ST上的步骤。在将预备掩模片安 置于工作台上的步骤(S120)中，在预备掩模片P-MS的第一表面DS上可以 布置有激光提供单元LU。但是，实施例不限于此，在形成开口部的步骤(S500) 在形成掩模支撑部的步骤(S300)之前执行的情况下，可以以使预备掩模片 P-MS的第二表面US暴露于外部的方式将预备掩模片P-MS布置于工作台ST 上。
激光提供单元LU可以包括光源部LS、光学部OTP及扫描部SNP。在 将预备掩模片安置于工作台上的步骤(S120)中，可以以预备掩模片P-MS 的第一表面DS与激光提供单元LU相邻并且预备掩模片P-MS的第二表面 US与工作台ST相邻的方式提供预备掩模片。
图11a是示出在一实施例的掩模制造方法中使用的激光加工装置的立体 图。图11b是示意性地示出根据一实施例的激光提供单元的图。
参照图11a及图11b，根据一实施例的激光加工装置LPM可以包括支撑 单元MU及激光提供单元LU。激光提供单元LU可以位于支撑单元MU上。 在支撑单元MU与激光提供单元LU之间可以布置有被加工部件。在图11a 中，示出了固定于掩模框架FR的预备掩模片P-MS作为被加工部件。
并且，参照图11a，激光加工装置LPM还可以包括吸入部(suction part) SCU。吸入部SCU可以布置于布置被加工部件的工作台ST的一侧。另外， 与图11a中所示的不同，吸入部SCU可以追加布置于工作台ST的另一侧， 或者也可以布置于工作台ST的上部。可以利用吸入部SCU来去除在掩模制 造工艺中产生的粉尘等。即，可以利用吸入部SCU去除在利用激光执行形成 掩模支撑部的步骤(S300)及形成开口部的步骤(S500)期间产生的粉尘等 污染物质。
根据一实施例的激光加工装置LPM的支撑单元MU可以安置并固定作 为被加工部件的预备掩模片P-MS，并可以使预备掩模片P-MS沿X轴方向X 或Y轴方向Y移动。
在图11a及随后说明的附图中公开的X轴、Y轴及Z轴是相对的方向， X轴的延伸方向和Y轴的延伸方向可以彼此正交，并且Z轴的延伸方向可以 是针对由X轴和Y轴定义的平面的法线方向。在本说明书中，Y轴方向Y可 以说明为第一方向，X轴方向X可以说明为第二方向，这些属于相对的方向。 并且，在本说明书的说明中，Y轴方向Y说明为第二方向轴DR2的方向，并 且X轴方向X说明为第一方向轴DR1的方向，但是实施例不限于此。
激光加工装置LPM可以包括能够在Y轴方向Y(第一方向)及与Y轴 方向正交的X轴方向X(第二方向)中的每一个方向上移动的工作台ST。支 撑单元MU可以包括工作台ST、第一方向移动部SST-Y及第二方向移动部 SST-X。
第一方向移动部SST-Y及第二方向移动部SST-X可以彼此交叉而布置。 在第二方向移动部SST-X上可以布置有第一方向移动部SST-Y，在第一方向 移动部SST-Y上可以布置有工作台ST。
此时，为了使工作台ST在第一方向Y上移动，工作台ST可以在第一方 向移动部SST-Y上移动。工作台ST的移动可以通过控制工作台ST沿着定义 在第一方向移动部SST-Y的凹槽(groove)移动来执行。随着这样的工作台 ST的第一方向Y的移动，即使在激光提供单元LU被固定的情况下，激光 LSL也可以沿着第一方向Y移动并提供至被加工部件。即，当工作台ST沿 第一方向Y移动时，激光LSL可以沿着第一加工方向MD-Y而提供。
并且，为了使工作台ST在第二方向X上移动，安置有工作台ST的第一 方向移动部SST-Y可以在第二方向移动部SST-X上移动。工作台ST的移动 可以通过控制第一方向移动部SST-Y沿着定义在第二方向移动部SST-X的凹 槽(groove)移动来执行。随着这样的工作台ST的第二方向X的移动，即使 在激光提供单元LU被固定的情况下，激光LSL也可以在第二方向X上移动 预定距离而向被加工部件提供。即，随着工作台ST的第二方向X的移动， 激光LSL可以在第二加工方向MD-X上移动之后提供。
并且，与此不同，第一方向移动部SST-Y及第二方向移动部SST-X可以 彼此交叉而布置，在第一方向移动部SST-Y上可以布置有第二方向移动部 SST-X，并且在第二方向移动部SST-X上可以布置有工作台ST。在此情况下， 工作台ST的第一方向Y的移动可以通过控制第二方向移动部SST-X沿着定 义在第一方向移动部SST-Y的凹槽移动来执行。工作台ST的第二方向X的 移动可以通过控制工作台ST沿着定义在第二方向移动部SST-X的凹槽移动来执行。
