CN115705872A - 触发对非易失性存储器的刷新 - Google Patents

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CN115705872A
CN115705872A CN202210925967.5A CN202210925967A CN115705872A CN 115705872 A CN115705872 A CN 115705872A CN 202210925967 A CN202210925967 A CN 202210925967A CN 115705872 A CN115705872 A CN 115705872A
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C·J·比布
吴敏健
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Abstract

本申请案涉及触发对非易失性存储器的刷新。主机系统可与存储器系统通信,其中所述主机系统和所述存储器系统可包含在车辆(例如,汽车系统)内。所述主机系统可接收所述车辆断电的指示且可响应于所述指示而进入电源关闭状态。所述主机系统可在所述车辆断电时检测切换回到电源开启状态的触发事件(例如,使用时间或温度输入),所述触发事件与在所述存储器系统处执行刷新操作相关联。所述主机系统可进入所述电源开启状态且将电源开启命令发射到所述存储器系统。所述存储器系统可在所述车辆保持处于断电状态时对一或多个存储器单元执行所述刷新操作。

Description

触发对非易失性存储器的刷新
交叉引用
本专利申请案要求比布(BUEB)等人的在2022年7月19日申请的名称为“触发对非易失性存储器的刷新(TRIGGERING A REFRESH FOR NON-VOLATILE MEMORY)”的美国专利申请案第17/868,074号的优先权,所述申请案要求比布等人的在2021年8月04日申请的名称为“触发对非易失性存储器的刷新”的美国临时专利申请案第63/229,328号的权益,所述申请案中的每一者让与给本受让人,且所述申请案中的每一者以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
技术领域涉及触发对非易失性存储器的刷新。
背景技术
存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可编程到两个所支持状态中的一者,通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两个可能的状态,所述状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息,组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息,组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。
存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)及与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器单元(例如,DRAM单元)除非由外部电源周期性地刷新,否则可能随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如,NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。
发明内容
描述一种设备。设备可包含控制器,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合。控制器可经配置以使设备进行以下操作:接收车辆断电的指示;基于车辆断电的指示而进入电源关闭状态;在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联;基于检测到触发事件而进入断电状态;及在车辆断电时且在处于电源开启状态时,基于与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统。
描述一种设备。设备可包含主机系统,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合。设备还可包含控制器,其与主机系统和存储器系统相关联。控制器可经配置以使设备进行以下操作:在车辆断电时检测将主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联;基于检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力;及在车辆断电时且基于向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包括将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。
描述一种非暂时性计算机可读媒体。非暂时性计算机可读媒体可存储包括指令的代码,所述指令在由电子装置的处理器执行时使电子装置进行以下操作:接收车辆断电的指示;基于车辆断电的指示而进入电源关闭状态;在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联;基于检测到触发事件而进入电源开启状态;及在车辆断电时且在处于电源开启状态时,基于与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统。
描述一种非暂时性计算机可读媒体。非暂时性计算机可读媒体可存储包括指令的代码,所述指令在由电子装置的处理器执行时使电子装置进行以下操作:在车辆断电时检测将用于存储器系统的主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联;基于检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力;及在车辆断电时且基于向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包括将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。
附图说明
图1到3说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的系统的实例。
图4说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的过程流程的实例。
图5展示根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的主机系统的框图。
图6展示根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的车辆系统的框图。
图7及8展示说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
主机系统可与包含经配置以在环境温度范围内操作的存储器装置的存储器系统通信。在一些情况下,在各种温度下操作存储器装置可产生存储器装置的不同操作特性。举例来说,汽车系统(例如,车辆、车辆组件、车辆处理器或控制器)可在多种温度下操作,所述温度可包含相对高于存储器装置的标称温度的温度(例如,极端温度),所述标称温度支持用于存储器装置的一或多个性能特性。在一些情况下,存储器装置的一或多个非易失性块可在极端温度下编程,例如,在汽车系统电源开启时(例如,归因于来自引擎、电池或存储器装置的环境中的任何其它热源的环境热量)。然而,在极端温度下编程存储器装置的块可产生相对不可靠的数据存储。在一些情况下,归因于编程温度和读取温度(例如,在汽车系统已经关机一段较长时间从而使汽车系统冷却之后的读取温度)下的操作特性的差异,存储器系统可能无法准确地读取块。另外或替代地,归因于此类读取失败,存储器装置可能无法在相对较长时间段内保持在极端温度下编程的数据。举例来说,汽车系统可在相对较长的时间段之后打开,且存储器系统可能无法刷新存储器装置的非易失性块,潜在地导致数据的损失。在一些情况下,如果在极端温度下编程,那么包含经配置以每存储器单元存储多于一个位的存储器单元的存储器装置(例如,多层级单元(MLC)装置、三层级单元(TLC)装置、四层级单元(QLC)装置或能够每存储器单元存储多于一个位的任何其它存储器)可比包含单层级单元(SLC)的存储器装置更不可靠,例如,归因于限定每单元存储多于一个位的存储器单元的不同状态的电压阈值的较小差异。
描述了用于支持在汽车系统断电之后触发对存储器装置中的非易失性存储器的刷新的系统、装置及技术。在汽车系统断电之后刷新非易失性存储器可减轻在极端温度(例如,高于存储器装置的阈值温度的温度)下编程非易失性存储器的不利影响。举例来说,响应于汽车系统断电,主机系统可进入电源关闭状态。在一些情况下,在电源关闭状态中,主机系统控制器可监测一或多个输入(例如,例如温度、时间或这两者的环境输入)以确定是否触发存储器系统处的刷新操作,例如,在汽车系统保持断电时。主机系统可基于(例如,响应于)确定一或多个输入满足相应触发条件而检测刷新存储器系统的触发事件。举例来说,触发事件可致使主机系统的主机系统控制器重新进入电源开启状态且在汽车系统断电(例如,在停放模式中)时将一或多个刷新命令发送到存储器系统,从而向存储器系统提供一种在汽车系统温度朝向标称温度松弛时刷新存储器装置(包含在极端温度下编程的存储器单元)的方式。因此,存储器系统可响应于来自主机系统控制器的刷新命令而执行刷新操作。举例来说,主机系统控制器可发射开启存储器系统的电源的命令,且可在温度值满足温度阈值以用于刷新存储器系统、已经过阈值时间以用于刷新存储器系统或这两者的情况下发射用于存储器系统的刷新命令以对存储器系统的一或多个存储器单元执行刷新操作。配置主机系统以检测支持非易失性存储器刷新操作的刷新触发事件可导致存储器系统处的较高数据保持和存取操作的改进可靠性,以及对主机系统、存储器系统或这两者的交叉温度行为的其它增强。
最初参考图1到3在系统及装置的上下文中描述本公开的特征。在参考图4的过程流程的上下文中进一步描述本公开的特征。通过参考图5到8的涉及触发对非易失性存储器的刷新的设备图及流程图的上下文进一步说明且在设备图及流程图的上下文中描述本公开的这些和其它特征。
图1说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦合的主机系统105。
存储器系统110可以是或包含任何装置或装置的集合,其中装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。举例来说,存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪装置、通用串行总线(USB)快闪装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM),或非易失性DIMM(NVDIMM),以及其它可能性。
系统100可包含在计算装置中,所述计算装置例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如,飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(IoT)功能的装置、嵌入式计算机(例如,交通工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机),或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。
系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中,此耦合可包含与主机系统控制器106的接口,所述主机系统控制器106可以是配置成使得主机系统105根据如本文中所描述的实例进行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置,并且在一些情况下,可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件堆栈。举例来说,主机系统105可包含经配置用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如,主机系统105本地的或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如,NVDIMM控制器),及存储协议控制器(例如,外围组件互连高速(PCIe)控制器、串行高级技术附件(SATA)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110,例如,将数据写入到存储器系统110及从存储器系统110读取数据。尽管图1中展示一个存储器系统110,但是主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。
主机系统105可经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下,主机系统105及存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如,以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据及其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于SATA接口、UFS接口、eMMC接口、PCIe接口、USB接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(SCSI)、串行连接的SCSI(SAS)、双数据速率(DDR)接口、DIMM接口(例如,支持DDR的DIMM套接接口)、开放NAND快闪接口(ONFI),和低功率双数据速率(LPDDR)接口。在一些实例中,一或多个这种接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式在其间得到支持。在一些实例中,主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口,或经由用于包含在存储器系统110中的每一类型的存储器装置130的相应物理主机接口与存储器系统110耦合(例如,主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。
存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可包含任何类型的存储器单元(例如,非易失性存储器单元、易失性存储器单元,或其任何组合)的一或多个存储器阵列。尽管在图1的实例中展示两个存储器装置130-a及130-b,但是存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外,如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130,那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。
