CN115754658A - 一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 - Google Patents
一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115754658A CN115754658A CN202211492535.6A CN202211492535A CN115754658A CN 115754658 A CN115754658 A CN 115754658A CN 202211492535 A CN202211492535 A CN 202211492535A CN 115754658 A CN115754658 A CN 115754658A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- determining
- mos device
- resistance
- thermal resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 111
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003062 neural network model Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
本发明公开了一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质。热阻确定方法包括：获取被测MOS器件稳定工作时第一温度；获取环境温度，获取连接于被测MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值；获取被测MOS器件的导通电阻‑温度曲线，通过导通电阻‑温度曲线确定被测MOS器件在第一温度下的第二阻值；采用第一温度、环境温度，通过导通电阻‑温度曲线确定阻性器件温升系数；通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在第一温度下的第三阻值；获取被测MOS器件的测试电流，采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率；通过测试功率、第一温度以及环境温度确定被测MOS器件的热阻。
Description
技术领域
本发明实施例涉及测试技术，尤其涉及一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质。
背景技术
热阻测试是针对半导体器件(芯片)的一项常规测试项目，热阻测试的结果对分析半导体器件的使用寿命、可靠性以及包含半导体器件的电路的设计合理性分析具有重要的参考意义。热阻测试方法主要包括红外扫描法、电测法和瞬态热测试界面法。其中，红外扫描法需要打开器件(芯片)的盖体，具有破坏性；电测法通常借助封装的壳温进行计算，但由于封装的尺寸与半导器器件的尺寸存在一定差异，因此基于封装的壳温计算出的半导器器件的热阻存在一定的误差；瞬态热测试界面法相较于电测法具有更高的准确性和重现性，是较为主流的热阻测试方法。
以JESD51-14热阻瞬态双界面测试法为例，瞬态热测试界面法通常需要借助专业的测试仪器辅助测试，例如采用T3ster仪器对半导器器件进行测试，以记录模块结温瞬态变化过程、得到稳态的结壳热阻数据、得到结温随时间变化的瞬态曲线、分析半导体器件热传导路径上各层结构的热阻。
基于JESD51-14，以针对芯片的热阻测试为例，可以通过如下方式确定芯片的热阻：对待测器件施加大小为IH的加热电流，持续时间为tH，在待测器件稳定工作后，将加热电流切换为测试电流；在结温下降过程中，确定变化结温和功耗变化值，通过变化结温和功耗变化值确定热阻。
基于上述内容，针对半导体器件的热阻测试方法通常只考虑器件本身的因素，因此，采用上述热阻对设置在PCB板上器件进而温升分析时会造成一定程度的偏差，进而影响PCB(及电路)设计合理性的结果判定。
发明内容
本发明提供一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质，以达到准确确定布设在PCB上的MOS器件热阻的目的。
第一方面，本发明实施例提供了一种MOS器件热阻确定方法，包括：
获取被测MOS器件稳定工作时第一温度；
获取环境温度，获取连接于所述被测MOS器件的阻性器件在所述环境温度下的第一阻值；
获取所述被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过所述导通电阻-温度曲线确定所述被测MOS器件在所述第一温度下的第二阻值；
采用第一温度、环境温度，通过所述导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数；
通过所述第一阻值以及所述阻性器件温升系数确定所述阻性器件在所述第一温度下的第三阻值；
获取所述被测MOS器件的测试电流，采用所述测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率；
通过所述测试功率、第一温度以及环境温度确定所述被测MOS器件的热阻。
可选的，确定所述阻性器件温升系数采用的公式为：
式中，KT表示阻性器件温升系数，Rds1表示第一温度下的被测MOS器件的导通电阻，Rds2环境温度下被测MOS器件的导通电阻，T1表示第一温度，T2表示第二温度。
可选的，确定所述第三电阻采用的公式为：
R3＝KT×R1
式中，R3表示第三电阻，KT表示阻性器件温升系数，R1表示第一电阻。
可选的，所述阻性器件至少包括所述被测MOS器件的焊接部、保险器件。
