CN115940986B - 射频电路、电子设备及射频功率调整系统 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频电路、电子设备及射频功率调整系统，属于通信技术领域。所述射频电路包括：射频组件，用于根据电子设备的射频功率发射信号，射频组件包括依次连接的射频收发器、耦合器和射频天线；耦合通路衰减控制网络，用于调整电子设备的射频功率，耦合通路衰减控制网络的一端与射频收发器连接，耦合通路衰减控制网络的另一端与耦合器连接；寄存器，用于存储与电子设备的测试射频功率对应的排序码；控制模块，与耦合通路衰减控制网络和寄存器连接，用于从寄存器中获取排序码，根据预设的射频功率控制策略和排序码向耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号，控制耦合通路衰减控制网络以排序码对应的测试射频功率为基准调整电子设备的射频功率。

Description

射频电路、电子设备及射频功率调整系统

技术领域

本申请属于通信技术领域，具体涉及一种射频电路、电子设备及射频功率调整系统。

背景技术

射频功率是电子设备的一个重要指标。射频功率精度较低会带来电子设备SAR(Specific Absorption Rate，电磁波吸收比值)超标的风险。受到生产工艺的限制，实际生产出来的电子设备的射频功率会存在一定的波动，影响对电子设备射频功率的调整精度。现有技术中为了提高电子设备的射频功率精度，需要更高的芯片设计和芯片工艺，这种方式实现难度较高。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种射频电路、电子设备及射频功率调整系统，能够解决电子设备射频功率精度低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频电路，包括：

射频组件，用于根据电子设备的射频功率发射信号，所述射频组件包括依次连接的射频收发器、耦合器和射频天线；

耦合通路衰减控制网络，用于调整所述电子设备的射频功率，所述耦合通路衰减控制网络的一端与所述射频收发器连接，所述耦合通路衰减控制网络的另一端与所述耦合器连接；

寄存器，用于存储与电子设备的测试射频功率对应的排序码；

控制模块，与所述耦合通路衰减控制网络和所述寄存器连接，用于从所述寄存器中获取所述排序码，根据预设的射频功率控制策略和所述排序码向所述耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号，控制所述耦合通路衰减控制网络以所述排序码对应的测试射频功率为基准调整所述电子设备的射频功率。

第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括本发明第一方面所述的射频电路。

第三方面，本申请实施例提供了一种射频功率调整系统，包括排序码生成模块以及本发明第二方面所述的电子设备；所述排序码生成模块用于根据所述电子设备的射频功率的测试结果生成对应的排序码，将所述排序码写入所述电子设备。

在本申请实施例中，通过预先测试电子设备的射频功率，在电子设备的寄存器中存储与测试射频功率对应的排序码，在需要调整电子设备的射频功率时以排序码对应的测试射频功率为基准进行调整，提高射频功率的调整精度，不需要对电子设备的芯片进行调整，实现方式简单。

附图说明

图1是本申请实施例中一种射频电路的结构示意图。

图2是本申请实施例中另一种射频电路的结构示意图。

图3是本申请实施例中又一种射频电路的结构示意图。

图4是本申请另一实施例中射频电路的结构示意图。

图5是本申请实施例中电子设备的示意图。

图6是本申请实施例中电子设备的硬件结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的射频电路进行详细地说明。

如图1所示，本实施例介绍了一种射频电路，射频电路包括射频组件、耦合通路衰减控制网络、寄存器、控制模块。

射频组件用于根据电子设备的射频功率发射信号。射频组件包括依次连接的射频收发器、耦合器和射频天线。

耦合通路衰减控制网络用于调整电子设备的射频功率。耦合通路衰减控制网络的一端与射频收发器连接，耦合通路衰减控制网络的另一端与耦合器连接。

寄存器用于存储与电子设备的测试射频功率对应的排序码。

控制模块与耦合通路衰减控制网络和寄存器连接。控制模块用于从寄存器中获取排序码，根据预设的射频功率控制策略和排序码向耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号，控制耦合通路衰减控制网络以该排序码对应的测试射频功率为基准调整电子设备的射频功率。

射频收发器用于向耦合器输出射频信号。耦合器的输出端与射频天线连接，用于向射频天线传递射频信号，使射频天线输出射频信号。

耦合通路衰减控制网络可以调整电子设备的射频功率。耦合通路衰减控制网络具有不同的导通状态，比如第一导通状态和第二导通状态。在耦合通路衰减控制网络处于第一导通状态的情况下，对耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率进行调整，让射频收发器控制射频天线以第一功率发射信号。在耦合通路衰减控制网络处于第二导通状态的情况下，对耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率进行调整，让射频收发器控制射频天线以第二功率发射信号。

