CN115775762A - 多个加热区域结构的静电卡盘 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘。多个加热结构的静电卡盘包括：多个微型多加热器区域(11_1至11_N)，每个微型多加热器区域可以通过加热元件单独加热控制；开关模块(13)，包括连接到多个微型多加热器区域(11_1至11_N)中每一个的单独开关装置(14_1至14_N)；以及开关控制模块(15)，控制开关模块(13)的操作，其中固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域(11_1至11_N)独立加热。

Description

多个加热区域结构的静电卡盘

技术领域

本发明涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘，具体地，涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘，其形成有彼此划分的多个加热区域，从而可以单独加热控制每个区域。

背景技术

在作为半导体制造工艺之一的蚀刻工艺过程中使用的静电卡盘(electrostaticchuck)可以具有晶片固定功能(wafer chucking)和温度控制功能(temperaturecontrolling)。在刻蚀工艺过程中，需要保持晶片均匀温度，以确保工艺均匀性，从而可以提高工艺收率。为了确保静电卡盘的这种温度均匀性，需要控制静电卡盘(ESC)的温度，对此，国际公开号WO 2011/049620公开了一种具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板。另外，WO 2013/049589公开了一种在处理室中控制温度的静电卡盘。为了保持晶片的均匀温度特性，需要控制用于固定晶片的静电卡盘的温度，并且可以在形成在静电卡盘的上部的绝缘层设置加热装置以控制温度。然而，通过这种加热装置难以均匀地控制整个静电卡盘或整个晶片的温度。通过这种加热装置的加热，在晶片的不同部分之间可能会出现温度偏差，并且需要对这种局部的温度偏差进行补偿。为此，与晶片接触的静电卡盘被划分成多个区域，并且需要对每个区域单独进行温度控制。另外，需要同时制定一种方法，使得用于温度控制的装置不影响工艺。然而，现有技术并没有公开这样的技术。

本发明旨在解决现有技术中存在的问题，并具有以下目的。

现有技术文献

专利文献

现有技术1：国际公开号WO 2011/049620(朗姆研究公司，2011.04.28公开)具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板，

现有技术2：国际公开号WO 2013/049589(应用材料公司，2013.04.04公开)具有温度控制的静电卡盘。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种多个加热区域结构的静电卡盘，其对被划分成多个的每个区域单独进行温度控制，从而可以控制静电卡盘的整体温度分布。

(二)技术方案

根据本发明的优选实施方式，多个加热区域结构的静电卡盘包括：多个微型多加热器区域，每个微型多加热器区域可以通过加热元件单独加热控制；开关模块，包括连接到多个微型多加热器区域中每一个的单独开关装置；以及开关控制模块，控制开关模块的操作，其中固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域独立加热。

根据本发明的另一个优选实施方式，进一步包括：AC加热器区域，设置在形成于微型多加热器区域上方的陶瓷层，其中AC加热器区域设置有2至50个，并且通过每个半导体开关控制操作。

