CN115963376A - 发光芯片及其测试方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种发光芯片及其测试方法。所述方法包括：对发光芯片的发光区施加测试电压；其中，所述发光芯片的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；所述发光芯片还包括吸收区，所述吸收区用于吸收所述光学膜反射的第二光信号；通过所述吸收区接入的测量电路，检测所述吸收区的电流值；其中，所述电流值与所述光学膜反射的第二光信号具有对应关系。

Description

发光芯片及其测试方法

技术领域

本申请实施例涉及半导体测试技术，涉及但不限于一种发光芯片及其测试方法。

背景技术

随着半导体光器件的应用越来越广泛，对半导体发光芯片的光学性能要求也越来越高。发光芯片发出的光透过发光芯片内部向外传输的过程中，会在一些位置发生反射，例如，发出的光经过发光芯片的光学膜时发生反射，或者，发出的光透过光学膜，进入外部的光路后也会发生反射。由于反射的光会与发出的光形成串扰，因此会影响发光芯片的性能。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种发光芯片的测试方法，所述方法包括：

对发光芯片的发光区施加测试电压；其中，所述发光芯片的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；所述发光芯片还包括吸收区，所述吸收区用于吸收所述光学膜反射的第二光信号；

通过所述吸收区接入的测量电路，检测所述吸收区的电流值；其中，所述电流值与所述光学膜反射的第二光信号具有对应关系。

在一些实施例中，所述发光芯片的发光区包括有源层；所述有源层包括至少一段，不同段的所述有源层的发光波长不同。

在一些实施例中，所述方法还包括：

根据所述电流值，调整所述光学膜的膜质参数；

在调整所述膜质参数后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第一预定电流范围。

在一些实施例中，所述光学膜的膜质参数包括以下至少之一：

所述光学膜的厚度；

所述光学膜的反射率；以及所述光学膜的均匀性。

在一些实施例中，所述发光芯片还包括：光学透镜和光纤，所述光纤具有光纤端面；所述方法还包括：

根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述发光区发出的所述第一光信号经过所述光学透镜到达所述光纤端面，并在所述光纤端面被反射至所述吸收区，所述吸收区还用于吸收所述光纤端面反射的第三光信号；

在调整所述位置关系后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第二预定电流范围。

在一些实施例中，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系，包括：根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光学透镜之间具有固定的位置关系。

在一些实施例中，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤之间的位置关系，包括：根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光学膜之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光纤端面之间具有固定的位置关系。

在一些实施例中，所述位置关系，包括：

距离关系；和/或

角度关系。

在一些实施例中，包括：

发光区，所述发光区的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；

吸收区，位于与所述发光区和所述光学膜的同一光路上，用于吸收所述光学膜反射的第二光信号。

在一些实施例中，所述发光芯片还包括：

位于与所述光学膜在同一光路上的光学透镜和光纤；所述光纤还包括光纤端面；其中，所述发光区发出的所述第一光信号经过所述光学透镜到达所述光纤端面，并在所述光纤端面被反射至所述吸收区，所述吸收区还用于吸收所述光纤端面反射的第三光信号。

在本申请实施例中，通过对发光芯片施加测试电压，使发出的第一光信号从光学膜反射，并通过吸收区检测与反射的第二光信号具有对应关系的电流值，达到检测反射造成的串扰光的目的。如此，可以便于对发光芯片的结构进行调整，从而降低串扰光的影响，提升发光芯片的性能。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种发光芯片的测试方法流程图；

图2为本申请实施例提供的一种发光芯片；

图3为本申请实施例提供的另一种发光芯片的测试方法流程图；

图4为本申请实施例提供的又一种发光芯片的测试方法流程图；

图5为本申请实施例提供的一种发光芯片的测试原理示意图；

图6为本申请实施例提供的一种发光芯片和光纤耦合的测试原理示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种发光芯片的测试原理示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种发光芯片和光纤耦合的测试原理示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本申请实施例提供一种发光芯片的测试方法，如图1所示，所述方法包括：

步骤S101、对发光芯片的发光区施加测试电压；其中，所述发光芯片的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；所述发光芯片还包括吸收区，所述吸收区用于吸收所述光学膜反射的第二光信号；

