CN115738100A - 一种硼中子俘获治疗(bnct)中子慢化及束流整形系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种硼中子俘获治疗(BNCT)中子慢化及束流整形系统,使用AlF3和Al复合材料作慢化剂,Al基B4C复合材料作热中子吸收剂,Bi作伽马屏蔽层,聚四氟乙烯作反射层。通过慢化层物理设计与蒙特卡罗参数化分析,获得束流整形系统内各部分材料组分及尺寸,达到国际原子能机构IAEA推荐的BNCT出口中子束流指标。本发明的优点在于慢化材料毒性低、加工可靠性高;通过蒙卡多目标优化,达到最大中子利用率,慢化后中子束流品质较好,各项技术指标满足设计要求。
Description
技术领域
本发明涉及硼中子俘获治疗BNCT的中子慢化及束流整形系统设计,属于中子物理、核材料研究等多学科交叉领域。
背景技术
硼中子俘获治疗(Boron Neutron Capture Therapy,简称BNCT)是一种基于10B(n,a)7Li反应治疗癌症的二元放射疗法,具备精准、高效的优点,针对大范围弥散性恶性肿瘤及中晚期癌症,如颅脑肿瘤等,具有特殊治疗优势。通过2.5MeV质子打锂靶产生中子,并将中子慢化,获得治疗所需的超热中子;同时,屏蔽有害的热中子、以及伽马成分,降低癌症治疗过程中病人正常组织的辐射剂量。因此,中子束流品质对癌症治疗以及正常组织保护至关重要,而中子慢化与束流整形系统的设计是影响束流品质的核心关键。基于加速器的BNCT治疗系统,具有体积小、涉核审批容易等优势,适用于医院规模化建设,具有广泛的应用前景。
本发明所在项目团队正开展国产紧凑型BNCT研究,基于加速器产生2.5MeV质子,通过7Li(p,n)7Be反应,产生平均能量为0.33MeV的快中子。为获得治疗所需超热中子(0.5eV~ 10keV),需要对其进行慢化;另外,需要控制热中子(<0.5eV)、快中子(>10keV)、γ剂量水平,降低正常组织辐照危害、提高病人治疗安全性。国际原子能机构(IAEA)针对硼中子俘获治疗系统,给出出口束流技术指标。该技术指标建议出口处 较高的超热中子注量率,有助于降低病人辐照时间,提高治疗效率;快中子成分(即快中子剂量与超热中子注量率之比),γ成分 (即γ剂量与超热中子注量率之比),热中子比例(即热中子注量与超热中子通量之比)本项目即开展高性能的快中子慢化与束流整形系统设计。
中子慢化的材料需要有较高的中子散射截面,能够迅速将平均能量0.33MeV中子慢化;同时,中子吸收截面要小、γ射线反应截面小。因此,一般选用中等质量核素,如Al/Mg/F/O/C 等。同时,需要将无效的热中子吸收,常用的热中子吸收材料有6Li、10B等。中子慢化材料设计,是一个多目标优化过程,需要满足超热中子通量高,同时,快中子、热中子、γ射线成分低的要求。另外,针对医疗设备大规模推广和应用,要求慢化材料加工、制造可行性高,且成本可控。
芬兰国家技术研究中心VTT开发了FluentalTM,其核心材料组分为质量分数69%的AlF3、 30%的Al以及1%的LiF,材料加工技术成熟,中子慢化性能优异,超热中子注量率高、γ射线低。但同时,FluentalTM材料为芬兰VTT专利材料,其价格昂贵;另外,FluentalTM材料中的LiF有毒,加工制造条件严格,不利于大规模制备。因此,本发明采用AlF3、金属Al复合材料作中子慢化剂,通过多目标优化分析,获得最佳束流参数的材料组分;同时,设计合理的热中子吸收层、伽马屏蔽层和反射层,获得国际原子能机构IAEA推荐出口束流指标的中子慢化和束流整形系统设计。
本发明的目的为设计一套中子慢化及束流整形系统,将7Li(p,n)7Be反应产生的中子慢化。质子能量2.5MeV,产生的中子平均能量0.33MeV,慢化后出口为超热中子,能量0.5eV~10keV。
本发明的技术解决问题:将平均能量0.33MeV中子慢化,获得超热中子束,且满足国际原子能机构IAEA对热中子、超热中子、快中子、伽马成分的不同需求,是多目标优化过程,需要设计合理的中子慢化和束流整形结构。
本发明设计的中子慢化系统及束流整形系统,需要降低束流中的有害成分,包括热中子、γ射线。
基于上述需求,本发明的设计结构由中子慢化层、热中子吸收层、γ屏蔽层、反射层、准直器组成。
所述中子慢化层为第一中子慢化层(1)和第二中子慢化层(6)。
所述γ屏蔽层为第一γ屏蔽层(4)和第二γ屏蔽层(5)。
所述中子慢化层材料为AlF3/Al复合材料,将0.33MeV中子慢化至超热中子水平。
所述热中子吸收层为Al基B4C复合材料,功能为吸收多余热中子。