可选的，所述热阻用于确定所述被测MOS器件在工作指定时长后，指定电流下的稳态温度。
第二方面，本发明实施例还提出一种BMS开关电路温升确定方法，BMS开关电路包括若干MOS器件，所述BMS开关电路温升确定方法包括：
采用本发明实施例记载的MOS器件热阻确定方法确定所述BMS开关电路中单个MOS器件的热阻。
可选的，获取电流计算模型，根据所述功率计算确定单个所述MOS器件的测试电流。
可选的，根据所述MOS器件的组合方式确定所述电流计算模型，所述组合方式至少包括所述MOS器件的串、并联方式。
第三方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明实施例记载的MOS器件热阻确定方法，或者本发明实施例记载的BMS开关电路温升确定方法。
第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读取存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明实施例记载的MOS器件热阻确定方法，或者本发明实施例记载的BMS开关电路温升确定方法。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提出一种MOS器件热阻确定方法，该方法中通过被测MOS器件的导通电阻和与之相连接的阻性器件的电阻共同确定测试功率，再通过该测试功率确定被测MOS器件的热阻，该方法考虑了MOS器件在PCB板上的多种可影响的因素，因此计算出的热阻会更加接近于实际测试值。本方案中，选定一测试电流，确定该测试电流下被测MOS器件在稳定工作的稳态温度，基于该测试电流和稳态温度进行后续的计算，具体的，通过导通电阻-温度曲线确定被测MOS器件在稳态温度时的导通电阻，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件的温升系数，进而确定阻性器件在稳态温度时的阻值，利用在稳态温度时的导通电阻以及(阻性器件)阻值确定测试功率，可以减小采用两部分阻值确定测试功率时，由于温度不同而导致测试功率计算不准确的问题，进而保证热阻的计算精度，同时利用在稳态温度时的导通电阻以及阻值计算出的测试功率确定热阻时，热阻可以直接应用于(被测)MOS器件在其他测试电流下的温升，进而可以得到MOS器件在不同电流下的温升曲线，便于实现对基于MOS器件的电路设计合理性分析。
附图说明
图1是实施例中的MOS器件热阻确定方法流程图；
图2是实施例中的另一种MOS器件热阻确定方法流程图；
图3是实施例中的BMS开关电路温升确定方法流程图；
图4是实施例中的BMS开关电路示意图；
图5是实施例中的电子设备结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1是实施例中的MOS器件热阻确定方法流程图，参考图1，MOS器件热阻确定方法包括：
S101.获取被测MOS器件稳定工作时第一温度。
示例性的，本实施例中，第一温度可以通过测量获取，第一温度可以为被测MOS器件在指定测试电流下，处于稳定工作状态时的结温或表面温度。
示例性的，本实施例中，测试电流根据被测MOS器件的漏源标称电流(ID)确定，例如，若某被测MOS器件的漏源标称电流为100～300A，则测试电流可以选为200A。
S102.获取环境温度，获取连接于被测MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值。
示例性的，本实施例中，采用环境温度表示被测MOS器件处于非工作状态时的常态温度，其为设定值，例如，环境温度可以为25℃。
示例性的，本实施例中，第一阻值可以根据阻性器件的参数手册确定，或者通过标定试验确定。
示例性的，本实施例中，阻性器件至少包括用于焊接被测MOS器件的焊盘(或焊接部)。
S103.获取被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过导通电阻-温度曲线确定被测MOS器件在第一温度下的第二阻值。
示例性的，本实施例中，被测MOS器件的导通电阻-温度曲线根据被测MOS器件的参数手册确定。
示例性的，本实施例中，导通电阻-温度曲线的横纵坐标分别为温度、导通电阻，第一温度确定时，通过导通电阻-温度曲线可以确定对应的导通电阻。
S104.采用第一温度、环境温度，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数。
示例性的，本实施例中，确定环境温度至第一温度的温度区间内的导通电阻-温度曲线的斜率，将上述斜率作为阻性器件温升系数。
即本实施例中，确定阻性器件温升系数采用的公式为：
式中，KT表示阻性器件温升系数，Rds1表示第一温度下的被测MOS器件的导通电阻，Rds2环境温度下被测MOS器件的导通电阻，T1表示第一温度，T2表示第二温度。
S105.通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在第一温度下的第三阻值。
示例性的，本实施例中，采用第一阻值和阻性器件温升系数，可以通过拟合函数模型或者神经网络模型确定第三阻值。
可选的，作为一种可实施方案，可以通过下式确定第三电阻：
R3＝KT×R1
式中，R3表示第三电阻，KT表示阻性器件温升系数，R1表示第一电阻。
S106.获取被测MOS器件的测试电流，采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率。
示例性的，本实施例中，MOS器件包括单个MOS管，确定测试功率采用的公式为：
式中，P表示测试功率，Ic表示测试电流，R2表示第二电阻，R3表示第三电阻。
示例性的，步骤中，测试电流的数值可以与步骤S101中采用的测试电流的数值相同或不同，例如，本步骤中，测试电流的数值可以为200A。
