CN115826725B - 动态电压频率调整方法及相关设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供动态电压频率调整方法及相关设备，涉及智能终端技术领域，旨在解决如何优化双倍数据率同步动态随机存储器DDR的抗干扰性能和功耗性能的技术问题。其中，动态电压频率调整方法应用于电子设备，电子设备包括天线和DDR，动态电压频率调整方法包括：响应于动态电压频率调整指令，检测天线的工作参数；根据天线的工作参数检测DDR的工作频率；确定DDR的工作频率是否处于频率干扰区间；响应于DDR的工作频率处于频率干扰区间，调整DDR的工作频率和/或工作电压。
Description
技术领域
本申请涉及智能终端技术领域，具体而言，涉及动态电压频率调整方法及相关设备。
背景技术
双倍数据率同步动态随机存储器（Double Data Rate Synchronous DynamicRandom Access Memory，DDR SDRAM，简称DDR）具有动态电压频率调整（Dynamic Voltageand Frequency Scaling，DVFS）功能，可动态调整工作频率和对应的工作电压。对于配置有DDR和天线的电子设备而言，天线的发射功率可能对DDR的信号波形造成干扰。电子设备可通过调低DDR的工作频率来提升DDR的抗干扰性能，但调低DDR的工作频率会增加DDR业务的响应时延，从而增大DDR的功耗。
发明内容
本申请实施例提供动态电压频率调整方法及相关设备，旨在解决如何优化DDR的抗干扰性能和功耗性能的技术问题。
本申请实施例第一方面提供一种动态电压频率调整方法，应用于电子设备，电子设备包括天线和双倍数据率同步动态随机存储器DDR，方法包括：响应于动态电压频率调整指令，检测天线的工作参数；根据天线的工作参数检测DDR的工作频率；确定DDR的工作频率是否处于频率干扰区间；响应于DDR的工作频率处于频率干扰区间，调整DDR的工作频率和/或工作电压。
采用本实施例的动态电压频率调整方法，电子设备首先响应于动态电压频率调整指令，检测天线的工作参数，再根据天线的工作参数检测DDR的工作频率，然后确定DDR的工作频率是否处于频率干扰区间，接着响应于DDR的工作频率处于频率干扰区间，调整DDR的工作频率和/或工作电压，可通过设置频率干扰区间对DDR受干扰风险进行判别，提高DDR受干扰风险的判别性能，从而减少调整DDR的工作频率和/或工作电压的频次，在优化DDR的抗干扰性能的同时也可优化功耗性能。
在其中一种实施方式中，天线的工作参数包括天线的发射功率，和/或天线与DDR之间的隔离度，根据天线的工作参数检测DDR的工作频率，包括：响应于天线的发射功率大于功率阈值，检测DDR的工作频率；或者，响应于天线与DDR之间的隔离度小于或等于隔离度阈值，检测DDR的工作频率；或者，响应于天线的发射功率大于功率阈值，检测天线与DDR之间的隔离度，以及响应于天线与DDR之间的隔离度小于或等于隔离度阈值，检测DDR的工作频率。
采用本实施例的动态电压频率调整方法，电子设备在检测DDR的工作频率之前，可检测天线的发射功率，或者检测天线与DDR之间的隔离度，或者先检测天线的发射功率再检测天线与DDR之间的隔离度。当天线的发射功率大于功率阈值，或者天线与DDR之间的隔离度小于或等于隔离度阈值时，说明天线的发射功率对DDR的干扰风险较高，从而确定通过调整DDR的工作频率和/或工作电压来提升DDR的抗干扰性能。当天线的发射功率小于或等于功率阈值，和/或天线与DDR之间的隔离度大于隔离度阈值时，说明天线的发射功率对DDR的干扰风险较低，从而确定不调整DDR的工作频率和/或工作电压，减少调整DDR的工作频率和/或工作电压的频次，降低DDR的功耗。
在另一种实施方式中，调整DDR的工作频率和/或工作电压，包括：调低DDR的工作频率，或者调高DDR的工作电压，或者调高DDR的工作频率和对应的工作电压。
采用本实施例的动态电压频率调整方法，电子设备可通过调低DDR的工作频率使DDR的工作频率小于或等于频率干扰区间的下限值，从而提升DDR的抗干扰性能。电子设备也可通过调高DDR的工作电压，从而优化信号波形的质量，提升DDR的抗干扰性能。电子设备还可通过调高DDR的工作频率和对应的工作电压，既可提升DDR的抗干扰性能，又可减少DDR业务的响应时延，从而降低DDR的功耗，提升功耗性能。
本申请实施例第二方面提供一种电子设备，包括处理器、存储器以及天线，存储器包括至少一个双倍数据率同步动态随机存储器DDR，处理器运行存储于存储器的计算机程序或代码，实现本申请实施例的动态电压频率调整方法。
本申请实施例第三方面提供一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序或代码，响应于处理器执行计算机程序或代码，实现本申请实施例的动态电压频率调整方法。
可以理解，本申请实施例第二方面提供的电子设备和第三方面提供的计算机可读存储介质的具体实施方式和技术效果与本申请实施例第一方面提供的动态电压频率调整方法大致相同，此处不再赘述。
附图说明
图1是本申请一种实施例提供的电子设备的结构框图。
图2是本申请一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
图3是本申请另一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
图4是本申请另一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
具体实施方式
需要说明的是，本申请实施例中“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或多于两个。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等（如果存在）是用于区别类似的对象，而不是用于描述特定的顺序或先后次序。
另外需要说明的是，本申请实施例中公开的方法或流程图所示出的方法，包括用于实现方法的一个或多个步骤，在不脱离权利要求的范围的情况下，多个步骤的执行顺序可以彼此互换，其中某些步骤也可以被删除。
下面对本申请实施例的部分技术术语进行说明。
1，双倍数据率同步动态随机存储器（Double Data Rate Synchronous DynamicRandom Access Memory，DDR SDRAM）
双倍数据率同步动态随机存储器（DDR SDRAM）可简称DDR。DDR在系统时钟的上升沿和下降沿均可进行数据传输，因此其工作频率为系统时钟频率的两倍。
2，动态电压频率调整（Dynamic Voltage and Frequency Scaling，DVFS）功能
DDR具有动态电压频率调整（DVFS）功能。当电子设备开启DVFS功能时，可动态调整DDR在不同的数据传输速率下的工作频率和对应的工作电压。