在电子设备的生产过程中，测试电子设备的射频功率。根据电子设备的测试射频功率生成对应的排序码，将排序码保存在电子设备的寄存器中。比如，可以测试5000个电子设备的射频功率，对测试出的射频功率进行排序，根据排序结果生成每个电子设备的排序码。

控制模块可以从寄存器中读取排序码，在需要调整电子设备的射频功率时，根据预设的射频功率控制策略和排序码向耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号。比如，对于排序码为前100的电子设备，射频功率降低0.2dB。对于排序码在101-500范围内的电子设备，射频功率降低0.1dB。对于排序码在501-4500范围内的电子设备，射频功率保持不变。对于排序码在4501-4900范围内的电子设备，射频功率增加0.1dB。对于排序码在4901-5000范围内的电子设备，射频功率增加0.2dB。

本实施例通过预先测试电子设备的射频功率，在电子设备的寄存器中存储与测试射频功率对应的排序码，在需要调整电子设备的射频功率时以排序码对应的测试射频功率为基准进行调整，提高射频功率的调整精度，不需要对电子设备的芯片进行调整，实现方式简单。

可选地，如图2所示，耦合通路衰减控制网络包括开关模块和至少两条支路，不同支路的衰减值不同。开关模块与控制模块连接，开关模块用于根据第一控制信号处于对应的导通状态，使至少两条支路中的第一目标支路与射频收发器和耦合器连通。

控制模块可以控制开关模块的导通状态，让不同的支路与射频收发器和耦合器连通。由于不同的支路的衰减值不同，使得耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率不同，进而调整射频天线发射信号的射频功率。

比如在开关模块处于第一导通状态的情况下，耦合器通过多条支路中的第一支路与射频收发器连接，调整耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率，让射频收发器控制射频天线以第一功率发射信号。

在开关模块处于第二导通状态的情况下，耦合器通过多条支路中的第二支路与射频收发器连接，调整耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率，让射频收发器控制射频天线以第二功率发射信号。第二功率与第一功率不同。

耦合通路衰减控制网络中包含的支路的数量可以根据实际需求设置，通过增加耦合通路衰减控制网络中包含的支路的数量可以提高电子设备的射频功率的调整精度。

本实施例中在耦合通路衰减控制网络中设置至少两条支路，并通过控制模块来控制开关模块的导通状态，让耦合器可以通过不同的支路与射频收发器连接，进而控制耦合器输出至射频收发器的射频信号的功率，使射频收发器控制射频天线以不同的射频功率发射信号，实现对电子设备的射频功率调整的目的。

可选地，如图3所示，开关模块包括第一射频开关和第二射频开关。第一射频开关的第一端与射频收发器连接，第一射频开关的第二端与支路的第一端连接，第一射频开关与控制模块连接。第二射频开关的第一端与支路的第二端连接，第二射频开关的第二端与耦合器连接，第二射频开关与控制模块连接。

第一射频开关设置在射频收发器与各个支路之间，用于控制各个支路与射频收发器的连接状态。第二射频开关设置在耦合器与各个支路之间，用于控制各个支路与耦合器之间的连接状态。

控制模块可以控制第一射频开关与第二射频开关的导通状态。控制模块可以向第一射频开关和第二射频开关发送一个控制信号，控制第一射频开关动作，让第一支路与射频收发器连接，同时控制第二射频开关动作，让第一支路与耦合器连接，在此情况下第二支路不会与射频收发器和耦合器连接。控制模块还可以向第一射频开关和第二射频开关发送另一个控制信号，控制第一射频开关动作，让第二支路与射频收发器连接，同时控制第二射频开关动作，让第二支路与耦合器连接，在此情况下第一支路不会与射频收发器和耦合器连接。

本实施例通过在射频收发器和各个支路之间设置第一射频开关，并且在耦合器与各个支路之间设置第二射频开关，通过控制模块同时控制第一射频开关和第二射频开关，从多条支路中选择一条支路来连接耦合器和射频收发器，同时隔离其它支路，避免受到其它支路的干扰。