另外，实施例不限于图11a等所示的内容，在激光加工装置LPM中，工 作台ST自身可以借由控制单元(未图示)而在第一方向Y及第二方向X上 移动，而无需单独的方向移动部的构成。并且，可以包括与此不同形态的驱 动单元，控制工作台ST在X轴方向或Y轴方向上移动。
并且，在参照图11a等说明的根据一实施例的激光加工装置LPM中，说 明了根据支撑单元MU的移动来调节从激光提供单元LU提供的光的照射方 向的情况，但实施例不限于此。例如，激光提供单元LU也可以通过从控制 单元(未图示)接收的信号而被移动控制，从而在第一方向Y及第二方向X 上移动。
激光提供单元LU可以包括提供源激光的光源部LS、对从光源部LS提 供的光进行衍射、分割及方向转换来加工源激光的光学部OTP及调节在光学 部OTP得到加工的激光的大小及焦点等来提供最终激光的扫描部SNP。
图11b是示意性地示出激光提供单元LU的图。参照图11b，初始激光 LINT可以从光源部LS提供并入射到光学部OTP。
光学部OTP可以包括衍射光学元件DLZ(DOE：Diffractive Optical Element)及变焦透镜ZLZ等光学元件。衍射光学元件DLZ可以将从光源部 LS提供的初始激光LINT分支为子激光。被分支的子激光可以经过变焦透镜 ZLZ等，从而子激光的间隔可以被调节。光学部OTP还可以包括用于实现光 学元件之间或在光学元件中产生的激光的聚光或分光的追加光学透镜LZ0、 LZ1。并且，虽然未图示，但根据光学部OTP的设计，还可以追加包括镜子 构成。即，光学部OTP的构成不限于图11b中所示的构成，可以选择性地包 括或省略衍射光学元件DLZ、变焦透镜ZLZ、光学透镜LZ0、LZ1以及镜子， 并且排列顺序也可以改变。
扫描部SNP可以是将从光学部OTP得到加工的激光LMD转换为最终激 光LSL并提供的部分。扫描部SNP可以包括用于调节从光学部OTP提供的 激光LMD的移动方向的镜子MR及用于调节激光的光束大小的聚焦透镜 F-TH等。聚焦透镜F-TH可以是平场聚焦(F-theta)透镜，并且可以利用聚 焦透镜F-TH来控制最终激光LSL的光束大小及精度等。
图12a及图12b分别示意性地示出一实施例的掩模制造方法的一步骤。 图12a及图12b是示例性地示出通过向预备掩模片P-MS的第一表面DS照射 第一激光LSL-1而形成包括从第一表面DS凹陷的凹陷部MS-GP及与凹陷部 MS-GP相邻且从第一表面DS突出的突出部MS-EP的掩模支撑部SSP的步骤 的一部分的图。第一激光LSL-1可以是从参照图11a及图11b说明的根据一 实施例的激光加工装置LPM的激光提供单元LU提供的激光。
参照图12a及图12b，在形成掩模支撑部的步骤(S300)中提供的第一 激光LSL-1可以提供至与预备开放区域P-MC相邻的预备掩模片P-MS的第 一表面DS。预备开放区域P-MC可以是在最终掩模状态下形成为开口部OP (图5)的部分。预备开放区域P-MC可以由与随后提供为开口部OP(图5) 的部分对应的加工线U-MSL定义。由加工线U-MSL示出的部分是虚拟线， 是示例性地示出与为了形成开口部OP(图5)而被照射第二激光LSL-2(图 15a)的外廓线对应的部分。
第一激光LSL-1可以提供至预备掩模片P-MS的第一表面DS中的加工 线U-MSL的外廓部分。第一激光LSL-1可以重复地提供到预备掩模片P-MS 的第一表面DS。第一激光LSL-1可以沿着与第二方向轴DR2平行的方向提 供。第一激光LSL-1可以沿着第一加工方向MD-Y提供。例如，在一实施例 中，可以沿着第一加工方向MD-Y移动预备掩模片P-MS，据此可以与第一 加工方向MD-Y平行地依次提供第一激光LSL-1。预备掩模片P-MS的移动 可以对应于上述支撑单元MU(图11a)中的工作台ST(图11a)的移动。
第一激光LSL-1可以再次重复地照射至被照射第一激光LSL-1的部分。 据此，由于激光的重复照射引起的重叠现象(Laser overwriting phenomenon)， 在从预备掩模片P-MS的第一表面DS隔开的方向上形成突出部MS-EP。第 一激光LSL-1连续地重复照射到凹陷部MS-GP，最终生长并形成与凹陷部 MS-GP相邻的突出部MS-EP。突出部MS-EP可以与凹陷部MS-GP相邻而形 成。随着突出部MS-EP的形成，凹陷部MS-GP也可以逐渐变大地形成。突 出部MS-EP和凹陷部MS-GP可以在一个工艺步骤中一起形成。