3，片内端接（On-die termination，ODT）功能
DDR具有片内端接（ODT）功能。当电子设备开启ODT功能时，可在DDR的输入输出（IO）端口端接电阻，从而优化信号波形的质量。开启ODT功能可相应地调高DDR的工作电压。
4，DDR业务
DDR业务是指DDR的数据存储业务，例如向DDR写入数据和从DDR读取数据。
5，天线业务
天线业务是指天线的数据传输业务，例如通过天线发送数据和接收数据。
下面对本申请实施例的电子设备进行说明。
图1是本申请一种实施例提供的电子设备100的结构框图。
可参阅图1，电子设备100包括处理器110、存储器120以及至少一根天线130。处理器110电连接存储器120以及至少一根天线130。存储器120包括至少一个双倍数据率同步动态随机存储器121（DDR）。处理器110可运行存储于存储器120中的计算机程序或代码，实现本申请实施例的动态电压频率调整方法。
在本实施例中，处理器110包括应用处理器111（Application Processor，AP）和协处理器112（Coprocessor，CP）。协处理器112可包括调制解调器1121（Modem），调制解调器1121可包括调制器（图未示）和解调器（图未示）。其中，调制器用于将待发送的低频基带信号调制成中高频信号。解调器用于将接收的电磁波信号解调为低频基带信号。随后解调器将解调得到的低频基带信号传送至协处理器112处理。低频基带信号经协处理器112处理后，被传递给应用处理器111。应用处理器111通过音频设备（图未示）输出声音信号，或通过显示屏（图未示）显示图像或视频。
处理器110还可包括更多的处理单元，例如图形处理器（graphics processingunit，GPU）、图像信号处理器（image signal processor，ISP）、控制器、视频编解码器、数字信号处理器（digital signal processor，DSP）和/或神经网络处理器（neural-networkprocessing unit，NPU）等。不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器中。
处理器110中还可设置存储器，用于存储指令和数据。在一些实施例中，处理器110中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器110刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器110需要再次使用该指令或数据，可从该存储器中直接调用，避免重复存取，减少处理器110的等待时间，从而提高系统效率。
在一些实施例中，处理器110可包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路（inter-integrated circuit，I2C）接口、集成电路内置音频（inter-integrated circuitsound，I2S）接口、脉冲编码调制（pulse code modulation，PCM）接口、通用异步收发传输器（universal asynchronous receiver/transmitter，UART）接口、移动产业处理器接口（mobile industry processor interface，MIPI）、通用输入输出（general-purposeinput/output，GPIO）接口、用户标识模块（subscriber identity module，SIM）接口、通用串行总线（universal serial bus，USB）接口等。
可以理解，本申请实施例示意的各模块间的接口连接关系，只是示意性说明，并不构成对电子设备100的结构限定。在另一些实施例中，电子设备100也可采用上述实施例中不同的接口连接方式，或多种接口连接方式的组合。
存储器120可包括外部存储器接口（图未示）和内部存储器（图未示），外部存储器接口可以用于连接外部存储卡，例如Micro SD卡，实现扩展电子设备100的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口与处理器110通信，实现数据存储功能，例如将音乐、视频等文件保存在外部存储卡中。
内部存储器可用于存储计算机可执行程序代码，计算机可执行程序代码包括指令。内部存储器可以包括存储程序区和存储数据区。其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序（比如声音播放功能、图像播放功能等）等。存储数据区可存储电子设备100使用过程中所创建的数据（比如音频数据，电话本等）等。此外，内部存储器可以包括高速随机存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、通用闪存存储器（universal flash storage，UFS）等。处理器110通过运行存储在内部存储器的指令，和/或存储在设置于处理器110中的存储器的指令，执行电子设备100的各种功能应用以及数据处理。在本实施例中，内部存储器包括至少一个双倍数据率同步动态随机存储器121。
天线130用于发射和接收电磁波信号。电子设备100的每根天线130可用于覆盖单个或多个通信频带。不同的天线130还可以复用，以提高天线130的利用率。例如，可以将天线130复用为无线局域网的分集天线。
可以理解，本申请实施例示意的结构并不构成对电子设备100的具体限定。在另一些实施例中，电子设备100可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。
在本实施例中，电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，天线130的发射功率可能对双倍数据率同步动态随机存储器121的信号波形造成干扰。