可选地，如图4所示，所述第一支路和所述第二支路为π型衰减网络。π型衰减网络包括三个电阻，这三个电阻的阻值可以根据实际需要使用的衰减值确定。

支路的数量可以根据实际需要进行增加。在一个例子中，耦合通路衰减控制网络包括五组π型衰减网络。上述五组π型衰减网络对应的衰减值分别为0.8dB、0.9dB、1.0dB、1.1dB、1.2dB。第一射频开关和第二射频开关也具有五个档位，每个档位对应一组π型衰减网络。1.0dB档位对应测试射频功率。在不需要对射频功率进行额外控制时，选择1.0dB档位的衰减值。在需要增加0.2dB射频功率时，选择1.2dB档位的衰减值。在需要减少0.2dB射频功率时，选择0.8dB档位衰减值。

可选地，所述控制模块用于在未向所述耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号的情况下，控制至少两条支路中的第二目标支路与所述耦合器和所述射频收发器连接，所述第二目标支路不会对所述电子设备的射频功率进行调整。

在不需要对射频功率进行调整时，选择第二目标支路连接耦合器和射频收发器，让射频组件可以正常工作。比如耦合通路衰减控制网络包括5组π型衰减网络，对应的衰减值分别为0.8dB、0.9dB、1.0dB、1.1dB、1.2dB，其中1.0dB档位对应测试射频功率，那么第二目标支路是1.0dB档位对应的支路。

可选地，所述控制模块包括处理器和GPIO(General-purpose input/output，通用型输入输出)控制器。所述GPIO控制器的一端与所述耦合通路衰减控制网络连接。所述处理器的一端与所述寄存器连接，所述处理器的另一端与所述GPIO控制器的另一端连接，所述处理器用于从所述寄存器中获取所述排序码，根据所述预设的射频功率控制策略和所述排序码向所述GPIO发送第二控制信号，以控制所述GPIO控制器向所述耦合通路衰减控制网络发送所述第一控制信号。

处理器用于执行预设的射频功率控制策略。根据预设的射频功率控制策略和寄存器中存储的排序码，通过GPIO控制器来控制耦合通路衰减控制网络，让耦合通路衰减控制网络以排序码对应的测试射频功率为基准调整电子设备的射频功率。

可选地，所述GPIO控制器为所述电子设备的芯片中的寄存器。

芯片可以是电子设备中的独立显示芯片。GPIO控制器可以复用独立显示芯片中的寄存器。GPIO控制器也可以是复用电子设备中闲置的寄存器。GPIO控制器也可以是在电子设备中新增的组件。

可选地，所述寄存器为所述电子设备的芯片中的寄存器。

寄存器可以复用独立显示芯片中的寄存器。寄存器也可以是复用电子设备中闲置的寄存器。寄存器也可以是在电子设备中新增的组件。

本实施例通过复用电子设备的芯片中的寄存器，提高芯片中的寄存器的使用率，降低电子设备的成本。

可选地，如图4所示，所述射频组件还包括射频放大器，所述射频放大器的输入端与所述射频收发器连接，所述射频放大器的输出端与所述耦合器连接。

射频放大器可以是功率放大器。射频收发器的输出端与射频放大器的输入端连接，用于向射频放大器输出原始射频信号。射频放大器的输出端与耦合器的输入端连接，用于对原始射频信号进行放大，得到目标射频信号，向耦合器提供目标射频信号。耦合器的输出端与射频天线连接，用于向射频天线传递目标射频信号，使射频天线发送目标射频信号。

本实施例中射频组件还包括射频放大器，射频收发器可以通过对射频放大器输出的射频信号进行调整，实现对射频天线功率的控制，便于调整电子设备的射频功率。

如图4所示的射频电路，M0对应工厂端，用于在生产线的SMT(Surface MountTechnology，表面贴装技术)段测试电子设备的射频功率，根据射频功率生成排序码，将排序码写入寄存器RF9。处理器S0可以从寄存器RF9中读取排序码，根据预设的射频功率控制策略向GPIO控制器RF8发送第二控制信号。GPIO控制器RF8根据第二控制信号向射频开关RF5和射频开关RF7发送第一控制信号，控制π衰组RF6中的一条支路与耦合器RF3和射频收发器RF1连接，调整射频收发器RF1接收到的射频信号的功率，进而调整射频天线RF4的射频功率。

