CN115914962A - 麦克风组件、制备方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种麦克风组件、制备方法及电子设备，其中麦克风组件包括第一电极层，与第一电极层对应设置的第二电极层，以及基底；基底具有在厚度方向上贯穿基底的腔体，第二电极层设置在腔体上方，并且第二电极层的一侧与基底的一侧表面固定连接；第一电极层包括多个相互隔离的第一电极区域，第二电极层包括第二电极区域，其中，每一第一电极区域均与第二电极区域构成电容结构，无需同时对第一电极层以及第二电极层设置电极引出电路，从而无需在第一电极层或者第二电极层上开设用于容纳电极引出通路的凹槽，节约了生产成本，减少了工艺步骤并且提高了生产效率。

Description

麦克风组件、制备方法及电子设备

技术领域

本发明涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风组件、制备方法及电子设备。

背景技术

如图1所示，目前的后进音结构的MEMS麦克风，电极引出方式是第一引出元件4电连接振膜1，另一个第二引出元件5电连接背极板的导电层2，从而形成两个对电极，而为了把第一引出元件4连接到振膜1上，需要在背极板的绝缘层3以及导电层2上均开设通孔，同样地，对于前进音结构的MEMS麦克风组件，为了把一个第二引出元件5连接到背极板的导电层2上，也需要在背极板上方的振膜1以振膜1与背极板之间的支撑件之间开设通孔，这样不仅增加了制备工艺的工序，也增加了制造成本。

发明内容

本发明提供一种麦克风组件、制备方法及电子设备，无需在第二电极层或第一电极层上开设用于电性引出的通孔，减少了制备工艺并且降低了制造成本，具体方案如下：

第一方面，提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括第一电极层，与所述第一电极层对应设置的第二电极层，以及基底；

所述基底具有在厚度方向上贯穿所述基底的腔体，所述第二电极层设置在所述腔体上方，并且所述第二电极层的一侧与所述基底的一侧表面固定连接；

所述第一电极层包括多个相互隔离的第一电极区域，所述第二电极层包括第二电极区域，其中，每一所述第一电极区域均与所述第二电极区域构成电容结构。

进一步地，还包括与多个所述第一电极区域一一对应设置的电极引出元件，每一所述电极引出元件设置在对应的所述第一电极区域的表面并和与之对应的与所述第一电极区域电连接。

进一步地，所述麦克风组件还包括第一支撑件以及第二支撑件；

所述第二电极层的一侧通过所述第一支撑件与所述基底的一侧表面固定连接，所述第二电极层的另一侧通过所述第二支撑件与所述第一电极层固定连接。

进一步地，所述第一电极层为背极板的导电层，所述第二电极层为振膜，所述背极板还包括与所述第二支撑件固定连接的第一绝缘层，所述第一电极层位于所述第一绝缘层上；

所述振膜的非固定区域形成所述第二电极区域。

进一步地，所述第一电极层为振膜，所述第二电极层为背极板的导电层；

所述麦克风组件还包括与所述第二支撑件固定连接的第三支撑层，所述振膜位于所述第三支撑层上；

所述背极板还包括与所述第一支撑件固定连接的第一绝缘层，所述导电层与所述第一绝缘层固定连接，所述导电层形成所述第二电极区域。

进一步地，所述第一电极层上设置有至少一个隔离件，从而将多个所述电极区域相互隔离。

进一步地，所述至少一个隔离件为在厚度上贯穿所述第一电极层的隔离槽。

进一步地，每一所述电极区域的组成所述电容结构的有效面积相同。

进一步地，每一所述电极区域的形状以及大小均相同。

进一步地，多个所述电极区域的厚度相同，多个所述电极引出元件的厚度相同。

第二方面，提供一种麦克风组件的制备方法，所述方法包括：

提供基底并在所述基底上形成第二电极层；

在所述第二电极层上方形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成多个相互隔离的第一电极区域，每一所述第一电极区域与所述第二电极层的第二电极区域均构成电容结构。