举例而言，表1为本申请一种实施例提供的双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表。如表1所示，双倍数据率同步动态随机存储器121的时钟频率包括多个离散的频点A1至A8，频点A1至A8的频率分布为从低到高。双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率为时钟频率的两倍。例如，当时钟频率为A1时，双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率为2A1。即，双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段包括对应的多个离散的频点2A1至2A8。电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，从表1可知，当时钟频率为A1至A2时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率较低，对信号波形的质量和时序的要求也较低，因此抗干扰性能较强，不易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为A3至A5时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率提高，对信号波形的质量和时序的要求也提高，因此抗干扰性能降低，容易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为A6至A8时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压为V2，V2>V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压提高，可优化信号波形的质量，因此抗干扰性能提升，不易受到天线130发射功率的干扰。
在一些实施例中，工作电压V1为0.3V，V2为0.5V。可以理解，工作电压V1可在一定公差范围内趋近于0.3V，工作电压V2可在一定公差范围内趋近于0.5V。
假设天线130的工作频段为N78（3300-3800MHz），天线130对应的发射功率较大，容易对双倍数据率同步动态随机存储器121的信号波形造成干扰。电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，当时钟频率为A3至A5时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，信号波形的扰动较大，容易造成位反转（bitflip），导致应用处理器111发生系统重启（system reboot），或者导致协处理器112发生调制解调器1121崩溃（modem crash）。
表1 双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表
又例如，表2为本申请另一种实施例提供的双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表。如表2所示，双倍数据率同步动态随机存储器121的时钟频率包括多个离散的频点B1至B9，频点B1至B9的频率分布为从低到高。双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段包括对应的多个离散的频点2B1至2B9。电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，从表2可知，当时钟频率为B1至B5时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率较低，对信号波形的质量和时序的要求也较低，因此抗干扰性能较强，不易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为B6至B9时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压为V2，V2>V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压提高，可优化信号波形的质量，因此抗干扰性能提升，不易受到天线130发射功率的干扰。
与表1所示的双倍数据率同步动态随机存储器121相比，表2所示的双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能更强，不易受到天线130发射功率的干扰，但其功耗性能较弱。此外，由于表1所示的双倍数据率同步动态随机存储器121对硬件（Hardware）设计的要求较高，因此其硬件设计成本也较高。
表2 双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表
从表1和表2可知，电子设备100可调低双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率，从而提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能。然而，当电子设备100调低双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率时，会增加DDR业务的响应时延，从而增大双倍数据率同步动态随机存储器121的功耗。
基于此，本申请实施例提供动态电压频率调整方法及相关设备，首先响应于动态电压频率调整指令，检测天线的工作参数，再根据天线的工作参数检测DDR的工作频率，然后确定DDR的工作频率是否处于频率干扰区间，接着响应于DDR的工作频率处于频率干扰区间，调整DDR的工作频率和/或工作电压，可通过设置频率干扰区间对DDR受干扰风险进行判别，提高DDR受干扰风险的判别性能，从而减少调整DDR的工作频率和/或工作电压的频次，在优化DDR的抗干扰性能的同时也可优化功耗性能。
下面对本申请实施例的动态电压频率调整方法进行说明。
可以理解，动态电压频率调整方法可应用于图1所示的电子设备100。
图2是本申请一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
可参阅图2，动态电压频率调整方法可包括如下步骤：
S201，响应于动态电压频率调整指令，检测天线130的工作参数。
其中，天线130的工作参数包括天线130的发射功率和/或天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度。
在本实施例中，电子设备100可设置双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能开关控件。当电子设备100接收DDR业务时，可触发DVFS功能开关控件，开启DVFS功能，从而生成动态电压频率调整指令。然后，电子设备100响应于动态电压频率调整指令，通过协处理器112来检测天线130的工作参数。
S202，根据天线130的工作参数检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
在本实施例中，电子设备100可根据检测到的天线130的工作参数确定是否检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
举例而言，当检测到的天线130的工作参数满足预设场景时，电子设备100可继续检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