根据本发明的另一个优选实施方式，微型多加热器区域设置在微型多区域板。

根据本发明的又一个优选实施方式，微型多区域板设置在金属材料的操作主体上形成的加热调节区域的内部。

根据本发明的又一个优选实施方式，进一步包括：温度传感器，检测每个AC加热器区域的温度。

根据本发明的又一个优选实施方式，在微型多区域板设置有传递每个加热器区域的控制信息的光通信电路模块、驱动模块以及电源电路模块。

根据本发明的又一个优选实施形式，微型多加热器区域设置有50至500个。

根据本发明的又一个优选实施形式，操作主体由铝材料制成。

根据本发明的又一个优选实施形式，进一步包括：冷却管线，形成在操作主体。

根据本发明的又一个优选实施形式，加热调节区域(RA)的内部由热胶(thermalPaste)填充。

(三)有益效果

根据本发明的多个加热结构的静电卡盘，补偿晶片加热过程中可能出现的温度偏差，确保晶片整个表面的温度均匀性以确保工艺均匀性，从而提高工艺收率。根据本发明的静电卡盘在逐步微细化和高度化的半导体工艺过程中，可基于前序工艺结果，在后续工艺过程中对前序工艺结果进行补偿。例如，当在300mm晶片的部分区域的前序工艺结果高或低时，可以在后续工艺中对结果进行补偿。因此，确保了工艺结果的均匀性并提高了收率，从而可以提高生产性。对于已知的蚀刻装置而言，由于静电卡盘的300mm的圆形截面积引起的空间上的限制，因此需要限制地设置加热器区域的数量。这是由于每个加热器需要安装电力端子和加热元件，使得局部加热区域的设置受限的结构引起的。根据本发明的静电卡盘解决了这种空间限制，从而可以根据需要设置各种数量或形状的局部加热区域。根据本发明的静电卡盘包括应用于半导体工艺的各种形式的静电卡盘，并且本发明不限于此。

附图说明

图1示出了应用于根据本发明的多个加热区域结构的静电卡盘的微型多加热器区域的实施例。

图2示出了在根据本发明的静电卡盘的陶瓷层形成的多个AC加热器区域的实施例。

图3示出了从上方和下方观察根据本发明的静电卡盘的实施例。

图4示出了根据本发明的多个加热区域结构的静电卡盘的实施例。

图5示出了根据本发明的静电卡盘的剖面结构的实施例。

图6示出了根据本发明的静电卡盘中微型多区域的操作方法的实施例。

附图标记说明

11_1至11_N：微型多加热器区域 13：开关模块

14_1至14_N：单独开关装置 15：开关控制模块

21_1至21_L：AC加热器区域 22_1至22_L：半导体开关

31：晶片固定部分 32：边缘部分

41：操作主体 43：微型多区域板

44：光通信电路模块 45：驱动模块

46：电源电路模块 47：AC加热器控制器

48：AC电力供应源 51：加热区域

具体实施方式

下面，参照附图所示的实施例对本发明进行详细说明，但是实施例仅用于清楚地理解本发明，而本发明不限于此。在以下说明中，不同图中具有相同附图标记的组件具有相似的功能，因此除非是理解本发明所必需的，将不再重复进行说明，并且虽然对公知组件进行了简略说明或省略，但不应理解为排除在本发明的实施例之外。

图1示出了应用于根据本发明的多个加热区域结构的静电卡盘的微型多加热器区域的实施例。

参照图1，多个加热区域结构的静电卡盘包括：多个微型多加热器区域11_1至11_N，每个微型多加热器区域可以通过加热元件单独加热控制；开关模块13，包括连接到多个微型多加热器区域11_1至11_N中每一个的单独开关装置14_1至14_N；以及开关控制模块15，控制开关模块13的操作，其中固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域11_1至11_N独立加热。