第三方面，提供一种电子设备，包括如前所述的麦克风组件。

在本发明中麦克风组件包括第一电极层，与第一电极层对应设置的第二电极层，以及基底；基底具有在厚度方向上贯穿基底的腔体，第二电极层设置在腔体上方，并且第二电极层的一侧与基底的一侧表面固定连接；第一电极层包括多个相互隔离的第一电极区域，第二电极层包括第二电极区域，其中，每一第一电极区域均与第二电极区域构成电容结构，在麦克风组件的使用过程中，两个电容结构均能将声波信号转换为电信号，在对本实施例中的麦克风组件进行电芯引出时，只需要对第一电极区域进行电性引出即可，无需对第二电极层进行电性引出，因此无需在开设凹槽对第二电极层进行电性引出，节约了生产成本，进一步地麦克风组件包括与多个所述第一电极区域对应设置的电极引出元件，每一所述电极引出元件设置在对应的所述第一电极区域的表面并与该第一电极区域电连接，电极引出元件可以仅与第一电极区域电连接即可，无需同时对第一电极层以及第二电极层同时设置电极引出电路，不仅减少了图形化制作容纳电极引出电路的通孔的制造工艺步骤，节约了制造成本，并且由于多个电极区域位于同一膜层的设置方式，也有利于后续的封装引线键合工艺。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是现有技术中的麦克风组件的结构示意图；

图2A是本发明实施例一中一种具有矩形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图2B是本发明实施例一中又一种具有矩形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图2C是本发明实施例一中一种具有弧形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图2D是本发明实施例一中再一种具有矩形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图3是本发明图2A至图2D中的麦克风组件沿AA面的剖视图；

图4A是图1中麦克风组件的电容结构对应的电路图；

图4B是本发明实施例一中的麦克风组件的电容结构对应的电路图；

图5A是本发明实施例二中一种具有矩形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图5B是本发明实施例二中又一种具有矩形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图5C是本发明实施例二中一种具有弧形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图5D是本发明实施例二中一种具有折线形隔离槽的麦克风组件的俯视图；

图5E是本发明图5A至图5D中的麦克风组件沿BB面的剖视图；

图6是本发明实施例三中的麦克风组件的制备方法的流程图；

图7是本发明实施例四中的麦克风组件的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明中麦克风组件包括第一电极层，与第一电极层对应设置的第二电极层，以及基底；基底具有在厚度方向上贯穿基底的腔体，第二电极层设置在腔体上方，并且第二电极层的一侧与基底的一侧表面固定连接；第一电极层包括多个相互隔离的第一电极区域，第二电极层包括第二电极区域，其中，每一第一电极区域均与第二电极区域构成电容结构，在麦克风组件的使用过程中，两个电容结构均能将声波信号转换为电信号，在对本实施例中的麦克风组件进行电芯引出时，只需要对第一电极区域进行电性引出即可，无需对第二电极层进行电性引出，因此无需在开设凹槽对第二电极层进行电性引出，节约了生产成本，进一步地麦克风组件包括与多个所述第一电极区域对应设置的电极引出元件，每一所述电极引出元件设置在对应的所述第一电极区域的表面并与该第一电极区域电连接，电极引出元件可以仅与第一电极区域电连接即可，无需同时对第一电极层以及第二电极层同时设置电极引出电路，不仅减少了图形化制作容纳电极引出电路的通孔的制造工艺步骤，节约了制造成本，并且由于多个电极区域位于同一膜层的设置方式，也有利于后续的封装引线键合工艺。

下面将结合附图以及具体实施例对本发明中的麦克风组件、制备方法及电子设备做详细阐述。

实施例一

结合图2A-图2D以及图3，本实施例提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括第一电极层101，与第一电极层101对应设置的第二电极层102，以及基底105；

基底105具有在厚度方向上贯穿基底105的腔体1051，第二电极层102设置在腔体上方，并且第二电极层102的一侧与基底105的一侧表面固定连接；

第一电极层101包括多个相互隔离的第一电极区域1011，第二电极层102包括第二电极区域1021，其中，每一第一电极区域1011均与第二电极区域1021构成电容结构。