参照图12a及图12b，第一激光LSL-1可以分别照射到加工线U-MSL两 侧的预备掩模片P-MS的第一表面DS部分。据此，突出部MS-EP可以将预 备开放区域P-MC置于之间而分别形成在预备开放区域P-MC的两侧。突出 部MS-EP可以形成为与预备开放区域P-MC的一侧边平行，以对应于第一激 光LSL-1的第一加工方向MD-Y。
利用第一激光LSL-1形成包括突出部MS-EP及凹陷部MS-GP的掩模支 撑部SSP的步骤可以包括第一线照射步骤(S310)(图8b)及重复多次的第 二线照射步骤(S330)(图8b)。
在一实施例的掩模制造方法中使用的第一激光LSL-1可以是具有飞秒 (10-15秒)至皮秒(10-12秒)的脉冲宽度的脉冲激光。
第一激光LSL-1的波长可以是400nm至600nm。即，以脉冲激光提供的 第一激光LSL-1表现出最大强度(intensity)的位置可以在400nm至600nm 的波长范围内。
第一激光LSL-1的强度可以是1.25GW/m2以上。即，第一激光LSL-1的 最大强度可以是1.25GW/m2以上。在形成掩模支撑部的步骤(S500)中提供 的第一激光LSL-1的强度是1.25GW/m2以上，第一激光LSL-1可以是脉冲激 光重叠而提供的激光。
第一激光LSL-1的光束大小(beam size)可以是10μm至100μm。第一 激光LSL-1的光束大小(beam size)可以是通过激光提供单元LU的扫描部 SNP(图10)最终提供至预备掩模片的激光LSL(图11a)的光束大小。
第一激光LSL-1包括沿第一方向依次提供的多个脉冲激光，在形成掩模 支撑部的步骤(S300)(图8b)中，脉冲激光中相邻的脉冲激光的至少一部 分可以彼此重叠。
图12a及图12b等可以示出参照图6a及图6b说明的根据一实施例的掩 模片MS的制造方法的一部分。另外，尽管未示出，参照图6c及图6d说明 的包括在根据一实施例的掩模片MS-c的掩模支撑部SSP-c也可以借由与上述 方法相同的方法来形成。例如，第一激光LSL-1可以沿着从与随后提供为开 口部OP(图5)的部分对应的加工线U-MSL隔开预定间隔的外廓而提供。 在此情况下，第一激光LSL-1可以通过上述方法依次提供至预备开放区域P-MC周围，使得突出部MS-EPc(图6d)及凹陷部MS-GPc(图6d)可以以 围绕预备开放区域P-MC的方式在一个工艺步骤中一起形成。
图13是示出激光的脉冲重叠度的图。图13示出了沿第一方向Y依次提 供的多个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn。沿图13所示的 第一方向Y依次提供的多个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn 可以对应于在图12a中沿第一加工方向MD-Y提供的第一激光LSL-1。
参照图13，多个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn中相 邻的脉冲激光的至少一部分可以彼此重叠。在一实施例的掩模制造方法中， 作为第一激光而提供的多个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn 的脉冲重叠率可以是80％以上。在相邻的脉冲激光的脉冲重叠率为80％以上 的情况下，掩模支撑部SSP(图12b)可以借由激光重叠现象(Laser overwriting phenomenon)而形成。另外，在相邻的脉冲激光的脉冲重叠率为80％以上并 且强度为1.25GW/m2以上的情况下，可以有效地形成掩模支撑部SSP(图12b)。
在一实施例中，脉冲重叠率对应于第一脉冲激光LS-Y1的第一脉冲宽度 PS1与第二脉冲激光LS-Y2的第二脉冲宽度PS2的重叠比率。第一脉冲宽度 PS1及第二脉冲宽度PS2可以分别对应于在Imax/e2的激光脉冲强度(intensity) 下的第一脉冲激光LS-Y1和第二脉冲激光LS-Y2的截面处的直径。即，在 Imax/e2的激光脉冲强度下的脉冲激光的与由第一方向(Y轴)Y和第二方向(X 轴)X定义的截面平行的截面处的直径对应于脉冲宽度。另外，Imax对应于第 一脉冲激光LS-Y1和第二脉冲激光LS-Y2的最大强度。
在一实施例中，脉冲重叠率可以由以下式1表示。
[式1]
Figure BDA0003888925750000231
在上述式1中，v是所述第一激光的扫描速度，PS是第一激光的在Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲激光的截面处的直径，f是第一激光的频率。