微型多加热器区域11_1至11_N可以形成在与晶片对应的部分以加热晶片，例如，可以形成在静电卡盘的上部形成的陶瓷层的内部，但是优选地可以形成在独立形成于陶瓷层下方的加热装置。当形成在陶瓷层下方时，其可以具有补偿由形成在陶瓷层的加热器加热引起的局部温度偏差的功能。可以通过微型多加热器区域11_1至11_N局部地加热晶片的预定部分，并且微型多加热器区域11_1至11_N可基于晶片的形状形成。晶片的整个区域可以被分割成多个加热区域，并且微型多加热器区域11_1至11_N可以形成在可加热被分割的每个加热区域的适当位置。如上所述形成的每个微型多加热器区域11_1至11_N可以具有例如线性加热特性，例如，其可以具有温度在0至150℃的温度范围内与施加的电力成正比例地线性的变化的线性加热特性。每个加热器区域11_1至11_N可以包括诸如LED元件、二极管、热电元件、电阻的加热装置，并且加热装置可以通过AC电力加热，但是优选地可以通过可施加0至24V的DC电力的电源加热。每个加热器区域11_1至11_N可以连接到单独开关装置14_1至14_N，并且可以通过单独开关装置14_1至14_N的打开或关闭进行加热或停止加热。每个加热器区域11_1至11_N可以包括：加热主体111，由可产生和传递热的材料制成；以及一对电极112a、112b，形成在加热主体111以通过向加热主体111施加电力来产生热。一对电极112a、112b可以电连接到单独开关装置14_1至14_N。另外，可以通过单独开关装置14_1至14_N的打开或关闭，向每个加热主体111施加电力以产生热。单独开关装置14_1至14_N可以安装在开关模块13中，开关模块13可以存储多个单独开关装置14_1至14_N的状态，并且开关模块13可以保持每个单独开关装置14_1至14_N的状态，或者切换每个单独开关装置14_1至14_N的开/关状态。可以通过开关控制模块15的操作信号操作每个单独开关装置14_1至14_N。具体地，来自开关控制模块15的单独开关装置14_1至14_N的打开或关闭信号可以被传输到开关模块13，开关模块13可以根据传输的信号保持每个单独开关装置14_1至14_N的状态，或者切换每个单独开关装置14_1至14_N的开/关状态。加热器区域11_1至11_N的数量可以根据静电卡盘或晶片的结构而设置为不同，例如，可以是10至500个，但不限于此。

参照图1的左侧所示的实施例，每个加热器区域11_1至11_N的一个电极112a可以通过每个连接线12a至12n连接到每个单独开关装置14_1至14_N。另外，每个加热器区域11_1至11_N的另一个电极112b可以通过接地线GW连接到接地电极16。参照图1的右侧所示的实施例，每个加热器区域17_1至17_M可以通过第一连接线组的每个列线CL_1至CL_L连接到第一开关组的每个列开关18_1至18_L。可以通过第二连接线组的每个行线RL_1至RL_K连接到行开关19_1至19_K。另外，列开关18_1至18_L和行开关19_1至19_K可以彼此联动操作以单独加热每个加热器区域17_1至17_M。加热器区域17_1至17_M可以起到与加热器区域11_1至11_N相同或相似的功能。可以通过各种方法实现每个微型加热器区域11_1至11_N的单独控制，并且不限于所示出的实施例。

图2示出了在根据本发明的静电卡盘的陶瓷层形成的多个AC加热器区域的实施例。

参照图2，在陶瓷层CS的内部可以形成多个AC加热器区域21_1至21_18，并且AC加热器区域21_1至21_18可以对应于上述的微型加热器区域11_1至11_N。例如，AC加热器区域21_1至21_18可以应用于300mm晶片，并且可以通过AC电力操作。在每个AC加热器区域21_1至21_18可以设置有加热元件、电力端子以及热电偶等温度传感器。每个AC加热器区域21_1至21_18形成有连接端口，从而可以通过例如作为单独开关装置的晶闸管等半导体单独开关22_1至22_18来调节AC加热器区域21_1至21_18的操作。半导体单独开关22_1至22_18可以通过连接线23a、23b连接到AC加热器区域21_1至21_18，并且每个AC加热器区域21_1至21_18与半导体单独开关22_1至22_18一起形成独立的加热回路且可以连接到AC加热器电源。AC加热器区域21_1至21_18可以彼此连接并由划分的18个区域组成，但是AC加热器区域21_1至21_18可以形成为各种数量，例如，可以是2至50个，但不限于此。在示出的实施例中，18个加热器区域21_1至21_18可以连接18个半导体单独开关22_1至22_18。单独开关22_1至22_18可以独立操作，因此AC加热器区域21_1至21_18可以独立加热。

在AC加热器区域21_1至21_18的下方可以设置有图1中说明的微型多加热器区域，并且微型多加热器区域可以独立于AC加热器区域21_1至21_18而操作。例如，微型多加热器区域可以根据晶片的形状或静电卡盘的结构而设置有50至500个，但不限于此。微型多加热器区域可以设置在陶瓷层的下方，并且可以具有与AC加热器区域21_1至21_18相同或相似的操作结构。另外，微型多加热器区域可以具有补偿在由AC加热器区域21_1至21_18加热的静电卡盘或晶片中产生的温度偏差的功能。首先，静电卡盘或晶片可以通过AC加热器区域21_1至21_18或其他加热装置加热，其次，可以通过微型多加热器区域的操作进行加热补偿。下面，对上述过程进行说明。