在本实施例中，第一电极层101以及第二电极层102组成的感测组件设置在腔体1051上方，第一电极层101位于第二电极层102的上方，并且第一电极层101分为多个相互隔离的第一电极区域1011，每一个第一电极区域1011与第二电极层102的第二电极区域1021分别构成电容结构，示例性地，第一电极层101包括两个相互隔离的第一电极区域1011，两个第一电极区域1011均与第二电极区域1021分别组成两个电容结构，在麦克风组件的使用过程中，两个电容结构均能将声波信号转换为电信号，在对本实施例中的麦克风组件进行电性引出时，只需要对位于上方的第一电极层101的第一电极区域1011进行电性引出即可，无需对位于下方的第二电极层102进行电性引出，因此无需在开设凹槽对第二电极层102进行电性引出，节约了生产成本。

进一步地，麦克风组件包括与多个所述第一电极区域1011一一对应设置的电极引出元件103，每一所述电极引出元件103设置在对应的所述第一电极区域1011的表面并和与之对应的第一电极区域1011电连接。

在本实施例中，第一电极层101以及第二电极层102均包括导电材料，每一第一电极区域1011与第二电极区域1021均对应构成电容结构，并且针对于每一个电容及结构都设置一个电极引出元件103，第一电极区域1011与电极引出元件103一一对应设置，每一电极引出元件103设置在对应的第一电极区域1011的表面并与该第一电极区域1011电连接，该电极引出元件103可以仅与第一电极区域1011电连接即可，无需同时对第一电极层101以及第二电极层102同时设置电极引出电路，从而无需在开设凹槽对第一电极层101以及第二电极层102进行电性引出，不仅减少了图形化制作容纳电极引出电路的通孔的制造工艺步骤，节约了制造成本，并且由于多个第一电极区域1011位于同一膜层的设置方式，也有利于后续的封装引线键合工艺。

在本实施例中，多个电极引出元件103的分布方式有多种，如图2A所示，两个电极引出元件103相对于第一电极层101的中心线左右对称，如图2B所示，两个电极引出元件103相对于第一电极层101的中心对称。

进一步地，在本实施例中，麦克风组件还包括第一支撑件106以及第二支撑件107；

第二电极层102的一侧通过第一支撑件106与基底105的一侧表面固定连接，第二电极层102的另一侧通过第二支撑件107与第一电极层101固定连接。

进一步地，第一电极层101为背极板的导电层，第二电极层102为振膜，背极板还包括与第二支撑件107固定连接的第一绝缘层1012，第一电极层101位于第一绝缘层1012上；

振膜的非固定区域形成第二电极区域1021。

在本实施例中，第一电极层101为背极板的导电层，第二电极层102为振膜，振膜的边缘区域为固定区域，振膜的非固定区域形成了第二电极区域1021。

如图2A所示，导电层包括两个第一电极区域1011，每一个第一电极区域1011上均设置有一个电极引出元件103，两个第一电极区域1011分别与振膜形成两个电容结构，当有气体传入麦克风组件后，先传入到基底105的腔体中，而后作用到振膜上，振膜向远离背极板的方向发生形变，从而使得第一电极区域1011与第二电极区域1021之间的间距增大，此时每一个第一电极区域1011均生成相应的电信号。两个电极引出元件103中，一个电极引出元件103与一个电容结构的正极连接，另一个电极引出元件103与另一个电容结构的负极连接。

本实施例中的麦克风组件，振膜位于背极板的下方，适用于后进音的封装结构。

进一步地，第一电极层101上设置有至少一个隔离件1022，从而将多个第一电极区域1011相互隔离。

在本实施例中，具体地，结合图2A以及图3，导电层上设置有一个隔离件1022，从而导电层分割成两个相互隔离的第一电极区域1011，并且隔离件1022可以为多种形式，示例性地，可以为设置在两个第一电极区域1011之间的绝缘件。