可选地，如图5所示，本申请实施例还提供一种电子设备500，包括处理器501和存储器502，电子设备包括本发明任一实施例所述的射频电路。

本申请实施例还提供了一种射频功率调整系统，包括排序码生成模块以及上述实施例提供的电子设备。排序码生成模块用于根据电子设备的射频功率的测试结果生成对应的排序码，将排序码写入电子设备。

需要说明的是，本申请实施例中的电子设备包括上述所述的移动电子设备和非移动电子设备。

图6为实现本申请实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。

该电子设备1000包括但不限于：射频单元1001、网络模块1002、音频输出单元1003、输入单元1004、传感器1005、显示单元1006、用户输入单元1007、接口单元1008、存储器1009、以及处理器1010等部件。

本领域技术人员可以理解，电子设备1000还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器1010逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图6中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。

其中，射频单元1001中可以包括本发明任一实施例所述的射频电路。

应理解的是，本申请实施例中，输入单元1004可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)10041和麦克风10042，图形处理器10041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元1006可包括显示面板10061，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板10061。用户输入单元1007包括触控面板10071以及其他输入设备10072中的至少一种。触控面板10071，也称为触摸屏。触控面板10071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备10072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。

存储器1009可用于存储软件程序以及各种数据。存储器1009可主要包括存储程序或指令的第一存储区和存储数据的第二存储区，其中，第一存储区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序或指令(比如声音播放功能、图像播放功能等)等。此外，存储器1009可以包括易失性存储器或非易失性存储器，或者，存储器1009可以包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rate SDRAM，DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，DRRAM)。本申请实施例中的存储器1009包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

处理器1010可包括一个或多个处理单元；可选的，处理器1010集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理涉及操作系统、用户界面和应用程序等的操作，调制解调处理器主要处理无线通信信号，如基带处理器。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器1010中。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以计算机软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种射频电路，其特征在于，包括：

射频组件，用于根据电子设备的射频功率发射信号，所述射频组件包括依次连接的射频收发器、耦合器和射频天线；

耦合通路衰减控制网络，用于调整所述电子设备的射频功率，所述耦合通路衰减控制网络的一端与所述射频收发器连接，所述耦合通路衰减控制网络的另一端与所述耦合器连接；

寄存器，用于存储与电子设备的测试射频功率对应的排序码；

控制模块，与所述耦合通路衰减控制网络和所述寄存器连接，用于从所述寄存器中获取所述排序码，根据预设的射频功率控制策略和所述排序码向所述耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号，控制所述耦合通路衰减控制网络以所述排序码对应的测试射频功率为基准调整所述电子设备的射频功率。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述耦合通路衰减控制网络包括开关模块和至少两条支路，不同所述支路的衰减值不同；

所述开关模块与所述控制模块连接，所述开关模块用于根据第一控制信号处于对应的导通状态，使至少两条所述支路中的第一目标支路与所述射频收发器和所述耦合器连通。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述开关模块包括第一射频开关和第二射频开关；

所述第一射频开关的第一端与所述射频收发器连接，所述第一射频开关的第二端与所述支路的第一端连接，所述第一射频开关与所述控制模块连接；

所述第二射频开关的第一端与所述支路的第二端连接，所述第二射频开关的第二端与所述耦合器连接，所述第二射频开关与所述控制模块连接。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述支路为π型衰减网络。

5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述控制模块用于在未向所述耦合通路衰减控制网络发送第一控制信号的情况下，控制至少两条所述支路中的第二目标支路与所述耦合器和所述射频收发器连接，所述第二目标支路不会对所述电子设备的射频功率进行调整。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制模块包括处理器和GPIO控制器；

所述GPIO控制器的一端与所述耦合通路衰减控制网络连接；

所述处理器的一端与所述寄存器连接，所述处理器的另一端与所述GPIO控制器的另一端连接，所述处理器用于从所述寄存器中获取所述排序码，根据所述预设的射频功率控制策略和所述排序码向所述GPIO发送第二控制信号，以控制所述GPIO控制器向所述耦合通路衰减控制网络发送所述第一控制信号。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述GPIO控制器为所述电子设备的芯片中的寄存器。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述寄存器为所述电子设备的芯片中的寄存器。

9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的射频电路。

10.一种射频功率调整系统，其特征在于，包括排序码生成模块以及权利要求9所述的电子设备；

所述排序码生成模块用于根据所述电子设备的射频功率的测试结果生成对应的排序码，将所述排序码写入所述电子设备。