在依次提供的n个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn中， 相邻的脉冲激光的脉冲重叠率可以分别是80％以上。即，第n-1个脉冲激光 的脉冲宽度PSn-1与第n个脉冲激光的脉冲宽度PSn的脉冲重叠率可以是 80％以上。在一实施例中，n可以是10以上。
参照图13，n个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn可以 沿第一方向Y依次提供。沿第一方向Y依次提供的n个脉冲激光LS-Y1、 LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn的在第二方向X上的位置可以相同。在相同 的第二方向X上的位置沿着第一方向Y依次提供n个脉冲激光LS-Y1、 LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn的步骤可以是沿着虚拟的第一线(具有相同 的第二方向X上的位置的沿着第一方向Y延伸的虚拟的线)提供第一激光的 第一线照射步骤。
图14是示出激光的线重叠度的图。图14示出了沿第二方向X依次提供 的多个脉冲激光LS-X1、LS-X2、……、LS-Xm-1、LS-Xm。图14所示的沿 着第二方向X依次提供的多个脉冲激光LS-X1、LS-X2、……、LS-Xm-1、 LS-Xm可以对应于在图12a中的沿着第二加工方向MD-X提供的第一激光 LSL-1。并且，在图14中，LS-Y1、LS-X及LS-Yn可以对应于在图13中的 第一方向Y上提供的脉冲激光的在第一方向Y上的位置，并且可以对应于在 第二方向X上移动的同时提供的激光。
在一实施例中，形成掩模支撑部的步骤(S300)(图8b)可以包括沿着 在第一方向Y上延伸的虚拟的第一线LN1照射第一激光的第一线照射步骤 (S310)(图8b)及在与第一方向Y不同的第二方向X上移动预备掩模片之 后，沿着在第一方向Y上延伸的虚拟的第二线LN2追加照射第一激光的第二 线照射步骤(S330)(图8b)。第二线照射步骤(S330)可以执行九次以上的 多次。
第一方向Y和第二方向X可以彼此正交。第一方向Y可以对应于在图 12a中所示的第一加工方向MD-Y，第二方向X可以对应于在图12a中所示 的第二加工方向MD-X。即，形成掩模支撑部的步骤(S300)(图8b)可以 是重复执行如下工艺的步骤：沿第一方向Y向预备掩模片照射第一激光，并 使预备掩模片沿第二方向X以预定间隔移动，再沿第一方向Y向预备掩模片 照射第一激光。
图14示出了以m次的线照射步骤进行的掩模支撑部形成步骤。在一实 施例中，m可以是10以上。即，沿第一方向Y向预备掩模片照射第一激光 的工艺可以在沿第二方向X以预定间隔移动的同时执行10次以上。
参照图14，多个脉冲激光LS-X1、LS-X2、……、LS-Xm-1、LS-Xm中 相邻的脉冲激光的至少一部分可以在第二方向X上彼此重叠。在一实施例的 掩模制造方法中，以第一激光提供的多个脉冲激光LS-X1、LS-X2、……、 LS-Xm-1、LS-Xm的线重叠率可以是70％以上。在第二方向X上相邻的脉冲 激光的线重叠率为70％以上的情况下，掩模支撑部SSP(图12b)可以借由 激光重叠现象(Laser overwriting phenomenon)而形成为具有预定厚度以上的突出部MS-EP(图12b)。
线重叠率是第一线脉冲激光LS-X1的在第二方向X上的脉冲宽度PS-X1 与第二线脉冲激光LS-X2的在第二方向X上的脉冲宽度PS-X2的重叠比率。 在此，脉冲宽度PS-X1、PS-X2是与在Imax/e2的强度(intensity)下的第一线 脉冲激光LS-X1和第二线脉冲激光LS-X2的截面处的直径对应的值。即，在 Imax/e2的激光脉冲强度下的与由第一方向(Y轴)Y和第二方向(X轴)X定 义的截面平行的线脉冲激光的截面处的在第二方向X上的直径对应于脉冲宽 度PS-X1、PS-X2。另外，Imax对应于第一线脉冲激光LS-X1和第二线脉冲激 光LS-X2的最大强度。
在一实施例中，线重叠率可以由以下式2表示。
[式2]
Figure BDA0003888925750000251
在上述式2中，△X是预备掩模片的在第二方向X上的移动距离，PS 是第一激光的在Imax/e2的强度(intensity)下的脉冲宽度。