进一步地，如图2A所示，至少一个隔离件1022为在厚度上贯穿导电层的隔离槽。

具体地，在本实施例中，隔离槽的宽度范围是0.1μm~50μm，隔离槽的底部位于第一绝缘层1012表面，以暴露部分第一绝缘层1012，当然本发明实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对隔离槽进行其他设置，例如，将绝缘材料填充在隔离槽中从而形成绝缘件。

在本实施例中，隔离槽的俯视形状有多种。示例性地，如图2A，如图2B以及如图2D所示，隔离槽可以为矩形槽，也可以是弧形槽，如图2C所示，隔离槽也可以是S形槽，当然也可以是矩形槽和弧形槽的组合，本实施例对此不做限定。

示例性地，在本实施例中，第一绝缘层1012的材料包括氧化硅或者氮化硅。第一电极层101的有效区域是圆形或者矩形，也即，导电层的有效区域呈圆形或者矩形。

进一步地，在振膜未发生形变的情况下，每一个第一电极区域1011组成电容结构的有效面积相等，从而使得每一第一电极区域1011与第二电极区域1021的正对面积相等，从而使得每一个第一电极区域1011所组成的电容结构的初始电容相等。

优选地，在本发明实施例中，多个第一电极区域1011的形状以及大小均相同。

继续参考图2A-图2D所示，多个第一电极区域1011相对于隔离槽呈中心对侧的结构，使得多个第一电极区域1011组成的电容结构的有效面积相等。

进一步地，多个第一电极区域1011的厚度相同，多个电极引出元件103的厚度相同。

在本实施例中，多个第一电极区域1011的厚度相同，从而使得多个电极引出元件103在一个平面上，也有利于封装引线键合工艺，并且多个电极引出元件103的厚度相同，有利于后续的封装引线键合工艺，多个电极引出元件103的厚度相同可以采用同一导电材料并且厚度相同，使得多个电极引出元件103的厚度相同可以通过同一道掩膜版工艺制作而成，从而简化了制作多个电极引出元件103的厚度相同的工艺流程，更有效地降低制造成本。

如图4A所示为采用背景技术中的麦克风组件组成的电容结构的示意图，在振膜未发生形变时，电容C的总电容的容量为C₀，在振膜发生形变时，若该形变引起总电容值变化为∆C₀，那么可以得到电容结构的灵敏度为∆C₀/C₀。

结合图2A以及图4B可知，在本实施例中，两个第一电极区域1011与振膜分别形成了第一电容C1以及第二电容C2，并且第一电容C1以及第二电容C2组成了串联电路。为了便于说明本实施例中的第一电容C1以及第二电容C2串联组成的感测组件的灵敏度，同样地，在振膜未发生形变时，令第一电容C1以及第二电容C2组成的串联电路的总电容值为C₀，与图4A中的电容C的容量相同，由于多个第一电极区域1011组成电容结构的有效面积相等，第一电容C1以及第二电容C2的电容的初始电容大小分别为C₀/2，在振膜发生形变时，若该形变引起总电容值变化为∆C₀，第一电容C1以及第二电容C2的电容的容量分别为∆C₀/2，那么可以得到第一电容C1以及第二电容C2串联组成的感测组件的灵敏度为：

由此可知，在本实施例中，将导电层分为相互隔离的两个第一电极区域1011与振膜分别形成了第一电容C1以及第二电容C2形成的串联电路的灵敏度与背景技术中的麦克风组件的电容结构的灵敏度相同。

进一步地，振膜上设置有多个泄气结构1023，背极板上对应于多个泄气结构1023的位置处设置有多个声孔1024。

在本实施例中，麦克风组件在封装和使用过程中有时会遭受到外界大的气压冲击，振膜受力发生大的变形，沿着振膜固支边界会有应力集中，导致振膜沿着固支边界破裂，引起产品失效，因此，本实施例设置了多个泄气结构1023，如图3所示，当气体进入到麦克风组件的基底105的腔体1051时，作用到振膜上，并通过泄气结构1023以及声孔1024进入到封装体中。在本实施例中，泄气结构1023可以为多种形式，示例性地，可以为通孔结构，还可以为在振膜上开设泄气缝，并且对应于泄气缝的位置，振膜上具有可以上下摆动的泄气结构，当振膜在正常声压工作时，泄气结构闭合，低频灵敏度变化小，当芯片受到大的冲击力时，泄气结构振动，能够调节泄气量。