S107.通过测试功率、第一温度以及环境温度确定被测MOS器件的热阻。
示例性的，本实施例中，确定热阻采用的公式为：
式中，Rth表示热阻，P表示测试功率，T1表示第一温度，Tc表示环境温度。
示例性的，本实施例中，采用步骤S101至步骤S107确定出的热阻可以确定MOS器件(与被测MOS器件型号相同)在任意工作电流下，工作指定时长后的稳态温度，确定稳态温度采用的公式为：
T＝I2×R×Rth
式中，T表示稳态温度，I表示工作电流，R表示被测MOS器件的导通电阻(最小漏源标称电流，环境温度下的导通电阻)，Rth表示热阻。
示例性的，上述应用方式中，指定时长可以根据经验确定，例如，指定时长可以为大于1秒。
示例性的，若MOS器件的工作时长小于指定时长(例如1秒)，则可以通过MOS器件的参数手册给出的热阻确定稳态温度。
本实施例提出一种MOS器件热阻确定方法，该方法中通过被测MOS器件的导通电阻和与之相连接的阻性器件的电阻共同确定测试功率，再通过该测试功率确定被测MOS器件的热阻，该方法考虑了MOS器件在PCB板上的多种可影响的因素，因此计算出的热阻会更加接近于实际测试值；
具体的，本方案中，选定一测试电流，确定该测试电流下被测MOS器件在稳定工作的稳态温度，基于该测试电流和稳态温度进行后续的计算，包括：通过导通电阻-温度曲线确定被测MOS器件在稳态温度时的导通电阻，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件的温升系数，进而确定阻性器件在稳态温度时的阻值，利用在稳态温度时的导通电阻以及(阻性器件)阻值确定测试功率，可以减小采用两部分阻值确定测试功率时，由于温度不同而导致测试功率计算不准确的问题，进而保证热阻的计算精度，同时利用在稳态温度时的导通电阻以及阻值计算出的测试功率确定热阻时，热阻可以直接应用于(被测)MOS器件在其他测试电流下的温升，进而可以得到MOS器件在不同电流下的温升曲线，便于实现对基于MOS器件的电路设计合理性分析；
此外，利用本发明确定MOS器件的热阻时，测试电流可以为选定值，即测量量可以仅包括被测MOS器件稳定工作时的第一温度，无需进行复杂的测量数据采集工作，易于自动化实现。
在步骤S102记载内容的基础上，作为一种可实施方案，阻性器件包括被测MOS器件的焊接部(焊盘)、保险器件(保险丝)。
示例性的，本方案中，第一电阻R1包括两部分，即焊接部电阻Rs和保险器件电阻Rf(R1＝Rs+Rf)，其中，可以根据对应的参数手册确定的Rs以及Rf在环境温度下的阻值，进而确定第三电阻R3(焊接部和保险器件的阻性器件温升系数相同)。
图2是实施例中的另一种MOS器件热阻确定方法流程图，参考图2，作为一种可实施方案，MOS器件热阻确定方法还可以为：
S201.获取被测MOS器件稳定工作时第一温度。
S202.获取环境温度，获取连接于被测MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值。
S203.获取被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过导通电阻-温度曲线确定被测MOS器件在第一温度下的第二阻值。
示例性的，本方案中，步骤S201～步骤S203的实施方式与步骤S101～步骤S103中记载的对应内容相同。
S204.获取被测MOS器件的测试电流，采用测试电流、第一阻值以及第二阻值确定测试功率。
示例性的，本方案中，通过下式确定测试功率：
式中，P表示测试功率，Ic表示测试电流，R1表示第一电阻，R2表示第二电阻。
S205.通过测试功率、第一温度以及环境温度确定被测MOS器件的热阻。
示例性的，本方案中，通过下式确定热阻：
式中，Rth表示热阻，P表示测试功率，T1表示第一温度，Tc表示环境温度。
相较于图1所示的方案，本方案中，采用第一电阻、第二电阻、第一温度和环境温度确定被测MOS器件的热阻，通过第一电阻替换第三电阻，省略了第三电阻的确定过程，简化了热阻的确定过程，但热阻的精度相应下降。
实施例二
本实施例提出一种BMS开关电路温升确定方法，该方法包括确定BMS开关电路中单个MOS器件的热阻，根据单个MOS器件的热阻确定该MOS器件在工作指定时长后，指定电流下的稳态温度；
基于该MOS器件未导通工作时的温度与上述稳态温度的差值确定BMS开关电路的温升。
本实施例中，可以采用实施例一中记载的任意一种MOS器件热阻确定方法确定单个MOS器件的热阻。
图3是实施例中的BMS开关电路温升确定方法流程图，参考图3，以图1所示的MOS器件热阻确定方法为例，BMS开关电路温升确定方法包括：
S301.获取单个MOS器件稳定工作时第一温度。
S302.获取环境温度，获取连接于单个MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值。
S303.获取单个MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过导通电阻-温度曲线确定单个MOS器件在第一温度下的第二阻值
S304.采用第一温度、环境温度，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数
S305.通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在第一温度下的第三阻值。
示例性的，本实施例中，步骤S301至步骤S305与图1所示方案中对应的内容相同。
S306.获取工作电流、电流计算模型，根据工作电流采用电流计算模型确定单个MOS器件的测试电流。
S307.采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率。