参照图2的右侧，调节静电卡盘的加热的过程包括以下步骤：在绝缘层或陶瓷层形成AC加热器区域21_1至21_18(P21)；在陶瓷层的下方形成微型多加热器区域(P22)；形成用于驱动AC加热器区域21_1至21_18和微型多加热器区域的驱动装置(P23)；形成连接每个AC加热器区域21_1至21_18和半导体单独开关以及连接每个微型多加热器区域和单独加热器开关的开放回路或独立回路(P24)；生成每个加热器区域的加热特性数据(P25)；设置通信装置，其执行用于控制操作的控制装置与开关控制模块或状态检测装置之间的数据通信等光通信(P26)；以及单独控制每个AC加热器区域21_1至21_18或微型多加热器区域(P27)。AC加热器区域21_1至21_18或微型多加热器区域可基于工艺过程中晶片的整个面积形成，并且不同的加热器区域可以具有相同或不同的面积或形状。当如上所述设置加热器区域时(P21、P22)，可以设置用于加热每个加热器区域的热源，并且可以形成用于操作热源的驱动装置(P23)。热源可以是诸如LED元件、二极管、热电元件或电阻的可通过供电产生热的各种电子元件或部件，并且可以通过驱动装置来操作开关以加热每个加热器区域。开关可由开关控制模块操作，开关控制模块可通过设置在外部的控制模块操作。例如，如图2所示，开关可以是诸如可控硅整流元件(SCR)的半导体开关，但不限于此。每个开关可以形成为开环结构或独立回路结构(P24)，并且可以向开关传输操作信号以使开关独立操作。加热器区域可以具有不同的形状，并且可以形成在不同的位置。因此，可以生成根据每个加热器区域的形状或位置的加热特性数据(P25)。需要在工艺过程中操作用于操作每个加热器区域的开关，并且在工艺过程中可以向静电卡盘施加偏置RF(射频)电力。由于这种偏置RF电力的施加，可能会产生RF噪音(Noise)，因此需要设置不产生RF噪音的通信方法，例如，可以设置诸如光纤通信的光通信(P26)。操作信号可以通过光通信传输到开关控制模块以控制每个开关的操作。加热器区域的操作可以通过各种方法来实现，不限于所提出的实施例。下面，对于以这种方法控制加热的静电卡盘的实施例进行说明。

图3示出了从上方和下方观察根据本发明的静电卡盘的实施例。

图3的左侧和右侧分别示出从静电卡盘的上方和下方观察的形状，设置在固定晶片的区域中的陶瓷层的内部可以被划分成二维矩阵形状，并且每个划分区域可以是形成在AC加热器区域21_1至21_L中的区域。固定晶片的整个区域可以对应于AC加热器区域21_1至21_L。沿着固定晶片的区域的边缘部分32可以形成多个紧固孔33_1至33_K，并且AC加热器区域21_1至21_L可以形成在晶片固定部分31。参照图3的右侧，可以在静电卡盘的主体34形成诸如设置升降销的销孔或气体通道的引导孔38_1至38_M，并且可以形成使每个AC加热器区域21_1至21_L与电力供应装置或控制装置电连接的连接孔35_1至35_N。通过设置在连接孔35_1至35_N的线可以向设置在每个AC加热器区域21_1至21_L的加热元件供应电力，或者可以获取关于每个AC加热器区域21_1至21_L的信息。为了这种电力供应或信息获取，可以在陶瓷层的下方形成操作主体34，并且可以在操作主体34设置微型多区域板37。并且，可以在多区域板37的内侧面设置微型多加热器区域11_1至11_N。虽然分别用实线表示了微型多加热器区域11_1至11_N和AC加热器区域21_1至21_L，但应理解为它们均位于内部。下面，对具有这种结构的静电卡盘的每个组成的设置结构进行具体说明。