在一些实施例中，预设场景可包括天线130的发射功率大于功率阈值。其中，功率阈值可依需而设，例如功率阈值为20dBm。
在另一些实施例中，预设场景可包括天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度小于或等于隔离度阈值。其中，隔离度阈值可依需而设。
可以理解，天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度越大，说明天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的距离越远，双倍数据率同步动态随机存储器121受干扰风险也就越低。电子设备100可通过切换不同的天线130来调整天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度。
S203，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否处于频率干扰区间。
其中，频率干扰区间至少包括下限值。
在本实施例中，电子设备100在检测到双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率之后，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否大于频率干扰区间的下限值。
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率大于频率干扰区间的下限值，则执行步骤S204；若否，则执行步骤S205。
在一些实施例中，频率干扰区间还可以包括上限值。
电子设备100在检测到双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率之后，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否大于频率干扰区间的下限值，且小于或等于频率干扰区间的上限值。
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率大于频率干扰区间的下限值，且小于或等于频率干扰区间的上限值，则执行步骤S204；若否，则执行步骤S205。
可以理解，频率干扰区间的下限值和上限值均可依需而设。
S204，调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和/或工作电压。
在本实施例中，当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于频率干扰区间时，说明双倍数据率同步动态随机存储器121受干扰风险较高，电子设备100可通过双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能来调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，即调整工作频率和/或工作电压。
在一些实施例中，电子设备100可调低双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率，使双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率小于或等于频率干扰区间的下限值，从而提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能。
在另一些实施例中，电子设备100可通过开启ODT功能来调高双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压，从而优化信号波形的质量，提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能。
在另一些实施例中，电子设备100可调高双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和对应的工作电压，既可提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能，又可减少DDR业务的响应时延，从而降低双倍数据率同步动态随机存储器121的功耗，提升功耗性能。
S205，维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和工作电压。
在本实施例中，当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率不处于频率干扰区间时，说明双倍数据率同步动态随机存储器121受干扰风险较低，电子设备100可不调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，即维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和工作电压。
举例而言，表3为本申请另一种实施例提供的双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表。如表3所示，双倍数据率同步动态随机存储器121的时钟频率包括多个离散的频点C0至C9，频点C0至C9的频率分布为从低到高。双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段包括对应的多个离散的频点2C0至2C9。电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，从表3可知，当时钟频率为C0至C4时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率较低，对信号波形的质量和时序的要求也较低，因此抗干扰性能强，不易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为C5至C9时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压为V2，V2>V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压提高，可优化信号波形的质量，因此抗干扰性能强，不易受到天线130发射功率的干扰。