步骤S102、通过所述吸收区接入的测量电路，检测所述吸收区的电流值；其中，所述电流值与所述光学膜反射的第二光信号具有对应关系。

半导体发光芯片可以由两部分组成包括发光区和吸收区，发光区和吸收区的上表面具有P面电极，P面电极的下面可以依次为上包层、上限制层、有源层、下限制层、下包层、半导体衬底以及N面电极。将发光区的P面电极与电压测试模块的一端连接，将发光区的N面电极与电压测试模块的另一端连接。发光芯片的发光区远离吸收区一端的端面还镀有一层光学膜，所述光学膜可以是增透膜，用于提高发光芯片发出的光的透射率。在测试电压模块对发光区施加固定电压，在测试电压模块的作用下发光区向着光学膜方向出射光，但仍有一部分发光区发出的光，在经过光学膜时被反射回来，成为反射光。这部分反射光在返回芯片发光区时被放大，成为串扰光。将吸收区的P面电极与电流测量电路模块连接，将吸收区的N面电极也与电流测量电路模块连接。吸收区吸收所述部分串扰光并引起光电流的变化，吸收区接入的电流测量电路模块的电流值用于反应这部分串扰光引起的电流的变化。

在发光芯片其他内部条件不变的情况下，发光区光学膜的质量与反射光的大小对应，反射光的大小与串扰光的大小对应，串扰光的大小与吸收区的电流值对应。

例如，发光区光学膜质量越好——光学膜质量的“好”为光学膜增透率高而反射率低，故同一光束经过光学膜后反射的光越少。发射光越少，当返回芯片发光区时被放大的光束就越少，即串扰光越少。因为串扰光进入吸收区时，会被吸收区吸收掉。吸收区吸收串扰光会引起光电流的变化，串扰光越少时，光电流的变化越小，反映在电流测试电路中即为电流表的值越小。

综上，可以直接将光学膜质量的好坏与电流表的数值大小对应起来，例如，光学膜质量越好，电流表的数值越小。

光学膜质量越差时，形成的串扰光越多，这部分串扰光消耗芯片内发光部分的载流子，从而引起芯片出射光功率、出射光波长的稳定性、调制性能或者光谱平坦度等性能的变化，故监控光学膜质量的好坏具有非常重要的现实意义。通过吸收区电流值的大小反映光学膜质量好坏的监控方式简单、直接，无论是光学膜已经形成在发光芯片还是对发光膜进行镀光学膜的实时过程中，都可以使用本申请实施例的方法通过观测电流值的大小来监测光学膜的质量。

在一些实施例中，如图2所示，所述发光芯片100的发光区101包括有源层103；所述有源层103包括至少一段，不同段的所述有源层的发光波长不同。

发光芯片的发出的光是由发光芯片的有源层中的电子与空穴复合产生的放大自发辐射产生的。发光区和吸收区中的有源层材料可以相同也可以不同，例如发光区和吸收区的有源层可以使用相同的材料，具有相同的能带带隙，此时有源层可以看作一整段。发光区和吸收区的有源层也可以使用不同的材料，例如发光区有源层材料的能带带隙可以大于吸收区有源层材料的能带带隙，此时有源层为两段。发光区有源层还可以分为两段及两段以上，通过对不同段内填充不同能带带隙的材料，使得发光区发出两种以上不同波长的光，此时的发光芯片为多段发光芯片。

在一些实施例中，如图3所示，所述方法还包括：

步骤S103、根据所述电流值，调整所述光学膜的膜质参数；

步骤S104、在调整所述膜质参数后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第一预定电流范围。

电流的大小与光学膜的质量好坏有对应关系，例如电流值越小，光学膜透光率越强，光学膜质量越好。当光学膜的透光率在所需范围内时，例如99％，在光学膜的透光率大于等于99％时，电流值不是一个固定的值而是存在一定的范围，将这个电流范围记为第一预定电流范围。

利用第一预定电流范围可以反过来评价光学膜的质量，例如，当镀膜的发光芯片的发光区接入固定电压后，在吸收区测得的电流值在第一预定电流范围内时，将此发光芯片标记为合格品；当镀膜的发光芯片的发光区接入固定电压后，在吸收区测得的电流值不在第一预定电流范围内时，将此发光芯片标记为不合格品。

利用第一预定电流范围还可以对不合格的发光芯片进行重工工艺处理，如果电流值超过第一预定电流范围内，可以调整光学膜的膜质参数，重新检测电流值，直到检测到的电流在第一预定电流范围之内，调整完毕，此时的发光芯片由不合格品升档为合格品。

在一些实施例中，所述光学膜的膜质参数包括以下至少之一：

所述光学膜的厚度；

所述光学膜的折射率；

光学膜的质量由光学膜的膜质参数决定，对于单层光学膜来说，当光学膜两侧具有介质时，光学膜的厚度为1/4波长的奇数倍且光学膜的折射率n＝(n1*n2)^1/2，其中n1和n2分别是光学膜两侧介质的折射率，n1与n2可以相同也可以不同，当光学膜满足上诉条件时，所述光学膜的透过率越强。

在一些实施例中，如图4所示，所述发光芯片还包括：光学透镜和光纤，所述光纤具有光纤端面；所述方法还包括：

步骤S105、根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述发光区发出的所述第一光信号经过所述光学透镜到达所述光纤端面，并在所述光纤端面被反射至所述吸收区，所述吸收区还用于吸收所述光纤端面反射的第三光信号；

步骤S106、在调整所述位置关系后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第二预定电流范围。

在一些实施例中，所述发光芯片可以与光学透镜和光纤一起进行光纤耦合。所述光纤可以是一根光纤也可以是一束光纤束。所述光纤具有光纤端面。在固定测试电压的作用下，发光区向着光学膜方向出射光，这部分出射光先经过光学透镜，例如，所述光学透镜可以是准直透镜，用于将发光芯片发出的分散的光束变换为平行的光束，平行的光束再耦合到光纤中。所述光学透镜还可以是准直透镜和汇聚透镜的组合，准直透镜先将发光芯片发出的分散的光束变换为平行的光束，汇聚透镜再将平行的光束汇聚耦合至光纤中。在一些实施例中，光学透镜还可以是多个准直透镜、汇聚透镜以及其他透镜的组合。

当所述发光区发出的光束经过所述光学透镜到达所述光纤端面时，部分光束光纤端面反射回来，成为反射光。这部分反射光在返回芯片发光区时被放大，成为串扰光，串扰光进入吸收区时，会被吸收区吸收掉。吸收区吸收串扰光会引起光电流的变化，这部分串扰光消耗芯片内发光部分的载流子，串扰光越少时，光电流的变化越小，反映在电流测试电路中即为电流表的值越小。

发光芯片、光学透镜和光纤耦合的效率与发光芯片发出的光束被光纤端面反射回来的光束量成对应关系。例如，发光芯片、光学透镜和光纤耦合的效率越高，被光纤端面反射回来的光束量就越少，反映在电流测试电路中就是电流表的值越小。

发光芯片、光学透镜和光纤耦合的效率与发光芯片、光学透镜与光纤耦合之间的位置关系对应。例如当光纤耦合效率大于等于目标耦合效率值时，电流值不是一个固定的值而是存在一定的范围，将这个电流范围记为第二预定电流范围。

例如，当发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系调整完毕之后，若测得的电流值在第二预定电流范围内，则发光芯片、光学透镜和光纤的耦合效率在目标效率值以上，判定为光纤耦合成功。

又如，当发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系调整完毕之后，若测得的电流值不在第二预定电流范围内，则发光芯片、光学透镜和光纤的耦合效率在目标效率值以下，判定为光纤耦合不成功。此时可以重新调整发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系，并重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第二预定电流范围，判定此时的光纤耦合成功。

在一些实施例中，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系，包括：根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光学透镜之间具有固定的位置关系。

在一些实施例中，调整发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系的方法可以是，先将发光芯片的光学膜与所述光学透镜之间的位置关系固定，然后根据电流检测电路返回的电流值，对光学透镜和光纤之间的位置关系进行调整。

在一些实施例中，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤之间的位置关系，包括：根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光学膜之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光纤端面之间具有固定的位置关系。

在一些实施例中，调整发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系的方法可以是，先将发光芯片的光学膜与所述光纤之间的位置关系固定，然后根据电流检测电路返回的电流值，对光学膜与光纤之间的光学透镜的位置进行调整。因为光学膜与光纤之间的位置关系是固定的，调整了光学透镜与光学膜之间的位置关系即调整了光纤透镜与光纤之间的位置关系，反之亦然。

在一些实施例中，所述位置关系，包括：

距离关系；和/或

角度关系。

发光芯片、光学透镜与光纤之间的位置关系包括但不限于发光芯片与光学透镜之间的距离关系和/或角度关系以及光学透镜与光纤之间的距离关系和/或角度关系。

在一些实施例中，发光芯片与光学透镜之间的距离关系可以是发光芯片出光面的中心点到光学透镜中心点的垂直距离；光学透镜与光纤之间的距离关系可以是光学透镜中心点到光纤端面的中心点的垂直距离。

在一些实施例中，发光芯片与光学透镜之间的角度关系可以是发光芯片出光面的中心点到光学透镜中心点的连线与垂直于出光面且经过出光面中心点的垂直线的夹角；光学透镜与光纤之间的角度关系可以是光学透镜中心点与光学端面中心点的连线与垂直于光学透镜中心点的垂直线的夹角。

在一些实施例中，如图5所示，包括：

发光区101，所述发光区101的发光端面上具有光学膜104，所述发光芯片100的发光区101用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜104发出第一光信号；

吸收区102，位于与所述发光区101和所述光学膜104的同一光路上，用于吸收所述光学膜104反射的第二光信号。

半导体发光芯片可以由两部分组成包括发光区和吸收区，将电压测试模块与发光区连接。发光芯片的发光区远离吸收区一端的端面还镀有一层光学膜，所述光学膜可以是增透膜，用于提高发光芯片发出的光的透射率。测试电压模块用于对发光区施加固定电压，在测试电压模块的作用下发光区向着光学膜方向出射光，但仍有一部分发光区发出的光，在经过光学膜时被反射回来，成为反射光。

因为发光区、吸收区和光学膜位于同一光路上，故吸收区可以吸收光学膜反射回来的反射光。

在一些实施例中，如图6所示，所述发光芯片还包括：

位于与所述光学膜104在同一光路上的光学透镜301和光纤302；所述光纤302还包括光纤端面303；其中，所述发光区101发出的所述第一光信号经过所述光学透镜301到达所述光纤端面303，并在所述光纤端面303被反射至所述吸收区102，所述吸收区102还用于吸收所述光纤端面303反射的第三光信号。

发光芯片还可以与光学透镜和光纤一起进行光纤耦合。所述光纤具有光纤端面。在固定测试电压的作用下，发光区向着光学膜方向出射光，这部分出射光先经过光学透镜，例如，所述光学透镜可以是准直透镜，用于将发光芯片发出的分散的光束变换为平行的光束，平行的光束再耦合到光纤中。所述光学透镜还可以是准直透镜和汇聚透镜的组合，准直透镜先将发光芯片发出的分散的光束变换为平行的光束，汇聚透镜再将平行的光束汇聚耦合至光纤中。在一些实施例中，光学透镜还可以是多个准直透镜、汇聚透镜以及其他透镜的组合。

当所述发光区发出的光束经过所述光学透镜到达所述光纤端面时，部分光束光纤端面反射回来，成为反射光。

因为发光芯片和光学透镜、光纤位于同一光路上，故吸收区可以吸收光纤端面反射回来的反射光。

本申请实施例还有如下示例，如图7所示：

随着半导体光器件的应用越来越广泛，对半导体发光芯片的光学性能要求也越来越高。目前在发光芯片制作过程中，通过在芯片的出光端面镀光学膜提高光学性能是一种常用手段。因此在镀光学膜的过程中对其特性进行监控显得尤为重要。本申请实施例提供一种通过测试芯片电流变化监控光学膜特性的测试方法。测试原理是芯片发出的光经过光学膜时产生反射光，反射光在芯片内可以引起芯片内的载流子变化，通过监测芯片中引起的电流变化测试光学膜的反射率及其他特性。具体测试方法如下：

将超辐射发光二极管芯片巴条(bar)100置于端面镀膜夹具中，再将超辐射发光二极管芯片100的发光区101的P面电极与N面电极分别用金丝键合的方式引出两个电极，然后用导线105和导线106接入到工作电路201中，以此类推，可以将多个芯片发光区同时引出电极到工作电路上。

将超辐射发光二极管芯片100的吸收区102的P面电极和N面电极也分别用金丝键合的方式引出两个电极，然后用导线107和导线108接入到监控电流测试电路202中，可以用监控一个或几个超辐射二极管管芯的监控电流作为判定镀膜质量的依据。

通过工作电路201给发光区101加一定的电压，电压值固定不变。当超辐射发光二极管芯片100发出的光经过光学膜104时产生反射，反射光返回发光区101，到达吸收区102，引起载流子的变化，使与吸收区102连接的电流测量电路202测得的电流产生变化。

因为芯片端面膜系反射率越小，监控电流就会越小，所以在镀膜过程中通过测试监控电流的变化来监控芯片端面增透膜质量和镀膜过程中膜层厚度的变化，增透膜质量越好，监控电流将变小，增透膜质量越差，监控电流将变大。当监控电流的值小于一定电流范围内时，认为此时的增透膜的质量为合格；当监控电流的值大于一定电流范围内时，认为此时的增透膜的质量为不合格。

本申请实施例还有如下另一个示例，如图8所示：

由于光纤端面对光的反射，会产生光谱纹波，而光谱纹波会使光器件的精度降低，因此在光纤耦合过程中，对反射光进行在线监测显得尤为重要。本申请实施例提供一种通过测量反射光在芯片内可以引起芯片内的电流变化方法，来监测光纤耦合过程中的反射情况。

将已经镀过增透膜的超辐射发光二极管芯片巴条100置于耦合夹具中，再将超辐射发光二极管芯片100的发光区101的P面电极与N面电极分别用金丝键合的方式引出两个电极，然后用导线105和导线106接入到工作电路201中，以此类推，可以将多个芯片发光区同时引出电极到工作电路上。

将超辐射发光二极管芯片100的吸收区102的P面电极和N面电极用金丝键合方式引出两个电极，然后用导线107和导线108接入到监控电流测试电路中202。

通过工作电路201给发光区101加一定的电压，电压值固定不变。当超辐射发光二极管芯片100发出的光与光纤302耦合时，在光纤端面303产生反射，反射光返回发光区101，到达吸收区102，引起载流子的变化，使吸收区连接的电流测量电路202测得的电流产生变化。

在光纤耦合过程中，通过调节芯片端面104、耦合透镜301和光纤302之间的距离和角度，以及其它耦合条件，可以研究哪些因素影响耦合效率。例如，芯片端面104和耦合透镜301的距离不断改变时，在某个位置会发现监控电流最小，此时光谱纹波也会变小，从而得到一个芯片端面和耦合透镜的最佳距离。

当监控电流的值小于一定电流范围内时，认为此时的光纤耦合的距离在最佳距离范围内；当监控电流的值大于一定电流范围内时，认为此时的光纤耦合的距离不在最佳距离范围内。

本申请实施例还有如下另一个示例：

将已经镀过增透膜的超辐射发光二极管芯片巴条置于耦合夹具中，再将超辐射发光二极管芯片的发光区P面电极与N面电极分别用金丝键合的方式引出两个电极，接入到工作电路中，以此类推，可以将多个芯片发光区同时引出电极到工作电路上。

将超辐射发光二极管芯片吸收区P面电极和N面电极用金丝键合方式引出两个电极，接入到监控电流测试电路中。

将多级光纤连接，超辐射发光二极管芯片发光区发出的光束进入多级光纤内，并有反射光从多级光纤的端面反射回来，并进入发光芯片的吸收区中，引起电流的变化。

通过观测监控电流，判断多级光纤连接时的端面连接质量，当监控电流在目标范围内时，此时的多级光纤连接时的端面连接质量满足要求。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种发光芯片的测试方法，其特征在于，所述方法包括：

对发光芯片的发光区施加测试电压；其中，所述发光芯片的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；所述发光芯片还包括吸收区，所述吸收区用于吸收所述光学膜反射的第二光信号；

通过所述吸收区接入的测量电路，检测所述吸收区的电流值；其中，所述电流值与所述光学膜反射的第二光信号具有对应关系。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光芯片的发光区包括有源层；所述有源层包括至少一段，不同段的所述有源层的发光波长不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述电流值，调整所述光学膜的膜质参数；

在调整所述膜质参数后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第一预定电流范围。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光学膜的膜质参数包括以下至少之一：

所述光学膜的厚度；

所述光学膜的反射率；以及所述光学膜的均匀性。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光芯片还包括：光学透镜和光纤，所述光纤具有光纤端面；所述方法还包括：

根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述发光区发出的所述第一光信号经过所述光学透镜到达所述光纤端面，并在所述光纤端面被反射至所述吸收区，所述吸收区还用于吸收所述光纤端面反射的第三光信号；

在调整所述位置关系后，重新检测所述电流值，直至所述电流值满足第二预定电流范围。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系，包括：

根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光纤端面之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光学透镜之间具有固定的位置关系。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述电流值，调整所述光学膜、所述光学透镜与所述光纤之间的位置关系，包括：

根据所述电流值，调整所述光学透镜与所述光学膜之间的位置关系；其中，所述光学膜与所述光纤端面之间具有固定的位置关系。

8.根据权利要求5至7任一所述的方法，其特征在于，所述位置关系，包括：

距离关系；和/或

角度关系。

9.一种发光芯片，其特征在于，包括：

发光区，所述发光区的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；

吸收区，位于与所述发光区和所述光学膜的同一光路上，用于吸收所述光学膜反射的第二光信号。

10.根据权利要求9所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括：

位于与所述光学膜在同一光路上的光学透镜和光纤；所述光纤还包括光纤端面；其中，所述发光区发出的所述第一光信号经过所述光学透镜到达所述光纤端面，并在所述光纤端面被反射至所述吸收区，所述吸收区还用于吸收所述光纤端面反射的第三光信号。

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