图4示出了根据本发明的多个加热区域结构的静电卡盘的实施例。

参照图4，微型多加热器区域11_1至11_N可以设置在微型多区域板43。另外，微型多区域板43设置在形成在金属材料的操作主体41的加热调节区域RA的内部。

AC加热器区域21_1至21_L可以设置在金属材料的操作主体41的上表面上形成的陶瓷层42的内部。在操作主体41的上部可以设置加热调节区域RA，并且在加热调节区域RA的内部可以设置微型多区域板43。并且，微型多加热器区域11_1至11_N可以设置在微型多区域板43。操作主体41整体可以是圆筒形状，例如，可以由诸如铝的金属材料制成。在操作主体41的下方可以形成冷却管线CL，并且在操作主体41的上部可以形成加热调节区域RA。例如，可以通过在操作主体41的上部形成凹槽或容纳空间的方法来形成加热调节区域RA。在加热调节区域RA可以设置微型多区域板43，并且微型多区域板43可以具有诸如印刷电路板的电子板结构。在加热板可以设置彼此分离的微型多加热器区域11_1至11_N，并且可以在每个微型多加热器区域11_1至11_N设置LED元件、二极管或热电元件。上述的单独开关装置可以连接到每个微型多加热器区域11_1至11_N。加热调节区域RA可以形成为通过分隔壁411向加热主体41的上方突出的结构，并且其可以包括流入操作主体41内部的槽部分。微型多区域板43可以从加热调节区域RA的底面分离设置，并且可以在微型多区域板43的下表面设置光通信电路模块44，光通信电路模块44可以与诸如可编程机器控制器(ProgrammableMachine Controller，PMC)计算机的控制模块441连接。引导管CP1、CP2可以插入并固定在从加热调节区域RA的内部朝向操作主体41的外部延伸的诸如通孔(Via Hole)的引导孔中。光通信电路模块44和控制模块441可以彼此连接，以能够通过引导管CP1、CP2引导至加热调节区域RA内部的诸如光纤电缆的连接线CA1、CA2进行数据通信。在微型多区域板43的下方可以设置驱动模块45，并且驱动模块45可以与光通信电路模块44或电源电路模块46连接以进行电信号通信或数据通信。可以通过设置在微型多区域板43下方的电源电路模块46向每个加热器区域11_1至11_N施加电力。电源电路模块46可以连接到外部电源，并且其可以操作为根据从驱动模块45传输的操作信号向每个加热器区域11_1至11_N施加例如5至24V的DC电力。连接管CP3、CP4可以插入并固定到操作主体41，并且供应电缆可以通过连接管CP3、CP4延伸到调节区域RA的内部。电源电路模块46和外部电力供应装置461可以通过供应电缆彼此电连接。例如，可以通过外部电力供应装置461供应5至24V的DC电力。调节区域RA的内部可以填充有具有导热性的绝缘材料，例如，可以填充有具有导热性的热胶(thermalPaste)。在微型多区域板43、光通信电路模块44、驱动模块45以及电源电路模块46的操作过程中产生的热可以通过热胶层传递到操作主体41，并且可以通过沿冷却管线CL流动的冷却流体进行冷却。加热调节区域RA的上部可以被盖子封闭，例如，可以通过焊接或锡焊等永久结合方式或封闭的可拆卸的固定方式结合。盖子可以形成有用于与外部操作装置连接的多个连接孔。陶瓷层42可以结合到具有如上所述的结构的加热调节区域RA的上表面。