CN115954659A - 一种阵列天线 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列天线。该阵列天线包括：包括：N个辐射集成单元和多路馈网；N个辐射集成单元分别包括辐射单元和3dB电桥单元组成，N个辐射集成单元的3dB电桥单元分别与多路馈网通过金属化过孔导通；其中，金属化过孔周围设置有屏蔽孔，屏蔽孔导通多路馈网的参考地层。本发明实施例，通过N个辐射集成单元的3dB电桥单元分别与多路馈网通过金属化过孔导通，且金属化过孔周围设置有屏蔽孔，屏蔽孔导通多路馈网的参考地层，能够提高金属化过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

Description

一种阵列天线

技术领域

本发明涉及卫星通信设备技术领域，尤其涉及一种阵列天线。

背景技术

目前已有的KA频段微带阵列天线方案，为了避免因导体损耗过大而导致整体方案有效全向辐射功率值过小，摒弃了一维相控阵设计理念，采用二维相控阵设计方案。而二维相控阵方案价格非常昂贵，不利于大批量应用。二维相控阵方案也没有充分利用微带天线可以实现“馈电网络与天线单元集成化设计”的优点。

由于KA频段较高、波长短，阵列天线辐射单元见的电磁耦合较强，导致天线方向图带宽较窄。目前二维相控阵天线的轴比指标普遍不好。

大规模微带阵列天线要实现馈电网络与天线单元的集成化设计，就必须将馈电网络用带状线的形式来设计，完成信号传输，然而由于带宽窄的原因，这就进一步限制了天线的带宽。而且，要想实现上述带状线设计，采用传统叠层结构来布局，所需要的高频板材数量非常多，生产成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列天线，能够提高金属化过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

根据本发明的一方面，本发明实施例提供了一种该阵列天线包括：

包括：N个辐射集成单元和多路馈网；N个所述辐射集成单元分别包括辐射单元和3dB电桥单元组成，N个所述辐射集成单元的所述3dB电桥单元分别与所述多路馈网通过金属化过孔导通；

其中，所述金属化过孔周围设置有屏蔽孔，所述屏蔽孔导通所述多路馈网的参考地层。

进一步的，所述多路馈网为带状线结构，所述多路馈网至少包括第一级多路馈网和第二级多路馈网，所述辐射集成单元连接至所述第一级多路馈网，所述第一级多路馈网和所述第二级多路馈网通过低噪声放大器进行连接。

进一步的，所述金属化过孔为第一圆形，所述第一圆形对应的直径为第一直径R1。

进一步的，设置的所述屏蔽孔的数量为至少两个，各所述屏蔽孔之间具有间距，所述屏蔽孔的分布轨迹为第二圆形，所述第二圆形对应的直径为第二直径R2，所述分布轨迹对应的圆心与所述金属化过孔对应的圆心相重合。

进一步的，所述多路馈网的参考地层进行地层开窗处理，所述地层开窗为第三圆形，所述第三圆形的直径为第三直径R3，所述地层开窗对应的圆心与所述金属化过孔对应的圆心相重合。

进一步的，所述多路馈网预设距离内的所述金属化过孔处设置调节枝节。

进一步的，地层开窗的第三直径R3与所述金属化过孔的第一直径R1之间的比值为3.5≤R3/R1≤5，各所述屏蔽孔的分布轨迹的第二直径R2与所述第三直径的比值为1.3≤R2/R3≤1.7。

进一步的，所述多路馈网的带状线结构采用半固化片加高频板的叠层，所述叠层采用PCB贴膜工艺；其中，所述半固化片的厚度与所述高频板的厚度保持在预设范围内。

进一步的，在所述第一级多路馈网对应的上层参考地层上所述辐射单元之间开出至少3条预设宽度的长缝。

进一步的，所述多路馈网为等幅同相功分网络。

本发明上述实施例的技术方案，通过N个辐射集成单元分别包括辐射单元和3dB电桥单元组成，N个辐射集成单元的3dB电桥单元分别与多路馈网通过金属化过孔导通，且金属化过孔周围设置有屏蔽孔，屏蔽孔导通多路馈网的参考地层，能够提高金属化过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的一种阵列天线的结构图；