存储器系统控制器115可与主机系统105耦合及通信(例如,经由物理主机接口),并且可为经配置以使存储器系统110根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合及通信以在存储器装置130处执行一般可称为存取操作的操作,例如读取数据、写入数据、擦除数据,或刷新数据,以及其它此类操作。在一些情况下,存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行这种命令(例如,在一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。举例来说,存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作,并且可将命令或操作转换成指令或适当的命令,以实现对存储器装置130的期望存取。在一些情况下,存储器系统控制器115可与主机系统105及一或多个存储器装置130交换数据(例如,响应于或以其它方式结合来自主机系统105的命令)。举例来说,存储器系统控制器115可将与存储器装置130相关联的响应(例如,数据包或其它信号)转换成用于主机系统105的对应信号。
存储器系统控制器115可经配置以用于与存储器装置130相关联的其它操作。举例来说,存储器系统控制器115可执行或管理操作,例如,耗损均衡操作、垃圾收集操作、例如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、后台刷新、健康监测,及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如,逻辑块地址(LBA))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如,物理块地址)之间的地址转换。
存储器系统控制器115可包含硬件,例如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器,或其组合。硬件可包含具有专用(例如,硬译码)逻辑的电路,以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如,现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)),或任何其它合适的处理器或处理电路。
存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下,本地存储器120可包含只读存储器(ROM)或可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码(例如,可执行指令)以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能的其它存储器。在一些情况下,本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(SRAM)或由存储器系统控制器115使用以用于例如与本文中归于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或运算的其它存储器。另外或替代地,本地存储器120可充当用于存储器系统控制器115的高速缓存。例如,在从存储器装置130读取或写入到存储器装置130时,数据可存储于本地存储器120中,并且所述数据可在本地存储器120内可用以用于根据高速缓存策略由主机系统105后续检索或操纵(例如,更新)(例如,在相对于存储器装置130的减少的等待时间的情况下)。
尽管图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115,但在某些情况下,存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说,存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如,由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135,以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说,本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合进行。在某些情况下,至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可被称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。
存储器装置130可包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说,存储器装置130可包含NAND(例如,NAND快闪)存储器、ROM、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(RAM)(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、NOR(例如,NOR快闪)存储器、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM),或其任何组合。另外或替代地,存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说,存储器装置130可包含RAM存储器单元,例如动态RAM(DRAM)存储器单元及同步DRAM(SDRAM)存储器单元。
在一些实例中,存储器装置130可包含(例如,在同一裸片上或在同一封装内)本地控制器135,其可对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作,或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说,如图1中所说明,存储器装置130-a可包含本地控制器135-a,并且存储器装置130-b可包含本地控制器135-b。
在一些情况下,存储器装置130可为或包含NAND装置(例如,NAND快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。举例来说,在一些情况下,存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中,裸片160可以是从晶片切割的一块电子级半导体(例如,从硅晶片切割的硅裸片)。每一裸片160可包含一或多个平面165,并且每一平面165可包含相应的块170的集,其中每一块170可包含相应的页175的集,并且每一页175可包含存储器单元集。
在一些情况下,NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储一位信息的存储器单元,其可被称作SLC。另外或替代地,NAND存储器装置130可包含经配置以各自存储多位信息的存储器单元,如果经配置以各自存储两位信息则可被称作MLC,如果经配置以各自存储三位信息则可被称作TLC,如果经配置以各自存储四位信息则可被称作QLC,或更一般地被称作多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于SLC存储器单元提供更大的存储密度,但在一些情况下,可涉及用于支持电路的更窄读取或写入裕度或更大复杂度。举例来说,这类窄读取或写入裕度可对温度波动相对敏感。也就是说,在一些情况下,相较于SLC存储器单元,多层级存储器单元的交叉温度行为可能相对较差。
在一些情况下,平面165可指块170的群组,且在一些情况下,可在不同平面165内发生并行操作。举例来说,可对不同块170内的存储器单元执行并行操作,只要不同块170处于不同平面165中。在一些情况下,个别块170可称为物理块,并且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的群组。举例来说,可对分别在平面165-a、165-b、165-c及165-d内的块170-a、170-b、170-c及170-d执行并行操作,并且块170-a、170-b、170-c及170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下,虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如,包含存储器装置130-a及存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下,虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如,块170-a可为平面165-a的“块0”,块170-b可为平面165-b的“块0”等)。在一些情况下,在不同平面165中执行并行操作可受制于一或多个限制,例如对不同页面175内的存储器单元执行并行操作,所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如,关于命令解码、页地址解码电路,及跨越平面165共享的其它电路)。
在一些情况下,块170可包含组织成行(页175)和列(例如串,未展示)的存储器单元。举例来说,同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如,与其耦合),并且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地称为位线)(例如,与其耦合)。
对于一些NAND架构,存储器单元可在第一粒度级别(例如,在页粒度级别)读取及编程(例如,写入),但是可在第二粒度级别(例如,在块粒度级别)擦除。也就是说,页175可为可独立地编程或读取(例如,作为单个编程或读取操作的部分同时编程或读取)的存储器(例如,存储器单元集)的最小单元,并且块170可为可独立地擦除(例如,作为单个擦除操作的部分同时擦除)的存储器(例如,存储器单元集)的最小单元。另外,在一些情况下,NAND存储器单元可在其可用新数据重写之前擦除。因此,举例来说,在一些情况下,可直到包含页175的整个块170已被擦除才更新所使用的页175。
在一些情况下,为了在块170内更新一些数据,同时保留块170内的其它数据,存储器装置130可将待保留的数据复制到新块170且将更新的数据写入到新块170的一或多个其余页面。存储器装置130(例如,本地控制器135)或存储器系统控制器115可将保持在旧块170中的数据标记或以其它方式表示为无效或过时,并且可更新逻辑到物理(L2P)映射表以使数据的逻辑地址(例如,LBA)与新的有效块170而不是旧的无效块170相关联。在一些情况下,例如由于等待时间或磨损考虑,可执行此复制及重新映射,而不是擦除及重写整个旧块170。在一些情况下,L2P映射表的一或多个副本可存储在存储器装置130的存储器单元内(例如,一或多个块170或平面165内),以供本地控制器135或存储器系统控制器115使用(例如,参考及更新)。
在一些情况下,存储器系统控制器115或本地控制器135可执行存储器装置130的操作(例如,作为一或多个媒体管理算法的一部分),例如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测,或其它操作,或其任何组合。举例来说,在存储器装置130内,块170可具有含有有效数据的一些页175和含有无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170,可调用称为“垃圾收集”的算法,以允许块170被擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指一组媒体管理操作,其包含例如选择包含有效和无效数据的块170、选择块中包含有效数据的页175、将来自选定页175的有效数据复制到新位置(例如,另一块170中的空闲页175)、将先前选定的页175中的数据标记为无效,以及擦除选定块170。因此,可增加已擦除的块170的数量,使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如,随后从主机系统105接收到的数据)。
系统100可包含支持触发对非易失性存储器的刷新的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说,主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或以其它方式可存取一或多个非暂时性计算机可读媒体,所述非暂时性计算机可读媒体存储指令(例如,固件)以用于执行本文中归于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能。举例来说,如果由主机系统105(例如,由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115,或由存储器装置130(例如,由本地控制器135)执行,则此类指令可使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文中所描述的一或多个相关联功能。
在一些情况下,存储器系统110可利用存储器系统控制器115以提供受管理存储器系统,所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列及与本地(例如,裸片上或封装中)控制器(例如,本地控制器135)组合的相关电路。受管理存储器系统的实例为MNAND系统。
在一些实例中,存储器系统110可包含经设计或经配置以在环境温度范围内操作的存储器装置130。在一些情况下,在各种温度下操作存储器装置130可导致存储器装置130的不同操作特性。在一些情况下,存储器装置130的一或多个块170可在极端温度(例如,高于或低于阈值温度范围(例如,标称温度范围)的温度)下编程,例如,在汽车系统电源开启时。然而,归因于编程温度和读取温度下的操作特性的差异,存储器系统110可能无法读取块170。举例来说,如果存储器系统110在高于阈值温度的第一温度下将数据编程到块170但在低于阈值温度的第二温度下读取数据,那么存储器系统110可能无法读取数据。另外或替代地,存储器装置110可能无法在相对较长的时间周期(例如,大于阈值持续时间)内保持在极端温度下编程的数据。
在一些情况下,包含经配置以每存储器单元存储多于一个位的存储器单元的存储器装置130(例如,MLC装置、TLC装置、QLC装置或能够每存储器单元存储多于一个位的任何其它存储器装置130或存储器装置130的部分)可(例如)归因于限定存储器单元的不同状态的电压阈值的较小的差而比SLC装置相对更多地受到极端温度的影响。
在一些实例中,主机系统105和存储器系统110可支持在汽车系统断电之后触发对存储器装置130中的非易失性存储器的刷新。举例来说,主机系统105可接收汽车系统(例如,车辆)断电的指示,其中主机系统105及存储器系统110可响应于所述指示而进入电源关闭状态。主机系统105可检测到在汽车系统断电时切换回到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统110处执行刷新操作相关联。举例来说,触发事件可与执行刷新操作的阈值温度、在其之后执行刷新操作的阈值时间或这两者相关联。主机系统105可进入电源开启状态且将电源开启命令发射到存储器系统110。存储器系统110可在响应于命令开启电源时且在车辆保持在断电状态时对一或多个存储器单元执行一或多个刷新操作。配置主机系统105和存储器系统110以在车辆关闭状态期间触发刷新非易失性存储器可产生存储器系统110处的较高数据保持和与存取操作相关联的改进可靠性,以及对主机系统105、存储器系统110或这两者的交叉温度行为的其它增强。