在本实施例中，电子设备100可根据双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段划分工作区域。例如，工作区域1为工作频段为2C0至2C4的区域，工作区域2为工作频段为2C5至2C9的区域。然后，电子设备100可根据工作区域确定频率干扰区间，频率干扰区间的下限值可为工作区域1的频率上限至工作区域2的频率下限中的任意取值，例如频率干扰区间的下限值的取值范围可为2C4至2C5。当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率大于频率干扰区间的下限值时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压从V1提高到V2。当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率小于或等于频率干扰区间的下限值时，维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，即ODT功能关闭和工作电压为V1。
表3 双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表
又例如，表4为本申请另一种实施例提供的双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表。如表4所示，双倍数据率同步动态随机存储器121的时钟频率包括多个离散的频点D0至D9，频点D0至D9的频率分布为从低到高。双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段包括对应的多个离散的频点2D0至2D9。电子设备100在开启双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能之后，从表4可知，当时钟频率为D0至D4时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率较低，对信号波形的质量和时序的要求也较低，因此抗干扰性能强，不易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为D5至D7时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能关闭，工作电压为V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率提高，对信号波形的质量和时序的要求也提高，因此抗干扰性能弱，容易受到天线130发射功率的干扰。当时钟频率为D8至D9时，双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压为V2，V2>V1，由于双倍数据率同步动态随机存储器121的ODT功能开启，工作电压提高，可优化信号波形的质量，因此抗干扰性能强，不易受到天线130发射功率的干扰。
在本实施例中，电子设备100可将双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段划分为多个工作区域。例如，工作区域1为工作频段为2D0至2D4的区域，工作区域2为工作频段为2D5至2D7的区域，工作区域3为工作频段为2D8至2D9的区域。然后，电子设备100可根据工作区域确定频率干扰区间，频率干扰区间的下限值可为工作区域1的频率上限至工作区域2的频率下限中的任意取值，例如频率干扰区间的下限值的取值范围可为2D4至2D5。频率干扰区间的上限值可为工作区域2的频率上限至工作区域3的频率下限中的任意取值，例如频率干扰区间的下限值的取值范围可为2D7至2D8。当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率大于频率干扰区间的下限值，且小于或等于频率干扰区间的上限值时，ODT功能关闭，工作电压为V1，抗干扰性能弱。电子设备100可通过调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和/或工作电压，将工作区域2的工作电压从V1提高到V2，或者将双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式从工作区域2调整到工作区域1或工作区域3，从而提升抗干扰性能。
表4 双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段表
从表3和表4可知，电子设备100可通过设置频率干扰区间来区分双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能强弱。在抗干扰性能弱时，通过调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和/或工作电压来调整工作模式，提升抗干扰性能。而在抗干扰性能强时，维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，从而提高双倍数据率同步动态随机存储器121受干扰风险的判别性能，减少调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式的频次，在优化双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能的同时也可优化功耗性能。
图3是本申请另一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
可参阅图3，动态电压频率调整方法可包括如下步骤：
S301，响应于动态电压频率调整指令，检测天线130的发射功率。
在本实施例中，当电子设备100接收DDR业务时，可触发DVFS功能开关控件，开启DVFS功能，从而生成动态电压频率调整指令。然后，电子设备100响应于动态电压频率调整指令，通过协处理器112来检测天线130的发射功率。协处理器112检测到天线130的发射功率之后，向应用处理器111发送天线130的发射功率。
S302，确定天线130的发射功率是否大于功率阈值。
在本实施例中，电子设备100在接收天线130的发射功率之后，可通过应用处理器111来判断天线130的发射功率是否大于功率阈值。若天线130的发射功率大于功率阈值，则说明天线130的发射功率对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较高。若天线130的发射功率小于或等于功率阈值，则说明天线130的发射功率对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较低。
若天线130的发射功率大于功率阈值，则执行步骤S303；若否，则执行步骤S313。
S303，检测天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度。
在本实施例中，当天线130的发射功率大于功率阈值时，电子设备100可通过协处理器112来检测天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度。协处理器112检测到隔离度之后，向应用处理器111发送隔离度。