进一步地，第一绝缘层1012的靠近振膜的一侧表面上设置防粘结构104，和/或，振膜的靠近第一绝缘层1012的一侧表面上设置防粘结构104。

在本实施例中，为了避免振膜振动时与背极板的第一绝缘层1012接触，如图3所示，在振膜的靠近背极板的一侧表面上设置有防粘结构104，进一步地，还可以为第一绝缘层1012的靠近振膜的一侧表面上设置防粘结构104，还可以为第一绝缘层1012的靠近振膜的一侧表面上设置防粘结构104，并且振膜的靠近第一绝缘层1012的一侧表面上设置防粘结构104。在本实施例中，防粘结构104的形式可以有多种，可以为点状，也可以为条状，本实施例对此不做限定。

实施例二

如图5A至图5E所示，本实施例提供一种麦克风组件，与实施例一不同的是第一电极层101为振膜，第二电极层102为背极板的导电层；

麦克风组件还包括与第二支撑件107固定连接的支撑层108，振膜位于支撑层108上；

背极板还包括与基底105固定连接的第一绝缘层1012，导电层与第一绝缘层1012固定连接，导电层形成第二电极区域1021。

如图5A至图5E所示，振膜包括两个第一电极区域1011，支撑层108起到了支撑振膜的第一电极区域1011的作用，每一个第一电极区域1011上均设置有一个电极引出元件103，两个第一电极区域1011分别与导电层形成两个电容结构，当有气体传入麦克风组件后，先作用到振膜上，振膜向靠近背极板的方向发生形变，从而使得第一电极区域1011与第二电极区域1021之间的间距增大，此时每一个第一电极区域1011均生成相应的电信号。两个电极引出元件103中，一个电极引出元件103与一个电容结构的正极连接，另一个电极引出元件103与另一个电容结构的负极连接。

需要说明的是，在本申请的一些实施例中，图5E中，背极板还包括覆盖在第一绝缘层1012上的第二绝缘层1013，第二绝缘层1013与第二支撑件107固定连接，在本申请中的其他一些实施例中背极板可以不设置第二绝缘层1013，仅通过第一绝缘层1012与第二支撑件107固定连接。

本实施例中的麦克风组件，振膜位于背极板的上方，适用于前进音的封装结构。

进一步地，振膜上设置有至少一个隔离件1022，从而将多个第一电极区域1011相互隔离。

在本实施例中，振膜上设置有一个隔离件1022，从而振膜分割成两个相互隔离的第一电极区域1011，并且隔离件1022可以为多种形式，示例性地，可以为设置在两个第一电极区域1011之间的绝缘件。

进一步地，如图5E所示，至少一个隔离件1022为在厚度上贯穿振膜的隔离槽。

具体地，在本实施例中，隔离槽的宽度范围是0.1μm~50μm，隔离槽的底部位于第一绝缘层1012表面，以暴露部分第一绝缘层1012，当然本发明实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对隔离槽进行其他设置，例如，将绝缘材料填充在隔离槽中从而形成绝缘件。

在本实施例中，隔离槽的俯视形状有多种。示例性地，如图5A以及图5B所示，隔离槽可以为矩形槽，如图5C所示，隔离槽也可以是弧形槽，如图5D所示，也可以是折线形槽当然也可以是S形槽，当然隔离槽也可以是矩形槽和弧形槽的组合，本实施例对此不做限定。

示例性地，在本实施例中，第一绝缘层1012的材料包括氧化硅或者氮化硅。第一电极层101的有效区域是圆形或者矩形，也即，振膜的有效区域呈圆形或者矩形。

进一步地，在振膜未发生形变的情况下，多个第一电极区域1011组成电容结构的有效面积相等，从而使得每一第一电极区域1011与第二电极区域1021的正对面积相等，从而使得每一个第一电极区域1011所组成的电容结构的初始电容相等。