图2说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的系统200的实例。系统200可为如参考图1或其方面所描述的系统100的实例。系统200可包含存储器系统210,所述存储器系统210经配置以存储从主机系统205接收的数据,并且如果由主机系统205使用存取命令(例如,读取命令或写入命令)请求,则将数据发送到主机系统205。系统200可实施参考图1所描述的系统100的方面。举例来说,存储器系统210和主机系统205可分别是存储器系统110和主机系统105的实例。
如本文所描述,存储器系统210可包含存储器装置240,以例如响应于从主机系统205接收存取命令而存储在存储器系统210与主机系统205之间传送的数据。存储器装置240可包含如参考图1所描述的一或多个存储器装置。举例来说,存储器装置240可包含NAND存储器、MNAND存储器、PCM、自选存储器、3D交叉点、其它基于硫族化物的存储器、FERAM、MRAM、NOR(例如,NOR快闪)存储器、STT-MRAM、CBRAM、RRAM,或OxRAM。
存储器系统210可包含存储控制器230以用于控制直接进出存储器装置240的数据的传递,例如用于存储数据、检索数据,及确定要将数据存储在其中及要从其检索数据的存储器位置。存储控制器230可使用特定针对每种类型的存储器装置240的协议直接地或经由总线(未展示)与存储器装置240通信。在一些情况下,单个存储控制器230可用于控制相同或不同类型的多个存储器装置240。在一些情况下,存储器系统210可包含多个存储控制器230,例如,用于每一类型的存储器装置240的不同存储控制器230。在一些情况下,存储控制器230可实施如参考图1所描述的本地控制器135的方面。
存储器系统210可另外包含用于与主机系统205通信的接口220,及用于临时存储在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据的缓冲器225。接口220、缓冲器225及存储控制器230可用于例如如由数据路径250所展示在主机系统205与存储器装置240之间转换数据,并且可统称为数据路径组件。
在传送期间使用缓冲器225临时地存储数据可允许在处理命令时缓冲数据,由此减小命令之间的等待时间且允许与命令相关联的任意数据大小。这还可允许处理命令的突发,并且一旦突发停止,便可存储或发射(或这两者)缓冲的数据。缓冲器225可包含相对快速的存储器(例如,一些类型的易失性存储器,例如SRAM或DRAM),或硬件加速器或两者,以允许快速地将数据存储到缓冲器225和从缓冲器225检索数据。缓冲器225可包含用于缓冲器225与其它组件之间的双向数据传送的数据路径切换组件。
数据在缓冲器225内的临时存储可指在执行存取命令期间数据在缓冲器225中的存储。也就是说,在完成存取命令后,相关联数据可能不再维持在缓冲器225中(例如,可运用额外存取命令的数据盖写)。此外,缓冲器225可以是非高速缓存缓冲器。也就是说,主机系统205可不直接从缓冲器225读取数据。举例来说,可将读取命令添加到队列中,而无需将地址与已在缓冲器225中的地址进行匹配的操作(例如,无需高速缓存地址匹配或查找操作)。
存储器系统210可另外包含用于执行从主机系统205接收的命令且在移动数据时控制数据路径组件的存储器系统控制器215。存储器系统控制器215可以是如参考图1所描述的存储器系统控制器115的实例。总线235可用于在系统组件之间通信。
在一些情况下,一或多个队列(例如,命令队列260、缓冲器队列265及存储队列270)可用于控制存取命令的处理及对应数据的移动。例如,如果来自主机系统205的多于一个存取命令由存储器系统210并行处理,则这可为有益的。作为可能实施方案的实例,分别在接口220、存储器系统控制器215及存储控制器230处描绘命令队列260、缓冲器队列265及存储队列270。然而,队列(如果使用)可位于存储器系统210内的任何位置。
在主机系统205与存储器装置240之间传送的数据可在存储器系统210中采用与非数据信息(例如,命令、状态信息)不同的路径。举例来说,存储器系统210中的系统组件可使用总线235彼此通信,而数据可通过数据路径组件而不是总线235使用数据路径250。存储器系统控制器215可通过经由总线235与数据路径组件通信(例如,使用特定针对存储器系统210的协议)而控制如何及是否在主机系统205与存储器装置240之间传送数据。
如果主机系统205将存取命令发射到存储器系统210,那么接口220可例如根据协议(例如,UFS协议或eMMC协议)接收命令。因此,接口220可被视为存储器系统210的前端。在接收到每一存取命令后,接口220可例如经由总线235将命令传达到存储器系统控制器215。在一些情况下,可通过接口220将每一命令添加到命令队列260,以将命令传达到存储器系统控制器215。
存储器系统控制器215可确定已从接口220接收到存取命令。在一些情况下,存储器系统控制器215可确定已通过从命令队列260检索命令而接收到存取命令。在例如已经由存储器系统控制器215从命令队列260检索命令之后,可从命令队列260去除所述命令。在一些情况下,存储器系统控制器215可致使接口220例如经由总线235从命令队列260去除命令。
在确定已接收到存取命令后,存储器系统控制器215可执行存取命令。对于读取命令,这可意味着从存储器装置240获得数据及将数据发射到主机系统205。对于写入命令,这可意味着从主机系统205接收数据及将数据移动到存储器装置240。
在任一情况下,存储器系统控制器215可将缓冲器225尤其用于从主机系统205接收的或发送到主机系统205的数据的临时存储。缓冲器225可被视为存储器系统210的中间端。在一些情况下,缓冲器地址管理(例如,指向缓冲器225中的地址位置的指针)可由接口220、缓冲器225或存储控制器230中的硬件(例如,专用电路)进行。
为了处理从主机系统205接收的写入命令,存储器系统控制器215可首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说,存储器系统控制器215可例如经由固件(例如,控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与写入命令相关联的数据的空间量。
在一些情况下,缓冲器队列265可用于控制与存储在缓冲器225中的数据相关联的命令流,所述命令流包含写入命令。缓冲器队列265可包含与当前存储在缓冲器225中的数据相关联的存取命令。在一些情况下,命令队列260中的命令可通过存储器系统控制器215移动到缓冲器队列265,且可在相关联数据存储在缓冲器225中时保持在缓冲器队列265中。在一些情况下,缓冲器队列265中的每一命令可与缓冲器225处的地址相关联。也就是说,可维持指示在缓冲器225中存储与每一命令相关联的数据的位置的指针。使用缓冲器队列265,可从主机系统205依序接收多个存取命令且可并行处理存取命令的至少部分。
如果缓冲器225具有足够空间来存储写入数据,则存储器系统控制器215可使接口220例如根据协议(例如,UFS协议或eMMC协议)将可用性的指示发射到主机系统205(例如,“准备好传送”指示)。当接口220随后从主机系统205接收与写入命令相关联的数据时,接口220可使用数据路径250将数据传送到缓冲器225以用于临时存储。在一些情况下,接口220可从缓冲器225或缓冲器队列265获得缓冲器225内的要存储数据的位置。接口220可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示是否已完成到缓冲器225的数据传送。
一旦写入数据已通过接口220存储在缓冲器225中,就可将数据从缓冲器225传送出并存储在存储器装置240中。这可使用存储控制器230完成。举例来说,存储器系统控制器215可使存储控制器230使用数据路径250从缓冲器225检索数据并且将数据传送到存储器装置240。存储控制器230可视为存储器系统210的后端。存储控制器230可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成到存储器装置240中的存储器装置的数据传送。
在一些情况下,存储队列270可用于辅助写入数据的传送。举例来说,存储器系统控制器215可将写入命令从缓冲器队列265推送(例如,经由总线235)到存储队列270以供处理。存储队列270可包含用于每一存取命令的条目。在一些实例中,存储队列270可另外包含:缓冲器指针(例如,地址),其可指示缓冲器225中存储与命令相关联的数据的位置;及存储指针(例如,地址),其可指示存储器装置240中与数据相关联的位置。在一些情况下,存储控制器230可从缓冲器225、缓冲器队列265或存储队列270获得缓冲器225内要从其获得数据的位置。存储控制器230可管理存储器装置240内用以存储数据(例如,执行耗损均衡、垃圾收集等)的位置。可例如通过存储器系统控制器215将条目添加到存储队列270。在完成数据的传送后,可例如通过存储控制器230或存储器系统控制器215从存储队列270去除条目。
为了处理从主机系统205接收的读取命令,存储器系统控制器215可再次首先确定缓冲器225是否具有足够可用空间来存储与命令相关联的数据。举例来说,存储器系统控制器215可例如经由固件(例如,控制器固件)确定在缓冲器225内可用于存储与读取命令相关联的数据的空间量。
在一些情况下,缓冲器队列265可用于以与上文关于写入命令所论述的类似方式来辅助与读取命令相关联的数据的缓冲器存储。举例来说,如果缓冲器225具有足够空间来存储读取数据,则存储器系统控制器215可使存储控制器230从存储器装置240检索与读取命令相关联的数据并且使用数据路径250将数据存储在缓冲器225中以用于临时存储。存储控制器230可例如经由总线235在完成到缓冲器225的数据传送后向存储器系统控制器215指示。
在一些情况下,存储队列270可用于辅助读取数据的传送。举例来说,存储器系统控制器215可将读取命令推送到存储队列270以供处理。在一些情况下,存储控制器230可从缓冲器225或存储队列270获得存储器装置240内要从其检索数据的位置。在一些情况下,存储控制器230可从缓冲器队列265获得缓冲器225内要存储数据的位置。在一些情况下,存储控制器230可从存储队列270获得缓冲器225内要存储数据的位置。在一些情况下,存储器系统控制器215可将由存储队列270处理的命令移动回到命令队列260。
一旦数据已通过存储控制器230存储在缓冲器225中,就可将数据从缓冲器225传送出并发送到主机系统205。举例来说,存储器系统控制器215可使接口220使用数据路径250从缓冲器225检索数据,并且例如根据协议(例如,UFS协议或eMMC协议)将数据发射到主机系统205。举例来说,接口220可处理来自命令队列260的命令,并且可例如经由总线235向存储器系统控制器215指示已完成到主机系统205的数据发射。
存储器系统控制器215可根据次序(例如,根据命令队列260的次序的先进先出次序)执行所接收命令。对于每一命令,存储器系统控制器215可使对应于命令的数据移动进出缓冲器225,如上文所论述。当数据移动到缓冲器225中且存储在缓冲器225内时,命令可保持在缓冲器队列265中。如果已完成命令的处理(例如,如果已从缓冲器225传送出对应于存取命令的数据),则可例如通过存储器系统控制器215从缓冲器队列265去除命令。如果从缓冲器队列265去除命令,则先前存储与所述命令相关联的数据的地址可用于存储与新命令相关联的数据。
存储器系统控制器215可另外经配置用于与存储器装置240相关联的操作。举例来说,存储器系统控制器215可执行或管理操作,如耗损均衡操作、垃圾收集操作、如错误检测操作或错误校正操作的错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、介质管理操作、后台刷新、健康监测,和与来自主机系统205的命令相关联的逻辑地址(例如,逻辑块地址(LBA))与存储器装置240内的存储器单元相关联的物理地址(例如,物理块地址)之间的地址转译。也就是说,主机系统205可发布指示一或多个LBA的命令,并且存储器系统控制器215可识别由LBA指示的一或多个物理块地址。在一些情况下,一或多个连续LBA可对应于非连续的物理块地址。在一些情况下,存储控制器230可经配置以结合或代替存储器系统控制器215执行以上操作中的一或多者。在一些情况下,存储器系统控制器215可执行存储控制器230的功能并且可省略存储控制器230。
在一些实例中,存储器系统210可另外经配置以支持触发对存储器装置240处的非易失性存储器的刷新,例如,从而为处于断电状态的汽车系统(例如,包含主机系统205及存储器系统210的车辆)提供额外功能性。举例来说,如果汽车系统处于断电状态,那么存储器系统210可从主机系统205接收电源开启命令,并且在一些情况下,接收刷新命令,使得存储器系统210可对存储器装置240的存储器单元执行一或多个刷新操作。在一些情况下,存储器系统210可将存储器系统210的刷新能力的指示发射到主机系统205。刷新能力可包含可由主机系统205使用以确定是否起始对存储器系统210的刷新操作的一或多个参数(例如,刷新能力可确定用于刷新非易失性存储器的一或多个触发条件)。举例来说,刷新能力可包含用于在存储器系统210处执行刷新操作的持续时间、用于将数据编程到存储器系统210的阈值温度、用于将数据编程到存储器系统210的目标温度范围、存储器系统210的数据保持能力、用于存储器系统210的交叉温度处置信息、用于存储器系统210的存储器单元层级的数量或其组合。在一些实例中,与刷新命令相关联的刷新操作可针对(或可以其它方式对应于)存储器装置240的存储器单元,相较于存储器装置240的标称温度范围,所述存储器单元在极端温度(例如,高于阈值温度的温度或低于阈值温度的温度)下经编程。举例来说,如果汽车系统处于电源开启状态,那么相较于存储器装置240的经配置温度范围(例如,标称温度范围),存储器系统210可在经受相对较高温度(例如,归因于来自汽车系统的发动机的环境热量,或归因于引起存储器装置240处的极端温度的任何其它热源)的同时编程存储器装置240的一或多个存储器单元。
为了支持这类刷新操作,存储器系统210可经配置以跟踪在极端温度(例如,高于阈值温度,或以其它方式在阈值温度范围之外)下编程的存储器单元。因此,存储器系统210可存储块列表275,存储器系统210可使用所述列表来记录存储器装置240的哪些块(例如,非易失性块)包含在极端温度下编程的存储器单元。举例来说,存储器系统210可识别存储器装置240的满足一或多个阈值标准的一或多个块。在一些情况下,存储器系统210可将满足阈值标准的每一块(例如,QLC块或其它块)的块识别符添加到存储于存储器中的块列表275。在一些情况下,阈值标准可包含温度阈值,使得如果存储器装置240的块已经在满足温度阈值的温度下编程,那么存储器系统210可将与块相关联的块识别符添加到块列表275。另外或替代地,阈值标准可包含与满足阈值错误数量的块相关联错误数量。在一些情况下,存储器系统210可将块列表275存储在存储器系统210的易失性存储器中,例如,存储在存储器系统控制器215的本地存储器处(例如,存储在SRAM中)。