参照图14，式2中的△X可以对应于相邻的虚拟线LN1、LN2、……、 LNm-1、LNm之间的间隔，脉冲宽度PS可以对应于在Imax/e2的激光脉冲强 度下的与由第一方向(Y轴)Y和第二方向(X轴)X定义的截面平行的线 脉冲激光的截面处的直径。
在第二方向X上以预定间隔移动而提供并且在第一方向Y上的位置相同 的m个线脉冲激光LS-X1、LS-X2、……、LS-Xm-1、LS-Xm中，相邻的脉 冲激光的线重叠率可以分别是70％以上。即，第m-1个线LNm-1的线脉冲激 光LS-Xm-1的脉冲宽度PS-Xm-1和第m个线脉冲激光LS-Xm的脉冲宽度 PS-Xm的线重叠率可以是70％以上。在一实施例中，m可以是10以上。
参照图14，脉冲激光可以沿着m条虚拟线LN1、LN2、……、LNm-1、 LNm在第二方向X上以预定间隔移动的同时沿着第一方向Y依次提供。在 图14中，在各条虚拟线中，可以沿着第一方向Y依次提供n个脉冲激光LS-Y1、 LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn。在第二方向X上移动并在相邻的虚拟线中 沿第一方向Y依次提供n个脉冲激光LS-Y1、LS-Y2、……、LS-Yn-1、LS-Yn 的步骤可以是第二线照射步骤。
图15a及图15b分别示意性地示出了一实施例的掩模制造方法的一步骤。 图15a及图15b示例性地示出了形成贯通预备掩模片的开口部的步骤(S500) (图7)的一部分。
形成贯通预备掩模片的开口部的步骤(S500)(图7)可以是向预备掩模 片P-MS的第二表面US照射第二激光LSL-2而形成与突出部MS-EP相邻并 贯通预备掩模片P-MS的第一表面DS和第二表面US的开口部OP(图5)的 步骤。
在预备掩模片P-MS中可以定义有与在之后制造的掩模中定义开口部OP (图5)的部分对应的加工线U-MSL。在图15a中，由加工线U-MSL示出的 部分是虚拟线，并且示例性地示出了与为了形成开口部OP(图5)而被照射 第二激光LSL-2的外廓线对应的部分。
第二激光LSL-2可以照射到预备掩模片P-MS的第二表面US。被照射第 二激光LSL-2的表面可以是与被照射第一激光的第一表面DS面对的表面。 第二激光LSL-2可以沿着考虑掩模的开放区域MC(图5)的形态而设计的加 工线U-MSL而照射。第二激光LSL-2可以依次提供到由加工线U-MSL表示 的部分的整个内侧。
第二激光LSL-2可以从预备掩模片P-MS的第二表面US的最上部面向 加工线U-MSL的整个内侧提供，并沿着作为第一表面DS方向的第四方向轴 DR4方向依次提供。第二激光LSL-2可以以在左右方向上移动的方式提供， 以加工加工线U-MSL的内侧区域。第二激光LSL-2可以提供到定义在预备 掩模片P-MS的第一表面DS的预备开放区域P-MC的范围，以对应于开放区 域MC(图5)。
照射第二激光LSL-2而形成的开口部OP(图5)的宽度可以从第二表面 US朝向第一表面DS方向逐渐减小。开口部OP(图5)可以通过以使开口部 OP(图5)中暴露的开口侧面MS-SS(图5)相对于第一表面MS-DS的倾斜 角θMS为30度至70度的方式将第二激光LSL-2照射到预备掩模片P-MS而 形成。
在一实施例中，第一激光LSL-1和第二激光LSL-2可以是相同种类的激 光。例如，第一激光LSL-1和第二激光LSL-2的脉冲宽度可以相同。然而， 实施例不限于此。
另外，第一激光LSL-1和第二激光LSL-2的强度可以相同或彼此不同。 例如，用于形成开口部OP的第二激光LSL-2的强度可以大于重复照射的第 一激光LSL-1的强度。然而，实施例不限于此。
图16a及图16b分别是示出利用掩模形成的沉积部分的图像。图16a是 利用现有的掩模进行沉积的比较例的图像，图16b是利用通过一实施例的掩 模制造方法制造的掩模进行沉积的实施例的图像。图16a的现有的掩模的与 突出部对应的突台(berm)的高度是50μm以上，图16b的根据一实施例的 掩模的突出部的高度是10μm以下。
图16a及图16b分别示出利用掩模来沉积沉积物质之后的对象基板PM'、PM的上表面的图像。比较图16a及图16b，阴影区域SDA'、SDA的面积存 在差异。
图16a示出根据比较例的沉积区域DPA、非沉积区域NDPA以及存在于 它们之间的阴影区域SDA'。并且，图16b示出根据利用一实施例的掩模的实 施例的沉积区域DPA、非沉积区域NDPA以及它们之间的阴影区域SDA。
