CN115721870A - 用于核磁环境的激光间质热疗光源 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于核磁环境的激光间质热疗光源，包括：激光治疗仪主机、光纤装置和穿刺针；光纤装置和穿刺针为非磁性材料，放置在5高斯线的内部，激光治疗仪主机放在5高斯线的外部；光纤装置包括：光纤跳线、光纤连接器和治疗光纤；光纤跳线的一端连接激光治疗仪主机的输出端，另一端连接光纤连接器；光纤连接器、治疗光纤与穿刺针依次进行连接，最终将激光治疗仪主机输出的激光导入至预设位置。本发明能够在核磁环境下运用激光消融技术、并利用核磁共振成像系统提供的多种解剖结构扫描序列及温度扫描序列实施脑肿瘤的光热治疗。

Description

用于核磁环境的激光间质热疗光源

技术领域

本发明涉及激光医疗技术领域，特别涉及一种用于核磁环境的激光间质热疗光源。

背景技术

激光间质热疗是目前治疗脑肿瘤的最先进手段之一。在核磁影像实时温度监测引导下，将激光光纤精准导入到脑肿瘤中，进行光热治疗，使肿瘤组织凝固、坏死、变性萎缩。该方案与开放手术相比创伤小、疤痕较小、住院时间短、神经功能保护好、术后并发症少，是未来神经系统肿瘤治疗模式的革命性的发展方向。

利用光纤，通过外科手术、内镜或者皮下通道将激光能量直接送到要治疗部位进行加热的方法称为激光热疗。但是激光热疗的光源常常因磁兼容原因无法工作在核磁室。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提出一种用于核磁环境的激光间质热疗光源，将激光治疗仪主机放置于MR扫描室的5高斯线外，采用非磁性材料设计光纤跳线、光纤连接器、治疗光纤以及穿刺针，将激光导入待治疗的目标肿瘤组织中。因此采用非磁性材料对光纤跳线、光纤连接器、治疗光纤以及穿刺针进行设计，使本发明提供的激光间质热疗光源能够在核磁环境进行运行。

为实现上述目的，本发明采用以下具体技术方案：

本发明提供一种用于核磁环境的激光间质热疗光源，包括：激光治疗仪主机、光纤装置和穿刺针；

光纤装置和穿刺针为非磁性材料，放置在5高斯线的内部，激光治疗仪主机放在5高斯线的外部；

光纤装置包括：光纤跳线、光纤连接器和治疗光纤；

光纤跳线的一端连接激光治疗仪主机的输出端，另一端连接光纤连接器；

光纤连接器、治疗光纤与穿刺针依次进行连接，最终将激光治疗仪主机输出的激光导入至预设位置。

优选地，激光治疗仪主机为五波长半导体激光治疗仪，包括808nm、980nm、1064nm、1270nm、1470nm；输出接口为FC。

优选地，光纤跳线两端的接头为FC，采用聚氧亚甲基与陶瓷插芯进行制备。

优选地，光纤连接器与治疗光纤之间的对接部分为C形陶瓷环，C形陶瓷环采用聚氧亚甲基与陶瓷插芯进行制备。

优选地，穿刺针为钛合金管，外径为2mm、内径为1mm、厚度为0.5mm。

优选地，光纤跳线的长度为5米，芯径为550微米。

与现有的技术相比，本发明通过制备非磁性光纤跳线、光纤连接器、治疗光纤以及穿刺针，可将现有激光治疗仪输出的激光导入位于核磁环境下的待治疗目标肿瘤组织中。本发明能够在核磁环境下运用激光消融技术、并利用核磁共振成像系统提供的多种解剖结构扫描序列及温度扫描序列实施脑肿瘤的光热治疗。

附图说明

图1是根据本发明实施例提供的用于核磁环境的激光间质热疗光源的结构示意图。

其中的附图标记包括：激光治疗仪主机1、光纤跳线2、光纤连接器3、治疗光纤4和穿刺针5。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。在下面的描述中，相同的模块使用相同的附图标记表示。在相同的附图标记的情况下，它们的名称和功能也相同。因此，将不重复其详细描述。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。

图1示出了根据本发明实施例提供的用于核磁环境的激光间质热疗光源的结构。

如图1所示，本发明实施例提供的用于核磁环境的激光间质热疗光源包括：激光治疗仪主机1、光纤跳线2、光纤连接器3、治疗光纤4和穿刺针5。

激光治疗仪主机1放置于MR扫描室的“5高斯线”外，采用非磁性材料设计的光纤跳线2、光纤连接器3、治疗光纤4以及穿刺针5均可放置于MR扫描室“5高斯线”以内，可将激光治疗仪主机输出的激光导入待治疗的目标肿瘤组织。

其中，激光治疗仪主机1为五波长半导体激光治疗仪，包括808nm、980nm、1064nm、1270nm、1470nm等五个波段，通过光纤合束技术，从单根400微米光纤输出，输出接口为FC。

光纤跳线2的长度为5米，光纤跳线2芯径为550微米，两端的FC接头采用聚氧亚甲基(POM)与陶瓷插芯进行制备，无磁性。光纤跳线2的一端连接激光治疗仪主机1的输出端，另一端连接光纤连接器。

光纤连接器3与治疗光纤4之间的对接部分为“C”形陶瓷环，光纤连接器3与治疗光纤4的接头部分同样采用聚氧亚甲基与陶瓷插芯进行制备；

穿刺针5为钛合金管，外径为2mm、内径为1mm、厚度为0.5mm。以上放置于MR扫描室“5高斯线”以内的部件均由非磁性材料构成。

光纤连接器3、治疗光纤4与穿刺针5依次进行连接，最终将激光治疗仪主机输出的激光导入待治疗的脑肿瘤组织中。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (6)

1.一种用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，包括：激光治疗仪主机、光纤装置和穿刺针；

所述光纤装置和穿刺针为非磁性材料，放置在5高斯线的内部，所述激光治疗仪主机放在5高斯线的外部；

所述光纤装置包括：光纤跳线、光纤连接器和治疗光纤；

所述光纤跳线的一端连接所述激光治疗仪主机的输出端，另一端连接所述光纤连接器；

所述光纤连接器、治疗光纤与穿刺针依次进行连接，最终将所述激光治疗仪主机输出的激光导入至预设位置。

2.根据权利要求1所述的用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，所述激光治疗仪主机为五波长半导体激光治疗仪，包括808nm、980nm、1064nm、1270nm、1470nm；输出接口为FC。

3.根据权利要求1所述的用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，所述光纤跳线两端的接头为FC，采用聚氧亚甲基与陶瓷插芯进行制备。

4.根据权利要求1所述的用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，所述光纤连接器与所述治疗光纤之间的对接部分为C形陶瓷环，所述C形陶瓷环采用聚氧亚甲基与陶瓷插芯进行制备。

5.根据权利要求1所述的用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，所述穿刺针为钛合金管，外径为2mm、内径为1mm、厚度为0.5mm。

6.根据权利要求1所述的用于核磁环境的激光间质热疗光源，其特征在于，所述光纤跳线的长度为5m，芯径为550μm。

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