在一些实例中,存储器系统210处的刷新操作可与将数据从第一物理地址移动到第二物理地址(例如,不同物理地址或在不同温度下重新编程到同一物理地址)相关联。举例来说,在接收到刷新命令之后,存储器系统210可从存储器装置240的一或多个存储器单元读取数据,例如与块列表275中的块识别符相关联的数据,且存储器系统210可将数据写回到存储器装置240的不同部分(例如,不同非易失性存储器资源)或同一部分。在一些实例中,存储器系统210可在存储器系统210、存储器装置240或这两者的温度满足目标温度范围时将此数据从存储器装置240的第一部分重新编程到第二部分。举例来说,响应于汽车系统进入电源关闭模式,存储器系统210的环境温度可逐渐降低(例如,归因于发动机关闭、电池的使用减少或用于减少来自存储器系统210的环境的热量的任何其它原因)。因而,存储器系统210可响应于刷新命令而执行刷新操作,使得存储器系统210可在较低环境温度(例如,存储器系统210的标称温度范围内的温度)下对先前在极端环境温度(例如,高于阈值温度)下编程的数据进行重新编程。
在一些情况下,存储器系统210可经配置以执行彻底关闭,其中存储器系统210可将数据从易失性存储器提交到非易失性存储器,例如,在存储器装置240处。一旦存储器系统210通过将数据移动到非易失性存储器(例如,其可在没有电力输入的情况下维持经编程状态)而失去电力,那么彻底关闭可允许存储器系统210保持最初存储在易失性存储器中的数据。
存储器系统210可在执行刷新操作之前执行彻底关闭。举例来说,存储器系统210可从主机系统205接收电源关闭命令。响应于接收到电源关闭命令,存储器系统210可识别存储于存储器系统210的易失性存储器中的数据,且将数据编程到非易失性存储器(例如,存储器装置240内)。存储器系统210可在将数据编程到非易失性存储器之后(或以其它方式响应于将数据编程到非易失性存储器)进入关闭状态。在一些实例中,存储器系统210可存储块列表275的指示以在彻底关闭期间在非易失性存储器中刷新。如果在车辆断电时触发刷新操作,那么存储器系统210可使用保持在非易失性存储器中的块列表275来确定刷新哪些块。替代地,如果存储器系统210并不将块列表275保持在非易失性存储器中,那么存储器系统210可响应于重新通电、响应于接收到刷新命令或这两者而重新确定要刷新的块列表275。因此,在包含存储器系统210的车辆保持处于断电状态(例如,车辆保持停放)时,存储器系统210可支持刷新一或多个非易失性存储器块。
图3说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的系统300的实例。系统300可为如参考图1和2所描述的系统100、系统200或其组合的实例。系统300可包含经配置以响应于汽车系统(例如,包含系统300的车辆)进入断电模式而触发存储器系统310处的刷新操作的主机系统305。
在一些实例中,主机系统305可包含:主机系统控制器315,例如如参考图1所描述的主机系统控制器106;接口320,其用于与存储器系统310通信;和功率控制件325,其将主机系统305内的组件耦合到电源330。电源330可为系统300或汽车系统内的电池的实例(或可利用所述电池)。举例来说,电源330可为主机系统305的组件或可在主机系统305外部。接口320可在主机系统305与存储器系统310之间传达命令、数据或这两者。存储器系统310可响应于从主机系统305接收的存取命令而将数据编程到一或多个存储器装置350或从一或多个存储器装置350读取数据。主机系统305可包含总线335,主机系统305内的组件可与其通信。另外或替代地,电源330可根据来自功率控制件325的命令或指令向一或多个其它组件提供电力。举例来说,电源330可向主机系统控制器315、接口320、存储器系统310或其任何组合提供电力(例如,使用连接340)。
主机系统305可接收汽车系统断电(例如,关闭发动机、将电池从高功率状态切换到低功率状态或使车辆断电的任何其它方式)的指示。在一些实例中,响应于接收到汽车系统断电的指示,主机系统305可如参考图2所描述起始存储器系统310的彻底关闭。另外,主机系统305可经配置以响应于接收到汽车系统断电的指示而进入电源关闭状态,例如以节省系统300中的电力。当处于电源关闭状态时,主机系统305可支持存储器系统310处的刷新操作,例如,以减轻由在极端温度下编程或读取存储器单元引起的存储器单元损坏。举例来说,当处于电源关闭状态时,主机系统305可使用相对较小量的电力(例如,与电源开启状态相比)操作以支持对一或多个触发事件的监测以在起始存储器系统310处的刷新操作。
如本文中所描述,在电源开启状态下操作汽车系统可引起相对较高的环境温度(或可另外与相对较宽范围的环境温度相关联,包含高于阈值温度的相对较高的环境操作温度)。举例来说,在接收到汽车系统断电的指示之前,系统300近侧的环境的温度可由于运行相对接近于系统300的车辆的发动机而相对较高。在这种实例中,系统300可在相对较高温度(例如,相较于标称编程温度或标称温度范围)下编程存储器装置350的一或多个存储器单元。在一些情况下,在极端温度下编程这类存储器单元可产生相对不可靠的数据存储。举例来说,归因于编程温度与读取温度之间的操作特性的差异,存储器系统310可能无法准确地读取存储器单元。另外或替代地,归因于此类读取失败,存储器装置350可能无法在相对较长时间段内保持在极端温度下编程的数据。如果在汽车系统断电时不执行数据刷新,那么汽车系统可在相对较长时间段之后打开,且存储器系统310可能无法刷新存储器装置的非易失性块,在一些情况下,导致数据的损失。
在一些实例中,接近于系统300的环境温度可响应于车辆断电(例如,对例如发动机、电池的热源或任何其它热源断电)而降低。因而,为了改进数据保持,主机系统305和存储器系统310可支持在车辆断电时且在系统300可在标称温度(例如,在标称温度范围内的温度、低于温度阈值的温度)下操作时执行刷新操作。
为了支持在电源关闭状态中操作时执行刷新操作,主机系统305可经配置以接收或确定一或多个输入,例如时间输入355、温度输入360或这两者,以监测刷新操作的一或多个触发条件。触发条件可与环境温度降低相关联。举例来说,主机系统205可使用所述输入来确定系统300是否根据支持可靠数据编程的操作条件(例如,可借以按相对较高可靠性编程数据的标称温度)来操作。在一些实例中,触发条件可包含存储器系统310处的刷新能力,例如如参考图2所描述的刷新能力,(或可另外使用所述刷新能力而确定)。
在第一实例中,主机系统控制器315可接收时间输入355(例如,从主机系统305外部的装置或组件),且主机系统控制器315可使用时间输入355来确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间。举例来说,在车辆断电时维持计时机构(例如,实时时钟(RTC)或另一机构)的组件可确定自从车辆断电以来已经过的时间量。在这种实例中,阈值时间可与对应于环境温度冷却的持续时间相关联(例如,从与正预测的环境温度下降到标称温度范围内的标称温度、低于温度阈值或这两者相关联的车辆断电的持续时间)。在一些情况下,时间输入355可为绝对时间值,且主机系统305可存储车辆断电的绝对时间值以用于与时间输入355进行比较。在一些其它情况下,时间输入355可为相对时间值(例如,自从车辆断电以来已经过的时间)。在一些实例中,基于时间的触发条件可与从车辆断电起的时间、从主机系统305断电起的时间、从存储器系统310断电起的时间或其任何组合相关联。主机系统控制器315可根据周期性或响应于触发事件接收时间输入355(例如,如果时间输入355满足用于触发存储器系统310处的刷新操作的触发条件,那么外部组件可将时间输入355发送到主机系统控制器315)。
另外或替代地,主机系统控制器315可接收温度输入360(例如,从主机系统305外部的装置或组件),且主机系统控制器315可使用温度输入360来确定是否已满足阈值温度(例如,在接收到车辆断电的指示之后)。举例来说,在车辆断电时维持温度感测机构的组件可确定与系统300相关联的温度值。温度值可为在主机系统305处、在存储器系统310处、在存储器装置350处或在接近系统300的任何其它组件处感测到的温度,使得温度值(例如,在阈值差内)类似于存储器装置350的操作温度以将数据编程到一或多个非易失性存储器块。主机系统控制器315可根据周期性或响应于触发事件接收温度输入360(例如,如果温度输入360满足用于触发存储器系统310处的刷新操作的触发条件,那么外部组件可将温度输入360发送到主机系统控制器315)。
另外或替代地,主机系统305可包含或可另外配置有时钟365、温度传感器370等以监测这类触发条件。举例来说,另外或替代接收时间输入355、温度输入360或这两者,主机系统305可监测时间输入(例如,使用时钟365)、温度输入(例如,使用温度传感器370)或这两者。在一些实例中,当在断电状态中操作时,主机系统控制器315可使用时钟365、温度传感器370或这两者从电源330接收满足用于支持监视时间、温度或这两者的阈值的电力量。时钟365可为RTC的实例或包含RTC,或时钟365可跟踪由主机系统控制器315执行的操作之间的相对时间。温度传感器370可以是任何类型的温度感测机构,例如热传感器、温度感测电路、数字温度传感器,或能够确定当前温度值的任何其它组件。主机系统控制器315可使用时间输入355、温度输入360、时钟365、温度传感器370或其任何组合来确定是否针对存储器系统310触发刷新操作。在一些情况下,如果已经过阈值时间,如果当前温度测量值满足阈值温度(例如,低于阈值温度,在标称温度范围内),或这两者,那么主机系统305可触发刷新操作,其中主机系统305可在断电状态下监测触发事件,且可使用时间输入355、温度输入360、时钟365、温度传感器370或其任何组合检测所述触发事件。
在一些实例中,如果主机系统305检测到触发事件(例如,与在存储器系统310处执行刷新操作相关联),那么主机系统305可响应于确定满足一或多个触发条件而切换到电源开启状态,而车辆仍断电。举例来说,主机系统305可确定已经过阈值时间、已满足阈值温度或这两者。因此,主机系统305可响应于检测到触发事件(例如,满足至少一个触发条件)而进入电源开启状态,且可发射开启存储器系统310的电源的命令。换句话说,主机系统305可根据检测到与在存储器系统310处执行刷新操作相关联的触发事件而发射开启存储器系统310的电源的命令。
在一些实例中,主机系统305可确定主机系统305是因为车辆通电还是因为满足用于刷新操作的触发事件(例如,在车辆保持断电时)而经触发以开启电源。在一些情况下,主机系统305、存储器系统310或这两者可在由于满足用于刷新操作的触发事件而开启电源的情况下相较于全功率模式通电到相对低功率模式。举例来说,如果主机系统305及存储器系统310电源开启以执行刷新操作,那么电源330可将与在正常操作期间(例如,当车辆正在行驶中时)所提供的功率相比相对更低的功率提供到主机系统305、存储器系统310或这两者。相对较低功率可至少支持在存储器系统310处执行刷新操作。在一些情况下,主机系统控制器315可使用触发事件信号(例如,来自功率控制件325)来确定在车辆停放时主机系统305电源是否开启。在一些情况下,主机系统305可避免执行启动过程,且可替代地响应于触发事件信号而触发将刷新命令发布到存储器系统310。在一些其它情况下,主机系统305可执行启动过程且在启动过程完成后对触发事件信号作出响应(例如,发布刷新命令)。主机系统305、存储器系统310或这两者可根据时间输入355、温度输入360、时钟365、温度传感器370或其任何组合确定执行哪些刷新操作。
在一些情况下,主机系统305可以允许存储器系统310例如基于(例如,响应于)存储器系统310确定已满足阈值空闲时间(例如,作为启动程序的部分或以其它方式)而确定是否刷新存储器系统310处的存储器单元。举例来说,存储器系统310可响应于来自主机系统305的电源开启命令而进入电源开启状态。在电源开启的阈值空闲时间之后,存储器系统310可确定执行刷新操作(例如,根据存储器系统310处的一或多个刷新标准或参数)。也就是说,存储器系统310可在空闲阈值持续时间之后内部地触发刷新操作。在一些其它情况下,主机系统305可例如响应于确定满足一或多个触发条件(例如,检测到与在存储器系统310处执行刷新命令相关联的触发事件)而将刷新命令发射到存储器系统310。主机系统305可将刷新命令发送到存储器系统310(例如,使用接口320),且存储器系统310可响应于刷新命令而执行刷新操作。
在一些实例中,主机系统305可在发射开启存储器系统310的电源的命令之后的阈值时间处发射关闭存储器系统310的电源的命令。阈值时间可对应于用于触发存储器系统310处的刷新操作的空闲时间、用于在存储器系统310处执行刷新操作的持续时间或这两者。举例来说,主机系统305可在阈值时间段之后发射关闭存储器系统310的电源的命令,在所述阈值时间段内,存储器系统310可刷新一或多个存储器单元,例如如参考图2所描述的块列表内的存储器单元。
通过如本文中所描述支持刷新触发,主机系统305可支持在包含主机系统305及存储器系统310的车辆断电的时间段期间在存储器系统310处执行刷新操作。因此,如果车辆停放较长持续时间(例如,大于存储器系统310的存储器单元可能无法保持其状态的阈值时间),那么主机系统305可继续在持续时间期间管理存储器系统310且刷新数据(例如,一次、周期性地或不定期地)以支持存储器系统310的存储器装置350处的数据保持。
图4说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的过程流程400的实例。过程流程400的操作可由如本文中所描述的主机系统、存储器系统、汽车系统或其组件实施。举例来说,过程流程400的操作可由如参考图1到3所描述的系统执行。主机系统可在汽车系统断电时响应于触发事件而在存储器系统处起始刷新操作,使得可在相对较低温度(例如,相比于此类极端温度)下重新编程在极端温度下编程的一或多个单元。可实施以下内容的替代性实例,其中一些步骤以不同次序执行或根本不执行。另外,一些步骤可包含下文中未提及的额外特征。
过程流程400的方面可由控制器以及其它组件(例如,主机系统控制器、存储器系统控制器,例如存储器装置的MNAND裸片)实施。另外或替代地,过程流程400的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如,存储于与存储器装置耦合的存储器中的固件)。举例来说,所述指令如果由控制器(例如,主机系统控制器)执行,那么可使控制器执行过程流程400的操作。
在405处,可接收刷新能力。举例来说,存储器系统可将存储器系统的刷新能力的指示发射到主机系统。主机系统及存储器系统可与车辆(例如,包含主机系统及存储器系统的车辆系统)相关联。在一些实例中,存储器系统可发送刷新能力的指示作为启动程序的部分。在一些情况下,触发事件(例如,满足如参考图3所描述的触发条件)可与刷新能力相关联。刷新能力可为如参考图2所描述的刷新能力中的一或多者的实例。
在410处,可接收断电指示。举例来说,主机系统可接收车辆(例如,包含主机系统和存储器系统的汽车系统)断电的指示。
在415处,可发射关闭电源的指示。举例来说,主机系统可基于(例如,响应于)在410处接收到车辆断电的指示而发射关闭存储器系统的电源的命令。存储器系统可响应于电源关闭命令而执行彻底关闭过程。