参考图16a及图16b的图像可以确认，在利用通过一实施例的掩模制造 方法制造的掩模执行沉积工艺之后形成的阴影区域SDA的宽度WSD小于在 利用比较例的掩模执行沉积工艺之后形成的阴影区域SDA'的宽度WSD'。即， 以相同的对象基板PM、PM'的面积为基准时，图16b的实施例的沉积区域 DPA的面积可以大于图16a的比较例的沉积区域DPA的面积。
即，通过一实施例的掩模制造方法制造的掩模包括布置于掩模片的下表 面的突出部，从而可以保持与对象基板的隔开间隔而防止对象基板被压印， 同时可以最小化与对象基板的隔开距离而增加沉积区域的面积，并可以减小 沉积区域与非沉积区域之间的阴影区域。据此，一实施例的掩模制造方法通 过在掩模片的下表面包括10μm以下的较小厚度的突出部，从而可以用于制 造用于制造具有高精度和优异的沉积品质的薄膜层的掩模。
一实施例的掩模制造方法包括通过以80％以上的脉冲重叠率提供预定强 度以上的激光作为脉冲激光来形成掩模支撑部的步骤，从而可以用于制造能 够实现优异的沉积品质的掩模。
以下，参照实施例及比较例，具体说明根据本发明的一实施形态的掩模 制造方法及根据这种掩模制造方法的工艺条件的变化的掩模的评价结果。并 且，以下示出的实施例是用于帮助理解本发明的一示例，本发明的范围不限 于此。
[实施例]
在以下说明的实施例的结果说明中，加工线的数量对应于参照图14等说 明的在第二方向上的虚拟线的数量，激光的强度对应于脉冲激光的最大强度。 并且，脉冲重叠率可以由上述的式1等定义。并且，突出部的高度对应于从 掩模片的下表面隔开而突出的部分的高度。由“X”表示的部分是指未形成 突出部。
1、根据脉冲重叠率的突出部的形成
表1是将确认了根据用第一激光照射的多个脉冲激光的脉冲重叠率是否 形成掩模的突出部的实施例与比较例进行比较而示出的表。在比较例1-1和 比较例1-2以及实施例1-1至实施例1-4中使用的第一激光的波长是515nm， 光束大小是12μm。
[表1]
Figure BDA0003888925750000281
参照表1的结果可以确认，在脉冲重叠率为80％以上的实施例的情况下， 在掩模片形成有突出部。与此相比，比较例1-1和比较例1-2的脉冲重叠率为 70％以下，脉冲重叠率小于实施例1-1至实施例1-4的脉冲重叠率，据此，未 形成突出部。
并且，参照表1的结果，脉冲重叠率可以与所提供的激光的频率成比例。 即，可以确认脉冲激光的重叠率随着频率的增加而增加。
另外，参照实施例1-2及实施例1-3的结果可以确认，在相同的加工线 的数量和激光的强度的工艺条件下脉冲重叠率较大的情况下，所形成的突出 部的高度也变大。即，可以确认，随着脉冲重叠率的增加，更容易形成突出 部。
2、根据脉冲强度的突出部的形成
表2是将确认了根据用第一激光照射的脉冲激光的激光强度是否形成掩 模的突出部的实施例与比较例进行比较而示出的表。在比较例2-1和比较例 2-2以及实施例2-1至实施例2-3中使用的第一激光的波长是515nm，光束大 小是12μm。
[表2]
Figure BDA0003888925750000291
参照表2的结果可以确认，当将脉冲重叠率为80％而具有相同的脉冲重 叠率的比较例2-1与实施例2-1及实施例2-2进行比较时，在激光的强度是 1.25GW/m2以上的实施例的情况下，在掩模片形成有突出部。与此相比，比 较例1-1的激光的强度小于1.25GW/m2，即使在与实施例相同的脉冲重叠率 下也没有形成突出部。
并且，在表2中，将比较例2-2与实施例2-3进行比较时，可以确认， 即使在比较例具有1.25GW/m2以上的激光的强度的情况下，脉冲重叠率也小 于80％而未形成突出部。
即，可以知道，在一实施例的掩模制造方法的情况下，在所提供的激光 的强度为1.25GW/m2以上且脉冲重叠率为80％以上的情况下，能够有效地形 成突出部。
3、根据线重叠率的突出部的形成
表3是将确认了根据用第一激光照射的多个脉冲激光的线重叠率是否形 成掩模的突出部的实施例与比较例进行比较而示出的表。在比较例3-1及实 施例3-1至实施例3-3中使用的第一激光的波长是515nm，光束大小是12μm。
[表3]
Figure BDA0003888925750000292
Figure BDA0003888925750000301
参照表3的结果可以确认，在线重叠率为70％以上的实施例的情况下， 在掩模片上形成有突出部。与此相比，比较例3-1的线重叠率小于70％，线 重叠率小于实施例3-1至实施例3-3的线重叠率，据此，未形成突出部。
并且，在表3中，将比较例3-1与实施例3-2等进行比较时，可以确认， 即使在比较例具有1.25GW/m2以上的激光的强度的情况下，线重叠率也小于 70％而未形成突出部。