图2为本发明一实施例提供的一种辐射集成单元的结构图；

图3本发明一实施例提供的又一种辐射集成单元的结构图；

图4为本发明实施例提供的一种天线阵布局的简易结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的又一种天线阵列的结构图；

图6为本发明一实施例提供的一种第一级多路馈网的结构示意图；

图7为本发明一实施例提供的一种金属化过孔的结构示意图；

图8为本发明一实施例提供的一种屏蔽孔的结构示意图；

图9为本发明实施例提出的一种改进方案与传统方案带状线叠层的对比图；

图10为本发明实施例提供的一种方位面和俯仰面天线阵列中辐射集成单元的排布示意图；

图11为本发明实施例提供的一种4x4阵列的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种参考地缝隙示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”以及“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

目前，应用于车载低高度动中通天线的几种典型形式包括：低高度抛物面天线、微带阵列天线、波导缝隙阵列天线和喇叭阵列天线等。微带阵列天线的优点是：剖面薄、体积小、重量轻，具有平面结构，并可制成与导弹、卫星等载体表面共形的结构；馈电网络与天线单元集成化设计，适合于用印制电路技术大批量生产；能与有源器件和电路集成为单一模件；便于获得圆极化，容易实现双频段、双极化等工作。

在一实施例中，图1为本发明一实施例提供的一种阵列天线的结构图，如图1所示，该阵列天线包括：

N个辐射集成单元110和多路馈网120；

N个辐射集成单元分别包括辐射单元111和3dB电桥单元112组成，N个辐射集成单元110的3dB电桥单元112分别与多路馈网通过金属化过孔导通；

其中，金属化过孔周围设置有屏蔽孔，屏蔽孔导通多路馈网120的参考地层。

其中，辐射集成单元110也可以称为辐射单元与3db电桥集成单元，即为辐射单元111和3dB电桥单元112所组成。

在本实施例中，可设置天线阵列的基本尺寸，基本尺寸包括：俯仰面线阵间距d1、俯仰面线阵数量N1、方位面线阵间距d2、方位面辐射单元数量N2。由于天线具有双圆极化特性，方位面线阵具有一定的间距d2，由此可以将辐射单元111和3dB电桥单元112进行集成。为便于更方面的理解辐射集成单元110，图2为本发明一实施例提供的一种辐射集成单元110的结构图，图3本发明一实施例提供的又一种辐射集成单元110的结构图。

需要说明的是，为了抑制扫描过程中天线方向图栅瓣的出现，俯仰方向线阵间距d1应满足如下条件：d＜(c/F)/(1+|sinθ|)，其中，c为常数，θ为最大扫描角度，F为工作频段。产品最大扫描角θ＝35°，d1＜9.82mm。同时，考虑最大口径面积和最弱的线阵间耦合，可以得到俯仰面最优线阵间d1＝9.6mm，在方位面，考虑功分网络设计的难易程度，一般要求辐射单元数量为2的指数倍，故而方位面最优辐射单元间距d2＝13mm。示例性的，图4为本发明实施例提供的一种天线阵布局的简易结构示意图。示例频段为18.6GHz-20.4GHz，技术手段适用于KA波段(甚至更高频段)其他频段。如图4所示，需要确认的基本尺寸包括：俯仰面线阵间距d1、俯仰面线阵数量N1、方位面线阵间距d2、方位面辐射单元数量N2，其中，俯仰面为扫描面，扫描范围-35°～35°；方位面预制固定下倾0°在本实施例中，总体尺寸要求，天线阵列长(方位面)*宽(俯仰面)＜220mm*100mm。俯仰面间距：d1＝9.6mm；俯仰面线阵数量：N1＝10；方位面间距：d2＝13mm；方位面辐射单元数量：N2＝16。