在420处,可进入电源关闭状态。举例来说,主机系统可基于(例如,响应于接收到)在410处的车辆断电的指示而进入电源关闭状态。
在一些实例中,在425处,可检测时间、温度或这两者。举例来说,主机系统可配备有温度传感器,所述温度传感器可检测与主机系统、存储器系统或这两者相关联的当前温度。另外或替代地,主机系统可经配置以维持RTC,且主机系统可使用RTC来确定在接收到车辆断电的指示之后已经过的时间量。在一些实例中,在430处,可接收阈值时间、阈值温度等的指示。举例来说,主机系统可接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示(例如,从如参考图3所描述的外部组件)。
在435处,确定是否检测到切换到电源开启状态的触发事件。举例来说,系统(例如,包含车辆系统、主机系统、存储器系统或其任何组合)可在车辆断电时检测将主机系统切换到电源开启状态的触发事件。所述触发事件可与在存储器系统处执行刷新操作相关联。在一些实例中,主机系统可接收已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示,其中响应于接收到所述指示而检测触发事件。在一些实例中,主机系统可确定是否已满足阈值温度、阈值时间等。举例来说,主机系统可使用在425处检测到的时间或在430处接收到的指示来确定在410处接收到指示之后是否已经过阈值时间,可使用在425处检测到的温度或在430处接收到的指示来确定是否已满足阈值温度,或其组合。如果主机系统确定尚未满足阈值时间、阈值温度或这两者,那么主机系统可例如通过在425处检测时间、温度或两者,在430处接收一或多个额外指示或这两者而继续监测触发事件。
在一些情况下,主机系统可使用机器学习技术、试探法或其它技术来使用例如环境因素、温度转变、温度阈值、RTC输入、事件记录、操作寿命、驱动程序使用历史数据或其任何组合的输入来确定用于存储器系统的一或多个刷新标准。主机系统可使用此类技术来确定用于触发刷新操作的一或多个触发条件。触发刷新操作可另外涉及触发到主机系统、存储器系统或这两者的电源开启状态的切换,使得存储器系统可接收足以执行所触发的刷新操作的电力量。
如果检测到切换到电源开启状态的触发事件,那么在440处,可进入电源开启状态。举例来说,事件可在车辆系统停放时触发主机系统处的电源开启操作。车辆系统可响应于在435处检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力。主机系统可使用所提供电力而进入电源开启状态。
在445处,可发射开启存储器系统的电源的命令。举例来说,主机系统可基于(例如,响应于)在435处检测到触发事件且根据主机系统在电源开启状态中操作而发射开启存储器系统的电源的命令。为了支持开启存储器系统的电源,主机系统可经配置以例如使用如参考图3所描述的电力控制器、电源等来控制施加到存储器系统的电压。在一些情况下,可通过向主机系统提供电力的系统及开启存储器系统的电源的命令而支持向存储器系统提供电力。
在一些实例中,在450处,可发射刷新命令。举例来说,主机系统可响应于在435处检测到触发事件而将刷新命令发布到存储器系统。替代地,例如,如果存储器系统的空闲时间满足在向存储器系统提供电力之后的阈值空闲时间,那么主机系统可以允许存储器系统自主地确定刷新存储器系统的存储器单元。存储器系统可响应于刷新命令或响应于确定存储器系统的空闲时间满足阈值空闲时间而执行刷新操作。在一些实例中,系统可在车辆断电时且在向主机系统及存储器系统提供电力时对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作。在此类实例中,刷新操作可包含将数据从一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块(例如,同一块或不同块)。
在455处,可发射关闭存储器系统的电源的命令。举例来说,主机系统可在存储器系统执行刷新操作之后发射关闭存储器系统的电源的命令。在一些实例中,主机系统可发射在发射刷新命令之后、在与存储器系统刷新存储器单元相关联的阈值时间之后或响应于关闭存储器系统的电源的任何其它触发事件使存储器系统电源关闭阈值时间的命令。在一些其它实例中,存储器系统可将刷新操作完成的指示发送到主机系统,且主机系统可响应于刷新操作完成的指示发射关闭存储器系统的电源的命令。存储器系统可响应于所述命令而重新进入电源关闭状态。另外,主机系统可在发射所述命令之后重新进入电源关闭状态。
如果车辆重新进入开启状态,那么主机系统可接收车辆通电的指示。车辆关闭与车辆打开之间的温度差可为显著的(例如,大于阈值差)。然而,归因于当车辆处于关闭状态时执行刷新操作,存储器系统可针对此温度差减轻交叉温度存取操作的不利影响,这是因为在更接近车辆打开时间时的温度的一或多个温度下重新编程数据。也就是说,主机系统可在车辆(例如,包含主机系统及存储器系统的车辆系统)停放时使用环境输入来触发存储器系统的刷新事件。
图5展示根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的主机系统520的框图500。主机系统520可以是如参考图1到4所描述的主机系统的方面的实例。主机系统520或其各种组件可为如本文中所描述的用于执行触发对非易失性存储器的刷新的各种方面的装置的实例。举例来说,主机系统520可包含电力指示接收器525、电力管理器530、触发事件检测组件535、电力指示发射器540、刷新命令发射器545、能力接收器550、触发事件确定组件555、时钟组件560、温度组件565或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。主机系统520可包含经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合的控制器,其中所述控制器可经配置以使主机系统520执行如本文中所描述的一或多个操作。车辆可包含主机系统520及存储器系统。
电力指示接收器525可经配置为或以其它方式支持用于接收车辆断电的指示的装置。电力管理器530可经配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于(例如,响应于)车辆断电的指示而进入电源关闭状态的装置。触发事件检测组件535可经配置为或以其它方式支持用于在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件的装置,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联。在一些实例中,电力管理器530可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)检测到触发事件而进入电源开启状态的装置。电力指示发射器540可经配置为或以其它方式支持用于在车辆断电时且在处于电源开启状态时,基于(例如,响应于)与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统的装置。
在一些实例中,电力指示发射器540可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)在发射开启存储器系统的电源的命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统的装置,所述阈值时间对应于用于触发存储器系统处的刷新操作的空闲时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间或这两者。
在一些实例中,刷新命令发射器545可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令发射到存储器系统的装置且在发射开启存储器系统的电源的命令之后。
在一些实例中,触发事件确定组件555可经配置为或以其它方式支持用于确定触发事件是基于(例如,响应于)车辆通电还是与在存储器系统处执行刷新操作相关联的装置,其中发射刷新命令是基于(例如,响应于)确定触发与在存储器系统处执行刷新操作相关联。
在一些实例中,电力指示发射器540可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)在发射刷新命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统且在发射刷新命令之后的装置,所述阈值时间对应于用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间。
在一些实例中,为了支持检测触发事件,触发事件检测组件535可经配置为或以其它方式支持用于确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间的装置,其中基于(例如,响应于)确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间而检测触发事件。
在一些实例中,时钟组件560可经配置为或以其它方式支持用于维持RTC的装置,其中确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间是基于(例如,参考或以其它方式使用)RTC。
在一些实例中,触发事件检测组件535可经配置为或以其它方式支持用于确定温度是否满足阈值温度的装置,其中基于(例如,响应于)确定温度满足阈值温度而检测触发事件。在一些实例中,温度组件565可经配置为或以其它方式支持用于使用温度传感器检测温度的装置。
在一些实例中,触发事件检测组件535可经配置为或以其它方式支持用于接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示的装置,其中基于(例如,响应于)接收到已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示而检测触发事件。
在一些实例中,电力指示发射器540可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)车辆断电的指示而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统的装置,其中基于(例如,响应于)存储器系统断电而发射开启存储器系统的电源的命令。
在一些实例中,能力接收器550可经配置为或以其它方式支持用于在进入电源关闭状态之前从存储器系统接收存储器系统的刷新能力的装置。在一些实例中,触发事件可进一步与刷新能力相关联。在一些实例中,刷新能力可包含用于存储器系统的刷新操作之间的阈值持续时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间、用于将数据编程到存储器系统的阈值温度、用于将数据编程到存储器系统的目标温度范围、存储器系统的数据保持能力、用于存储器系统的交叉温度处置信息、存储器系统中所包含的存储器单元的类型或其任何组合。
在一些实例中,电力管理器530可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而控制施加到存储器系统的电压的装置。
在一些实例中,刷新操作对应于存储器系统的一或多个四层级存储器单元(例如,QLC)。在一些实例中,基于(例如,响应于检测到)与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而发射开启存储器系统的电源的命令配置存储器系统以在与存储器系统相关联的温度满足目标温度范围时将数据从对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第一块重新编程到对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第二块。
图6展示根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的车辆系统620的框图600。车辆系统620可为如参考图1到4所描述的车辆、车辆系统或汽车系统的方面的实例。车辆系统620或其各种组件可为如本文中所描述的用于执行触发对非易失性存储器的刷新的各种方面的装置的实例。举例来说,车辆系统620可包含触发检测管理器625、电力控制器630、刷新操作管理器635、空闲时间管理器640、命令发射器645、块列表管理器650或其任何组合。这些组件中的每一者可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。车辆系统可包含经配置以与相关联于车辆(例如,车辆系统)的存储器系统耦合的主机系统。车辆系统可更包含与主机系统及存储器系统相关联的控制器,其中控制器可经配置以使车辆系统执行如本文中所描述的一或多个操作。
触发事件检测管理器625可经配置为或以其它方式支持用于在车辆断电时检测将用于存储器系统的主机系统切换到电源开启状态的触发事件的装置,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联。电力控制器630可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力的装置。刷新操作管理器635可经配置为或以其它方式支持用于在车辆断电时且基于(例如,响应于)向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包含将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。
在一些实例中,空闲时间管理器640可经配置为或以其它方式支持用于在向存储器系统提供电力之后确定存储器系统的空闲时间是否满足阈值空闲时间的装置,其中执行刷新操作是基于(例如,响应于)确定存储器系统的空闲时间满足阈值空闲时间。
在一些实例中,命令发射器645可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令从主机系统发布到存储器系统的装置,其中执行刷新操作是基于(例如,响应于)刷新命令。
在一些实例中,块列表管理器650可经配置为或以其它方式支持用于将非易失性存储器块列表存储于存储器系统处的装置,其中非易失性存储器块列表指示在刷新操作期间刷新的存储器系统的一或多个非易失性第一块。
在一些实例中,块列表管理器650可经配置为或以其它方式支持用于基于(例如,根据)对应于块识别符的非易失性存储器块在满足阈值温度的温度下编程、针对对应于块识别符的非易失性存储器块检测到满足阈值错误数量的错误数量或这两者而将块识别符添加到非易失性存储器块列表的装置。
在一些实例中,触发事件检测管理器625可经配置为或以其它方式支持用于确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间、温度是否满足温度阈值或这两者的装置,其中基于(例如,响应于)确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者而检测触发事件。
在一些实例中,触发事件检测管理器625可经配置为或以其它方式支持用于接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示的装置,其中基于(例如,响应于)接收到所述指示而检测触发事件。