即，可以知道，在一实施例的掩模制造方法的情况下，在所提供的激光 的强度为1.25GW/m2以上且线重叠率为70％以上的情况下，能够有效地形成 突出部。
一实施例的掩模制造方法包括向预备掩模片的一表面反复照射激光来形 成包括突出部的掩模支撑部的步骤以及与突出部相邻地提供激光来形成贯通 预备掩模片的开口部的步骤，从而能够提供开放区域的尺寸精度高且能够最 小化沉积面处的阴影区域的面积的掩模。
并且，在一实施例的掩模制造方法的情况下，包括以所提供的激光的强 度为1.25GW/m2以上、脉冲重叠率为80％以上、线重叠率为70％以上的方式 将脉冲激光重叠而提供的步骤，从而能够制造开放区域的尺寸精度高且突台 (berm)的高度保持在预定高度以下的掩模。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是本发明所属技术 领域的熟练的技术人员或本发明所属技术领域中具有普通知识的技术人员， 就可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想及技术领域的范围内， 可以对本发明进行多样的修改及变更。
因此，本发明的技术范围并不限于说明书的详细说明中记载的内容，而 应由权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种掩模制造方法，包括如下步骤：
准备包括彼此面对的第一表面和第二表面的预备掩模片；
向所述预备掩模片的所述第一表面照射第一激光来形成包括从所述第一表面凹陷的凹陷部及与所述凹陷部相邻且从所述第一表面突出的突出部的掩模支撑部；以及
向所述预备掩模片的所述第二表面照射第二激光来形成与所述突出部相邻并贯通所述预备掩模片的开口部。
2.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光包括沿第一方向依次提供的多个脉冲激光，
在形成所述掩模支撑部的步骤中，所述多个脉冲激光中相邻的所述脉冲激光的至少一部分彼此重叠。
3.根据权利要求2所述的掩模制造方法，其中，
相邻的所述脉冲激光的脉冲重叠率为80％以上，
所述脉冲重叠率是第一脉冲激光的第一脉冲宽度与第二脉冲激光的第二脉冲宽度的重叠比率，
所述第一脉冲宽度及所述第二脉冲宽度分别是在Imax/e2的强度下的所述第一脉冲激光和所述第二脉冲激光的截面处的直径，Imax是所述第一脉冲激光和所述第二脉冲激光的最大强度。
4.根据权利要求2所述的掩模制造方法，其中，
相邻的所述脉冲激光的脉冲重叠率为80％以上，
所述脉冲重叠率由以下式1表示：
[式1]
Figure FDA0003888925740000011
在所述式1中，v是所述第一激光的扫描速度，PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度下的脉冲激光的截面处的直径，f是所述第一激光的频率。
5.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
形成所述掩模支撑部的步骤包括如下步骤：
第一线照射步骤，沿着在第一方向上延伸的虚拟的第一线照射所述第一激光；以及
第二线照射步骤，在与所述第一方向不同的第二方向上移动所述预备掩模片之后，沿着在所述第一方向上延伸的虚拟的第二线追加照射所述第一激光。
6.根据权利要求5所述的掩模制造方法，其中，
所述第二线照射步骤反复9次以上。
7.根据权利要求5所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光包括沿所述第一方向依次提供的多个脉冲激光，
在所述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在所述第一方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的第二线脉冲激光的线重叠率为70％以上，
所述线重叠率是所述第一线脉冲激光的在所述第二方向上的脉冲宽度与所述第二线脉冲激光的在所述第二方向上的脉冲宽度的重叠比率，所述脉冲宽度是在Imax/e2的强度下的所述第一线脉冲激光和所述第二线脉冲激光的截面处的直径。
8.根据权利要求5所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光包括沿所述第一方向依次提供的多个脉冲激光，