S304，确定天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度是否小于或等于隔离度阈值。
在本实施例中，电子设备100在接收天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度之后，可通过应用处理器111来判断隔离度是否小于或等于隔离度阈值。若天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度小于或等于隔离度阈值，则说明天线130的发射功率对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较高。若天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度大于隔离度阈值，则说明天线130的发射功率对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较低。
若天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度小于或等于隔离度阈值，则执行步骤S305；若否，则执行步骤S313。
S305，检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
在本实施例中，电子设备100可通过应用处理器111来检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
S306，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否处于频率干扰区间。
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于频率干扰区间，则执行步骤S307；若否，则执行步骤S314。
可以理解，步骤S306的具体实施方式与图2所示的步骤S203相同，此处不再赘述。
S307，检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压。
在本实施例中，电子设备100可通过应用处理器111来检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压。
双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压包括低电平电压值或高电平电压值，低电平电压值小于高电平电压值。例如，低电平电压值为表1至表4所示的工作电压V1，高电平电压值为表1至表4所示的工作电压V2。
S308，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压是否为低电平电压值。
在本实施例中，在应用处理器111检测到双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压之后，电子设备100可通过应用处理器111来判断工作电压是否为低电平电压值。若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于频率干扰区间，且工作电压为低电平电压值，则说明双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式处于待调整状态。若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于频率干扰区间，且工作电压为高电平电压值，则说明双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式处于已调整状态。
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压为低电平电压值，则执行步骤S309；若否，则执行步骤S314。
S309，查询DDR业务的优先级和天线业务的优先级。
在本实施例中，电子设备100可通过应用处理器111来查询DDR业务的优先级和天线业务的优先级。
可以理解，电子设备100可在存储器120中存储各种业务的优先级信息，优先级信息可依业务需求而设。例如，当DDR业务需要优先执行时，电子设备100可设置DDR业务为高优先级。当DDR业务可延迟执行时，电子设备100可设置DDR业务为低优先级。
S310，确定天线业务的优先级是否高于DDR业务的优先级。
在本实施例中，电子设备100可通过应用处理器111来判断天线业务的优先级是否高于DDR业务的优先级。若天线业务的优先级高于DDR业务的优先级，则说明天线业务需要优先执行，电子设备100需要维持天线130的工作参数，从而及时地响应天线业务。若天线业务的优先级低于DDR业务的优先级，则说明DDR业务需要优先执行，电子设备100需要维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，从而及时地响应DDR业务。
若天线业务的优先级高于DDR业务的优先级，则执行步骤S311；若否，则执行步骤S312。
S311，调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和/或工作电压。
可以理解，步骤S311的具体实施方式与图2所示的步骤S204相同，此处不再赘述。
S312，调整天线130的工作参数。
在本实施例中，当天线业务的优先级低于DDR业务的优先级时，电子设备100可通过协处理器112调低天线130的发射功率，使天线130的发射功率小于或等于功率阈值，从而提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能。
在一些实施例中，当天线业务的优先级低于DDR业务的优先级时，电子设备100可通过协处理器112切换不同的天线130，使天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度大于隔离度阈值，从而提升双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能。
S313，关闭双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能。