进一步地，多个第一电极区域1011的厚度相同，多个电极引出元件103的厚度相同。

在本实施例中，多个第一电极区域1011的厚度相同，从而使得多个电极引出元件103在一个平面上，也有利于封装引线键合工艺，并且多个电极引出元件103的厚度相同，有利于后续的封装引线键合工艺，多个电极引出元件103的厚度相同可以采用同一导电材料并且厚度相同，使得多个电极引出元件103的厚度相同可以通过同一道掩膜版工艺制作而成，从而简化了制作多个电极引出元件103的厚度相同的工艺流程，更有效地降低制造成本。

优选地，在本发明实施例中，多个第一电极区域1011的形状以及大小均相同。

继续参考图5A-图5D所示，多个第一电极区域1011相对于隔离槽呈中心对侧的结构，使得多个第一电极区域1011组成的电容结构的有效面积相等。

如图4A所示为采用背景技术中的麦克风组件组成的电容结构的示意图，在振膜未发生形变时，电容C的总电容的容量为C₀，在振膜发生形变时，若该形变引起总电容值变化为∆C₀，那么可以得到电容结构的灵敏度为∆C₀/C₀。

结合图5E以及图4B可知，在本实施例中，两个第一电极区域1011与导电层分别形成了第一电容C1以及第二电容C2，并且第一电容C1以及第二电容C2组成了串联电路。为了便于说明本实施例中的第一电容C1以及第二电容C2串联组成的感测组件的灵敏度，同样地，在振膜未发生形变时，令第一电容C1以及第二电容C2组成的串联电路的总电容值为C₀，与图4A中的电容C的容量相同，由于多个第一电极区域1011组成电容结构的有效面积相等，第一电容C1以及第二电容C2的电容的初始电容大小分别为C₀/2，在振膜发生形变时，若该形变引起总电容值变化为∆C₀，第一电容C1以及第二电容C2的电容的容量分别为∆C₀/2，那么可以得到第一电容C1以及第二电容C2串联组成的感测组件的灵敏度为：

由此可知，在本实施例中，将振膜分为相互隔离的两个第一电极区域1011与导电层分别形成了第一电容C1以及第二电容C2形成的串联电路的灵敏度与背景技术中的麦克风组件的电容结构的灵敏度相同。

进一步地，振膜上设置有多个泄气结构1023，背极板上对应于多个泄气结构1023的位置处设置有多个声孔1024。

在本实施例中，麦克风组件在封装和使用过程中有时会遭受到外界大的气压冲击，振膜受力发生大的变形，沿着振膜固支边界会有应力集中，导致振膜沿着固支边界破裂，引起产品失效，因此，本实施例设置了多个泄气结构1023，如图3所示，当气体作用到振膜上，并通过泄气结构1023以及声孔1024进入到封装体中。在本实施例中，泄气结构1023可以为多种形式，示例性地，可以为通孔结构，还可以为在振膜以及支撑层108上开设泄气缝，并且对应于泄气缝的位置，振膜以及支撑层108上具有可以上下摆动的泄气结构，当振膜在正常声压工作时，泄气结构闭合，低频灵敏度变化小，当芯片受到大的冲击力时，泄气结构振动，能够调节泄气量。

进一步地，第一绝缘层1012的靠近支撑层108的一侧表面上设置防粘结构104，和/或，支撑层108的靠近第一绝缘层1012的一侧表面上设置防粘结构104。

在本实施例中，为了避免振膜振动时与背极板的第一绝缘层1012接触，如图5E所示，在支撑层108的靠近背极板的一侧表面上设置有防粘结构104，进一步地，还可以为第一绝缘层1012的靠近支撑层108的一侧表面上设置防粘结构104，还可以为第一绝缘层1012的靠近支撑层108的一侧表面上设置防粘结构104，并且支撑层108的靠近第一绝缘层1012的一侧表面上设置防粘结构104。在本实施例中，防粘结构104的形式可以有多种，可以为点状，也可以为条状，本实施例对此不做限定。