在所述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在所述第一方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的第二线脉冲激光的线重叠率为70％以上，所述线重叠率由以下式2表示：
[式2]
Figure FDA0003888925740000021
在所述式2中，△X是所述预备掩模片的在所述第二方向上的移动距离，PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度下的脉冲宽度。
9.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光及所述第二激光中的每一个是具有飞秒至皮秒的脉冲宽度的脉冲激光。
10.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光的波长是400nm至600nm。
11.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光的频率是10kHz至1000kHz。
12.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光的光束大小是10μm至100μm。
13.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光的强度是1.25GW/m2以上。
14.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
在平面上，所述开口部是四边形形状，
所述突出部沿着所述开口部的一边平行地形成。
15.根据权利要求1所述的掩模制造方法，其中，
在平面上，所述突出部形成为在所述开口部的外廓构成包围所述开口部的闭合曲线。
16.一种掩模制造方法，利用包括支撑单元以及布置于所述支撑单元上部的激光提供单元的激光加工装置，所述支撑单元包括能够在第一方向及与所述第一方向正交的第二方向中的每一个方向上移动的工作台，所述掩模制造方法包括如下步骤：
在所述工作台上提供包括彼此面对的第一表面和第二表面的预备掩模片；
使所述工作台在所述第一方向上移动的同时，向所述预备掩模片的所述第一表面照射第一激光来形成包括从所述第一表面凹陷的凹陷部及与所述凹陷部相邻且从所述第一表面突出的突出部的掩模支撑部；以及
向所述预备掩模片的所述第二表面照射第二激光来形成与所述突出部相邻并贯通所述预备掩模片的开口部。
17.根据权利要求16所述的掩模制造方法，其中，
提供所述预备掩模片的步骤包括如下步骤：
将所述预备掩模片拉伸并固定于掩模框架；以及
以使固定于所述掩模框架的所述预备掩模片的所述第一表面与所述激光提供单元相邻的方式将所述预备掩模片安置于所述工作台上。
18.根据权利要求16所述的掩模制造方法，其中，
形成所述掩模支撑部的步骤反复如下步骤：与所述预备掩模片的形成为所述开口部的预备开口区域的一侧面平行地沿着所述第一方向照射所述第一激光。
19.根据权利要求16所述的掩模制造方法，其中，
所述第一激光包括具有1.25GW/m2以上的强度且沿第一方向依次提供的多个脉冲激光，
形成所述掩模支撑部的步骤包括如下步骤：
第一线照射步骤，沿着在所述第一方向上延伸的虚拟的第一线照射所述第一激光；以及
第二线照射步骤，在所述第二方向上移动所述预备掩模片之后，沿着在所述第一方向上延伸的虚拟的第二线追加照射所述第一激光，
其中，所述脉冲激光中相邻的脉冲激光的脉冲重叠率为80％以上，
所述脉冲重叠率由以下式1表示：
[式1]
Figure FDA0003888925740000041
在所述式1中，v是所述第一激光的扫描速度，PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度下的脉冲激光的截面处的直径，f是所述第一激光的频率。
20.根据权利要求19所述的掩模制造方法，其中，
在所述第一线照射步骤中的第一线脉冲激光和与所述第一线脉冲激光在所述第一方向上的位置重叠的在所述第二线照射步骤中的第二线脉冲激光的线重叠率为70％以上，所述线重叠率由以下式2表示：
[式2]
Figure FDA0003888925740000042
在所述式2中，△X是所述预备掩模片的在所述第二方向上的移动距离，PS是所述第一激光的在Imax/e2的强度下的脉冲宽度。
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