陶瓷层42可以设置有用于固定晶片的DC层421，并且DC层421可以与固定电力(chucking power)供应源49连接，可以通过固定电力供应源49施加500至3000V的DC电压。DC层421可以具有单极(mono polar)或双极(bi-polar)结构。设置在陶瓷层42的AC加热器区域21_1至21_L中可以设置有温度传感器，并且温度传感器可以是诸如红外线热电偶(IR thermocouple)的光学温度检测传感器。至少一个温度传感器可以设置在陶瓷层42的内部，优选地，温度传感器可以设置在每个AC加热器区域21_1至21_L。AC加热器控制器47和AC电力供应源48可以连接到每个AC加热器区域21_1至21_L，并且可以基于温度传感器传输的信息向AC加热器区域21_1至21_L供应AC电力，如以上说明，可以单独控制每个AC加热器区域21_1至21_L的加热。可以通过诸如计算机的控制模块441确定陶瓷层42或静电卡盘的温度和均匀性(uniformity)，并且可基于此加热AC加热器区域21_1至21_L。在加热过程中，可以通过温度传感器检测工艺过程中晶片或静电卡盘的温度并传递到控制模块441或AC加热器控制器47，从而可以检测晶片或静电卡盘的温度。如果在所述过程中晶片或静电卡盘的不同部位产生温度偏差，微型多加热器区域11_1至11_N可以进行加热。基于预先生成的控制算法，通过光通信电路模块44以光通信方式向微型多区域板43传输将施加到微型多加热器区域11_1至11_N的电力值。光通信电路模块44可将控制信号转换为电信号并传输到驱动模块45。驱动模块45可以根据电信号调节单独开关装置的操作以控制施加到加热元件的电力，从而调节每个加热器区域11_1至11_N的温度。控制模块441可以确定静电卡盘的整体温度并传输到AC加热器控制器47，并且AC加热器控制器47可以调节AC电力供应源48的操作，以整体调节AC加热器区域21_1至21_L的温度。如上所述，在根据本发明的静电卡盘中，温度控制整体是通过AC加热器区域21_1至21_L调节的，可以通过微型多加热器区域11_1至11_N来对随着温度调节而可能产生的结果进行补偿。具体地，可以通过控制模块441设置静电卡盘的温度和均匀性(uniformity)，并根据控制算法，通过光通信电路模块44以光通信方式向微型多区域板43传输将施加到每个微型多加热器区域11_1至11_N的电力值。微型多区域板43设置有光通信电路模块44，以将控制信号转换为电信号，并且传递到驱动模块45以操作电源电路模块46，从而可以加热每个微型多加热器区域11_1至11_N。静电卡盘的整体温度由控制模块441确定并传递到AC加热器控制器47，并且AC加热器控制器47通过PID控制算法将控制信号传递到AC电力供应源48，从而可以加热例如被划分成4至38个区域的AC加热器区域21_1至21_L。可以在每个AC加热器区域21_1至21_L安装诸如光学热电偶的反馈温度传感器，以将每个AC加热器区域21_1至21_L的温度传输到AC加热器控制器47。在如上所述过程中，可以根据需要通过微型多加热器区域11_1至11_N的加热来进行局部温度补偿，从而确保晶片整体的温度均匀性。在诸如蚀刻工艺的半导体工艺过程中，RF电力模块可能向静电卡盘施加偏置RF电力。根据本发明的静电卡盘可以实现每个加热器区域11_1至11_N的加热控制或温度控制，而不受到如上所述的偏置RF电力的干扰。