示例性的，结合步骤S306和步骤S307，本方案中，工作电流为BMS开关电路的工作电流。
示例性的，本实施例中，电流计算模型可以根据经验确定或者基于BMS开关电路的设计方式根据标定试验确定。
示例性的，本实施例中，可以通过如下电流计算模型确定测试电流：
Ic＝f(I)
式中，Ic表示测试电流，I表示工作电流。
示例性的，在一种可实施方案中，可以根据BMS开关电路中MOS器件的组合方式确定电流计算模型，其中，MOS器件的组合方式至少包括MOS器件的串、并联方式。
图4是实施例中的BMS开关电路示意图，参考图4，图4所示的BMS开关电路包括两组MOS器件，其中每组MOS器件中的5个MOS器件分别并联，此时，若选定工作电流为通过一组MOS器件的电流，则可以通过下式计算测试电流：
相应的，可以通过下式确定测试功率：
Ic表示测试电流，R2表示第二电阻，R3表示第三电阻，N表示采用的并联MOS管的数量，即N为5。
S308.通过测试功率、第一温度以及环境温度确定单个MOS器件的热阻。
示例性的，本实施例中，步骤S308的实施方式与步骤S107中记载的内容相同。
S309.基于单个MOS器件的热阻确定BMS开关电路的温升。
示例性的，本实施例中，通过下式确定单个MOS器件在指定电流下，工作指定时长后的稳态温度：
式中，T表示稳态温度，I1表示指定电流，R表示被测MOS器件的导通电阻(最小漏源标称电流，环境温度下的导通电阻)，Rth表示热阻。
示例性的，本步骤中，指定电流I1与选定的BMS开关电路的工作电流相关，BMS开关电路的工作电流确定后，可以通过电流计算模型确定指定电流I1。
示例性的，本实施例中，通过下式确定BMS开关电路的温升：
ΔT＝T-T0
上式中，ΔT为温升，T为稳态温度，T0为BMS开关电路未通电工作时的温度。
本是实施例提出的BMS开关电路温升确定方法的有益效果与实施例一中记载的MOS器件热阻确定方法的有益效果相同，在此不再赘述。
实施例三
示例性的，实施例一记载的MOS器件热阻确定方法可以由MOS器件热阻确定装置执行，该装置可以采用软件的方式实现，该装置可以包括热阻确定单元，热阻确定单元用于：
获取被测MOS器件稳定工作时第一温度；
获取环境温度，获取连接于被测MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值；
获取被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过导通电阻-温度曲线确定被测MOS器件在所述第一温度下的第二阻值；
采用第一温度、环境温度，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数；
通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在所述第一温度下的第三阻值；
获取被测MOS器件的测试电流，采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率；
通过测试功率、第一温度以及环境温度确定被测MOS器件的热阻。
示例性的，本实施例中，热阻确定单元可以具体配置为实现实施例一记载的任意一种MOS器件热阻确定方法，其具体内容不再赘述。
示例性的，实施例二记载的BMS开关电路温升确定方法可以由BMS开关电路温升确定装置执行，该装置可以采用软件的方式实现，该装置可以包括开关电路温升确定单元，开关电路温升确定单元用于：
获取单个MOS器件稳定工作时第一温度。
获取环境温度，获取连接于单个MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值。
获取单个MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过导通电阻-温度曲线确定单个MOS器件在第一温度下的第二阻值
采用第一温度、环境温度，通过导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数
通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在第一温度下的第三阻值。
获取工作电流、电流计算模型，根据工作电流采用电流计算模型确定单个MOS器件的测试电流。
采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率。
通过测试功率、第一温度以及环境温度确定单个MOS器件的热阻。
基于单个MOS器件的热阻确定BMS开关电路的温升。
示例性的，本实施例中，开关电路温升确定单元可以具体配置为实现实施例二记载的任意一种BMS开关电路温升确定方法，其具体内容不再赘述。
本实施例中，MOS器件热阻确定装置以及BMS开关电路温升确定装置可以配置于电子设备中。
图5示出了可以用来实施本发明的实施例的电子设备10的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。
如图3所示，电子设备10包括至少一个处理器11，以及与至少一个处理器11通信连接的存储器，如只读存储器(ROM)12、随机访问存储器(RAM)13等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器11可以根据存储在只读存储器(ROM)12中的计算机程序或者从存储单元18加载到随机访问存储器(RAM)13中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 13中，还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、ROM 12以及RAM 13通过总线14彼此相连。输入/输出(I/O)接口15也连接至总线14。