所述γ屏蔽层材料为Bi,降低γ射线成分。
所述反射层材料为聚四氟乙烯,将外围中子反射回出口,提高中子利用率。
所述准直器材料为聚四氟乙烯,提高束流准直特性和照射治疗深度。
优选地,中子慢化层厚度为12~16cm,材料为65~70wt%的AlF3和30~35wt%的Al。
优选地,热中子吸收层厚度为0.3~0.5cm,碳化硼含量5wt%~20wt%。
优选地,γ屏蔽层厚度为3~5cm。
优选地,反射层半径35~40cm。
优选地,准直器出口半径5cm、深度5~10cm。
本发明的优势在于通过蒙卡多目标优化,各项技术指标达到国际原子能机构IAEA推荐束流品质要求,包括超热中子通量、快中子成分、γ成分、热中子比例。本发明通过优化的计算分析,在γ射线、快中子、热中子成分满足国际原子能机构IAEA推荐束流指标的基础上,能够获得最大通量的超热中子束。因此,本发明能相应减少BNCT治疗时间,对于提高BNCT治疗经济性、降低病人治疗费用,具有显著经济效益;同时,能降低有害的γ射线、热中子、快中子对正常组织的损失,能提高治疗安全性。
附图说明
图1为本发明结构设计图,其中1为第一中子慢化层、6为第二中子慢化层、2为反射层、3为热中子吸收层、4为第一γ屏蔽层、5为第二γ屏蔽层、7为准直器。
图2为本发明慢化层及束流整形系统出口中子能谱的模拟数据。
图3为超热中子通量随慢化层厚度、热中子吸收层厚度变化结果。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例详细介绍本发明。但以下的实施例仅限于解释本发明,本发明的保护范围应包括权利要求的全部内容,而且通过以下实施例的叙述,本领域的技术人员是可以完全实现本发明权利要求的全部内容。
本发明通过全面的蒙卡分析和迭代计算,设计合理的慢化层、热中子吸收层、伽马屏蔽层、反射层及准直器,获得满足IAEA推荐指标的中子束流。
本发明中子慢化及束流整形系统,满足国际原子能机构IAEA推荐BNCT束流指标:即快中子成分(即快中子剂量与超热中子注量率之比),γ成分(即γ剂量与超热中子注量率之比),热中子比例(即热中子注量与超热中子通量之比)
本发明中子慢化及束流整形系统能够对2.5MeV质子锂反应产生中子进行慢化,慢化后束流达到国际原子能机构IAEA推荐束流指标,提供BNCT治疗的中子束流。如图1所示,本发明中子慢化及束流整形系统包含依次设置的第一中子慢化层1、反射层2、热中子吸收层3、第一γ屏蔽层4、第二γ屏蔽层5、第二中子慢化层6和准直器7。第一中子慢化层为核心中子慢化层。
其中,第一中子慢化层1和第二中子慢化层6的材质均为AlF3/Al复合材料,将0.33MeV 中子慢化至超热中子水平。
热中子吸收层3的材质为Al基B4C复合材料,功能为吸收多余热中子。
第一γ屏蔽层4和第二γ屏蔽层5的材质均为Bi材料,降低γ射线成分。
反射层2的材质为聚四氟乙烯,将外围中子反射回出口,提高中子利用率。
准直器7的材质为聚四氟乙烯,提高束流准直特性和照射治疗深度。
第一中子慢化层1装配于后端位置,并由反射层2包裹。第一中子慢化层1、热中子吸收层3、第一γ屏蔽层4和第二γ屏蔽层5按先后顺序排列。第二γ屏蔽层5外围包裹一层第二中子慢化层6,提高中子慢化效率。热中子吸收层3、第一γ屏蔽层4、第二γ屏蔽层5及其外围第二中子慢化层6,包裹有准直器7,提高中子利用率和中子束准直特性。
本发明采用蒙特卡罗粒子输运方法,对中子、光子进行联合输运,获得慢化层出口处束流参数,包括超热中子注量率、热中子比例、快中子成分、伽马成分。本发明通过建立蒙卡分析的中子慢化和束流整形系统模型,设置慢化层、热中子吸收层、γ(伽马)屏蔽层、反射层及准直器几何参数,进行参数化计算。针对慢化层、热中子吸收层、γ屏蔽层设置几何与材料成分参数,进行蒙特卡罗参数化模拟,几何参数与材料成分参数设置如下:
所述慢化层(即第一中子慢化层1和第二中子慢化层6)径向尺寸:厚度10到20cm,按间隔1cm增加,共11组例题。即慢化层径向尺寸参数分别为10、11、12、13、14、15、 16、17、18、19、20cm。所述慢化层(即第一中子慢化层1和第二中子慢化层6)材料成分:分别为AlF3组分由60wt%、65wt%到70wt%变化,共3组例题。
所述热中子吸收层:厚度0.1cm到1.1cm,按0.2cm增加,共6组例题。即热中子吸收层厚度参数尺寸分别为0.1、0.3、0.5、0.7、0.9、1.1cm。
所述热中子吸收层材料3成分:碳化硼含量5wt%、10wt%到20wt%变化,共3组例题。即所述热中子吸收层材料3成分:分别为碳化硼含量5wt%、10wt%到20wt%变化。