在本实施例中，当天线130的发射功率小于或等于功率阈值，或者天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度大于隔离度阈值时，由于天线130的发射功率对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较低，因此电子设备100不需要调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，可通过应用处理器111来关闭DVFS功能，从而减少调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式的频次，降低双倍数据率同步动态随机存储器121的功耗，优化功耗性能。
S314，维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和工作电压。
在本实施例中，当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率不处于频率干扰区间，或者双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于频率干扰区间，且工作电压为高电平电压值，或者双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能关闭时，电子设备100不调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式，即维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率和工作电压。
图4是本申请另一种实施例提供的动态电压频率调整方法的流程图。
可参阅图4，动态电压频率调整方法可包括如下步骤：
S401，响应于动态电压频率调整指令，检测天线130的发射功率。
可以理解，步骤S401的具体实施方式与图3所示的步骤S301相同，此处不再赘述。
S402，确定天线130的发射功率是否为功率等级2。
在本实施例中，电子设备100可依功率阈值将天线130的发射功率划分为不同的功率档位。天线130的功率档位可包括功率等级1和功率等级2。当天线130的发射功率小于或等于功率阈值时，天线130的发射功率为功率等级1，其对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较低。当天线130的发射功率大于功率阈值时，天线130的发射功率为功率等级2，其对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较高。
若天线130的发射功率为功率等级2，则执行步骤S403；若否，则执行步骤S413。
S403，检测天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度。
可以理解，步骤S403的具体实施方式与图3所示的步骤S303相同，此处不再赘述。
S404，根据天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度确定天线130是否处于天线区域2。
在本实施例中，电子设备100可依隔离度阈值将不同的天线130划分到不同的天线分布区域。天线分布区域可包括天线区域1和天线区域2。当天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度大于隔离度阈值时，天线130处于天线区域1，其对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较低。当天线130与双倍数据率同步动态随机存储器121之间的隔离度小于或等于隔离度阈值时，天线130处于天线区域2，其对双倍数据率同步动态随机存储器121的干扰风险较高。
若天线130处于天线区域2，则执行步骤S405；若否，则执行步骤S413。
S405，检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率。
可以理解，步骤S405的具体实施方式与图3所示的步骤S305相同，此处不再赘述。
S406，确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否处于工作区域2。
在本实施例中，电子设备100可将双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段划分为多个工作区域。以表4为例，电子设备100将双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段划分为工作区域1、工作区域2以及工作区域3。工作区域1为工作频段为2D0至2D4的区域，工作区域2为工作频段为2D5至2D7的区域，工作区域3为工作频段为2D8至2D9的区域。从表4可知，当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于工作区域2时，其抗干扰性能弱，容易受到天线130发射功率的干扰。当双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于工作区域1或工作区域3时，其抗干扰性能强，不易受到天线130发射功率的干扰。
可以理解，电子设备100通过判断天线130的发射功率是否为功率等级2，判断天线130是否处于天线区域2，以及判断双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率是否处于工作区域2，可提高双倍数据率同步动态随机存储器121受干扰风险的判别性能，减少调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式的频次，从而优化功耗性能。
举例而言，表5为本申请一种实施例提供的双倍数据率同步动态随机存储器121的工作区域表。如表5所示，电子设备100将双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频段划分为工作区域1、工作区域2以及工作区域3，将天线130的发射功率划分为功率等级1和功率等级2，将天线分布区域划分为天线区域1和天线区域2。
在本实施例中，当天线130的发射功率为功率等级2，天线130处于天线区域2，以及双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于工作区域2时，双倍数据率同步动态随机存储器121的抗干扰性能弱，容易受到天线130发射功率的干扰。
表5 双倍数据率同步动态随机存储器121的工作区域表
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作频率处于工作区域2，则执行步骤S407；若否，则执行步骤S414。
S407，检测双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压。
可以理解，步骤S407的具体实施方式与图3所示的步骤S307相同，此处不再赘述。
S408，根据双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式是否处于待调整状态。
在本实施例中，若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压为低电平电压值，则确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式处于待调整状态。若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作电压为高电平电压值，则确定双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式处于已调整状态。
若双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式处于待调整状态，则执行步骤S409；若否，则执行步骤S414。
S409，查询DDR业务的优先级和天线业务的优先级。
S410，确定天线业务的优先级是否高于DDR业务的优先级。
S411，调整双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式。
S412，调整天线130的工作参数。
S413，关闭双倍数据率同步动态随机存储器121的DVFS功能。
S414，维持双倍数据率同步动态随机存储器121的工作模式。
可以理解，步骤S409至S414的具体实施方式与图3所示的步骤S309至S314大致相同，此处不再赘述。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质用于存储计算机程序或代码，当所述计算机程序或代码被处理器执行时，实现本申请实施例的动态电压频率调整方法。
计算机可读存储介质包括在用于存储信息（诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据）的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。存储介质包括，但不限于随机存储器（Random Access Memory，RAM）、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、带电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，EEPROM）、闪存或其它存储器、只读光盘（Compact Disc Read-OnlyMemory，CD-ROM）、数字通用光盘（Digital Versatile Disc，DVD）或其它光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其它磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其它的介质。
上面结合附图对本申请实施例作了详细说明，但是本申请不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本申请宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (9)
1.一种动态电压频率调整方法，应用于电子设备，所述电子设备包括天线和双倍数据率同步动态随机存储器DDR，其特征在于，所述方法包括：
响应于动态电压频率调整指令，检测所述天线的工作参数；所述工作参数包括所述天线的发射功率，和/或所述天线与所述DDR之间的隔离度；
根据所述工作参数检测所述DDR的工作频率，包括：
响应于所述天线的发射功率大于功率阈值，检测所述DDR的工作频率；或者，
响应于所述天线与所述DDR之间的隔离度小于或等于隔离度阈值，检测所述DDR的工作频率；或者，
响应于所述天线的发射功率大于所述功率阈值，检测所述天线与所述DDR之间的隔离度，以及响应于所述天线与所述DDR之间的隔离度小于或等于所述隔离度阈值，检测所述DDR的工作频率；
确定所述DDR的工作频率是否处于频率干扰区间；
响应于所述DDR的工作频率处于所述频率干扰区间，调整所述DDR的工作频率和/或工作电压。
2.根据权利要求1所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，所述调整所述DDR的工作频率和/或工作电压，包括：
调低所述DDR的工作频率，或者，调高所述DDR的工作电压。
3.根据权利要求1所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，所述调整所述DDR的工作频率和/或工作电压，包括：
调高所述DDR的工作频率，以及调高所述DDR的工作电压。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，响应于所述DDR的工作频率处于所述频率干扰区间，所述方法还包括：
检测所述DDR的工作电压，所述DDR的工作电压包括低电平电压值或高电平电压值，所述低电平电压值小于所述高电平电压值；
所述调整所述DDR的工作频率和/或工作电压，包括：
响应于所述DDR的工作电压为所述低电平电压值，调整所述DDR的工作频率和/或工作电压。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，所述响应于所述DDR的工作频率处于所述频率干扰区间，所述方法还包括：
查询DDR业务的优先级和天线业务的优先级；
所述调整所述DDR的工作频率和/或工作电压，包括：
响应于所述天线业务的优先级高于所述DDR业务的优先级，调整所述DDR的工作频率和/或工作电压。
6.根据权利要求5所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，在查询DDR业务的优先级和天线业务的优先级之后，所述方法还包括：
响应于所述天线业务的优先级低于所述DDR业务的优先级，调整所述天线的工作参数。
7.根据权利要求6所述的动态电压频率调整方法，其特征在于，所述调整所述天线的工作参数，包括：
调低所述天线的发射功率，或者，调高所述天线与所述DDR之间的隔离度。
8.一种电子设备，包括处理器、存储器以及天线，所述存储器包括至少一个双倍数据率同步动态随机存储器DDR，其特征在于，所述处理器运行存储于所述存储器的计算机程序或代码，实现如权利要求1至7中任一项所述的动态电压频率调整方法。
9.一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序或代码，其特征在于，响应于处理器执行所述计算机程序或代码，实现如权利要求1至7中任一项所述的动态电压频率调整方法。
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