实施例三

如图6所示，本实施例提供一种用于制备实施例一中的麦克风组件的制备方法，该方法包括：

S601、提供基底并在基底上形成振膜；

S602、在振膜上方依次形成背极板的第一绝缘层以及导电层；

S603、在导电层上形成多个相互隔离的第一电极区域，每一第一电极区域与振膜的第二电极区域均构成电容结构。

进一步地，该方法还包括：

S604、在每一第一电极区域1011上设置一个与该第一电极区域1011电连接的电极引出元件103。

进一步地，S601、提供基底105并在基底105上形成第二电极层102包括：

在基底105上形成第一牺牲层，并第一牺牲层上沉积导电材料形成第二电极层102，并且采用预设的成型方法去除掉基底105的中间区域可以形成在厚度上贯穿基底105的腔体1051。

进一步地，S602、振膜上方依次形成背极板的第一绝缘层1012以及导电层包括：

在振膜上形成第二牺牲层，并且在第二牺牲层上沉积绝缘材料从而形成第一绝缘层1012，在第一绝缘层1012上沉积导电材料从而形成导电层，也即是第一电极层101，示例性地，形成第一绝缘层1012的材料可以为氮化硅，形成导电层的导电材料可以为多晶硅。去除掉第一牺牲层以及第二牺牲层的位于腔体1051上方的区域分别形成第一支撑件106以及第二支撑件107。

进一步地，S603、导电层上形成多个相互隔离的第一电极区域1011，每一第一电极区域1011与振膜的第二电极区域1021均构成电容结构包括：

在导电层上形成至少一个隔离件1022从而形成多个相互隔离的第一电极区域1011。

如实施例一中阐述的内容，第一电极区域1011之间的隔离件1022可以为多种形式，当隔离件1022为隔离槽时，S603、在第一电极层101上形成多个相互隔离的第一电极区域1011，每一第一电极区域1011与第二电极层102的第二电极区域1021均构成电容结构包括：在导电层上形成至少一个隔离槽从而形成多个相互隔离的第一电极区域1011。

进一步地，该方法还包括：通过预设成型方法形成至少一个泄气结构1023。

进一步地，该方法还包括：通过预设成型方法形成至少一个声孔1024。

进一步，采用预设成型方法在第一绝缘层1012的靠近振膜的表面形成防粘结构104，和/或，采用预设成型方法在振膜的靠近第一绝缘层1012的表面形成防粘结构104。

在本实施例的制备的麦克风组件能够实现实施例一中的所有有益效果，在此不再赘述。

实施例四

如图7所示，本实施例提供一种用于制备实施例二中的麦克风组件的制备方法，该方法包括：

S701、提供基底并在基底上形成背极板；

S702、在背极板上方依次形成支撑层以及振膜；

S703、在振膜上形成多个相互隔离的第一电极区域，每一第一电极区域与导电层的第二电极区域均构成电容结构。

进一步地，该方法还包括：

S704、在每一第一电极区域1011上设置一个与该第一电极区域1011电连接的电极引出元件103。

进一步地，S701、提供基底并在基底上形成背极板包括：

在基底105上形成第一牺牲层，并第一牺牲层上依次沉积绝缘材料以及导电材料分别形成第一绝缘层1012，第二电极层102以及第二绝缘层1013，当不存在第二绝缘层1013时，在第一牺牲材料上分别形成第一绝缘层1012以及第二电极层102，并且采用预设的成型方法去除掉基底105的中间区域可以形成在厚度上贯穿基底105的腔体1051。

进一步地，S702、在背极板上方依次形成支撑层108以及振膜包括：

在第二绝缘层1013或第一绝缘层1012上形成第二牺牲层，并且在第二牺牲层上沉积绝缘材料从而形成支撑层108，在支撑层108上沉积导电材料从而形成振膜，也即是第一电极层101，示例性地，形成支撑层108的材料可以为氮化硅，形成振膜的导电材料可以为多晶硅。去除掉第一牺牲层以及第二牺牲层的位于腔体1051上方的区域分别形成第一支撑件106以及第二支撑件107。