在一些实例中,命令发射器645可经配置为或以其它方式支持用于将开启存储器系统的电源的命令从主机系统发布到存储器系统的装置,其中向存储器系统提供电力是基于(例如,响应于)向主机系统提供电力及提供开启存储器系统的电源的命令。
图7展示说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的方法700的流程图。方法700的操作可由如本文中所描述的主机系统或其组件实施。举例来说,方法700的操作可由如参考图1到5所描述的主机系统执行。在一些实例中,主机系统可执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地,主机系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
在705处,所述方法可包含接收车辆断电的指示。可根据如本文中所公开的实例执行705的操作。在一些实例中,可由如参考图5所描述的电力指示接收器525执行705的操作的方面。
在710处,所述方法可包含基于(例如,响应于)车辆断电的指示而进入电源关闭状态。可根据如本文中所公开的实例执行710的操作。在一些实例中,可由如参考图5所描述的电力管理器530执行710的操作的方面。
在715处,所述方法可包含在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联。可根据如本文中所公开的实例执行715的操作。在一些实例中,可通过如参考图5所描述的触发事件检测组件535来执行715的操作的方面。
在720处,所述方法可包含基于(例如,响应于)检测到触发事件而进入电源开启状态。可根据如本文中所公开的实例执行720的操作。在一些实例中,可由如参考图5所描述的电力管理器530执行720的操作的方面。
在725处,所述方法可包含在车辆断电时且在处于电源开启状态时,基于(例如,响应于检测到)与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统。可根据如本文中所公开的实例执行725的操作。在一些实例中,可由如参考图5所描述的电力指示发射器540执行725的操作的方面。
在一些实例中,如本文中所描述的设备可执行一或多个方法,例如方法700。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、电路、逻辑、装置或指令(例如,存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体):接收车辆断电的指示;基于(例如,响应于)车辆断电的指示进入电源关闭状态;在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联;基于(例如,响应于)检测到触发事件而进入电源开启状态;及在车辆断电时且在处于电源开启状态时基于(例如,响应于检测到)与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)在发射开启存储器系统的电源的命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,所述阈值时间对应于用于触发存储器系统处的刷新操作的空闲时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间或这两者。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令发射到存储器系统且在发射开启存储器系统的电源的命令之后的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于确定触发事件是可基于(例如,响应于)车辆通电还是可与在存储器系统处执行刷新操作相关联的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中发射刷新命令可基于(例如,响应于)确定触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)在发射刷新命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统且在发射刷新命令之后的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,所述阈值时间对应于用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间。
在方法700及本文中所描述的设备的一些实例中,用于检测触发事件的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令可包含用于确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间而检测触发事件。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于维持RTC的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,参考)RTC而确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于确定温度是否满足阈值温度的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)确定温度满足阈值温度而检测触发事件。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于使用温度传感器检测温度的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中基于(例如,响应于)接收到已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示而检测触发事件。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)车辆断电的指示而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)存储器系统断电而发射开启存储器系统的电源的命令。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于在进入电源关闭状态之前从存储器系统接收存储器系统的刷新能力的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中触发事件可进一步与刷新能力相关联,且所述刷新能力包含用于存储器系统的刷新操作之间的阈值持续时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间、用于将数据编程到存储器系统的阈值温度、用于将数据编程到存储器系统的目标温度范围、存储器系统的数据保持能力、用于存储器系统的交叉温度处置信息、存储器系统中所包含的存储器单元的类型或其任何组合。
方法700及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而控制施加到存储器系统的电压的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令。
在方法700及本文中所描述的设备的一些实例中,刷新操作对应于存储器系统的一或多个四层级存储器单元,且基于(例如,响应于检测到)与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件发射开启存储器系统的电源的命令配置存储器系统以在与存储器系统相关联的温度满足目标温度范围时将数据从对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第一块重新编程到对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第二块。
图8展示说明根据如本文中所公开的实例的支持触发对非易失性存储器的刷新的方法800的流程图。方法800的操作可由如本文中所描述的车辆系统或其组件实施。举例来说,方法800的操作可由如参考图1到4和6所描述的车辆系统执行。在一些实例中,车辆系统可执行一组指令以控制装置的功能元件来执行所描述的功能。另外或替代地,车辆系统可使用专用硬件来执行所描述的功能的方面。
在805处,所述方法可包含在车辆断电时检测将用于存储器系统的主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联。可根据如本文中所公开的实例执行805的操作。在一些实例中,可由如参考图6所描述的触发事件检测管理器625执行805的操作的方面。
在810处,所述方法可包含基于(例如,响应于)检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力。可根据如本文中所公开的实例执行810的操作。在一些实例中,可由如参考图6所描述的电力控制器630执行810的操作的方面。
在815处,所述方法可包含在车辆断电时且基于(例如,响应于)向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包含将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。可根据如本文中所公开的实例执行815的操作。在一些实例中,可由如参考图6所描述的刷新操作管理器635执行815的操作的方面。
在一些实例中,如本文中所描述的设备可执行一或多个方法,例如方法800。设备可包含用于进行以下操作的特征、电路、逻辑、装置或指令(例如,存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体):在车辆断电时检测将用于存储器系统的主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联;基于(例如,响应于)检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力;及在车辆断电时且基于(例如,响应于)向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包含将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。
方法800及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于在向存储器系统提供电力之后确定存储器系统的空闲时间是否满足阈值空闲时间的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中执行刷新操作可基于(例如,响应于)确定存储器系统的空闲时间满足阈值空闲时间。
方法800及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,响应于)检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令从主机系统发布到存储器系统的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中执行刷新操作可基于(例如,响应于)刷新命令。
方法800和本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于将非易失性存储器块列表存储于存储器系统处的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中非易失性存储器块列表指示在刷新操作期间刷新的存储器系统的一或多个非易失性第一块。
方法800和本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于基于(例如,根据)对应于块识别符的非易失性存储器块在满足阈值温度的温度下编程、针对对应于块识别符的非易失性存储器块检测到满足阈值错误数量的错误数量或这两者而将块识别符添加到非易失性存储器块列表的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令。
方法800及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间、温度是否满足温度阈值或这两者的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者而检测触发事件。
方法800及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)接收到所述指示而检测触发事件。
方法800及本文中所描述的设备的一些实例可进一步包含用于将开启存储器系统的电源的命令从主机系统发布到存储器系统的操作、特征、电路、逻辑、装置或指令,其中可基于(例如,响应于)向主机系统提供电力及提供开启存储器系统的电源的命令而向存储器系统提供电力。
应注意,上文描述的方法描述了可能的实施方案,且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改,且其它实施方案是可能的。此外,可组合来自所述方法中的两者或更多者的部分。
描述一种设备。下文提供如本文中所描述的设备的方面的概述:
方面1:一种设备,其包含:控制器,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合,其中控制器经配置以使设备进行以下操作:接收车辆断电的指示;至少部分地基于车辆断电的指示而进入电源关闭状态;在车辆断电时且在处于电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联;至少部分地基于检测到触发事件而进入电源开启状态;及在车辆断电时且在处于电源开启状态时,至少部分地基于与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将开启存储器系统的电源的命令发射到存储器系统。
方面2:根据方面1所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于在发射开启存储器系统的电源的命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统,所述阈值时间对应于用于触发存储器系统处的刷新操作的空闲时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间或这两者。
方面3:根据方面1到2中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令发射到存储器系统且在发射开启存储器系统的电源的命令之后。
方面4:根据方面3所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:确定触发事件是至少部分地基于车辆通电还是与在存储器系统处执行刷新操作相关联,其中发射刷新命令至少部分地基于确定触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联。
方面5:根据方面3到4中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于在发射刷新命令之后经过阈值时间而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统且在发射刷新命令之后,所述阈值时间对应于用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间。
方面6:根据方面1到5中任一项所述的设备,其中为了检测触发事件,控制器经配置以使设备进行以下操作:确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间,其中至少部分地基于确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间而检测触发事件。
方面7:根据方面6所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:维持实时时钟,其中确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间至少部分地基于实时时钟。
方面8:根据方面#到#中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:确定温度是否满足阈值温度,其中至少部分地基于确定温度满足阈值温度而检测触发事件。
方面9:根据方面8所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:使用温度传感器检测温度。
方面10:根据方面#到9中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示,其中至少部分地基于接收到已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示而检测触发事件。
方面11:根据方面#到10中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于车辆断电的指示而将关闭存储器系统的电源的命令发射到存储器系统,其中至少部分地基于存储器系统断电而发射开启存储器系统的电源的命令。
方面12:根据方面#到11中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:在进入电源关闭状态之前从存储器系统接收存储器系统的刷新能力,其中:触发事件进一步与刷新能力相关联;及刷新能力包括用于存储器系统的刷新操作之间的阈值持续时间、用于在存储器系统处执行刷新操作的持续时间、用于将数据编程到存储器系统的阈值温度、用于将数据编程到存储器系统的目标温度范围、存储器系统的数据保持能力、用于存储器系统的交叉温度处置信息、存储器系统中所包含的存储器单元的类型或其任何组合。
方面13:根据方面#到12中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而控制施加到存储器系统的电压。
方面14:根据方面#到13中任一项所述的设备,其中:刷新操作对应于存储器系统的一或多个四层级存储器单元;且至少部分地基于与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而发射开启存储器系统的电源的命令配置存储器系统以在与存储器系统相关联的温度满足目标温度范围时将数据从对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第一块重新编程到对应于一或多个四层级存储器单元的一或多个第二块。
描述一种设备。下文提供如本文中所描述的设备的方面的概述:
方面15:一种设备,其包含:主机系统,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合;及控制器,其与主机系统和存储器系统相关联,其中控制器经配置以使设备进行以下操作:在车辆断电时检测将主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在存储器系统处执行刷新操作相关联;至少部分地基于检测到触发事件而向主机系统及存储器系统提供电力;及在车辆断电时且至少部分地基于向主机系统及存储器系统提供电力而对存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包含将数据从存储器系统的一或多个非易失性第一块重新编程到存储器系统的一或多个非易失性第二块。
方面16:根据方面15所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:确定存储器系统的空闲时间是否满足在向存储器系统提供电力之后的阈值空闲时间,其中执行刷新操作至少部分地基于确定存储器系统的空闲时间满足阈值空闲时间。
方面17:根据方面15到16中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于检测到与在存储器系统处执行刷新操作相关联的触发事件而将刷新命令从主机系统发布到存储器系统,其中执行刷新操作至少部分地基于刷新命令。
方面18:根据方面15到17中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:将非易失性存储器块列表存储于存储器系统处,其中非易失性存储器块列表指示在刷新操作期间刷新的存储器系统的一或多个非易失性第一块。
方面19:根据方面18所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:至少部分地基于对应于块识别符的非易失性存储器块在满足阈值温度的温度下编程、针对对应于块识别符的非易失性存储器块检测到满足阈值错误数量的错误数量或这两者而将块识别符添加到非易失性存储器块列表。
方面20:根据方面15到19中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:确定在接收到车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间、温度是否满足温度阈值或这两者,其中至少部分地基于确定在接收到车辆断电的指示之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者而检测触发事件。
方面21:根据方面15到20中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:接收在车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示,其中至少部分地基于接收到指示而检测触发事件。
方面22:根据方面15到21中任一项所述的设备,其中控制器进一步经配置以使设备进行以下操作:将开启存储器系统的电源的命令从主机系统发布到存储器系统,其中向存储器系统提供电力至少部分地基于向主机系统提供电力及提供开启存储器系统的电源的命令。
可使用多种不同技术及技艺中的任一个来表示本文中所公开的信息及信号。举例来说,可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些附图可将信号说明为单个信号;然而,所述信号可表示信号总线,其中所述总线可具有各种位宽度。
术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径,那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触,或彼此连接,或彼此耦合)。在任何给定时间,根据包含所连接组件的装置的操作,彼此电子通信(或彼此导电接触,或彼此连接,或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径,或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中,可以例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间部件来中断所连接部件之间的信号流一段时间。
术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件,在所述开路关系中,信号当前不能经由导电路径在所述组件之间传达,在所述闭路关系中,信号能够经由所述导电路径在所述组件之间传达。如果例如控制器的组件将其它组件耦合在一起,则组件发起允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路,则所述组件彼此隔离。举例来说,由位于两个组件之间的开关分隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离,则控制器实现以下改变:阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
如本文中所使用,术语“大体上”意指经修改特性(例如由术语大体上修饰的动词或形容词)可能不是绝对的但可足够接近以便获得特性的优点。
术语“响应于”可指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不完全地)发生的一个条件或动作。举例来说,可执行第一条件或动作,并且作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后),第二条件或动作可至少部分地发生。
另外,术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指作为先前条件或动作的直接结果而发生的一个条件或动作。在一些实例中,可执行第一条件或动作,并且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中,可执行第一条件或动作,并且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作,使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作,或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定,否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件执行的任何条件或动作可另外或替代地(例如,在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”这种其它条件或动作而执行。
本文中所论述的包含存储器阵列的装置可形成在半导体衬底上,例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中,衬底为半导体晶片。在一些其它实例中,衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底,如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP),或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质进行掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间,通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来进行掺杂。
本文所论述的切换组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET),且包括包含源极、漏极和栅极的三端子装置。端子可以通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的,且可包括重度掺杂(例如,简并)的半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或通道分离。如果沟道是n型(即,多数载流子是电子),则FET可以被称为n型FET。如果沟道是p型(即,多数载流子为电穴),那么FET可被称作p型FET。所述沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说,将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可使沟道变为导电的。如果大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极,则晶体管可“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极,则晶体管可“断开”或“去激活”。
本文中结合附图阐述的描述内容描述了实例配置,且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文所用的术语“示范性”意指“充当实例、例子或说明”,且不比其它实例“优选”或“有利”。具体实施方式包含提供对所描述的技术的理解的具体细节。然而,可以在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下,以框图形式展示众所周知的结构及装置以免混淆所描述实例的概念。
在附图中,类似组件或特征可具有相同的参考标记。此外,可通过在参考标记之后跟着连字符及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记,则描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一者。
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施,那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体发射。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说,归因于软件的性质,上文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任何者的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处,包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
举例来说,结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块及组件可使用通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器,但在替代方案中,处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器可被实施为计算装置的组合(例如,DSP与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器结合DSP核心,或任何其它这类配置)。
如本文中所使用,包含在权利要求书中,项目的列表(例如,以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表,使得例如A、B或C中的至少一者的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即,A和B和C)。