电子设备10中的多个部件连接至I/O接口15，包括：输入单元16，例如键盘、鼠标等；输出单元17，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元18，例如磁盘、光盘等；以及通信单元19，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理，例如MOS器件热阻确定方法或BMS开关电路温升确定方法。
在一些实施例中，MOS器件热阻确定方法或BMS开关电路温升确定方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元18。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到RAM 13并由处理器11执行时，可以执行上文描述的MOS器件热阻确定方法或BMS开关电路温升确定方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器11可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行MOS器件热阻确定方法或BMS开关电路温升确定方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
用于实施本发明的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本发明的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)、区块链网络和互联网。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种MOS器件热阻确定方法，其特征在于，包括：
获取被测MOS器件稳定工作时第一温度；
获取环境温度，获取连接于所述被测MOS器件的阻性器件在所述环境温度下的第一阻值；
获取所述被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过所述导通电阻-温度曲线确定所述被测MOS器件在所述第一温度下的第二阻值；
采用所述第一温度、环境温度，通过所述导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数；
通过所述第一阻值以及所述阻性器件温升系数确定所述阻性器件在所述第一温度下的第三阻值；
获取所述被测MOS器件的测试电流，采用所述测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率；
通过所述测试功率、第一温度以及环境温度确定所述被测MOS器件的热阻。
2.如权利要求1所述的MOS器件热阻确定方法，其特征在于，确定所述阻性器件温升系数采用的公式为：
式中，KT表示阻性器件温升系数，Rds1表示第一温度下的被测MOS器件的导通电阻，Rds2环境温度下被测MOS器件的导通电阻，T1表示第一温度，T2表示第二温度。
3.如权利要求2所述的MOS器件热阻确定方法，其特征在于，确定所述第三电阻采用的公式为：
R3＝KT×R1
式中，R3表示第三电阻，KT表示阻性器件温升系数，R1表示第一电阻。
4.如权利要求1所述的MOS器件热阻确定方法，其特征在于，所述阻性器件至少包括所述被测MOS器件的焊接部、保险器件。
5.如权利要求1至4任一项所述的MOS器件热阻确定方法，其特征在于，所述热阻用于确定所述被测MOS器件在工作指定时长后，指定电流下的稳态温度。
6.一种BMS开关电路温升确定方法，其特征在于，BMS开关电路包括若干MOS器件，所述BMS开关电路温升确定方法包括：
采用权利要求1至5任一项所述的MOS器件热阻确定方法确定所述BMS开关电路中单个MOS器件的热阻
根据所述热阻确定单个所述MOS器件的温升，根据单个所述MOS器件的温升确定所述BMS开关电路的温升。
7.如权利要求6所述的BMS开关电路温升确定方法，其特征在于，获取电流计算模型，根据所述电流计算模型确定单个所述MOS器件的测试电流。
8.如权利要求7所述的BMS开关电路温升确定方法，其特征在于，根据所述MOS器件的组合方式确定所述电流计算模型，所述组合方式至少包括所述MOS器件的串、并联方式。
9.一种电子设备，其特征在于，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-5中任一项所述的MOS器件热阻确定方法，或权利要求6-8中任一项所述的BMS开关电路温升确定方法。
10.一种计算机可读取存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-5中任一项所述的MOS器件热阻确定方法，或权利要求6-8中任一项所述的BMS开关电路温升确定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211492535.6A CN115754658A (zh) | 2022-11-25 | 2022-11-25 | 一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211492535.6A CN115754658A (zh) | 2022-11-25 | 2022-11-25 | 一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115754658A true CN115754658A (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=85338165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211492535.6A Pending CN115754658A (zh) | 2022-11-25 | 2022-11-25 | 一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115754658A (zh) |