进一步地，S703、在振膜上形成多个相互隔离的第一电极区域1011，每一第一电极区域1011与导电层的第二电极区域1021均构成电容结构包括：

在振膜上形成至少一个隔离件1022从而形成多个相互隔离的第一电极区域1011。

在本实施例的制备的麦克风组件能够实现实施例一以及实施例二中的所有有益效果，在此不再赘述。

实施例五

一种电子设备，包括如实施例一或实施例二所述的麦克风组件。

以上对本发明实施例所提供的麦克风组件、制备方法及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种麦克风组件，其特征在于，所述麦克风组件包括第一电极层（101），与所述第一电极层（101）对应设置的第二电极层（102），以及基底（105）；

所述基底（105）具有在厚度方向上贯穿所述基底（105）的腔体，所述第二电极层（102）设置在所述腔体上方，并且所述第二电极层（102）的一侧与所述基底（105）的一侧表面固定连接；

所述第一电极层（101）包括多个相互隔离的第一电极区域（1011），所述第二电极层（102）包括第二电极区域（1021），其中，每一所述第一电极区域（1011）均与所述第二电极区域（1021）构成电容结构。

2.如权利要求1所述的麦克风组件，其特征在于，还包括与多个所述第一电极区域（1011）一一对应设置的电极引出元件（103），每一所述电极引出元件（103）设置在对应的所述第一电极区域（1011）的表面并和与之对应的所述第一电极区域（1011）电连接。

3.如权利要求1所述的麦克风组件，其特征在于，所述麦克风组件还包括第一支撑件（106）以及第二支撑件（107）；

所述第二电极层（102）的一侧通过所述第一支撑件（106）与所述基底（105）的一侧表面固定连接，所述第二电极层（102）的另一侧通过所述第二支撑件（107）与所述第一电极层（101）固定连接。

4.如权利要求3所述的麦克风组件，其特征在于，所述第一电极层（101）为背极板的导电层，所述第二电极层（102）为振膜，所述背极板还包括与所述第二支撑件（107）固定连接的第一绝缘层（1012），所述第一电极层（101）位于所述第一绝缘层（1012）上；

所述振膜的非固定区域形成所述第二电极区域（1021）。

5.如权利要求3所述的麦克风组件，其特征在于，所述第一电极层（101）为振膜，所述第二电极层（102）为背极板的导电层；

所述麦克风组件还包括与所述第二支撑件（107）固定连接的第三支撑层（108），所述振膜位于所述第三支撑层（108）上；

所述背极板还包括与所述第一支撑件（106）固定连接的第一绝缘层（1012），所述导电层与所述第一绝缘层（1012）固定连接，所述导电层形成所述第二电极区域（1021）。

6.如权利要求1所述的麦克风组件，其特征在于，所述第一电极层（101）上设置有至少一个隔离件（1022），从而将多个所述第一电极区域（1011）相互隔离。

7.如权利要求6所述的麦克风组件，其特征在于，所述至少一个隔离件（1022）为在厚度上贯穿所述第一电极层（101）的隔离槽。

8.如权利要求1所述的麦克风组件，其特征在于，每一所述第一电极区域（1011）的组成所述电容结构的有效面积相同。

9.如权利要求8所述的麦克风组件，其特征在于，每一所述第一电极区域（1011）的形状以及大小均相同。

10.如权利要求2所述的麦克风组件，其特征在于，多个所述第一电极区域（1011）的厚度相同，多个所述电极引出元件（103）的厚度相同。

11.一种麦克风组件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底（105）并在所述基底（105）上形成第二电极层（102）；

在所述第二电极层（102）上方形成第一电极层（101）；

在所述第一电极层（101）上形成多个相互隔离的第一电极区域（1011），每一所述第一电极区域（1011）与所述第二电极层（102）的第二电极区域（1021）均构成电容结构。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的麦克风组件。

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