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体两者,通信媒体包含有助于将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制,非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置,或可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所需程序代码方式并且可由通用或专用计算机,或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且,适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说,如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件,那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外线、无线电及微波等技术包含于媒体的定义中。如本文所使用的磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘,其中磁盘通常是以磁性方式再现数据,而光盘是用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
提供本文描述以使得所属领域的技术人员能够制造或使用本公开。所属领域的技术人员将清楚对本公开的各种修改,且可在不脱离本公开的范围的情况下将本文所定义的一般原理应用于其它变化形式。因此,本公开不限于本文中所描述的实例和设计,而是被赋予与本文中公开的原理和新颖特征一致的最广泛范围。

Claims (25)

1.一种设备,其包括:
控制器,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合,其中所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作:
接收所述车辆断电的指示;
至少部分地基于所述车辆断电的所述指示而进入电源关闭状态;
在所述车辆断电时且在处于所述电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与所述车辆相关联的所述存储器系统处执行刷新操作相关联;
至少部分地基于检测到所述触发事件而进入所述电源开启状态;及
在所述车辆断电时且在处于所述电源开启状态时,至少部分地基于与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而将开启所述存储器系统的电源的命令发射到所述存储器系统。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于在发射开启所述存储器系统的电源的所述命令之后经过阈值时间而将关闭所述存储器系统的电源的命令发射到所述存储器系统,所述阈值时间对应于用于触发所述存储器系统处的所述刷新操作的空闲时间、用于在所述存储器系统处执行所述刷新操作的持续时间或这两者。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于检测到与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而将刷新命令发射到所述存储器系统且在发射开启所述存储器系统的电源的所述命令之后。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
确定所述触发事件是至少部分地基于所述车辆通电还是与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联,其中发射所述刷新命令至少部分地基于确定所述触发事件与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联。
5.根据权利要求3所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于在发射所述刷新命令之后经过阈值时间而将关闭所述存储器系统的电源的命令发射到所述存储器系统且在发射所述刷新命令之后,所述阈值时间对应于用于在所述存储器系统处执行所述刷新操作的持续时间。
6.根据权利要求1所述的设备,其中为了检测所述触发事件,所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作:
确定在接收到所述车辆断电的所述指示之后是否已经过阈值时间,其中至少部分地基于确定在接收到所述车辆断电的所述指示之后已经过所述阈值时间而检测所述触发事件。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
维持实时时钟,其中确定在接收到所述车辆断电的所述指示之后是否已经过所述阈值时间至少部分地基于所述实时时钟。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
确定温度是否满足阈值温度,其中至少部分地基于确定所述温度满足所述阈值温度而检测所述触发事件。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
使用温度传感器检测所述温度。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
接收在所述车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示,其中至少部分地基于接收到已经过所述阈值时间、所述温度满足所述温度阈值或这两者的所述指示而检测所述触发事件。
11.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于所述车辆断电的所述指示而将关闭所述存储器系统的电源的命令发射到所述存储器系统,其中至少部分地基于所述存储器系统断电而发射开启所述存储器系统的电源的所述命令。
12.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
在进入所述电源关闭状态之前从所述存储器系统接收所述存储器系统的刷新能力,其中:
所述触发事件进一步与所述刷新能力相关联;及
所述刷新能力包括用于所述存储器系统的刷新操作之间的阈值持续时间、用于在所述存储器系统处执行所述刷新操作的持续时间、用于将数据编程到所述存储器系统的阈值温度、用于将所述数据编程到所述存储器系统的目标温度范围、所述存储器系统的数据保持能力、用于所述存储器系统的交叉温度处置信息、所述存储器系统中所包含的存储器单元的类型或其任何组合。
13.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于检测到与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而控制施加到所述存储器系统的电压。
14.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述刷新操作对应于所述存储器系统的一或多个四层级存储器单元;且
至少部分地基于与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而发射开启所述存储器系统的电源的所述命令配置所述存储器系统以在与所述存储器系统相关联的温度满足目标温度范围时将数据从对应于所述一或多个四层级存储器单元的一或多个第一块重新编程到对应于所述一或多个四层级存储器单元的一或多个第二块。
15.一种设备,其包括:
主机系统,其经配置以与相关联于车辆的存储器系统耦合;及
控制器,其与所述主机系统和所述存储器系统相关联,其中所述控制器经配置以使所述设备进行以下操作:
在所述车辆断电时检测将所述主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在所述存储器系统处执行刷新操作相关联;
至少部分地基于检测到所述触发事件而向所述主机系统及所述存储器系统提供电力;及
在所述车辆断电时且至少部分地基于向所述主机系统及所述存储器系统提供电力而对所述存储器系统的一或多个非易失性第一块执行所述刷新操作,所述刷新操作包括将数据从所述存储器系统的所述一或多个非易失性第一块重新编程到所述存储器系统的一或多个非易失性第二块。
16.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
确定所述存储器系统的空闲时间是否满足在向所述存储器系统提供所述电力之后的阈值空闲时间,其中执行所述刷新操作至少部分地基于确定所述存储器系统的所述空闲时间满足所述阈值空闲时间。
17.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于检测到与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而将刷新命令从所述主机系统发布到所述存储器系统,其中执行所述刷新操作至少部分地基于所述刷新命令。
18.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
将非易失性存储器块列表存储于所述存储器系统处,其中所述非易失性存储器块列表指示在所述刷新操作期间刷新的所述存储器系统的所述一或多个非易失性第一块。
19.根据权利要求18所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
至少部分地基于对应于块识别符的非易失性存储器块在满足阈值温度的温度下编程、针对对应于所述块识别符的所述非易失性存储器块检测到满足阈值错误数量的错误数量或这两者而将所述块识别符添加到所述非易失性存储器块列表。
20.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
确定在接收到所述车辆断电的指示之后是否已经过阈值时间、温度是否满足温度阈值或这两者,其中至少部分地基于确定在接收到所述车辆断电的所述指示之后已经过所述阈值时间、所述温度满足所述温度阈值或这两者而检测所述触发事件。
21.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
接收在所述车辆断电之后已经过阈值时间、温度满足温度阈值或这两者的指示,其中至少部分地基于接收到所述指示而检测所述触发事件。
22.根据权利要求15所述的设备,其中所述控制器进一步经配置以使所述设备进行以下操作:
将开启所述存储器系统的电源的命令从所述主机系统发布到所述存储器系统,其中向所述存储器系统提供电力至少部分地基于向所述主机系统提供电力及提供开启所述存储器系统的电源的所述命令。
23.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体,所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作:
接收车辆断电的指示;
至少部分地基于所述车辆断电的所述指示而进入电源关闭状态;
在所述车辆断电时且在处于所述电源关闭状态时检测切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在与所述车辆相关联的存储器系统处执行刷新操作相关联;
至少部分地基于检测到所述触发事件而进入所述电源开启状态;及
在所述车辆断电时且在处于所述电源开启状态时,至少部分地基于与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而将开启所述存储器系统的电源的命令发射到所述存储器系统。
24.根据权利要求23所述的非暂时性计算机可读媒体,其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步使所述电子装置进行以下操作:
至少部分地基于检测到与在所述存储器系统处执行所述刷新操作相关联的所述触发事件而将刷新命令发射到所述存储器系统且在发射开启所述存储器系统的电源的所述命令之后。
25.一种存储包括指令的代码的非暂时性计算机可读媒体,所述指令在由电子装置的处理器执行时使所述电子装置进行以下操作:
在车辆断电时检测将用于存储器系统的主机系统切换到电源开启状态的触发事件,所述触发事件与在所述存储器系统处执行刷新操作相关联;
至少部分地基于检测到所述触发事件而向所述主机系统及所述存储器系统提供电力;及
在所述车辆断电时且至少部分地基于向所述主机系统及所述存储器系统提供电力而对所述存储器系统的一或多个非易失性第一块执行刷新操作,所述刷新操作包括将数据从所述存储器系统的所述一或多个非易失性第一块重新编程到所述存储器系统的一或多个非易失性第二块。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230041983A1 (en) * 2021-08-04 2023-02-09 Micron Technology, Inc. Interface for refreshing non-volatile memory
US11817168B2 (en) * 2021-11-30 2023-11-14 Micron Technology, Inc. Environmental condition tracking for a memory system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7453758B2 (en) * 2006-02-21 2008-11-18 Infineon Technologies Ag Control system for a dynamic random access memory and method of operation thereof
DE102014211111A1 (de) * 2014-06-11 2015-12-17 Robert Bosch Gmbh Refresh eines Speicherbereichs einer nichtflüchtigen Speichereinheit
US11669425B2 (en) * 2020-04-08 2023-06-06 Micron Technology, Inc. Computerized system and method for periodically powering up a storage device to avoid data loss
US11360533B2 (en) * 2020-04-15 2022-06-14 Micron Technology, Inc. Device maintenance of a data storage device including wear levelling, garbage collection, or combination thereof
CN113859047B (zh) * 2020-06-30 2024-04-02 宁德时代新能源科技股份有限公司 低压输电系统、dcdc变换器、控制方法、设备及介质
US11861186B2 (en) * 2021-04-10 2024-01-02 Innogrit Technologies Co., Ltd. System and method for managing solid state storage devices in low temperature environment

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