所述γ屏蔽层(即第一γ屏蔽层4和第二γ屏蔽层5):厚度2cm到5cm,按1cm增加,共4组例题。即所述γ屏蔽层参数化尺寸分别为厚度2、3、4、5cm。
所述反射层2参数化尺寸为:半径20cm到50cm,按5cm增加,共7组例题。即所述反射层2参数化尺寸为:半径20、25、30、35、40、45、50cm。
所述准直器尺寸为:出口半径5cm,出口深度5cm、10cm变化,共2组例题。即所述准直器尺寸为:出口半径5cm,出口深度参数尺寸为5、10cm。
根据设计例题的模型几何参数,建立蒙卡计算模型。
设置2.5MeV质子与锂反应产生中子源信息,包括中子能量、强度。
利用蒙卡程序,如MCNP等,进行蒙卡计算。
获得超热中子注量率、快中子成分、γ成分、热中子比例随慢化层、热中子吸收层、伽马屏蔽层、反射层及准直器几何参数的变化,在满足国际原子能机构IAEA推荐指标的中子束流的基础上,确定慢化层、热中子吸收层、伽马屏蔽层、反射层及准直器几何尺寸。
图2为本发明中子慢化和束流整形系统实施例出口中子能谱。该实施例中,第一中子慢化层1,尺寸为厚度14cm、半径10cm圆柱;第二中子慢化层6,尺寸为厚度10cm、内径6cm、外径10cm的空心圆柱;反射层2,尺寸为厚度14cm,内径10cm、外径35cm的空心圆柱;热中子吸收层3,尺寸为厚度0.1cm、半径10cm;第一γ屏蔽层4,尺寸为厚度3cm、半径10cm;第二γ屏蔽层5,尺寸为内径5cm、外径6cm;准直器7组成,长度10cm。如图 3所示,第一γ屏蔽层4厚度3cm,超热中子注量率随热中子吸收层厚度、慢化层厚度的变化结果。选择符合国际原子能机构IAEA指标的例题,确定最佳出口束流参数下的慢化层几何尺寸。
最终确定所述第一中子慢化层1和第二中子慢化层6(AlF3/Al复合材料慢化层)的厚度均为12~16cm,材料为65~70wt%的AlF3和30~35wt%的Al,能够实现快中子慢化为超热中子的功能。反射层半径35~40cm,材料为聚四氟乙烯,将逃逸的中子反射回束流出口,提高中子利用率。热中子吸收层3厚度为0.3~0.5cm,材料为Al基B4C复合材料、碳化硼含量 5wt%~20wt%,能够吸收热中子,达到国际原子能机构IAEA热中子比例要求。第一γ屏蔽层 4和第二γ屏蔽层5厚度均为3~5cm,材料为Bi,能够屏蔽γ射线,达到国际原子能机构IAEAγ射线成分要求。准直器为聚四氟乙烯,提高中子束方向性,增加照射肿瘤深度,出口半径5cm、深度5~10cm。
在上述中子慢化和束流整形系统中,获得超热中子注量率达到2.2×109n/cm2/s,超过国际原子能机构IAEA推荐的指标(即>1×109n/cm2/s),快中子成分、γ成分、热中子比例分别达到1.68×10-13Gy·cm2n-1 epi、1.68×10-13Gy·cm2n-1 epi、0.03,均满足指标要求。
本发明未详细阐述部分属于本领域技术人员的公知技术。以上所述的实施例仅是对本发明的优选实施方式进行描述,优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (2)
1.一种硼中子俘获治疗(BNCT)中子慢化及束流整形系统,其特征在于:包括依次设置的第一中子慢化层(1)、反射层(2)、热中子吸收层(3)、第一γ屏蔽层(4)、第二γ屏蔽层(5)、第二中子慢化层(6)和准直器(7);其中第一中子慢化层(1)和第二中子慢化层(6)厚度均为12~16cm,材料为65~70wt%的AlF3和30~35%的Al;反射层(2)半径35~40cm,材料为聚四氟乙烯;热中子吸收层为0.3~0.5cm,材料为Al基B4C复合材料,碳化硼含量5%~20%,将热中子吸收,降低热中子辐照危害;第一γ屏蔽层(4)和第二γ屏蔽层(5)厚度均为3~5cm,材料为Bi;准直器为聚四氟乙烯,出口半径5cm、深度5~10cm。
2.根据权利要求1所述的硼中子俘获治疗(BNCT)中子慢化及束流整形系统,其特征在于:第一中子慢化层(1)装配于后端位置,并由反射层(2)包裹;第一中子慢化层(1)、热中子吸收层(3)、第一γ屏蔽层(4)和第二γ屏蔽层(5)按先后顺序排列;第二γ屏蔽层(5)外围包裹一层第二中子慢化层(6);热中子吸收层(3)、第一γ屏蔽层(4)和第二γ屏蔽层(5)及其外围第二中子慢化层(6),包裹有准直器(7)。
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