在本实施例中，N个辐射集成单元110分别包括辐射单元111和3dB电桥单元112，N个辐射集成单元110的3dB电桥单元112分别与多路馈网120通过金属化过孔导通，鉴于金属化过孔为开放结构，带宽较窄，需要在金属化过孔周围设计屏蔽孔，屏蔽孔可以导通多路馈网120的对应的上、下两层参考地层，将其模拟成同轴电缆结构，提高过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

示例性的，为便于更好的理解金属化过孔周围设计屏蔽孔所产生的增益效果、轴比效果以及驻波效果。表一给出了金属化过孔周围有屏蔽孔以及无屏蔽孔时分别对应的增益、轴比以及驻波值，从表一中可以看出，金属化过孔周围有屏蔽孔对应的增益有所提升以及驻波降低的情况下，很好的改善轴比，将其模拟成同轴电缆结构，提高过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

表一：金属化过孔周围有屏蔽孔以及无屏蔽孔时分别对应的增益、轴比以及驻波值

	无屏蔽孔	有屏蔽孔
			增益Min/dBi	17.4	18.8
轴比Max/dB	3.55	0.85
			驻波Max	1.57	1.37

本发明上述实施例的技术方案，通过N个辐射集成单元110分别包括辐射单元111和3dB电桥单元112组成，N个辐射集成单元110的3dB电桥单元112分别与多路馈网120通过金属化过孔导通，且金属化过孔周围设置有屏蔽孔，屏蔽孔导通多路馈网120的参考地层，能够提高金属化过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

在一实施例中，多路馈网120为带状线结构，多路馈网120至少包括第一级多路馈网和第二级多路馈网，辐射集成单元110连接至第一级多路馈网，第一级多路馈网和第二级多路馈网通过低噪声放大器进行连接。

在本实施例中，多路馈网120可以依据方位面辐射单元的数量进行设计等幅同相的多路功分网络，多路馈网120可以包括第一级多路馈网和第二级多路馈网，第一级多路馈网和第二级多路馈网均为带状线结构，同时，第一级多路馈网和第二级多路馈网为等幅同相功分网络。

本实施例中，辐射集成单元110与第一级多路馈网相连接，第一级多路馈网和第二级多路馈网通过低噪声放大器进行连接。由于方位面辐射单元的数量可以决定设计等幅同相的多路功分网络，为了提升整机增益/噪声温度，可以依据方位面辐射单元的数量对线阵进行拆分，然后再依据多路馈网120进行相应的合成。示例性的，方位面辐射单元数量为N2＝16，则需要设计等幅同相的16路功分网络，16单元线阵拆分成4个4单元线阵，每个4单元线阵经过LAN处理后，再通过4路功分网络进行合成。

示例性的，本实施例以方位面辐射单元数量为N2＝16、第一级多路馈网为第一级4路馈网，第二级多路馈网为第二级4路馈网为例进行相应的说明，图5为本发明一实施例提供的又一种天线阵列的结构图。如图5所示，辐射集成单元连接至第一级4路馈网，第一级4路馈网和第二级4路馈网通过低噪声放大器连接。16单元线阵拆分成4个4单元线阵，每个4单元线阵经过LAN处理后，再通过4路功分网络进行合成。

在一些实施例中，多路馈网120为等幅同相功分网络。

在本实施例中，多路馈网120为等幅同相功分网络，也可以理解为，多路馈网120所包含的第一级多路馈网和第二级多路馈网均为等幅同相功分网络。

在本实施例中，为便于更好的理解第一级多路馈网的结构，图6为本发明一实施例提供的一种第一级多路馈网的结构示意图。为4个辐射集成单元结构的输入特定功率，构成4单元线阵。

在一实施例中，金属化过孔为第一圆形，第一圆形对应的直径为第一直径R1。

其中，第一圆形指的是金属化过孔对应的形状为圆形。

在本实施例中，由于N个辐射集成单元110的3dB电桥单元112分别与多路馈网120通过金属化过孔导通，可以理解为，有多少个辐射集成单元110，就对应多少个金属化过孔进行导通其与多路馈网120的连接。示例性的，第一级多路馈网与4个辐射集成单元110之间通过金属化过孔导通。需要说明的是，金属化过孔为第一圆形，该圆形对应的直径为第一直径R1。图7为本发明一实施例提供的一种金属化过孔的结构示意图。

在一实施例中，设置的屏蔽孔的数量为至少两个，各屏蔽孔之间具有间距，屏蔽孔的分布轨迹为第二圆形，第二圆形对应的直径为第二直径R2，分布轨迹对应的圆心与金属化过孔对应的圆心相重合。

其中，第二圆形指的是屏蔽孔的分布轨迹对应的形状。

在本实施例中，鉴于金属化过孔为开放结构，带宽较窄，需要在其周围设计屏蔽孔，设置的屏蔽孔的数量为至少两个，各屏蔽孔之间具有间距，屏蔽孔间距一般需要为间距为工作波长与10的比值，该间距可以决定屏蔽孔对应的数量，需要说明的是，屏蔽孔数量要综合考虑，数量太少的话，无法实现信号的屏蔽作用，太多又对加工能力要求较高。屏蔽孔可以导通多路馈网的上、下两层参考地层，将其模拟成同轴电缆结构，提高过孔的阻抗收敛性，提升带宽。

在本实施例中，屏蔽孔分布轨迹是直径为第二直径R2的圆形，其分布轨迹对应的圆心与金属化过孔对应的圆心相重合。

在一实施例中，多路馈网120的参考地层进行地层开窗处理，地层开窗为第三圆形，第三圆形的直径为第三直径R3，地层开窗对应的圆心与金属化过孔对应的圆心相重合。

其中，第三圆形指的是对参考地层进行地层开窗处理所得到的形状。

在本实施例中，多路馈网120的参考地层可分为上、下两层参考地层，在对屏蔽孔设置数量以及其对应的分布轨迹的基础上，需要对多路馈网120的上、下参考地层进行开窗处理，地层开窗为圆形，该圆形对应的直径为第三直径R3，地层开窗对应的圆心与金属化过孔对应的圆心相重合。

在一实施例中，多路馈网120预设距离内的金属化过孔处设置调节枝节。

在本实施例中，在对参考地层进行地层开窗处理的基础上，还需要在多路馈网120预设距离内的金属化过孔处设置一个调节枝节，用于微调阻抗。其中，预设距离可以通过经验进行自行设置，也可以是其他方式进行自行设置，本实施例在此不做限制。

在本实施例中，为便于更好的理解为屏蔽孔的设置，图8为本发明一实施例提供的一种屏蔽孔的结构示意图。如图8所示，该屏蔽孔对应的分布轨迹为图中的小圆形，该分布轨迹形成圆形，地层开窗也是一个圆形三个圆形所对应的圆心是相重合的，且金属化过孔附近设置有调节枝节。

在一实施例中，地层开窗的第三直径R3与金属化过孔的第一直径R1之间的比值为3.5≤R3/R1≤5，各屏蔽孔的分布轨迹的第二直径R2与第三直径R3的比值为1.3≤R2/R3≤1.7。

在本实施例中，由于地层开窗为第三圆形，屏蔽孔的分布轨迹为第二圆形，金属化过孔为第一圆形，每个圆形均对应相应的直径范围，三者的圆形相重合，地层开窗的第三直径R3与金属化过孔的第一直径R1之间的比值为3.5≤R3/R1≤5，各屏蔽孔的分布轨迹的第二直径R2与第三直径的比值为1.3≤R2/R3≤1.7，可以理解为，地层开窗的第三直径与金属化过孔的第一直径R1之间的比值最小为3.5，最大为5；屏蔽孔的分布轨迹的第二直径R2与第三直径R3之间的比值最小为1.3，最大为1.7，通过合理的设置直径R1、R2、R3间的比例关系，再通过调节枝节的作用，可以得到很好的阻抗带宽。

在一实施例中，多路馈网120的带状线结构采用半固化片加高频板的叠层，叠层采用PCB贴膜工艺；其中，半固化片的厚度与高频板的厚度保持在预设范围内。

在本实施例中，由于高频板材价格是同尺寸半固化片价格的4～5倍，所以对于多层板微带阵列天线方案来说，设计方案所需要的板材量是非常重要的考量指标。故在本实施例中，用一种新的叠层方案，即为多路馈网120的带状线结构采用半固化片加高频板的叠层，半固化片的厚度与高频板的厚度保持在预设范围内，以使用部分半固化片来代替高频板的作用，多路馈网120的带状线可以由假4层线路板变成3层线路板，由此高频板用量较少一半，半固化片数量多了一倍，由于两者材料间的价格差异较大，这种叠层方案大大降低了成本，而且，由于多路馈网120的带状线结构，也即带状线信号层去棕化，降低导体损耗，使得一维相控阵微带阵列天线设计成为可能。

需要说明的是，半固化片厚度一般0.1mm的整数倍，但是为了保证结构的对称性，半固化片厚度要和高频板厚度保持基本一直，示例性的，高频板厚度0.254mm，那么半固化片厚度可以为0.2mm。

在本实施例中，为更好的说明传统方案多路馈网120的带状线结构与改进后多路馈网120的带状线结构的差异，图9为本发明实施例提出的一种改进方案与传统方案带状线叠层的对比图，如图9所示，高频板用量较少一半，半固化片数量多了一倍，由于两者材料间的价格差异较大，这种叠层方案大大降低了成本。

在本实施例中，KA频段选用的高频板材铜皮毛面粗糙度为2.5μm、光面粗糙度为0.5μm，这种粗糙度的大小直接决定了导体损耗的大小。在实际加工中，为了增加铜皮表面附着力，避免多层板压合过程中出现分层的情况，会用棕化药水对内层线路铜皮表面进行腐蚀处理，光面粗糙度会增大为1.5μm。这种操作就会直接导致内层线路的传输损耗过大(表现在阵列增益下降)而导致方案失败。故采用PCB加工的贴膜工艺，在保证多层板压合过程中不分层的同时，还不损坏铜皮表面粗糙度，保证了阵列天线的增益指标。

示例性的，为便于更好的理解多路馈网120的带状线结构，也即带状线信号层去棕化的效果，表二给出了带状线信号层有棕化和无棕化时分别对应的增益、轴比以及驻波值，从表二中可以看出，带状线信号层有棕化和无棕化时对应的驻波值虽然相同，但是从表二可以明显看出带状线信号层去棕化，降低导体损耗，且能够保证阵列天线的增益指标。

表二：带状线信号层有棕化和无棕化时分别对应的增益、轴比以及驻波值

	有棕化	无棕化
			增益Min/dBi	14	18.8
轴比Max/dB	1.26	0.85
			驻波Max	1.37	1.37

在一实施例中，在第一级多路馈网对应的上层参考地层上辐射单元之间开出至少3条预设宽度的长缝。

本实施例中，预设宽度与天线阵列的工作波长有关，一般情况下，预设宽度为工作波长/50至工作波长/100的范围内。示例性的，天线阵列为4x4的小型阵列时，在第一级多路馈网对应的上层参考地层上辐射单元之间开出至少3条0.16mm宽的长缝。

在本实施例中，在第一级多路馈网对应的上层参考地层上辐射单元之间开出至少3条预设宽度的长缝，缺陷地开缝结构改变表面波传输路径，降低列间互耦，改善轴比。

在本实施例中，为了说明缺陷地结构在抑制辐射单元间的耦合方面的作用，以4x4(N1＝N2＝4)小型阵列为例进行说明。微带天线的耦合分为两种，分布是空间耦合和表面波耦合。空间耦合指得是某一辐射单元辐射到空间的电磁波到达其他辐射单元表面，在其他辐射单元表面激起感应电流，该感应电流与其他辐射单元表面原有电流进行‘负’加权，破坏了原有电流属性，使得辐射单元方向图变现，交叉极化鉴别率恶化。表面波耦合对辐射单元方向图的破坏原理是一样的，不同点在于此时的电磁波是沿着表面爬行传输。缺陷地开缝就是阻断了表面波爬行路径，削弱了表面波耦合对天线方向图的影响。

示例性的，为便于更好的理解有缺陷地结构和无缺陷地结构分别对应的增益效果、轴比效果以及驻波效果。表三给出了有缺陷地结构和无缺陷地结构时分别对应的增益、轴比以及驻波值，从表三中可以看出，有缺陷地结构对应的增益虽然与无缺陷地结构的增益相同，但是从表三可以明显看出通过调价缺陷地结构以及进行缺陷地开缝很好的降低列间互耦，改善轴比。

表三：有缺陷地结构和无缺陷地结构时分别对应的增益、轴比以及驻波值

	无缺陷地结构	有缺陷地结构
			增益Min/dBi	18.8	18.8
轴比Max/dB	1.23	0.85
			驻波Max	1.37	1.37

图10为本发明实施例提供的一种方位面和俯仰面天线阵列中辐射集成单元的排布示意图。图11为本发明实施例提供的一种4x4阵列的结构示意图，图12为本发明实施例提供的一种参考地缝隙示意图，在4x4阵列中，沿着方位面方向，在第一级4路馈网的上层参考地上每个辐射单元间开出0.16mm宽的长缝，共3条，可以起到很好的改善轴比指标的效果，如图12所示。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列天线，其特征在于，所述阵列天线包括：N个辐射集成单元和多路馈网；

N个所述辐射集成单元分别包括辐射单元和3dB电桥单元组成，N个所述辐射集成单元的所述3dB电桥单元分别与所述多路馈网通过金属化过孔导通；

其中，所述金属化过孔周围设置有屏蔽孔，所述屏蔽孔导通所述多路馈网的参考地层。

2.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述多路馈网为带状线结构，所述多路馈网至少包括第一级多路馈网和第二级多路馈网，所述辐射集成单元连接至所述第一级多路馈网，所述第一级多路馈网和所述第二级多路馈网通过低噪声放大器进行连接。

3.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述金属化过孔为第一圆形，所述第一圆形对应的直径为第一直径R1。

4.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，设置的所述屏蔽孔的数量为至少两个，各所述屏蔽孔之间具有间距，所述屏蔽孔的分布轨迹为第二圆形，所述第二圆形对应的直径为第二直径R2，所述分布轨迹对应的圆心与所述金属化过孔对应的圆心相重合。

5.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述多路馈网的参考地层进行地层开窗处理，所述地层开窗为第三圆形，所述第三圆形的直径为第三直径R3，所述地层开窗对应的圆心与所述金属化过孔对应的圆心相重合。

6.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述多路馈网预设距离内的所述金属化过孔处设置调节枝节。

7.根据权利要求1或5任一项所述的阵列天线，其特征在于，地层开窗的第三直径R3与所述金属化过孔的第一直径R1之间的比值为3.5≤R3/R1≤5，各所述屏蔽孔的分布轨迹的第二直径R2与所述第三直径R3的比值为1.3≤R2/R3≤1.7。

8.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述多路馈网的带状线结构采用半固化片加高频板的叠层，所述叠层采用PCB贴膜工艺；其中，所述半固化片的厚度与所述高频板的厚度保持在预设范围内。

9.根据权利要求2所述的阵列天线，其特征在于，在所述第一级多路馈网对应的上层参考地层上所述辐射单元之间开出至少3条预设宽度的长缝。

10.根据权利要求1所述的阵列天线，其特征在于，所述多路馈网为等幅同相功分网络。

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