图5示出了根据本发明的静电卡盘的剖面结构的实施例。

参照图5，在操作主体41的下方可以形成冷却区域56，所述冷却区域56形成有单区域结构(one zone)或双区域结构(dual zone)的多个冷却管线CL，并且在加热调节区域CA的上方可以形成用于调节晶片温度的加热区域51。微型多区域板43可以设置在调节区域CA的内部。紧固孔52_1至52_K可以形成在整体为圆筒形状的操作主体41的边缘区域55中，并且在操作主体41可以形成连接调节区域CA的内部与外部的多个引导管57。另外，在操作主体41的中心可以形成用于施加偏置RF电力的RF电极58。可以通过AC加热器区域的加热控制或微型多加热器区域11_1至11_N，局部加热或整体加热设置在晶片W的多个加热区域HA_1至HA_K，从而确保温度均匀性。如图5的下方所示，晶片W的加热区域HA_1至HA_K可以形成为二维矩阵结构。或者，晶片W的加热区域HA_1至HA_K可以通过以下方法形成，即以圆形为基准，根据半径长度彼此形成圆周形状的加热带SA_1至SA_L，并将每个加热带SA_1至SA_L划分为至少一个区域。根据晶片的这种加热结构，可以适当地形成AC加热器区域或微型多加热器区域11_1至11_M的几何形状。如图5的下方所示，可以在微型多区域板43适当地设置光通信电路模块44、驱动模块45或电源电路模块46，还可以进一步设置用于加热器区域11_1至11_N的加热控制或信息检测的各种装置，并且本发明不限于此。

图6示出了根据本发明的静电卡盘中微型多区域的操作方法的实施例。

参照图6，微型多区域的操作方法包括以下步骤：形成对应于晶片尺寸的多个微型多加热器区域(P61)；设置用于加热多个微型多加热器区域的热源和用于驱动每个加热器区域的驱动模块(P62)；设置用于检测每个加热器区域的操作和状态的光通信电路模块，并形成用于操作每个加热器区域中设置的加热元件的单独控制回路(P63)；生成每个加热器区域的温度特性数据；以及通过控制模块调节每个加热器区域的加热状态(P65)。

例如，微型多加热器区域可以形成在由铝材料制成的操作主体形成的调节区域中(P61)。热源和驱动模块可以设置在调节区域中设置的微型多区域板(P62)，并且用于通信设置的光通信电路模块也可以设置在微型多区域板(P63)。每个加热器区域可以由LED、二极管、热电元件或电阻线图案(pattern)加热，并且可以生成根据电力供应的加热器区域的温度特性数据(P64)。例如，加热器区域的温度可以根据电力供应线性地变化，但不限于此。例如，可以通过调节单独开关装置的打开或关闭来控制每个加热器区域(P65)，但不限于此。

以上参照所示出的实施例对本发明进行了详细说明，但是本技术领域的普通技术人员可以参照所示出的实施例，并且在不超出本发明的技术思想的范围内，做出各种变形和修改的发明。本发明不限于这种变形和修改的发明，而仅限于权利要求书。

Claims (10)

1.一种多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，包括：

多个微型多加热器区域(11_1至11_N)，每个微型多加热器区域通过加热元件单独加热控制；

开关模块(13)，包括连接到多个微型多加热器区域(11_1至11_N)中每一个的单独开关装置(14_1至14_N)；以及

开关控制模块(15)，控制开关模块(13)的操作，

固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域(11_1至11_N)独立加热。

2.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，进一步包括：

AC加热器区域(21_1至21_L)，设置在形成于微型多加热器区域(11_1至11_N)上方的陶瓷层，AC加热器区域(21_1至21_L)设置有2至50个，并且通过每个半导体开关(22_1至22_L)控制操作。

3.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

微型多加热器区域(11_1至11_N)设置在微型多区域板(43)。

4.根据权利要求3所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

微型多区域板(43)设置在金属材料的操作主体(41)上形成的加热调节区域(RA)的内部。

5.根据权利要求2所述的多个加热区域结构的静电卡盘，进一步包括：

温度传感器，用于检测每个AC加热器区域(21_1至21_L)的温度。

6.根据权利要求3所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

在微型多区域板(43)设置有传递每个加热器区域(11_1至11_N)的控制信息的光通信电路模块(44)、驱动模块(45)以及电源电路模块(46)。

7.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

微型多加热器区域(11_1至11_N)设置有50至500个。

8.根据权利要求4所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

操作主体(41)由铝材料制成。

9.根据权利要求8所述的多个加热区域结构的静电卡盘，进一步包括：

冷却管线(CL)，形成在操作主体(41)。

10.根据权利要求4所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，

加热调节区域(RA)的内部由热胶填充。

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