-
2022
- 2022-11-25 CN CN202211492535.6A patent/CN115754658A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20220268644A1 (en) | On-die thermal sensing network for integrated circuits | |
| US7367712B2 (en) | RTD measurement unit including detection mechanism for automatic selection of 3-wire or 4-wire RTD measurement mode | |
| US20110119036A1 (en) | Method and apparatus for modeling memristor devices | |
| JP4435685B2 (ja) | 集積回路においてフィルターされたインターコネクションに関する配線寄生を抽出する方法 | |
| US8726224B1 (en) | System, method, and computer program product for hierarchical browsing | |
| US20140195995A1 (en) | Systems and methods for single cell product path delay analysis | |
| US20180060471A1 (en) | Addressing of process and voltage points | |
| US8217679B2 (en) | Method and system for determining power measurement inside a field programmable gate array without external components | |
| US20100318951A1 (en) | System and method for device history based delay variation adjustment during static timing analysis | |
| CN115754658A (zh) | 一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质 | |
| US8970464B2 (en) | Systems and methods for measuring sheet resistance | |
| US8667442B1 (en) | Circuit simulation methodology to calculate leakage current during any mode of circuit operation | |
| US9037441B2 (en) | Macro model of operational amplifier and circuit design simulator using the same | |
| US20140159764A1 (en) | Systems and methods for fracture detection in an integrated circuit | |
| Singh et al. | Measuring the R thJC of Power Semiconductor Components Using Short Pulses | |
| CN116521480A (zh) | 功耗读取精度测试系统、方法、装置、设备和存储介质 | |
| CN116337276A (zh) | 电池温度检测电路及方法 | |
| US7519498B2 (en) | Thermal sensing method and apparatus using existing ESD devices | |
| CN103076494B (zh) | 耗电测量装置及其方法 | |
| CN112834911B (zh) | 一种电迁移测试方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN108717138B (zh) | 一种基底电流测试电路及系统 | |
| Sanjeeya et al. | Real Time Transformer Health Monitoring system using IOT technology | |
| US20090240450A1 (en) | System and method for evaluating a temperature rise of a printed circuit board trace | |
| US6879178B1 (en) | Measuring current on a die | |
| Cioban et al. | Finite element thermal modelling of power MOSFET packages |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |